「cu」を含む例文一覧(5425)
＜前へ 1 2 .... 23 24 25 26 27 28 29 30 31 .... 108 109 次へ＞- Then, the ferromagnetic properties thereof are controlled by the addition of antiferromagnetic transition metals such as Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Rh, Ru or the like, the addition of dopants, and the control of the concentration of the transition metals.
そして、Mn,Fe, Co, Ni, Cu, Rh,またはRuなどその他の反強磁性の遷移金属の添加、ドーパントの添加などやこれらの遷移金属の濃度の調整、により強磁性特性を調整する。 - 特許庁 - After forming a Cu plating pattern involving bonding pads by Cu plating, the circuit inspection is executed before applying the finish plating, and then the Ag plating is applied for finishing into nondefective pieces.
ボンディングパッドを含む銅めっきパターンを銅めっきにより形成した後，仕上げめっきを施す前に回路検査を行い，その後，良品ピースに仕上げめっきである銀めっきを施す。 - 特許庁 - The additive for the laser marking is constituted by using a complex hydroxide containing Cu and Mo as essential components as a base, and has ≥2 m^2/g BET specific surface area.
レーザーマーキング用添加剤は、必須成分としてCuとMoを含む複合水酸化物をベースとして構成され、かつBET比表面積が2m^2/g以上であることを特徴とするものである。 - 特許庁 - To provide a titanium plate for a drum for manufacturing electrolytic Cu foil and a manufacturing method therefor, which can manufacture the electrolytic Cu foil of high quality having few macro-patterns on the surface of the plate.
板面内に、マクロ模様が少なく、高品質の電解Ｃｕ箔を製造することの可能な、電解Ｃｕ箔製造ドラム用チタン板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide Ni-Cu-Zn-based ferrite which is suitable as the magnetic core of a noise countermeasure element, a common mode chalk or the like and has initial permeability at a frequency of 100 kHz of ≥800 and impedance at 100 MHz of ≥370 Ω.
ノイズ対策素子やコモンモードチョーク等の磁芯に用いて好適な、周波数：100kHzでの初透磁率が800以上、かつ100MHzでのインピーダンスが370Ω以上のNi-Cu-Zn系フェライトを提供する。 - 特許庁 - The lead-free alloy for soldering has a composition containing, by weight, 0.2 to 2.5% silver (Ag), 0.1to 2.0% copper (Cu), 0.001 to 0.5% phosphorous (P) and 0.001 to 0.5% gallium (Ga), and the balance tin (Sn).
銀（Ag）0.2〜2.5重量％と銅（Cu）0.1〜2.0重量％と燐（P）0.001〜0.5重量％とガリウム（Ga）0.001〜0.5重量％及び残りは錫（Sn）から組成された半田付け用無鉛合金として構成した。 - 特許庁 - The powder for a dust core has a composition comprising, by mass, 1 to 5% Cr, 2 to 7% Si and 0.1 to 2% Cu, and also satisfying Cr+Si+Cu+P+Al≤10%, and the balance Fe with inevitable impurities.
質量％で、Ｃｒ：１〜５％、Ｓｉ：２〜７％、Ｃｕ：０．１〜２％、かつ、Ｃｒ＋Ｓｉ＋Ｃｕ＋Ｐ＋Ａｌ≦１０％、残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなることを特徴とする圧粉コア用粉末。 - 特許庁 - To prevent nonconformity of variations in cutting amount of a Cu wiring in the plane of a wafer, when the surface of wafer is scrub-cleaned after the Cu wiring is formed by a CMP(chemical-mechanical polishing) method.
ＣＭＰ（化学的機械研磨）法によってＣｕ配線を形成した後、ウエハの表面をスクラブ洗浄する際に、Ｃｕ配線の削れ量がウエハ面内でばらつく不具合を防止する。 - 特許庁 - This method for manufacturing the composite material, in which the Invar particles are dispersed in metallic Cu, comprises pressing the particles of Invar, the low thermal expansion material, to particulate metallic Cu, coating the Invar particles with the metallic Cu to form the composite powder 3, and sintering and rolling the composite powder.
粒子状の金属Ｃｕと、低熱膨張材であるＩｎｖａｒ粒子とを押しつけ、Ｉｎｖａｒ粒子を金属Ｃｕで被覆して複合粉末３を形成し、前記複合粉末を焼結、圧延することで、金属Ｃｕに対し、Ｉｎｖａｒ粒子が分散した複合材料が得られる。 - 特許庁 - The Cu interconnection line is made of a Cu alloy 1 containing at least one of Ag, As, Bi, P, Sb, Si and Ti dispersed from a seed layer 11 within the range from 0.1 wt.% to less than the maximum solid solution limit for Cu and particle diameters are large and grain boundaries are small.
Ｃｕ配線は、シード層１１から拡散されたＡｇ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｐ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｔｉのうち少なくとも１つを０．１重量％以上、Ｃｕに対する最大固溶限未満の範囲で含有するＣｕ合金１で構成されており、粒径が大きく粒界が少ない。 - 特許庁 - To provide a Cu alloy film which can reduce the resistance of a wiring film of a flat panel display device or the like in a process temperature region, and which has heat resistance to suppress hillocks and voids caused in a Cu based film, and to provide a sputtering target material for forming the Cu alloy film.
平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、Ｃｕ系膜で発生するヒロックおよびボイドを抑制可能な耐熱性を有するＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁 - The quartz glass has Cu concentration of ≤0.01 ppm at the depth of 5 mm from the exposed surface when exposed to Cu oxide vapor at 1,050°C for four hours under the atmosphere, contains ≤0.2 ppm in total of Li and Na and <0.1 ppm each of Li, Na, K, Mg, Ca and Cu.
１０５０℃、大気圧下で４時間、酸化銅蒸気に曝露させた時に、曝露表面から５ｍｍの深さにおけるＣｕの濃度が０．０１ｐｐｍ以下であり、ＬｉとＮａの含有量を総量で０．２ｐｐｍ以下、Ｋ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｃｕの含有量を各々０．１ｐｐｍ未満の石英ガラス。 - 特許庁 - The SiC/Cu composite material 10 is constituted of a honeycomb SiC sintered compact 12, a metal 16 of Cu or Cu-alloy which is impregnated into cells 14 of the honeycomb sintered compact 12 and layers 22 interposed between the honeycomb sintered compact 12 and the metal 16.
ＳｉＣ／Ｃｕ複合材料１０は、ＳｉＣからなるハニカム状焼結体１２と、該ハニカム状焼結体１２のセル１４内に含浸されたＣｕまたはＣｕ合金からなる金属１６と、ハニカム状焼結体１２と金属１６との間に介在された層２２とを有する。 - 特許庁 - A terminal 3 on a wiring substrate 1 is brought into a four-layer structure comprising an bottom electrode layer 4 made of Cu, etc., an Ni layer 5 formed on the surface of the bottom electrode layer 4, a Cu layer 6 formed on the surface of the Ni layer 5, and an Sn layer 7 formed on the surface of the Cu layer 6.
配線基板１上の端子部３が、Ｃｕ等の下地電極層４と、該下地電極層の表面に形成されたＮｉ層５と、該Ｎｉ層５の表面に形成されたＣｕ層６と、該Ｃｕ層６の表面に形成されたＳｎ層７とからなる４層構造とされている。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing wiring that suppresses an increase in resistance of a Cu wiring pattern due to diffusion of Mn when a Cu-Mn alloy is combined with a bimetal film to make a self-repair of a defect and improve adhesiveness during formation of a Cu wiring structure by a damascene method.
ダマシン法によるＣｕ配線構造の形成において、Ｃｕ−Ｍｎ合金をバリアメタル膜に組み合わせて欠陥の自己修復および密着性の向上を図る際に、Ｍｎの拡散によるＣｕ配線パターンの抵抗増加を抑制する配線の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Thus, the insulating film 17 and the insulating film 18 for pad formation are left outside the wiring pattern portion that becomes the target of Cu removal, and the wiring pattern portion that becomes the target of Cu removal, is covered with bonding pad aluminum 21, so that residual Cu 16 is not exposed to the surface.
こうすると、Ｃｕ除去の対象となった配線パターン部の外側に、絶縁膜１７とパッド形成用絶縁膜１８が残り、Ｃｕ除去の対象となった配線パターン部がボンディングパッドアルミ２１で覆われるので、Ｃｕ残り１６が表面に露出しない。 - 特許庁 - A plurality of first access routes 20, 21 from a CPU 10 to an old CU 13 (old subsystem) having an old VOL 14 under its control are prepared, and, between the old CU 13 and a new CU 11 (new subsystem) having a new VOL 12 under its control, a plurality of third access routes 30, 31 are set.
ＣＰＵ１０から、配下に旧ＶＯＬ１４を持つ旧ＣＵ１３（旧サブシステム）に対して複数の第１アクセス経路２０、２１を用意し、配下に新ＶＯＬ１２を持つ新ＣＵ１１（新サブシステム）との間には複数の第３アクセス経路３０、３１を設定する。 - 特許庁 - In the cylinder block for internal combustion engine, the plating film is formed on a cylinder inner surface of the aluminum alloy cylinder block, the plating film is formed of Ni-Cu alloy containing Cu in Ni, and the plating thickness is at least 20 μm, and the Cu component is set to be 10 to 50 wt.%.
内燃機関用シリンダブロックは、アルミ合金製シリンダブロックのシリンダ内面にメッキ被膜を形成したもので、メッキ被膜をＮｉにＣｕを含めたＮｉ−Ｃｕ合金でメッキ厚さを少なくとも２０μｍにし、かつＣｕ成分を１０〜５０ｗｔ％に設定した。 - 特許庁 - To provide a planar electronic display device comprising a wiring with high electric conductivity, an electrode and the like in which an element added to Cu can be preferentially reacted with oxygen contained in a gas atmosphere or a solid, which comes into contact with a Cu member, to form an oxide film which can suppress the oxidation of Cu.
Ｃｕに添加する添加元素が、Ｃｕ部材と接触するガス雰囲気又は固体に含まれる酸素と優先的に反応してＣｕの酸化を抑止する酸化被膜を形成することができる高導電率の配線、電極等を備える平面電子表示装置を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method of an electronic device includes: (a) a process of forming a Cu layer by plating above a base substrate; (b) a process of cleaning the surface of the Cu layer with an alkali cleaning chemical solution to which an organic acid is added; and (c) after the process (b) a process of chemical mechanical polishing of the Cu layer.
電子装置の製造方法は、（ａ）下地基板上方に、めっきによりＣｕ層を形成する工程と、（ｂ）Ｃｕ層の表面を、有機酸が添加されたアルカリ性の洗浄薬液により洗浄する工程と、（ｃ）工程（ｂ）の後、Ｃｕ層を化学機械研磨する工程とを有する。 - 特許庁 - The fabrication method comprises a step for forming a metallization containing Cu by filling the trench of the interlayer insulation film with a metal containing Cu, and a step for forming an insulation film of an insulation material containing no oxygen selectively on the metallization containing Cu.
また、層間絶縁膜の溝部にＣｕを含む金属を埋め込んでＣｕを含む金属配線を形成する配線形成工程と、上記Ｃｕを含む金属配線に酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜を選択的に形成する絶縁膜形成工程とを有する。 - 特許庁 - This sintered metal bearing is manufactured by compressing and molding raw material powders containing at least, for example, Cu powders and Fe powders ten times or more the Cu powders by weight ratio and then sintering this compressed and molded product at temperature of less than melting point of Cu.
この焼結金属製軸受は、例えばＣｕ粉末と、重量比でＣｕ粉末の１０倍以上のＦｅ系粉末とを少なくとも含む原料粉末を圧縮成形し、然る後、この圧縮成形体をＣｕの融点未満の温度で焼結することにより製作される。 - 特許庁 - Subsequently, a Ta film 111 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the film 110, a Cu film 112 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the Ta film 111, and then a Cu film 113 is deposited by electroplating on a surface of the Cu film 112.
次にＴｉＮ膜１１０表面に物理的気層成長法によりＴａ膜１１１を堆積し、次にＴａ膜１１１表面に物理的気層成長法によりＣｕ膜１１２を堆積した後に、電解メッキ法によりＣｕ膜１１２の表面にＣｕ１１３膜を堆積する。 - 特許庁 - The patterns have an electroless Ni plating layer 21 formed on the polyimide layer 3, a substitution type electroless Cu plating layer 22 formed on the Ni plating layer 21, and a reduction type electroless Cu plating layer 23 formed on the Cu plating layer 22.
配線パターンは、ポリイミド層３上に形成された無電解Ｎｉめっき層２１と、無電解Ｎｉめっき層２１上に形成された置換型無電解Ｃｕめっき層２２と、置換型無電解Ｃｕめっき層２２上に形成された還元型無電解Ｃｕめっき層２３とを有する。 - 特許庁 - In a powdery mixture for producing a W-Cu-Ni alloy containing W-Cu composite powder and nickel powder, the W-Cu composite powder contains individual particles having a tungsten phase whose inside is substantially charged with a copper phase and the copper phase.
Ｗ−Ｃｕ複合物粉末及びニッケル粉末を含有するＷ−Ｃｕ−Ｎｉ合金を作るための粉末混合物であって、Ｗ−Ｃｕ複合物粉末は、実質的に銅相を内部に封入してなるタングステン相及び該銅相を有する個々の粒子を含有する粉末混合物。 - 特許庁 - The Ag thin-film layer 15 contributes to improvement of connection strength between the Cu wiring layer 11 and the Ag connection layer 14 in forming the Cu wiring layer 11 by non-electrolytic plating, and formation of the Cu wiring layer 11 having a sufficient thickness on the ceramic layer 12.
こうしたＡｇ薄膜層１５は、無電解メッキによるＣｕ配線層１１形成時において、Ｃｕ配線層１１とＡｇ接続層１４との接続強度を高め、またセラミック層１２上に十分な厚みのＣｕ配線層１１を形成することに寄与する。 - 特許庁 - To provide a Cu wiring film forming method which can improve, using a simple structure and a simple process, the adhesiveness between a diffusion barrier base film and a Cu wiring film, when Cu wiring is used in a semiconductor device, and can realize low manufacturing cost and improved production efficiency.
半導体デバイスでＣｕ配線を用いる場合に、拡散バリア用下地膜とＣｕ配線膜との密着性を、簡易な構成と簡略な工程で向上させることができ、製作コストの低下と生産効率の向上を実現できるＣｕ配線膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - The copper-based sintered sliding material is manufactured by scattering a powder of Cu or Cu alloy on a steel plate, followed by a primary sintering process, a primary rolling process with pressure, and secondary sintering process, and then a secondary rolling process at a pressure drop rate of 10%, and finally a heating process at a temperature over the Cu/Cu alloy recrystallization starting temperature but under the recrystallization starting temperature of the steel backing strip.
鋼板上にＣｕまたはＣｕ合金の粉末を散布し、一次焼結、一次圧延および二次焼結を順次行った後、圧下率１０％以上で二次圧延を行い、続いて、ＣｕまたはＣｕ合金の再結晶開始温度以上で鋼裏金の再結晶開始温度未満の温度で加熱処理を行い、銅系焼結摺動材料を製造する。 - 特許庁 - During the time from the occurrence of communication disabled state between the CU and the Pachinko machine to the completion of restoration processing of restoring data matching between the CU and the Pachinko machine by eliminating the communication disabled state, recovery data enabling a variation amount of game data at the Pachinko machine to be specified is transmitted to the CU and the CU updates the memorized game data based on the recovery data.
ＣＵとＰ台との間で通信不能状態が発生した後通信不能状態を解消させてＣＵとＰ台との間でのデータの整合性を回復させる復旧処理が実行されるまでの間において、Ｐ台での遊技データの変化量を特定可能なリカバリデータがＣＵに送信され、ＣＵでは、そのリカバリデータ基づいて記憶している遊技データを更新する。 - 特許庁 - The Ag paste for liquid phase diffusion bonding, which is used when performing liquid phase diffusion bonding of the metal members made from aluminum or aluminum alloy, includes a metal powder component containing Ag and Cu, a resin, and a solvent, and a mass ratio Cu/Ag of Ag and Cu in the metal powder component is set up within a range of 1/9≤Cu/Ag≤4/6.
アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属部材を液相拡散接合する際に使用される液相拡散接合用Ａｇペーストであって、ＡｇおよびＣｕを含む金属粉末成分と、樹脂と、溶剤と、を含み、前記金属粉末成分におけるＡｇおよびＣｕの質量比Ｃｕ／Ａｇが、１／９≦Ｃｕ／Ａｇ≦４／６の範囲内に設定されていることを特徴とする。 - 特許庁 - The barrier metal 118 is provided to cover the side surface and the base of the Cu film 120.
バリアメタル膜１１８は、Ｃｕ膜１２０の側面および底面を覆うように設けられている。 - 特許庁 - A Cu film is then formed on the Ru film by thermal CVD, for example, or the like (step 4).
次に、例えば、熱ＣＶＤ法等によりＲｕ膜上にＣｕ膜を成膜する（ＳＴＥＰ４）。 - 特許庁 - The contents of one or two kinds of Zn and Cu are made to be 0.002-0.1 mass%.
Ｚｎ及びＧａの含有量は、一種又は二種で０．００２〜０．１質量％とする。 - 特許庁 - A ZnS: Cu, Al, BaMgAl_10O_17:Eu, Mn or the like are used for the green fluorescent material.
緑色蛍光体としては、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＢａＭｇＡｌ_10Ｏ_17：Ｅｕ，Ｍｎなどを採用する。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently forming high quality Cu wiring with a smaller process number.
より少ない工程数で効率良く、高品質のＣｕ配線を形成する方法を提供する。 - 特許庁 - Solder free from Pb and Bi and mamly containing Sn and Cu is used as the solder 18.
半田１８として、ＰｂやＢｉを含まないＳｎ−Ｃｕなどを成分とするものを使用する。 - 特許庁 - The first metallic member 1 contains Al, while the content of Cu is less than 5.7% by weight.
第１金属部材１は、Ａｌを含み、Ｃｕの含有量が５．７重量％未満である。 - 特許庁 - To provide a Cu-Co-Si alloy which has improved balance between electrical conductivity and strength.
導電性及び強度のバランスが改良されたＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金を提供する。 - 特許庁 - To form a structure having an air gap in a space area of Cu wiring at a high yield.
Ｃｕ配線のスペース領域に空隙（エアギャップ）を有する構造を歩留まりよく形成する。 - 特許庁 - Cu-Ni-Fe ALLOY EXCELLENT IN HOT WORKABILITY DUE TO ADDITION OF THIRD ELEMENT, AND ITS MANUFACTURE
第三元素添加による熱間加工性の優れたＣｕＮｉＦｅ合金およびその製造方法 - 特許庁 - Thereby the cohesion is not produced on Cu, and during etching, it functions as a protection layer.
これにより、Ｃｕに凝集を生じさせず、しかもエッチングの際の保護層として機能する。 - 特許庁 - The barrier layer BR is provided between the interlayer insulating film IL and Cu wiring WR.
バリア層ＢＲは層間絶縁膜ＩＬとＣｕ配線ＷＲとの間に設けられている。 - 特許庁 - Further, the plating 12 containing Sn-Ag-Cu can be performed on a ground plating layer 21.
さらに、錫−銀−銅含有めっき１２を下地めっき層２１の上に施すこともできる。 - 特許庁 - If required, one or ≥ two kinds among Cu, Nb, V, Ti and B are moreover incorporated therein.
さらに必要に応じてＣｕ，Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｂの１種または２種以上を含有することを特徴とする。 - 特許庁 - To avoid operation failures or degraded yield, even if a wiring layer is formed using Cu.
Ｃｕを使用して配線層を形成した場合でも、動作不良や歩留まりの低下を起こさない。 - 特許庁 - The coating layer, in particular, desirably comprises a lamination of copper-cobalt-iron-nickel (Cu-Co-Fe-Ni).
特に、前記コーテイング層は銅-コバルト-鉄-ニッケル(Ｃｕ-Ｃｏ-Ｆｅ-Ｎｉ)からなることが望ましい。 - 特許庁 - Thus, a Cu connection part 22 directly connected to the lower-layer wiring 14 is formed.
以上により、下層配線１４と直接的に接続されるＣｕ接続部２２を形成する。 - 特許庁 - To provide with high accuracy a forming method of a Cu wiring of damascene structure whose stray capacitance is small.
高精度で浮遊容量の少ないダマシン構造のＣｕ配線の形成方法を提供する。 - 特許庁 - The nonmagnetic metal layer 541 is composed of Cu, and has a thickness within a range of 0.3-1.5 nm.
非磁性金属層５４１は、Ｃｕよりなり、０．３〜１．５ｎｍの範囲内の厚みを有している。 - 特許庁 - Cu is 0-1.5 mass%, Bi is 0.1-1.0 mass%, Sb is 0.05-0.25 mass%, and the balance is made up of Sn.
Ｃｕ０〜 1.5 質量％、Ｂｉ0.1 〜1.0 質量％、Ｓｂ0.05〜0.25質量％、残部をＳｎとした。 - 特許庁
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