To provide a method which can effectively produce a sputtering target having a bulk resistance value to a degree that a DC sputtering process can be used. 直流スパッタリング法が使用できる程度にバルク抵抗値が低いスパッタリングターゲットを効果的に製造することのできる方法を提供する。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING HIGH-PURITY METAL, HIGH-PURITY METAL, SPUTTERING TARGET CONSISTING OF THIS HIGH-PURITY METAL AND THIN FILM FORMED BY THIS SPUTTERING TARGET 高純度金属の製造方法、高純度金属、同高純度金属からなるスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットにより形成した薄膜 - 特許庁
MAGNET STRUCTURE FOR MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS AND CATHODE ELECTRODE UNIT, AND MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS, AND METHOD FOR USING MAGNET STRUCTURE マグネトロンスパッタリング装置用の磁石構造体およびカソード電極ユニット並びにマグネトロンスパッタリング装置並びに磁石構造体の使用方法 - 特許庁
To provide a method of designing a sputtering system where optimum sputtering cathode conditions are obtained, and the cracking and peeling of a target can be prevented. 最適なスパッタカソード条件を計算で求め、ターゲットの割れや剥がれを未然に防止しうるスパッタ装置を設計する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a sputtering target for depositing a Co-based magnetic film having excellent coercive force and less medium noise by the sputteringmethod. 保磁力に優れ、媒体ノイズの少ないCo系合金磁性膜をスパッタリング法によって形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁
To provide a sputtering target which provides a transparent electroconductive film with low electric resistance even though containing a reduced amount of indium, and to provide a method for manufacturing the sputtering target. インジウムを削減しても低抵抗な透明導電膜が得られるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a magnetron sputtering system and a thin film production method where, when an LaB_6 thin film is deposited by sputtering, the single crystal properties in the wide region domain direction of the obtained LaB_6 thin film is improved. LaB_6薄膜をスパッタリングで成膜するに際し、得られるLaB_6薄膜の広域ドメイン方向の単結晶性を改善する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a sputtering target by which a large-size sputtering target free from problems of arcing, etc., can be manufactured relatively easily and inexpensively. アーキング等の問題のない大型スパッタリングターゲットを比較的容易に且つ安価に製造できるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-PURITY VANADIUM, HIGH- PURITY VANADIUM, SPUTTERING TARGET COMPOSED OF THE HIGH- PURITY VANADIUM, AND THIN FILM DEPOSITED USING THE SPUTTERING TARGET 高純度バナジウムの製造方法、高純度バナジウム、同高純度バナジウムからなるスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットにより形成した薄膜 - 特許庁
HIGH PURITY METAL, SPUTTERING TARGET CONSISTING OF HIGH PURITY METAL, THIN FILM FORMED BY SPUTTERING, AND METHOD FOR MANUFACTURING HIGH PURITY METAL 高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜並びに高純度金属の製造方法 - 特許庁
To provide a sputteringmethod and a sputtering apparatus for depositing a thin film of high quality to the last by effectively utilizing a target. ターゲットの有効利用をはかり、最後まで高品質の薄膜形成を行うことの可能なスパッタリング方法およびスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁
ZnO-Al2O3-BASED SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET AND METHOD OF FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM ZnO−Al2O3系焼結体、スパッタリングターゲット及び透明導電膜の製造方法 - 特許庁
ITO SINTERED COMPACT, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND ITO SPUTTERING TARGET USING THE SINTERED COMPACT ITO焼結体とその製造方法、及びそれを用いたITOスパッタリングターゲット - 特許庁
SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ELECTRONIC INFORMATION EQUIPMENT AND IONIZATION SPUTTERING DEVICE 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器、イオン化スパッタリング装置 - 特許庁
The outside periphery of piston ring 1 is coated with a hard anodic oxide coating 3, using a sputteringmethod. ピストンリング1の外周面に硬質皮膜3をスパッタリング法によって被覆する。 - 特許庁
SPUTTERING TARGET FOR THIN FILM FORMATION, DIELECTRIC THIN FILM, OPTICAL DISK, AND METHOD FOR PRODUCING THE DIELECTRIC THIN FILM 薄膜形成用スパッタリングターゲット、誘電体薄膜、光ディスク及びその製造方法 - 特許庁
A vibration member 10 is deposited on a base material 100 by using, for instance, a sputteringmethod. ベース材100上に、振動部材10を、例えばスパッタリング法を用いて成膜する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a cylindrical sputtering target without using a brazing filler metal. ロウ材を使用することなく、円筒形スパッタリングターゲットを製造する方法を提供する。 - 特許庁
SPUTTERING TARGET MATERIAL COMPOSED OF CERAMICS-METAL COMPOSITE MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME セラミックス−金属複合材料からなるスパッタリングターゲット材およびその製造方法 - 特許庁
MEDIUM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND SPUTTERING TARGET 光学的情報記録用媒体およびその製造方法ならびにスパッタリング用ターゲット - 特許庁
The base plated layer and the finish plated layer can be formed by the sputteringmethod. 下地めっき層および仕上めっき層は、スパッタリング法により形成することができる。 - 特許庁
SPUTTERING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SOLAR BATTERY AND IMAGE DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME スパッタリング装置、それを用いた太陽電池及び画像表示装置の製造方法 - 特許庁
Cu-In-Ga TERNARY SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET, AND ITS MANUFACTURING METHOD Cu−In−Ga三元系焼結合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁
A light shielding layer 12 is formed on the second surface 11b of the substrate 11 by a sputteringmethod. 基板11の第2面11bには、スパッタ法で遮光層12が形成されている。 - 特許庁
POLYCRYSTAL MgO SINTERED COMPACT, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND MgO TARGET FOR SPUTTERING 多結晶MgO焼結体及びその製造方法、並びにスパッタリング用MgOターゲット - 特許庁
Al-Ni-La-Cu-BASED Al ALLOY SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF Al−Ni−La−Cu系Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁
In addition, an Ir lower-part electrode 4 is formed on the barrier metal layer 3 through the sputteringmethod. 更に、バリアメタル層3上にスパッタリング法により、Ir下部電極4を形成する。 - 特許庁
TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SPUTTERING TARGET USED FOR ITS MANUFACTURE 透明導電性薄膜とその製造方法及びその製造に用いるスパッタリングターゲット - 特許庁
A thin-film electrode for a piezoelectric element used for a sounding body is formed by a sputteringmethod. 発音体に使用される圧電素子用薄膜電極を、スパッタリング法により形成する。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING COMPLEX OXIDE SINTERED BODY, AND SPUTTERING TARGET COMPOSED OF ITS SINTERED BODY 複合酸化物焼結体の製造方法及びその焼結体からなるスパッタリングターゲット - 特許庁
Then, the capacitive insulating film 55 is formed on the Pt film 92 by the sputteringmethod. その後、Pt膜92上に、スパッタ法により容量絶縁膜55を形成する。 - 特許庁
METHOD FOR DEPOSITING Al ALLOY THIN FILM, AND SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING Al ALLOY THIN FILM Al合金薄膜の製造方法およびAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁
OXIDE SINTERED COMPACT, ITS MANUFACTURING METHOD, SPUTTERING TARGET AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM 酸化物焼結体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲット及び透明導電膜 - 特許庁
ZINC SULFIDE-BASED SINTERING MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND SPUTTERING TARGET USING THE SAME 硫化亜鉛系焼結材料とその製造方法及びこれを用いたスパッタリングターゲット - 特許庁
Cu ALLOY SPUTTERING TARGET, AND METHOD OF MANUFACTURING Cu WIRING FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE Cu合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のCu配線膜の製造方法 - 特許庁
The transparent conductive film 26 is formed by a sputteringmethod using gas containing krypton. クリプトンを含むガスを用いたスパッタリング法により透明導電膜26を形成する。 - 特許庁
This ultraviolet light screening fabric sputtered with a metal is characterized in that a metal (1) is stuck fast to a base material (2) by a sputteringmethod. 基材(2)に、金属(1)をスパッタリング法で密着させたことを特徴とする。 - 特許庁
OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM, AND THEIR PRODUCTION METHOD 酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法 - 特許庁
SPUTTER FILM-FORMING METHOD, FILM-FORMED PRODUCT, AND ELECTRON-FLOW CONTROL DEVICE FOR SPUTTERING APPARATUS スパッタリング成膜方法、成膜製品及びスパッタリング装置の電子流量調節装置 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for forming a thin film on an organic film through sputtering. 有機膜上にスパッタリングで薄膜を形成する方法及び装置を提供する。 - 特許庁
ITO SINTERED COMPACT SPUTTERING TARGET FOR HIGH RESISTANCE FILM DEPOSITION AND PRODUCTION METHOD THEREFOR 高抵抗膜形成用ITO焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁
SPUTTERING TARGET FOR FORMING PHASE CHANGE FILM WITH REDUCED GENERATION OF PARTICLE, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME パーティクル発生の少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法。 - 特許庁
An insulating film 5, consisting of alumina or silicon dioxide, is formed through sputteringmethod. 次に、アルミナ、あるいは二酸化ケイ素からなる絶縁膜5をスパッタ法により形成する。 - 特許庁
CAPACITOR INCLUDING END SURFACE ELECTRODE LAYER FORMED BY SPUTTERING AND MANUFACTURING METHOD THEREOF スパッタリングにより形成された端面電極層を含むコンデンサおよびその製造方法 - 特許庁
INDIUM-ZINC-OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND INDIUM-ZINC-OXIDE-BASED THIN FILM 酸化インジウム亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、および酸化インジウム亜鉛系薄膜 - 特許庁
OXIDE SINTERED COMPACT AND SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE TRANSPARENT ELECTRODE FILM 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット、酸化物透明電極膜の製造方法 - 特許庁
The electrode base film 21 and the vibrating electrode film 2a are formed by a sputteringmethod. 電極下地膜21及び振動電極膜2aは、スパッタリング法によって形成される。 - 特許庁
METHOD FOR SPUTTERING CARBON PROTECTIVE FILM ON MAGNETIC DISK HAVING HIGH sp3 CONTENT 高いsp3含有率をもつ磁気ディスク上に、炭素保護フィルムをスパッタリングする方法 - 特許庁
HIGH-STRENGTH BARIUM-ALUMINUM-ALLOY-BASED SPUTTERING TARGET FOR INORGANIC EL DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR 無機EL素子用高強度バリウムアルミニウム合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁