「Sputtering Method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 .... 52 53 次へ＞- SPUTTERING TARGET FOR OPTICAL MEDIUM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND OPTICAL MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、ならびに、光メディア、およびその製造方法 - 特許庁 - FILM FORMING METHOD BY SPUTTERING AND MANUFACTURING METHOD OF PHOTOVOLTAIC DEVICE THEREWITH
スパッタリングによる成膜方法、及び該成膜方法を用いる光起電力素子の製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH THIN FILM, METHOD FOR MANUFACTURING MASK BLANK, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE TRANSFER MASK
スパッタリング装置、薄膜付き基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法及び転写マスクの製造方法 - 特許庁 - For example, the first film formation method is a film formation method based on a sputtering method, and the second film formation method is a film formation method based on a vacuum vapor deposition method.
例えば第１成膜方法はスパッタリング法による成膜方法であり、第２成膜方法は真空蒸着法による成膜方法である。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus capable of preventing degradation of the film deposition rate even when a target is continuously used, a PDP (plasma display panel) manufacturing device using the sputtering apparatus, a sputtering method, and a method for manufacturing a plasma display panel.
ターゲットを継続して使用しても、成膜速度が低下することがないスパッタリング装置、このスパッタリング装置を利用したＰＤＰの製造装置、スパッタリング方法及びＰＤＰの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering device capable of generating the suitable magnetic field for allowing self-sputtering to stably occur and to provide a film forming method.
セルフスパッタリングを安定に生じさせるために適切な磁場を発生可能なスパッタリング装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a zinc oxide based sputtering target having a sufficiently high density and a satisfactorily low resistivity and to provide a method of manufacturing the zinc oxide based sputtering target.
密度が十分に高く、比抵抗も十分に低い酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering method capable of efficiently and uniformly performing the sputtering film deposition on a semiconductor wafer by using a strip-like target.
マグネトロンスパッタ法において短冊形ターゲットを使用して半導体ウエハにスパッタ成膜を効率的かつ均一に行えるようにする。 - 特許庁 - (2) In the method for manufacturing the phase transition type optical recording medium, a sputtering gas containing nitrogen is used when the reflecting layer is formed by sputtering.
（２）反射層をスパッタリングにより形成するに際し、窒素を含むスパッタリングガスを用いる相変化型光記録媒体の作製方法。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING OXIDE FILM, AND OXIDE FILM MANUFACTURING METHOD USING THE SAME
酸化膜形成用スパッタリングターゲットとそれを用いた酸化膜の製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR OXIDE FILM FORMATION AND PRODUCTION METHOD OF OXIDE FILM USING THE SAME
酸化膜形成用スパッタリングターゲットとそれを用いた酸化膜の製造方法 - 特許庁 - METAL MASK FOR SPUTTERING, AND METHOD FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM USING THE SAME
スパッタリング用メタルマスク及びそれを用いた透明導電膜の形成方法 - 特許庁 - SILICON TARGET FOR SPUTTERING FILM FORMATION, AND METHOD FOR FORMING SILICON-CONTAINING THIN FILM
スパッタリング成膜用珪素ターゲットおよび珪素含有薄膜の成膜方法 - 特許庁 - The metal film 19 of, for instance, TiN is deposited through a sputtering method.
金属膜１９は例えばＴｉＮであり、スパッタ法を利用して堆積する。 - 特許庁 - OXYGEN-FREE COPPER SPUTTERING TARGET, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
無酸素銅スパッタリングターゲット材及び無酸素銅スパッタリングターゲット材の製造方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT USING FACING TARGET TYPE SPUTTERING DEVICE
対向ターゲット式のスパッタリング装置を用いた有機発光素子の製造方法 - 特許庁 - ELECTROCONDUCTIVE OXIDE SINTERED COMPACT, ITS PRODUCING METHOD AND OBTAINED SPUTTERING TARGET
導電性酸化物焼結体、その製造方法及び得られるスパッタリングターゲット - 特許庁 - SINTERED SPUTTERING-TARGET MATERIAL OF Co-Zr-BASED ALLOY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Ｃｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材およびその製造方法 - 特許庁 - Vapor deposition, sputtering, or plating or the like is used as a method for forming the electrodes 3, 4.
電極３，４の形成方法としては、蒸着、スパッタ、めっき等である。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET OF CU-IN-GA-SE-BASED QUATERNARY ALLOY
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - LARGE ELECTRIC POWER PULSED MAGNETRON SPUTTERING METHOD AND LARGE ELECTRIC POWER ELECTRIC ENERGY SOURCE
大電力パルス化マグネトロンスパッタリング方法および大電力電気エネルギー源 - 特許庁 - TARGET FOR SPUTTERING, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
スパッタリング用ターゲット、それを用いた透明導電膜及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a Ge-Sb-Te sputtering target material.
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁 - OXIDE SINTERED COMPACT, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, SPUTTERING TARGET AND SEMICONDUCTOR THIN FILM
酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、半導体薄膜 - 特許庁 - NIOBIUM OXIDE SINTERED COMPACT, ITS MANUFACTURING METHOD AND SPUTTERING TARGET USING THE SAME
酸化ニオブ焼結体とその製造方法及びこれを用いたスパッタリングターゲット - 特許庁 - SYSTEM AND METHOD FOR SPUTTERING SILICON FILM USING MIXTURE GAS OF HYDROGEN
水素ガス混合気を用いてシリコン膜をスパッタリングするシステムおよびその方法 - 特許庁 - The passivation film is formed by a reactive pulse DC sputtering method.
反応性パルスＤＣスパッタリングを行うことによりパッシベーション膜を形成する。 - 特許庁 - COMPOSITE TARGET FOR SPUTTERING AND MANUFACTURING METHOD OF TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM USING THE SAME
スパッタリング複合ターゲット及びこれを用いた透明導電膜の製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE SAME
スパッタリング用ターゲット、および前記ターゲットを用いた磁気記録媒体の製造方法 - 特許庁 - ELECTRICALLY CONDUCTIVE CERAMIC SINTERED COMPACT AND SPUTTERING TARGET AS WELL AS MANUFACTURING METHOD THEREOF
導電性セラミックス焼結体及びスパッタリングターゲット並びにその製造方法 - 特許庁 - Further, it is preferable that the metal film is formed by a sputtering method.
また、金属膜がスパッタリング法により形成されたものであることが好ましい。 - 特許庁 - ZINC-OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ZINC-OXIDE-BASED THIN FILM
酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、および酸化亜鉛系薄膜 - 特許庁 - TUNGSTEN POWDER AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SPUTTERING TARGET AND CUTTING TOOL
タングステン粉末およびその製造方法ならびにスパッタ・ターゲットおよび切削工具 - 特許庁 - Co-Cr-Pt-B-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND ITS PRODUCTION METHOD
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - OXIDE SINTERED BODY FOR CYLINDRICAL SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
円筒形スパッタリングターゲット用酸化物焼結体およびその製造方法 - 特許庁 - Ag-ALLOY REFLECTIVE FILM, SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING Ag-ALLOY THIN FILM
Ａｇ合金反射膜、スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金薄膜製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR ZINC OXIDE BASED AMORPHOUS THIN FILM, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
酸化亜鉛系の非晶質薄膜用スパッタリングターゲットおよびこの製造方法 - 特許庁 - SILVER ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - RMIM ELECTRODE, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND SPUTTERING SYSTEM PROVIDED WITH THE ELECTRODE
ＲＭＩＭ電極及びその製造方法、並びにこれを備えたスパッタリング装置 - 特許庁 - PRODUCTION METHOD FOR HIGH-PURITY RUTHENIUM SPUTTERING TARGET, AND TARGET OBTAINED THEREBY
高純度ルテニウムスパッタリングターゲットの製造方法及びそれにより得られたターゲット - 特許庁 - INDIUM OXIDE SINTERED COMPACT, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND SPUTTERING TARGET USING THE SAME
酸化インジウム焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲット - 特許庁 - LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL, ITS MANUFACTURING METHOD, AND CU ALLOY SPUTTERING TARGET
液晶ディスプレイパネル及びその製造方法並びにＣｕ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - ELECTRICALLY CONDUCTIVE MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, SPUTTERING TARGET AND ITS PRODUCTION METHOD
半導体素子用導電材料及びスパッタリングターゲット並びにその製造法 - 特許庁 - METAL MASK FOR SPUTTERING, AND METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM USING THE SAME
スパッタリング用メタルマスク、及びそれを用いた透明導電膜の製造方法 - 特許庁 - In the case a sputtering method is used as a method to form the silicon oxide layer, film formation is carried out by using the sputtering method so that the concentration of oxygen gas in the atmospheric gas introduced into the sputtering device becomes 5 to 30 vol.%.
シリコン酸化物層を形成するための方法として、スパッタリング法を用いる場合には、スパッタリング装置に導入される雰囲気ガス中の酸素ガスの濃度が５〜３０体積％となるように、スパッタリング法を用いて成膜を行う。 - 特許庁 - Metal layers 2, 3 are closely bonded to a base material 1 by a sputtering method.
基材（１）に、金属（２）、（３）をスパッタリング法で密着させたことを特徴とする。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING CoCrPt-SiO2 SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING MAGNETIC RECORDING FILM
磁気記録膜形成用ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - The capacitive insulating film 55 is formed on the Pt film 91 by the sputtering method.
次に、Ｐｔ膜９１上に、スパッタ法により容量絶縁膜５５を形成する。 - 特許庁 - The Ti film and the Pd film are formed by a sputtering method which is one of deposition methods.
Ｔｉ膜及びＰｄ膜は、堆積法の１つであるスパッタ法で成膜する。 - 特許庁 - The frequency of abnormal electric discharge in a sputtering method using a direct current power source 8 and in a sputtering method using only a pulse power source 7 is measured in advance.
予め、直流電源８のみを使用したスパッタ方法と、パルス電源７のみを使用したスパッタ方法の、異常放電発生回数をそれぞれ測定する。 - 特許庁
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