By this analytical method for amino acids, amino acids can be analyzed with easiness and high sensitivity because it includes (A) the process for reacting aminoacyl-tRNA synthetase, amino acid contained in a sample and adenosine triphosphate and (B) the process for detecting pyrophosphoric acid produced by the reaction process. 本発明のアミノ酸の分析方法によれば、(A)アミノアシル−tRNAシンセターゼと、試料中に含まれるアミノ酸と、アデノシン三リン酸とを反応させる工程、(B)上記反応工程によって生じるピロリン酸を検出する工程、を含むことにより、簡便かつ高感度にアミノ酸を分析することができる。 - 特許庁
To provide a calibration control apparatus and a calibration control method that can reduce processing time for applicability to practical use by carrying out a simple calibration using the result of a previous calibration process in response to a request for a re-calibration process after a calibration process. この発明は、キャリブレーション処理後の再キャリブレーション処理要求に対して、前の処理結果を利用した簡易キャリブレーション処理を行なって処理時間の短縮を図り、実用に適するようにしたキャリブレーション処理制御装置及びキャリブレーション処理制御方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
The process to be an execution unit of an encryption program is cached in a data unit of a program to be executed, a physical address and an instruction key identifier, and when data corresponding to a process to be executed is cached, the process is executed by using the cached data without decrypting the encryption program. 暗号化プログラムの実行単位となるプロセスを、実行対象のプログラム、物理アドレス及び命令鍵識別子のデータ単位でキャッシュし、実行対象のプロセスに該当するデータがキャッシュされている場合、前記暗号化プログラムの復号を行わず、このキャッシュされたデータを用いてプロセスを実行する。 - 特許庁
The method for producing the resin molding includes a first process for removing at least one portion of an antistatic agent from a first resin material containing the antistatic agent and a second process forming a resin composition containing the first resin material having undergone the first process and a second resin material. 本発明の樹脂成形体の製造方法は、帯電防止剤を含む第1の樹脂材料から帯電防止剤の少なくとも一部を除去する第1工程と、第1工程を経た第1の樹脂材料と、第2の樹脂材料とを含む樹脂組成物を成形する第2工程とを備える。 - 特許庁
A negative electrode is prepared in a process for filling paste containing a hydrogen storage alloy in a conductive substrate, a process for drying the conductive substrate filled with the paste, and a process for pressing once the conductive substrate filled with the paste so that the compression the efficiency is 20-70%. 水素吸蔵合金を含むペーストを導電性基板に充填する工程と、前記ペーストが充填された導電性基板を乾燥する工程と、前記ペーストが充填された導電性基板に圧下効率が20〜70%になるようにプレスを1回施す工程とを具備する方法により負極を作製することを特徴とする。 - 特許庁
A process for forming the film for infrared detection preferably includes a process for producing a solution by dissolving the vinylidene fluoride-based polymer into an organic solvent, and applying and depositing it on a substrate; and a post treatment process for vaporizing the organic solvent by heating the substrate onto which the solution is applied, and annealing a dielectric body film. 前記赤外線検出用膜を形成する工程は、ビニリデンフルオライド系ポリマーを有機溶剤を用いて溶液を作成し、基板上に塗布して堆積する工程と、溶液を塗布した基板を加熱処理することによって有機溶媒を蒸発させ、誘電体膜をアニールする後処理工程とを含むことが好ましい。 - 特許庁
The method for manufacturing a semiconductor device 1 includes a process for forming a silicon oxide film 12 on a substrate 11, a process for forming a silicon oxide-nitride film 13 by introducing nitrogen into the silicon oxide film 12 and a process for forming an insulating film 14 which includes at least one of Zr and Hf on the silicon oxide-nitride film 13. 半導体装置1の製造方法は、基板11上に、シリコン酸化膜12を形成する工程と、シリコン酸化膜12に対して窒素を導入してシリコン酸窒化膜13を形成する工程と、シリコン酸窒化膜13上にZr、Hfの少なくともいずれかを含む絶縁膜14を形成する工程とを含む。 - 特許庁
A display device is manufactured with a manufacturing method including a process of piling plural fibers 4 with alternately crossing, a process of applying pressure on the piled fibers 4 in the piling direction, and a process of heating the piled fibers 4 up to a temperature at which at least a surface of the fiber 4 melts. 複数のファイバ4を交互に交差させて積層する工程と、積層された上記ファイバ4に対して積層方向に圧力を加える工程と、積層されたファイバ4に対して少なくとも上記ファイバの表面が融解する温度まで加熱する工程とを含む製造方法により表示装置を製造する。 - 特許庁
The method for producing an optical anisotropic film includes a heating process which performs heat treatment to the substrate surface; a rubbing process which performs the rubbing processing to the substrate surface to which the heat treatment was performed; a coating process which performs coating of a coating liquid, containing the lyotropic liquid crystalline compound to the substrate surface to which the rubbing processing is performed. 本発明光学異方膜の製造方法は、基材表面に加熱処理を行う加熱工程と、前記加熱処理を行った基材表面にラビング処理を行うラビング工程と、前記ラビング処理を行った基材表面にリオトロピック液晶性化合物を含む塗工液を塗工する塗工工程と、を有する。 - 特許庁
To provide a process for producing a mask in which a mask blank having a black/white defect is not discarded but utilized, managing method, program and system of the mask blank for making it possible, and a process for fabricating a semiconductor device employing the process for producing a mask. 黒/白欠陥が存在するマスクブランクスを廃棄せずに利用することを可能にするマスクの製造方法と、これを可能にするマスクブランクスの管理方法、マスクブランクスの管理プログラムおよびマスクブランクスの管理装置、並びに上記マスクの製造方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The polylactic acid crimpled yarn is produced by a production method comprising a spinning process for spinning a polylactic acid to give a spun yarn, a drawing process for drawing the spun yarn and heat-setting the yarn in a state of tension and a crimping process for crimping the drawn yarn. ポリ乳酸を紡糸して紡糸糸を得る紡糸工程と、前記紡糸糸を延伸し該糸の緊張状態を保持した状態で熱セットする延伸工程と、前記延伸された糸に捲縮を付与する捲縮工程とを包含することを特徴とする製造方法でポリ乳酸捲縮糸を製造する。 - 特許庁
The formation method of the joint part includes a process for filling the powder of the particle size of 5 mm or less including modified sulfur and an inorganic fine aggregate in the joint part, a process for heating the powder filled in the joint part and melting the modified sulfur, and a process for cooling and solidifying the melted modified sulfur. 本発明の目地部の形成方法は、改質硫黄及び無機系細骨材を含む粒径5mm以下の目地充填用粉末を、目地部に充填する工程と、目地部に充填した粉末を加熱し、改質硫黄を溶融する工程と、溶融した改質硫黄を冷却固化する工程とを含む。 - 特許庁
With this, because the control part 51 supplies the drying solvent from the first storage tank 11 to the solvent regenerating apparatus 3 to regeneration-process, no interruption of the processing in the drying process apparatus 1 of the substrate processing apparatus involved in the regeneration process is required to be able to improve the throughput of the substrate processing apparatus. これとともに、制御部51は、第1の貯留タンク11から溶剤再生装置3に乾燥溶剤を供給して再生処理を行わせるので、再生処理に伴って基板処理装置の乾燥処理装置1における処理を中断する必要がなく、基板処理装置のスループットを向上させることができる。 - 特許庁
It is diagnosed in an inspection process that an off-specification product is caused by a manufacturing device or a process, and the above diagnosis is made by the use of inspection data on each process in the manufacturing lines of various kinds of semiconductor devices and the actual values of the manufacturing conditions under which the manufacturing device operates in the processes. 本発明は、多品種の半導体デバイス製造ラインにおける各工程毎の検査データおよびその際の製造装置の製造条件の実績値を用いて、半導体デバイス製造の検査工程における規格外れ要因を、製造装置起因とプロセス起因に分離する診断処理を行う。 - 特許庁
A process management device 10 sequentially registers, for each process, a correlation between a tray number d21 corresponding to a dot pattern of a label d2 read in from an electronic pen 30 and a process-based checking item corresponding to a dot pattern of a form d1 read from the electronic pen 30 with a storage device 12. 工程管理装置10は、工程ごとに、電子ペン30から読み込まれたラベルd2のドットパターンに対応するトレイ番号d21と、電子ペン30から読み込まれた帳票d1のドットパターンに対応する工程別チェック項目との対応関係を記憶装置12に順次登録していく。 - 特許庁
This method for creating a clone of fish is characterized in that the method has a process for irradiating a nucleus recipient cell with X- rays, a process for transplanting the nucleus of a nucleus donor cell into the nucleus recipient cell and a process for producing the obtained nucleus transplanted cell and the nucleus donor cell is an embryo cell. 魚類のクローンを作製する方法であって、核受容細胞にX線照射を行う工程と、核提供細胞の核を前記核受容細胞に移植する工程と、得られた核移植細胞を発生させる工程とを具備し、且つ前記核提供細胞が胚細胞であることを特徴とする方法。 - 特許庁
An anisotropic etching process carried out by the use of a magnetron etching device and an ashing process for removing a fluorocarbon polymer 14 produced in the above etching process are repeatedly carried out three times or so, by which a contact hole 13 is provided to the interlayer insulating film 9 so as to extend to a source/ drain region 6. 多結晶Si膜10および内壁膜12aをマスクとして、マグネトロンエッチング装置を用いた異方性エッチングと、このエッチングで生じたフロロカーボンポリマー14を除去するアッシングとを3回程度繰り返し行うことにより、層間絶縁膜9にソース/ドレイン領域6に達するコンタクトホール13を形成する。 - 特許庁
An abnormality detection part 108 detects the abnormality of the process in the current state of the function under operation based on the state value in normal operation of the process in the current state of the function under operation and the current state of the process configuring the function extracted by an extraction part 107. 抽出部107において抽出された、現在の稼動中の機能の状態におけるプロセスの正常稼動時の状態値、および当該機能を構成するプロセスの現在の状態に基づいて、異常検出部108は稼動中の機能の現在の状態での、プロセスの異常を検出する。 - 特許庁
A material quantity flow evaluation section 3 specifies a treating method corresponding to kind and quantity of the waste, concentration and level of harmful substances by using waste attribute data in a waste database 1 and waste treating process specification data in a waste treating process database 2, and evaluates a process in which the waste is treated and an amount by which the waste is treated. 物量フロー評価部3は、廃棄物データベース1の廃棄物属性データ、廃棄物処理プロセスデータベース2の廃棄物処理プロセス仕様データを用いて、廃棄物の種類、量、有害物の濃度およびレベルに応じた処理方法を特定し、どのプロセスでどのくらいの量を処理するかを評価する。 - 特許庁
To provide a pattern forming method capable of accurately forming a microscopic pattern which is finer than the exposure limit without requiring the second exposure process, thereby simplifying the process in comparison to the conventional process and reducing the manufacturing cost of the semiconductor device, and to provide a semiconductor device manufacturing method, and a semiconductor device manufacturing apparatus. 2回目の露光工程を必要とせずに、露光限界よりも細い微細なパターンを高精度で形成することができ、従来に比べて工程の簡略化と半導体装置の製造コストの低減を図ることのできるパターン形成方法、半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁
A process to carry out the hole etching or the trench etching of silicon so as to substantially expose at least the silicon on the bottom surface of an etched part and a process to form a silicon oxide film on a silicon structure formed in the process to carry out the hole etching or the trench etching by a CVD method are carried out. エッチングされた部分の少なくとも底面のシリコンが実質的に露出するようにシリコンをホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程と、そのホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程により形成されたシリコン構造体上にCVD法によりシリコン酸化膜を形成する工程を行う。 - 特許庁
The manufacturing method of the electrode 11 for the fuel cell is equipped with a process of forming the spacer member 2 at the peripheral part of the surface of the electrode base material 1, a process of coating a catalyst paste in a region surrounded by the spacer member 2, and a process of forming the catalyst layer 3 by crimping after drying the catalyst paste. 本発明による燃料電池用電極11の製造方法は、電極基材1表面の周縁部にスぺーサ部材2を形成する工程と、スぺーサ部材2で囲まれる領域に触媒ペーストを塗布する工程と、触媒ペーストを乾燥した後、圧着して触媒層3を形成する工程とを備える。 - 特許庁
This resist pattern formation method includes a process for forming a lower-layer film (103) having polymer containing fluorine on a wafer substrate (101), a process for forming a resist film (104) on the lower-layer film, and a process for allowing the resist film to be subjected to pattern exposure and processing for obtaining the resist pattern (105). ウェハー基板(101)上に、フッ素含有ポリマーを含む下層膜(103)を形成する工程と、前記下層膜上にレジスト膜(104)を形成する工程と、前記レジスト膜に対しパターン露光および現像処理を施して、レジストパターン(105)を得る工程とを具備するレジストパターン形成方法である。 - 特許庁
The manufacturing method includes a process (S1) to form an amorphous semiconductor layer, a process (S3) to form a polysilazane layer having negative photosensitivity on the front surface of the semiconductor layer, and a process (S4) to crystallize the predetermined region of the semiconductor layer by irradiating light to the predetermined region of the semiconductor layer while exposing the polysilazane layer. 非晶質の半導体層を形成する工程(S1)と、その半導体層の表面に、ネガ型の感光性を有するポリシラザン層を形成する工程(S3)と、ポリシラザン層の所定領域に光を照射して、ポリシラザン層を露光するとともに、半導体層の所定領域を結晶化する工程(S4)と、を有する。 - 特許庁
The catalyst ink is manufactured by forming catalyst-carrying carbon particles, by making carbon particles controlled so that the diameter of fine pores on surface becomes large (process 100) carry the catalyst that does not contain electrolyte (process 110), and by mixing and dispersing solvent and solid polymer electrolyte material to the catalyst-carrying carbon particles (process 140). 表面微細孔径が大きくなるように制御したカーボン粒子に(工程100)、電解質を含まない触媒を担持させて触媒担持カーボン粒子とし(工程110)、この触媒担持カーボン粒子に溶媒と、固体高分子電解質材料とを混合、分散させて触媒インクとする(工程140)。 - 特許庁
A manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device includes: a process in which ions are implanted on a silicon carbide single crystal substrate or a substrate on which a silicon carbide single crystal epitaxial film is formed; a process in which a carbon film containing nitrogen is formed on the substrate; and a process in which activation heat treatment of implanted ions is performed. 炭化珪素単結晶基板又は炭化珪素単結晶エピタキシャル膜が成膜された基板にイオン注入する工程と、該基板上に窒素を含有した炭素膜を形成する工程と、注入イオンの活性化熱処理を行う工程とを含む炭化珪素半導体デバイスの作製方法である。 - 特許庁
The method of manufacturing the epitaxial wafer at least comprises a heat treatment process conducting heat treatment for a silicon single crystal in ingot state, a wafer processing process wherein the heat-treated ingot is sliced into wafers with mirror surface, and an epitaxial growth process wherein an epitaxial layer is formed on the wafers. エピタキシャルウエーハの製造方法であって、少なくとも、インゴット状態のシリコン単結晶に熱処理を行なう熱処理工程と、前記熱処理したインゴットを鏡面状のウエーハに加工するウエーハ加工工程と、前記ウエーハ上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁
A first process for forming the oxide film on the substrate to be treated by switching the high frequency impedance of the substrate support 46 by a high frequency circuit 64, and a second process for forming a nitride oxide film by nitriding the oxide film formed by the first process with plasma-active nitrogen gases are successively performed. 基板支持体46の高周波インピーダンスを高周波回路64により切り替えることによって、被処理基板に酸化膜を形成する第1のプロセスと、この第1のプロセスにより形成された酸化膜をプラズマ活性な窒素ガスにより窒化処理して酸窒化膜を形成する第2のプロセスとを、連続して行う。 - 特許庁
The electron emission element manufacturing method includes a process of forming an electron emission film, a process of forming a first layer 103 having insulating or semi-conductive property on a substrate and a process of forming a second layer 104 mainly containing carbon on the first layer 103. 本発明に係る電子放出素子の製造方法において、電子放出膜を成膜する工程は、基体上に絶縁性または半導電性を有する第1の層103を成膜する工程と、第1の層103上に、炭素を主成分とする第2の層104を成膜する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁
Both conveyance for an outer panel 40a of a car body panel part 40 from a pre-hem process part 43 to adhesive coating process parts 45 and 47, and conveyance to a conveyor 63 of the car body panel 40 integrated an inner panel 40b with the outer panel 40a at the adhesive process parts 45 and 47, are carried out by a first handling robot 51. 車体パネル部品40のアウタパネル40aに対するプリヘム工程部43から接着剤塗布工程部45,47への搬送および、接着剤塗布工程部45,47でアウタパネル40aにインナパネル40bを一体化させた車体パネル部品40のコンベア63への搬送を、第1のハンドリングロボット51で行う。 - 特許庁
A photographic printing device 10 comprises a plurality of distributed process units 12 to 16 which have their individual control CPUs and execute their allotted discrete stage processes and a main control unit 11 which are connected with each distributed process unit 12 to 16 through a data bus 21 and collectively controls the distributed process units 12 to 16. 写真プリント装置10は、個々に制御用CPUを持ちそれぞれ割り当てられた個別工程の処理を実行する複数の分散処理ユニット12〜16と、これら各分散処理ユニット12〜16とデータバス21を介して接続され、各分散処理ユニット12〜16を統括的に制御するメインコントロールユニット11とからなる。 - 特許庁
An electrically conductive layer is deposited on a complex shaped Si-based substrate such as an integral vane ring and a integrally bladed rotor by fusion coating, a chemical vapor deposition process and a physical deposition process, and, as a protective coating, at least one barrier layer is deposited thereon by an electrophoretic deposition (EPD) process. 一体型ベーンリングおよびブレード一体型ロータなどの複雑な形状を有するSiベース基材に、溶解塗装、化学蒸着法および物理蒸着法で導電層を堆積させ、その上に電気泳動堆積法(EPD)により保護被覆として少なくとも1層のバリヤ層を堆積させる。 - 特許庁
To provide a reinforcing fiber, a process for making a reinforcing fiber, a process for making a plurality of reinforcing fibers, a reinforcing fiber for a curable resin, a cured composite, a curable composite, a process for making a cured composite, a method for applying a composite to a surface, and a method for molding a composite. 強化繊維、強化繊維を製造する方法、複数の強化繊維を製造する方法、硬化性樹脂用の強化繊維、硬化複合材料、硬化性複合材料、硬化複合材料を製造する方法、複合材料を表面に施す方法、および複合材料を成形する方法の提供。 - 特許庁
When the consecutive six bits of dominant of the communication received from the process input/output parts 6-8 appears equal to or more than setting number of times in a setting time period, a communication line connecting between the first and second transceivers and transmitting the communication from the process input/output part 6 to the process control controller 1 is disconnected. プロセス入出力部6〜8から受信した通信のドミナントが、設定時間内に設定回数以上、6ビット連続した場合には、第1のトランシーバと第2のトランシーバを接続してプロセス入出力部6からプロセス制御コントローラ1への通信を伝送している通信回線を切断する。 - 特許庁
In the coloring prevention method for the process liquid, immersion treatment is performed with an acid solution to (1) the stainless steel with a high sulfur concentration before producing equipment treating an acidic process liquid using the stainless steel with a high sulfur concentration, or to (2) the liquid contacting face of the equipment produced using the stainless steel with a high sulfur concentration before an acidic process liquid is treated therein. プロセス液の着色防止方法は、(1)高硫黄濃度ステンレス鋼を用いて酸性のプロセス液を扱う設備を製造する前の該高硫黄濃度ステンレス鋼を、または(2)高硫黄濃度ステンレス鋼を用いて製造した設備で酸性のプロセス液を扱う前に設備の接液面を、酸溶液で浸漬処理をする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a drain material for improving the ground, capable of shortening a manufacturing process for the drain material for improving the ground by dispensing with a cooling process for curing the core material of the drain material before the fusion-bonding of a nonwoven fabric to the core material and a process for reheating the surface of the core material, and a manufacturing apparatus therefor. ドレーン材の芯材に不織布を溶着させる前の芯材を硬化させる冷却工程と芯材の表面を再加熱する工程を不要にして、地盤改良用ドレーン材の製造工程を短縮することができる地盤改良用ドレーン材の製造方法及びその製造装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for removing oil from a scale of fine particles containing a lubricating oil, and the like, which is produced in a steelmaking process and a metal processing process, and a metal powder with oil stuck thereto, which is produced in the metal processing process, wherein deoiling processing is carried out so that fine particles containing oil are economically reused in recycling. 製鉄工程や金属の加工工程で発生する、潤滑油などを含む微粒スケールや金属の加工工程で発生する油が付着して金属粉などから、油を除去する方法と装置を示すものであり、脱油処理を行うことにより、油を含む微粒子を経済的にリサイクル使用する。 - 特許庁
The manufacturing method of a lamp includes a process of placing a mounting board 21 wherein semiconductor light-emitting elements are mounted on the base 30, a process of fixing the mounting board 21 on the base 30 by plastically deforming a part of the base 30, and a process of arranging the base 30 where the mounting board 21 is fixed in a case. 本発明に係るランプの製造方法は、半導体発光素子が実装された実装基板21を基台30に載置する工程と、基台30の一部を塑性変形させて実装基板21を基台30に固定する工程と、実装基板21が固定された基台30を筐体に配置する工程と、を含む。 - 特許庁
In a mixing process 2, carbon black 3 having characteristics of 3 to 4 in pH value and 100 to 150 m^2/g in specific surface area and/or the fine powder 4 produced in a classifying process in a toner manufacturing process are added to the raw materials, by which the surface of wax is coated with the carbon black 3 and/or the fine powder 4. 混合工程2において、pH値が3以上4以下、比表面積が100〜150m^2/gの特性を持つカーボンブラック3および/またはトナー製造工程における分級工程で生じた微紛4とを加えることで、該カーボンブラック3および/または微紛4によりワックスの表面が被覆される。 - 特許庁
The titled process comprises (A) a step wherein a metallocene transition metal compound is brought into contact with an activator, (B) a step wherein a product obtained in the above-mentioned process (A) is brought into contact with an α-olefin and (C) a step wherein a product obtained in the above-mentioned process (B) is added with a metallocene transition metal compound. (A)メタロセン系遷移金属化合物と活性化剤とを接触させる工程 (B)上記(A)で得られた接触生成物にα−オレフィンを接触させる工程 (C)上記(B)で得られた接触生成物にメタロセン系遷移金属化合物を添加する工程、を含むオレフィン重合用触媒成分の製造方法。 - 特許庁
To minimize a manufacturing period and to determine the processing timing of each process that meets a delivery deadline, in a manufacturing process which has a plurality of multi-stage processes of different processing capabilities and which manufactures a plurality of kinds of products in combination with different rates of occurrence for the different processes, such as a manufacturing process for thick plates in steel industry. 鉄鋼業における厚板の製造プロセスのように、処理能力が異なる多段複数工程を有し、工程毎の処理発生率が異なる複数種類の製品を組み合わせて製造する製造プロセスにおいて、製造工期を最短とするとともに、納期を遵守する各工程の処理タイミングを求める。 - 特許庁
The image forming apparatus using the process cartridge which can be loaded in/unloaded from the image forming apparatus is equipped with a shielding member which shields between the transfer upper guide and the surface of the photoreceptor in the process cartridge on a cross section perpendicular to the axial direction of the photoreceptor in a state where the process cartridge is loaded in the image forming apparatus. 画像形成装置に着脱可能なプロセスカートリッジを用いる装置であって、プロセスカートリッジが画像形成装置に装着された状態における感光体の軸線方向に垂直な断面において、プロセスカートリッジに転写上ガイドと感光体表面の間を遮蔽する遮蔽部材を備えるように構成する。 - 特許庁
When the printing density is set high, an AND process (conjunction process) is carried out for each dot to image data corresponding to the bar code and data obtained by shifting the image data by one dot in a right direction, and a thinning process of reducing in a right-left direction dots shown by black of a level not lower than a predetermined reference value is executed. 印字濃度を濃く設定した場合、バーコードに対応するイメージデータと、このイメージデータを1ドット分だけ右方向にシフトしたものに対して、各ドット毎にAND処理(論理積演算処理)を施し、所定の基準値以上のレベルの黒で示されたドットを左右方向に1ドット分だけ減らす間引き処理を行う。 - 特許庁
The manufacturing method of the airtight terminal comprises a process of fixing the lower ends of the leads 3A and 3A by a fixing material 5 while keeping a prescribed interval for each airtight terminal Ao, a process of forming the plating layer 4 on the fixed leads, and a process of cutting the plated leads 3A and 3A from the part near the fixing material 5. 気密端子Aoごとにリード3A,3Aの下端部同士を所定間隔に保ったまま固着材5で固着する工程、固着されたリードにめっき層4を形成する工程、およびめっき処理されたリード3A,3Aを前記固着材5の近傍部分から切断する気密端子の製造方法である。 - 特許庁
An exhausting mechanism 30 in a CVD film forming device is provided with an exhaust pipe 14 connected to a process chamber 12, an automatic pressure controller(APC) 16 provided on the exhaust pipe 14 and automatically controlling the pressure in the process chamber 12 and an exhaust gas removing device 18 removing exhaust gas flowed out of the process chamber 12. CVD成膜装置の本排気機構30は、プロセスチャンバ12に接続された排気管14と、排気管14に設けられ、プロセスチャンバ12の圧力を自動的に制御する自動圧力制御装置(APC)16と、プロセスチャンバ12から流出した排ガスを除害する排ガス除害装置18とを備えている。 - 特許庁
As the nickel smelting process using the high-temperature high-pressure acid leaching process in which nickel is leached out by a sulfuric-acid solution, a nickel smelting process in which leaching is performed by adding either or both of sulfur and a carbon compound to slurry to be subjected to leaching to control the oxidation/reduction potential (vs Ag/AgCl) of a leachate to 400 to 600 mV is used. 本発明の硫酸溶液によりニッケルを浸出する高温加圧酸浸出法を用いたニッケル製錬方法は、被浸出スラリーに硫黄および炭素化合物のうちの1つ以上を添加して、浸出液の酸化還元電位(vs Ag/AgCl)を400〜600mVに制御して浸出を行うニッケル製錬方法を用いる。 - 特許庁
The method for producing receptacle-shaped baked confectionery 15 comprises the following process: a process of baking the dough of Croquignoles 13 formed into thin and flat one so as to have a prescribed shape (almost disk state one) while passing the dough through a kiln; and a process of forming the baked dough of Croquignoles by stamping the dough as it is without cooling the dough. 所定の形状(略円板状)になるよう薄く平たく成形されたクロキニョール生地13を,焼成炉を通過させて焼きあげる工程と、焼きあがったクロキニョール生地を冷却することなくそのまま型打ちして器状に成形する工程とを備えている器型焼き菓子15の製法とする。 - 特許庁
To reduce an operation time by facilitating switching operation between an integration operation and interruption of the integration operation by instructing respective devices to conduct the integration process and to interrupt the integration process collectively even in case the devices for conducting the integration process of a travelling system and an operation system of an industrial vehicle are dispersed. 産業車両の走行系および作業系の積算処理を行う機器が分散していたとしても、各機器に一括して積算処理及び積算処理の中断を指示できるようにし、積算処理と積算処理の中断との切替作業を簡易にすることによって作業時間を短縮する。 - 特許庁
Further, the sensor chip is manufactured by a process for treating the surface of the sensor chip 1 with a copolymer (B), a process for removing the copolymer (B) from the surface of the gold electrode 5 by washing the surface of the sensor chip 1 and a process for treating the surface of the sensor chip 1 with the polymer (A). また、このセンサチップは、センサチップ1の表面を共重合体(B)で表面処理する工程と、センサチップ1の表面を洗浄して金電極5の表面から共重合体(B)を除去する工程と、センサチップ1の表面を共重合体(A)で表面処理する工程により製造される。 - 特許庁
To provide a promising bottom resist layer material as a bottom resist film for a multi-layer resist process such as a silicon-containing two-layer resist process or a three-layer resist process with a silicon-containing intermediate layer for instance, by having the optimum n-value, and k-value in exposure of short wavelength and having excellent etching resistance in a substrate etching condition. 短波長の露光において、最適なn値、k値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有2層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層による3層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁