SPUTTERING TARGET, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 - 特許庁
SPUTTERING TARGET FOR FORMING MAGNETIC RECORDING MEDIUM FILM, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁
Nickel conductive film of 20 nm is formed in a master disk by a sputteringmethod. 原盤に20nmのNi導電膜をスパッタリング法で形成した。 - 特許庁
Mo SPUTTERING TARGET HARDLY CAUSING PARTICLE GENERATION, AND ITS MANUFACTURING METHOD パーティクル発生の少ないMoスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁
OPTICAL RECORDING MEDIUM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND TARGET FOR SPUTTERING 光学記録媒体およびその製造方法、並びにスパッタリング用ターゲット - 特許庁
SOLID PHASE DIFFUSION-JOINED SPUTTERING TARGET ASSEMBLY AND ITS PRODUCING METHOD 固相拡散接合スパッタリングターゲット組立て体及びその製造方法 - 特許庁
SPUTTERING TARGET FOR METAL SILICIDE WIRING AND ITS MANUFACTURING METHOD 金属シリサイド配線用スパッタターゲットおよびこのスパッタターゲットの製造方法 - 特許庁
MAGNETRON CATHODE ELECTRODE, AND SPUTTERINGMETHOD USING THE SAME マグネトロンカソード電極及びマグネトロンカソード電極を用いたスパッタリング方法 - 特許庁
SPUTTERING DEVICE, THIN-FILM-FORMING APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM スパッタ装置、薄膜形成装置及び磁気記録媒体の製造方法 - 特許庁
SPUTTERING TARGET, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET FOR USE IN FORMING CHALCOPYRITE TYPE SEMICONDUCTOR FILM カルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁
METHOD FOR SEPARATING SPUTTERING TARGET ASSEMBLED BODY SUBJECTED TO SOLID PHASE DIFFUSION JOINING 固相拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体の分離方法 - 特許庁
SPUTTERING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM USING THE SAME スパッタリング装置及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法 - 特許庁
WORK MOVING TYPE REACTIVE SPUTTERING DEVICE, AND ITS METHOD ワーク移動式反応性スパッタ装置とワーク移動式反応性スパッタ方法 - 特許庁
Fe-Co-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 - 特許庁
Co-Fe-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME Co−Fe系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 - 特許庁
SPUTTERING FILM DEPOSITION APPARATUS, MANUFACTURING METHOD OF SEALING FILM, AND ORGANIC EL ELEMENT スパッタリング成膜装置、封止膜の製造方法及び有機EL素子 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF CNT-CONTAINING WIRING MATERIAL AND TARGET MATERIAL FOR SPUTTERING CNT入り配線材の製造方法およびスパッタリング用ターゲット材 - 特許庁
TARGET CONSTITUTION, METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE, AND MAGNETRON SPUTTERING SUPPLY SOURCE ターゲット構成、デバイスを製造する方法、およびマグネトロンスパッタ供給源 - 特許庁
ZINC OXIDE SINTERED COMPACT, ITS PRODUCING METHOD, SPUTTERING TARGET AND ELECTRODE 酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、電極 - 特許庁
SPUTTERING TARGET CONSISTING OF OXIDE SINTERED BODY, AND ITS MANUFACTURING METHOD 酸化物焼結体よりなるスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁
Cr-W ALLOY BASED SPUTTERING TARGET MATERIAL AND ITS PRODUCING METHOD Cr−W合金系スパッタリングタ−ゲット材およびその製造方法 - 特許庁
The damage due to the sputteringmethod can be suppressed by the molybdenum oxide. スパッタリング法によるダメージをモリブデン酸化物によって抑制できる。 - 特許庁
W SPUTTERING TARGET HARDLY CAUSING PARTICLE, AND ITS MANUFACTURING METHOD パーティクル発生の少ないWスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁
An Mo/Si multilayer film is formed on a substrate 5 by a sputteringmethod. 基板5の上にスパッタリング法でMo/Si多層膜を成膜した。 - 特許庁
A base layer 3 is formed on a disk substrate 2 by a sputteringmethod. スパッタリング法により、ディスク基板2上に下地層3を形成する。 - 特許庁
MAGNETIC ANISOTROPY FERROMAGNETIC MAGNETRON SPUTTERING TARGET AND PRODUCING METHOD THEREFOR 磁気異方性強磁性体マグネトロンスパッタリングターゲットとその製造方法 - 特許庁
SPUTTERING TARGET, AND OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND PRODUCTION METHOD THEREFOR スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 - 特許庁
In the method wherein an electrode is formed on the piezoelectric component composed of piezoelectric ceramic by a sputteringmethod, a Ni-Cr alloy is made to be a target material, Ar gas is used as sputtering gas, a sputtering pressure is set in a range of 0.2-0.5 Pa, and sputtering is performed. 圧電セラミックスよりなる圧電部品に電極をスパッタリング法により形成する方法において、Ni−Cr合金をターゲット材料とし、スパッタガスにArガスを使用し、スパッタガス圧を0.2〜0.5Paの範囲に設定してスパッタリングを行う。 - 特許庁
FILM FORMATION METHOD BY SPUTTERINGMETHOD, METHOD FOR MANUFACTURING NEGATIVE ELECTRODE FOR LITHIUM SECONDARY BATTERY AND LITHIUM SECONDARY BATTERY スパッタ方法による成膜方法、リチウム二次電池用負極の製造方法及びリチウム二次電池 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING TRANSPORT FACTOR OF SPUTTER PARTICLE, FILM DEPOSITION METHOD, TARGET, SPUTTERING SYSTEM, AND FILM THICKNESS SIMULATION METHOD スパッタ粒子の到達率計測方法、成膜方法、ターゲット、スパッタ装置及び膜厚シミュレーション方法 - 特許庁
The conductive membrane is formed on the substrate by a deposition method, a sputteringmethod, or an RF ion plating method. 蒸着法、スパッタ法、RFイオンプレーティング法により基板上に導電性の膜を形成する。 - 特許庁
To provide: a sputteringmethod that evacuates the inside of a chamber in a short time by a simple manner to perform a sputtering of a substrate; a sputter target; a sputtering device; and a method for manufacturing a target. 簡易な手法を用いて短時間でチャンバ内を真空排気してから基板へのスパッタリングを行なうことができるスパッタリング方法、スパッタターゲット、スパッタリング装置およびターゲット作製方法を提供する。 - 特許庁
ION IMPLANTATION METHOD USING SPUTTERINGMETHOD TO INNER PERIPHERAL SURFACE SIDE OF CYLINDRICAL BODY AND AND APPARATUS THEREFOR AND COATING METHOD USING SPUTTERINGMETHOD AND APPARATUS THEREFOR 筒状体の内周側表面へのスパッタ法を用いたイオン注入法及びその装置並びに筒状体の内周側表面へのスパッタ法を用いたコーティング法及びその装置 - 特許庁
To provide a sputteringmethod which can form a film on a product by sputtering as promptly as possible after a target has been replaced. ターゲット交換後、可及的速やかに製品へのスパッタリングによる成膜処理が行い得るスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a magnetron sputtering apparatus, and a magnetron sputteringmethod by which the distribution of film thickness can easily be controlled by using a blocking body. 遮蔽体を利用して容易に膜厚分布の制御が可能なマグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for forming a film by sputtering, which can easily obtain the film having high flatness without lowering a sputtering pressure. 低スパッタリング圧力にすることなく、簡便に平坦性の高い膜が得られるスパッタリング膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a sputtering apparatus and a sputteringmethod in which arc discharge is suppressed, and plasma excellent in ionization can be fed. アーク放電を抑制してイオン化に優れたプラズマを供給できるようにしたスパッタリング装置及び方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for producing an MoNb based sputtering target material where production of splashes upon sputtering film deposition is remarkably reduced. スパッタリング成膜時のスプラッシュの発生を格段に低減させるMoNb系スパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁
To form a sufficiently oxidized titanium oxide film by a sputteringmethod at high sputtering speed using a simpler and easier equipment constitution. スパッタ法により、より簡便な装置構成で、高いスパッタ速度で十分に酸化された酸化チタン膜が形成できるようにする。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF TARGET MATERIAL FOR SPUTTERING TARGET, AND BOX USED THEREFOR スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法およびこれに用いる箱体 - 特許庁
SPUTTERING TARGET, ITS MANUFACTURING METHOD, AND WRITE-ONCE TYPE OPTICAL RECORDING MEDIUM スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに追記型光記録媒体 - 特許庁
METHOD FOR COATING BASE MATERIAL WITH FILM, AND SPUTTERING EQUIPMENT USED THEREFOR 基体に被膜を被覆する方法およびその方法に用いるスパッタリング装置 - 特許庁
SPUTTERING TARGET FOR FORMING FILM OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, PHASE SHIFT MASK BLANK AND PHASE SHIFT MASK スパッタリングターゲット、その製造方法、位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR STRAIGHTENING SPUTTERING TARGET/ BACKING PLATE ASSEMBLY スパッタリングターゲット/バッキングプレート組立体の矯正方法及び同矯正装置 - 特許庁
SPUTTERING TARGET, SILICON CARBIDE FILM, OPTICAL DISK AND PRODUCTION METHOD FOR THE OPTICAL DISK スパッタリングターゲット、炭化珪素被膜、光ディスク及び光ディスクの製造方法 - 特許庁
The conductive oxide is preferably used for a target of the sputteringmethod. 導電性酸化物は、スパッタリング法のターゲットに用いることが好ましい。 - 特許庁
SPUTTERING APPARATUS WITH MULTIANGULAR BARREL, SURFACE-MODIFIED CARBON MATERIAL AND PRODUCTION METHOD THEREFOR 多角バレルスパッタ装置、表面修飾炭素材料及びその製造方法 - 特許庁
SPUTTERING TARGET FOR PRODUCING TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE THIN FILM AND ITS PRODUCTION METHOD 透明導電性薄膜製造用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁