「Sputtering Method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 .... 52 53 次へ＞- METHOD AND EQUIPMENT FOR FORMING WIRING BY SPUTTERING, AND TARGET MATERIAL USED THEREFOR
スパッタリングによる配線形成方法、配線形成装置及びそのターゲット材料 - 特許庁 - The sputtering method and the PLD method are used to deposit the fluorescent film fabricating a target of such as a sputtering process using a substance in which a fluorescent material is mixed with SiO2 or SiO.
スパッタリング法やPLD法はSiO2またはSiOに蛍光体が混ざり合った物質を使用してスパッタリング工程などのターゲットを作って蛍光膜を蒸着するのに使用する。 - 特許庁 - To provide a film deposition method which forms a high-quality film in a low-temperature process and which can freely control a nature of the film in a sputtering method and a sputtering apparatus.
スパッタリング方法および装置において、低温プロセスで高品質な膜を形成するとともに、膜の性質を自由に制御可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁 - MAGNETIC RECORDING MEDIUM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SPUTTERING TARGET AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE
磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリングターゲットおよび磁気記録再生装置 - 特許庁 - A liner material such as tantalum or tantalum nitride is sputtering-deposited in the inside of the hole in this method.
タンタルまたはタンタルナイトライド等のライナー材料をホール内にスパッタ堆積する。 - 特許庁 - MAGNETIC RECORDING MEDIUM, ITS MANUFACTURE METHOD, SPUTTERING TARGET AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE
磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリングターゲット、および磁気記録再生装置 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET IN WHICH OCCUPANCY RATIO OF PINHOLE IS ADJUSTED, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
ピンホールの占有割合を調整したスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - By providing the sputtering system capable of common use of deposition of a collimation method and a sputtering method in a single chamber, reduction of maintenance and improvement of productivity become possible.
コリメーション方式と通常スパッタリング方式の成膜が単一チャンバーでも共用可能なスパッタリング装置とすることでメンテナンスの減少や生産性向上が可能となる。 - 特許庁 - SPUTTERING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING FLAT DISPLAY DEVICE USING THE SAME
スパッタリング装置及びスパッタリング装置を使用した平板表示装置の製造方法 - 特許庁 - METALLIC TIN-CONTAINING INDIUM OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
金属スズ含有酸化インジウム焼結体、スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - ITO SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE ITO FILM
ＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法並びにＩＴＯ透明導電膜 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET FOR FORMING PHASE CHANGE FILM HAVING REDUCED GENERATION OF PARTICLE
パーティクル発生の少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET OF SnO2O2-Sb2O3 SINTERED COMPACT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE TARGET
ＳｎＯ２−Ｓｂ２Ｏ３焼結体スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 - 特許庁 - To provide a magnet set which can easily change the configuration of a cathode magnet in a magnetron sputtering method.
マグネトロンスパッタリング法において、カソードマグネットの構成の変更を容易にする。 - 特許庁 - ITO MOLDED PRODUCT, ITO SPUTTERING TARGET USING THE SAME AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＩＴＯ成型体、これを用いたＩＴＯスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - METHOD OF PRODUCING HIGH PURITY Cu SPUTTERING TARGET WITH BACKING PLATE MADE OF Al ALLOY
Ａｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING Cu-Ga ALLOY POWDER, Cu-Ga ALLOY POWDER, METHOD FOR PRODUCING Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET AND Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET
Ｃｕ−Ｇａ合金粉末の製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金粉末、並びにＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - The Al2O3 film is formed particularly by an electron cyclotron resonance plasma sputtering method.
特にこのＡl_2Ｏ_3膜を、例えば電子サイクロトロン共鳴プラズマスパッタ法で成膜する。 - 特許庁 - Secondly, a nickel film 24 for covering the barrier metal film 23 is formed by the sputtering method.
次に、バリアメタル膜２３を覆うニッケル膜２４をスパッタリング法により形成する。 - 特許庁 - MAGNETIC RECORDING MEDIUM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING UNIT AND SPUTTERING TARGET
磁気記録媒体、その製造方法、磁気記録再生装置、およびスパッタリングターゲット - 特許庁 - INSPECTION METHOD, INSPECTION FRAME BODY AND INSPECTION ASSEMBLY OF SPUTTERING TARGET
スパッタリングターゲットの検査方法および検査用枠体ならびに検査用組み立て体 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING Co-TYPE SPUTTERING TARGET MATERIAL WITH LOW MAGNETIC PERMEABILITY FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM
磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングＣｏ系ターゲット材の製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
透明導電膜製造用スパッタリングターゲット及び透明導電膜形成方法 - 特許庁 - The amorphous film (a-Si film) 3 is formed through a sputtering method using Ar gas.
非晶質膜（ａ−Ｓｉ膜）３は、Ａｒガスを用いたスパッタ法にて形成する。 - 特許庁 - OXIDE SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND BUFFER POWDER USED THEREFOR
酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにこれに用いる緩衝粉 - 特許庁 - METHOD FOR SYNTHESIZING THIN LiMn2O4 FILM, PRODUCTION OF LITHIUM CELL AND SPUTTERING APPARATUS
ＬｉＭｎ２Ｏ４薄膜の合成方法、リチウム電池の製造方法及びスパッタ装置 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND Ti-W MATERIAL FOR MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM
半導体素子の製造方法およびマグネトロンスパッタリング装置用Ｔｉ−Ｗ材 - 特許庁 - SPUTTERING DEVICE FOR MANUFACTURING THIN FILM SOLID BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM SOLID BATTERY
薄膜固体電池製造用スパッタ装置及び薄膜固体電池の製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, PROTECTIVE FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND ITS MANUFACTURING METHOD
スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体用保護膜及びその製造方法 - 特許庁 - The bulk body constituting the first bump layer is formed by one of a plating method, a sputtering method and a CVD method.
第１バンプ層を構成するバルク体は、メッキ法、スパッタリング法、ＣＶＤ法のいずれかにより形成されるものである。 - 特許庁 - It is preferable that the surface electrode 2 be formed, by using an electroless plating method or a sputtering method or a vapor deposition method.
表面電極２は，無電解メッキ法，スパッタ法あるいは蒸着法により形成されていることが好ましい。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DIODE AND MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS
透明導電膜形成方法及び有機電界発光素子の製造方法およびマグネトロンスパッタ装置 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET, METHOD FOR FORMING HARD FILM AND HARD FILM COATED MEMBER USING THE SAME
スパッタリングターゲットの製造方法、それを用いた硬質被膜の形成方法および硬質被膜被覆部材 - 特許庁 - CLEANING METHOD OF FILM-FORMING DEVICE, CLEANING METHOD OF SPUTTERING TARGET AND CLEANING DEVICE USED THEREFOR
成膜装置のクリーニング方法、スパッタリングターゲットのクリーニング方法及びこれらに使用するクリーニング装置 - 特許庁 - METHOD OF PRODUCING POWDER MOLDING FOR SINTERING, AND METHOD OF PRODUCING SPUTTERING TARGET USING THE MOLDING
焼結用粉末成型体の製造方法及び該成型体を用いたスパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - TARGET FOR MAGNETRON SPUTTERING, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM DEPOSITION METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT
マグネトロンスパッタ用ターゲット及び透明導電膜形成方法並びに有機電界発光素子の製造方法 - 特許庁 - To provide a film forming method having a higher productivity when forming a thin film according to a sputtering method.
スパッタリング法によって薄膜を形成するにあたり、より生産性の高い成膜方法を提供する。 - 特許庁 - PHASE CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING PROTECTIVE LAYER IN THE METHOD
相変化型光記録媒体、その製造方法及びそれに用いる保護層形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - THIN-FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR MANUFACTURING METHOD, PIEZOELECTRIC FILM FORMING METHOD AND NON-REACTIVE SPUTTERING DEVICE
薄膜バルク音響共振子の製造方法、圧電膜の形成方法および非反応性スパッタリング装置 - 特許庁 - Further, an SiO2 film is deposited on the above Al2O3 film by a sputtering method or an electron beam vapor supposition method.
Ａｌ_2 Ｏ_3 被膜上にスパッタリング法または電子ビーム蒸着法によりＳｉＯ_2 被膜を形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING Mo ALLOY POWDER TO BE PRESSURE-SINTERED, AND METHOD FOR PRODUCING TARGET MATERIAL FOR SPUTTERING
加圧焼結用のＭｏ合金粉末の製造方法およびスパッタリング用ターゲット材の製造方法 - 特許庁 - For example, the DLC film can be formed by the ion-plating method and the sputtering method using graphite as a target.
例えば、ＤＬＣ膜は、黒鉛をターゲットとしたイオンプレーティング法やスパッタリング法により形成できる。 - 特許庁 - To provide a sputtering target and a method for producing a sputtering target, the sputtering target having high power-resistant characteristics, and enabling a recording layer of an optical medium containing as a principal component magnesium oxide or germanium oxide with bismuth oxide to be deposited at high speed.
酸化マグネシウム又は酸化ゲルマニウムと酸化ビスマスとを主成分とする光メディアの記録層を高速成膜できる、耐電力特性の高いスパッタリングターゲット及び製造方法を提供する。 - 特許庁 - The zinc oxide based sputtering target is manufactured by using γ-Al_2O_3 as a dopant material, and a zinc oxide based transparent conductive film is formed by using the zinc oxide based sputtering target according to a sputtering method.
ドーパント材料としてγ−Ａｌ_2 Ｏ_3 を用いて酸化亜鉛系スパッタリングターゲットを製造し、この酸化亜鉛系スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系透明導電膜を成膜する。 - 特許庁 - In the disk-shaped optical recording medium having at least one sputtering layer formed by a sputtering method, the inner periphery of the sputtering layer is positioned inside a stack ring.
スパッタ法によって形成されたスパッタ層を少なくとも１層有するディスク状の光記録媒体において、前記スパッタ層の内周が、スタックリングよりも内側に位置している光記録媒体である。 - 特許庁 - To provide an RF sputtering device and a manufacturing method for semiconductor device, with which the release of a coating film on a stage can be suppressed in RF sputtering.
ＲＦスパッタ時にステージ上のコーティング膜の剥離を抑制できるＲＦスパッタ装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - By the sputtering method using the sputtering target, a Cu-Ga film containing Na effective for improving the power generation efficiency can be formed.
このスパッタリングターゲットを用いたスパッタ法により、発電効率の向上に有効なＮａを含有したＣｕ−Ｇａ膜を成膜することができる。 - 特許庁 - To provide a sputtering target improving characteristics of an optical information recording medium and considerably improving the productivity thereof and to provide a method of producing the sputtering target.
光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善するスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering system and a sputtering method capable of forming a ferroelectric film having satisfactory orientation properties for a long period of time.
良好な配向性の強誘電体膜を長期にわたり形成することができるスパッタリング装置及びスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁 - This method can be used for both the conventional sputtering target (29) and the newly-developed hollow cathode magnetron sputtering target (10).
本発明の方法は従来のスパッタターゲット（２０）並びに新規開発した中空のカソードマグネトロンスパッタターゲット（１０）に対しても使用可能である。 - 特許庁
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