「Sputtering Method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 16 17 18 19 20 21 22 23 24 .... 52 53 次へ＞- A DLC film 2 of insulating performance is formed on the surface of the substrate 1 by a film formation method of a plasma CVD method, a sputtering method, a PBII method or the like.
プラズマＣＶＤ法，スパッタリング法，ＰＢＩＩ法等の皮膜形成方法により基体１表面に絶縁性のＤＬＣ皮膜２を形成する。 - 特許庁 - The seed layer can be formed by an organic metal deposition method, spray pyrolysis method, RF sputtering method, or spin-on method, such as oxidation of the seed layer, as an alternative method.
シード層は、代替の方法として、有機金属堆積法、スプレイ熱分解法、ＲＦスパッタリング法またはシード層の酸化などのスピンオン法によって形成されることが出来る。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a cylindrical sputtering target which can remarkably reduce cracking and chipping.
割れ、欠けを著しく低減できる円筒形スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - ELECTROCONDUCTIVE OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET COMPOSED OF THE SINTERED COMPACT AND THEIR PRODUCTION METHOD
導電性酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット及びこれらの製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC EL ELEMENT PANEL USING THE SAME, AND ORGANIC EL ELEMENT
スパッタ装置およびそれを用いた有機ＥＬ素子パネルの製造方法並びに有機ＥＬ素子 - 特許庁 - To provide a high-strength ITO sintered compact, a sputtering target and its manufacturing method.
高い強度を有するＩＴＯ燒結体、スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Nb SPUTTERING TARGET, ITS MANUFACTURING METHOD, OPTICAL THIN FILM USING IT, AND OPTICAL COMPONENT
Ｎｂスパッタリングターゲットおよびその製造方法、並びにそれを用いた光学薄膜、光学部品 - 特許庁 - An IrO_X film 25 having a thickness of 50 nm is formed on a PZT film 24 by a sputtering method.
ＰＺＴ膜２４上にスパッタ法により厚さが５０ｎｍのＩｒＯ_X膜２５を形成する。 - 特許庁 - Al is covered by a sputtering method on the insulating film 12, and an Al film 13 is formed.
絶縁膜１２上にＡｌをスパッタリング法により被着してＡｌ膜１３を形成する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET MADE OF COPPER OR COPPER ALLOY WHERE OXIDATION DISCOLORATION INHIBITOR IS APPLIED AND TREATMENT METHOD THEREFOR
酸化変色防止剤を施した銅又は銅合金製スパッタリングターゲットおよびその処理法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR HIGH RESISTANCE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND MANUFACTURING METHOD OF HIGH RESISTANCE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法 - 特許庁 - A Si film 51 is formed on a 42-alloy cavity plate 10 with a sputtering method or the like.
４２合金製のキャビティプレート１０に、スパッタ法等を用いてＳｉ膜５１を形成する。 - 特許庁 - SPUTTERING DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR FLAT PANEL DISPLAY AND SEMICONDUCTOR DEVICE THEREWITH
スパッタ装置、及びこれを用いる平面表示装置用基板や半導体素子の製造方法 - 特許庁 - To provide an Ni-alloy sputtering target which can be used for a long term, and a method for manufacturing the same.
長期間使用できるＮｉ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING FINE CRYSTAL GRAIN COPPER MATERIAL, THE FINE CRYSTAL GRAIN COPPER MATERIAL, AND SPUTTERING TARGET
微細結晶粒銅材料の製造方法、微細結晶粒銅材料及びスパッタリングターゲット - 特許庁 - The magnetic recording medium 10 is provided with the carbon protective layer 4 formed by a ECR sputtering method.
磁気記録媒体１０は、ＥＣＲスパッタ法により形成した炭素保護層４を備える。 - 特許庁 - Then, indium tin oxide (ITO) is film-formed in high electric power density by a magnetron sputtering method.
その上で酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）はマグネトロンスパッタリング法にて高電力密度で成膜した。 - 特許庁 - TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SPUTTERING TARGET USED FOR ITS MANUFACTURE
透明導電膜およびその製造方法、ならびにその製造に使用されるスパッタリングターゲット - 特許庁 - The amorphous ferromagnetic alloy can be deposited by a vapor deposition method or sputtering, for example.
アモルファス強磁性合金は、例えば蒸着法或いはスパッタリング法を用いて形成可能である。 - 特許庁 - An i layer 4 is formed by a reactive sputter method for performing sputtering in an oxygen gas atmosphere.
ｉ層４は酸素ガス雰囲気中でスパッタを行う反応性スパッタ法で成膜されている。 - 特許庁 - In this film deposition method, a film deposition process and a sputtering process are alternately and periodically repeated.
この成膜方法では、成膜工程とスパッタリング工程とを交互に周期的に繰り返す。 - 特許庁 - A film having the thickness of 3-4 microns is formed on a substrate 1 from a nickel metal by a sputtering method.
基板１上にスパッタ法によりニッケル金属を厚み３〜４ミクロンになるように成膜する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET OF COPPER-GALLIUM ALLOY, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND RELATED APPLICATION
銅−ガリウム合金スパッタリングターゲット及びそのスパッタリングターゲットの製造方法並びに関連用途 - 特許庁 - The semiconductor layer is formed by a sputtering method using a target containing zinc sulfide and iridium.
半導体層は、硫化亜鉛およびイリジウムを含むターゲットを用いてスパッタリング法により形成する。 - 特許庁 - To provide a sputtering system and a film forming method capable of improving the in-plane uniformity of film thickness.
膜厚の面内均一性を改善可能なスパッタリング装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁 - OPPOSED TARGET TYPE SPUTTERING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE
対向ターゲット式スパッタ装置、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス素子 - 特許庁 - MAGNETRON SPUTTERING DEVICE, IN-LINE FILM FORMING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING DEVICE
マグネトロンスパッタ装置、インライン式成膜装置、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置 - 特許庁 - The intermediate layer and the zinc oxide thin film is subsequently film-formed, for example, by a sputtering method.
中間層とＺｎＯ系薄膜は、例えば、スパッタ法により、続けて成膜することができる。 - 特許庁 - To provide a zinc-oxide-based sputtering target; a manufacturing method therefor; and a zinc-oxide-based thin film.
酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、および酸化亜鉛系薄膜を提供する。 - 特許庁 - To provide a controlling method and a device for obtaining a uniform film thickness distribution in a sputtering device.
スパッタ装置において、均一な膜厚分布を得るための制御方法・装置を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR HIGHLY RESISTANT TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND MANUFACTURING METHOD OF HIGHLY RESISTANT TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法 - 特許庁 - NONLINEAR ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, ELECTRO-OPTIC DEVICE, AND REACTIVE SPUTTERING FILM-FORMING DEVICE
非線形素子の製造方法、非線形素子、電気光学装置、および反応性スパッタ成膜装置 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING PHASE SHIFTING MASK BLANK, AND PHASE SHIFTING MASK USING THE SAME
スパッタターゲット、並びに該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 - 特許庁 - The manufacturing method can stably form the TiN film and can apply a large amount of electrical power for sputtering.
ＴｉＮ膜を安定に成膜でき、また、大きなスパッタ電力を投入することができる。 - 特許庁 - To reduce damage caused by negative ions or the like during deposition of a fluorine-containing thin film by a sputtering method.
スパッタリング法による弗素含有薄膜成膜中の、負イオン等によるダメージを低減する。 - 特許庁 - Then a second electrode layer 24 is deposited on the piezoelectric layer 22 by using, for instance, the sputtering method.
次いで、圧電層２２上に第２電極層２４を、例えばスパッタリング法を用いて成膜する。 - 特許庁 - In the method, a pre-processed semiconductor substrate is first positioned in a sputtering chamber.
この方法では、最初に、前処理された半導体基板がスパッタリング・チャンバ内に位置決めされる。 - 特許庁 - SINTERED SPUTTERING TARGET OF SULFIDE FOR PRODUCING PHOSPHOR MATERIAL, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
蛍光体材料製造用の硫化物焼結体スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - To form a LiNbO_3 thin film by an ECR sputtering method using a single crystal target.
単結晶ターゲットを用いたＥＣＲスパッタ法でＬｉＮｂＯ_3薄膜が形成できるようにする。 - 特許庁 - ALUMINUM BASED ALLOY PREFORM, ALUMINUM BASED ALLOY DENSE BODY, METHOD FOR PRODUCING THEM AND SPUTTERING TARGET
アルミニウム基合金プリフォーム、アルミニウム基合金緻密体、これらの製造方法、およびスパッタリングターゲット - 特許庁 - To provide a sputtering film deposition method by which a film thickness distribution in a substrate face can be uniformized.
基板面内の膜厚分布を均一にすることができるスパッタ成膜方法を提供する。 - 特許庁 - Then a piezoelectric layer 22 is deposited on the first electrode layer 26 by using, for instance, the sputtering method.
次いで、第１電極層２６上に圧電層２２を、例えばスパッタリング法を用いて成膜する。 - 特許庁 - ELECTROCONDUCTIVE OXIDE SINTERED COMPACT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SPUTTERING TARGET OBTAINED BY USING THE OXIDE SINTERED COMPACT
導電性酸化物焼結体、その製造方法及びそれを用いて得られるスパッタリングターゲット - 特許庁 - To provide a sputtering target which reduces the frequency of occurrence of arcing, and to provide a method for producing the same.
アーキング発生頻度を低減するスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR HIGHLY RESISTANT TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING HIGHLY RESISTANT TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法 - 特許庁 - THIN FILM RESISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD AND SPUTTERING TARGET FOR MANUFACTURING THE SAME
薄膜抵抗体、薄膜抵抗体の製造方法および薄膜抵抗体製造用スパッタリングターゲット - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SPUTTERING TARGET AND CONDUCTIVE FILM USING IT, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM FORMED BY THE METHOD
スパッタリングターゲット及びそれを利用した導電膜の製造方法及びその製造方法で成膜した透明導電膜 - 特許庁 - To provide an InSbO_4-contained transparent conductive membrane with a low resistiviy and its manufacturing method using sputtering method.
抵抗率が低いＩｎＳｂＯ_4含有透明導電性膜およびそのスパッタ法による製造方法を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, ITS MANUFACTURING METHOD, OPTICAL RECORDING MEDIUM USING THE TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE OPTICAL RECORDING MEDIUM
スパッタリング用ターゲット、その製造方法、そのターゲットを用いた光記録媒体及びその光記録媒体の製造方法 - 特許庁 - The insulating layer 20a is formed by an insulating material, e.g. alumina, by, for example, a sputtering method or a CVD method.
絶縁層２０ａは、例えばスパッタ法またはＣＶＤ法によって、絶縁材料例えばアルミナにより形成する。 - 特許庁
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