「Sputtering Method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 .... 52 53 次へ＞- MAGNETRON SPUTTERING EQUIPMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK BLANK THEREWITH
マグネトロンスパッタ装置とそれを用いたフォトマスクブランクの製造方法 - 特許庁 - TUNGSTEN SINTERED COMPACT TARGET FOR SPUTTERING, AND ITS MANUFACTURING METHOD
スッパタリング用タングステン焼結体ターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - The magnetic recording layer 9 is formed by an ECR sputtering method.
磁気記録層９はＥＣＲスパッタ法を用いて形成できる。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING SOLID PHASE DIFFUSION-JOINED SPUTTERING TARGET ASSEMBLY
固相拡散接合スパッタリングターゲット組立て体の製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR DEPOSITING THIN FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
薄膜形成用スパッタリングターゲット材及びその製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING Nb OXIDE FILM USING THE SAME
スパッタリングターゲットとそれを用いたＮｂ酸化膜の製造方法 - 特許庁 - MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING ARTICLE HAVING THIN-FILM FORMED THEREON
マグネトロンスパッタリング装置及び薄膜形成物製造方法 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR MANUFACTURING OPTICAL THIN FILM BY SPUTTERING
スパッタリングによる光学薄膜の製造方法及び製造装置 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, THIN-FILM-FORMING APPARATUS AND THIN-FILM-FORMING METHOD
スパッタ用ターゲット，薄膜形成装置及び薄膜形成方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, AND METHOD OF PRODUCING OXIDE FILM USING THE SAME
スパッタリングターゲットおよびそれを用いた酸化膜の製造方法 - 特許庁 - Ge-Cr ALLOY SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Ｇｅ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC FILM BY USING ROTATING MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM
回転マグネトロンスパッタシステムを用いて圧電膜を製作する方法 - 特許庁 - A first barrier layer 11 is formed in the via hole 8 by a sputtering method or a PVD method and reverse-sputtering (etching).
次に、スパッタリング法またはＰＶＤ法、及び逆スパッタリング（エッチング）によりビアホール８内に第１のバリア層１１を形成する。 - 特許庁 - BiTi BASED OXIDE SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
ＢｉＴｉ系酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - ITO SINTERED COMPACT, ITO SPUTTERING TARGET AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＩＴＯ燒結体、ＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - Ge-Bi ALLOY TARGET FOR SPUTTERING AND PRODUCTION METHOD THEREOF
スパッタリング用Ｇｅ−Ｂｉ合金ターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
マグネトロン型スパッタリング装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - Each film, which constitutes the multilayer film, is formed by the sputtering method.
多層膜を構成する各膜はスパッタ法により成膜する。 - 特許庁 - SOLAR CELL, SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL
太陽電池、スパッタリングターゲット及び太陽電池の製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET AND PHOTOMASK BLANK MANUFACTURING METHOD USING THE SAME
スパッタリングターゲット及びこれを用いたフォトマスクブランクの製造方法 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus and sputtering method capable of enhancing the uniformity of the film thickness and the film quality within a plane of a substrate of a thin film to be formed on a large substrate with a compact magnetron sputtering cathode.
小型マグネトロンスパッタリングカソードで、大型基板に形成される薄膜の基板面内における膜厚および膜質の均一性を向上させる。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SAME, SPUTTERING THIN FILM FORMED BY USING THE SPUTTERING TARGET, AND ORGANIC EL DEVICE USING THE THIN FILM
スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びにそのスパッタリングターゲットを用いて形成したスパッタリング薄膜及びその薄膜を用いた有機ＥＬ素子 - 特許庁 - MAGNETIC FIELD GENERATING APPARATUS, MAGNETIC FIELD GENERATING METHOD, SPUTTERING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING DEVICE
磁場発生装置、磁場発生方法、スパッタ装置及びデバイスの製造方法 - 特許庁 - To provide a method for laminating a barrier metal layer by a sputtering method.
スパッタリング方法により障壁金属層を積層する方法を提供する。 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING METHOD AND SPUTTERING SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
プラズマ処理方法およびスパッタ装置ならびに半導体装置の製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING Mo ALLOY POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET MATERIAL
Ｍｏ合金粉末の製造方法およびスパッタリングターゲット材の製造方法 - 特許庁 - Moreover, the glass thin film 10 is formed by using an evaporation method or a sputtering method.
また、ガラス薄膜１０を蒸着法またはスパッタリング法により成膜する。 - 特許庁 - To provide a facing target sputtering apparatus and a facing target sputtering method in each of which a film deposition rate is improved.
成膜速度を向上させた対向ターゲット式スパッタ装置及び対向ターゲット式スパッタ方法を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET MATERIAL COMPOSED OF CERAMICS-METAL COMPOSITE MATERIAL, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THEM
セラミックス−金属複合材料からなるスパッタリングターゲット材およびスパッタリングターゲットならびにそれらの製造方法 - 特許庁 - To provide a sputtering method and device in which the control of the magnetic field is needless, and uneven sputtering is herd to occur in a target.
磁場の調整が不要でターゲットに片掘れを生じにくいスパッタリング方法と装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a facing-target type sputtering apparatus having an improved film-forming speed, and to provide a facing-target type sputtering method.
成膜速度を向上させた対向ターゲット式スパッタ装置及び対向ターゲット式スパッタ方法を提供する。 - 特許庁 - HIGH-DENSITY SPUTTERING TARGET FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MOLD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
高密度透明導電膜用スパッタリングターゲット、その製造方法およびスパッタリングターゲットを製造するための成形型 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING Co-Fe BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL AND Co-Fe BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL
Ｃｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法およびＣｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材 - 特許庁 - The soft magnetic film is formed in a sputtering chamber 11 by a sputtering method while inert gas and hydrogen are introduced.
スパッタ室１１内に、不活性ガスとともに水素を導入しながら軟磁性膜をスパッタ法により成膜する。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus for efficiently performing sputtering deposition, and a method for manufacturing a liquid crystal device.
効率よくスパッタ成膜を行うことのできる、スパッタリング装置、及び液晶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a sputtering target for forming a phase change film having reduced generation of particles upon sputtering.
スパッタリング時にパーティクル発生が少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The sputtering time, in the titanium seed layer forming step, is ≥2% and ≤20% of the sputtering time that the same sputtering apparatus requires, when it forms a continuous film of titanium used in the sputtering method.
前記種チタン層を形成する工程におけるスパッタ時間は、前記スパッタ法に用いるスパッタ装置によりチタンの連続膜が形成される所要スパッタ時間の２％以上２０％以下の時間である。 - 特許庁 - The alloy is produced by a rapid cooling method, atomizing method, mechanical alloying method, sputtering method, electrolytic deposition method and reductive deposition method.
該合金は、急速冷却法、アトマイズ法、機械的合金化法、スパッタ法、電解析出法、還元析出法により製造される。 - 特許庁 - TARGET, SPUTTERING METHOD, PLASMA DISPLAY PANEL MANUFACTURING METHOD, AND PLASMA DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD
ターゲット、スパッタリング方法、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマ表示装置の製造方法 - 特許庁 - To provide a sputtering method and the like which can efficiently deposit a sputtering film having a desired composition by the sputtering method using elements in group-IB, group-IIIB, and group-VIB of the periodic table.
周期表ＩＢ族、ＩＩＩＢ族、ＶＩＢ族の元素を用いるスパッタリング法により、所望の組成のスパッタリング膜が効率よく形成可能なスパッタリング方法等を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target for forming a Cu-Ga film of a Ga additive concentration of 1-40 atom% to which Na is preferably added by a sputtering method, and to provide a method for producing the sputtering target.
スパッタ法により良好にＮａ添加されたＧａ添加濃度１〜４０原子％のＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - FILM-FORMING APPARATUS, PLASMA CVD APPARATUS, METHOD OF FORMING FILM, AND SPUTTERING APPARATUS
成膜装置、プラズマＣＶＤ装置、成膜方法及びスパッタ装置 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC DISK AND SPUTTERING DEVICE USED FOR THE SAME
磁気ディスクの製造方法及びそれに使用するスパッタリング装置 - 特許庁 - OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SPUTTERING TARGET
光情報記録媒体及びその製造方法とスパッタリングターゲット - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR EL LIGHT EMITTING LAYER FORMATION, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
ＥＬ発光層形成用スパッタリングターゲットとその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET FOR PREPARING TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM
透明導電性薄膜作製用スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - Ti is formed on a drift layer 20 by a sputtering film-forming method.
ドリフト層２０上にスパッタ成膜法によりＴｉを形成する。 - 特許庁 - METHOD OF PRODUCING MASK BLANK, AND SPUTTERING TARGET FOR PRODUCING MASK BLANK
マスクブランクの製造方法、及びマスクブランク製造用スパッタリングターゲット - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING Fe-Co-Ni-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING Co-Fe-Ni-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 - 特許庁
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