「cu」を含む例文一覧(5425)
＜前へ 1 2 .... 21 22 23 24 25 26 27 28 29 .... 108 109 次へ＞- The core ball 1 is made from copper (Cu) and has a diameter in a range of 50 μm to 1,000 μm.
コアボール１は、直径が５０μｍ〜１０００μｍの範囲である銅（Ｃｕ）からなる。 - 特許庁 - To suppress a stress migration in a multilayer wiring structure having a Cu wiring pattern.
Ｃｕ配線パターンを有する多層配線構造においてストレスマイグレーションを抑制する。 - 特許庁 - A semiconductor package 100 is provided with a solder ball 114 containing Sn, Ag and Cu.
半導体パッケージ１００は、Ｓｎ，Ａｇ，Ｃｕを含むはんだボール１１４を有している。 - 特許庁 - To provide a Cu-Si-Co based copper alloy in which the spring deflection limit is improved.
ばね限界値を向上させたＣｕ−Ｓｉ−Ｃｏ系銅合金を提供する。 - 特許庁 - To provide Cu plating titanium copper having excellent corrosion resistance, oxidation resistance and thermal peelability of plating.
耐食性、耐酸化性、めっき熱剥離性に優れたＣｕめっきチタン銅を提供する。 - 特許庁 - HIGH Ga CONTENT Cu-Ga BINARY ALLOY SPUTTERING TARGET, AND ITS MANUFACTURING METHOD
高Ｇａ含有Ｃｕ−Ｇａ二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - SOLUTION AND METHOD FOR REMOVING ASHING RESIDUE IN Cu/LOW-K MULTILAYER INTERCONNECTION STRUCTURE
Ｃｕ／ｌｏｗ−ｋ多層配線構造のアッシング残渣の剥離液及び剥離方法 - 特許庁 - To provide a Cu-Ni-Si based copper alloy in which the spring deflection limit is improved.
ばね限界値を向上させたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金を提供する。 - 特許庁 - Cu is added by 0-17.5 atom% (average composition ratio).
前記Ｃｕを、０原子％より大きく１７．５原子％以下（平均組成比）だけ加える。 - 特許庁 - Cu-Ni-Sn-P-BASED COPPER ALLOY EXCELLENT IN PRESS-PUNCHING PROPERTY, AND ITS PRODUCTION METHOD
プレス打抜き性の良いＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ系銅合金およびその製造法 - 特許庁 - The absorption layer 4 is made typically of a compound containing Cu, In and Se.
光吸収層４は典型的にはＣｕ、ＩｎおよびＳｅを含む化合物からなる。 - 特許庁 - The foundation electrode layer 15 includes a metal which can be diffused in Cu and a ceramic binding material.
下地電極層１５は、Ｃｕに拡散し得る金属と、セラミック結合材とを含む。 - 特許庁 - Cu-Ni-Si-Co-BASED COPPER ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系銅合金及びその製造方法 - 特許庁 - Outside of the reaction part 1B, an outer layer part composed of Cu or the like may be provided.
反応部１Ｂの外側に、Ｃｕなどよりなる外層部を設けるようにしてもよい。 - 特許庁 - As a target member 10 for sputtering a target material where the CNT contains, the Cu is employed.
スパッタリング用ターゲット材１０としては、ＣｕにＣＮＴが含まれたターゲット材を用いる。 - 特許庁 - Cu PRECIPITATION HARDENING TYPE STEEL MEMBER FOR WARM PRESS FORMING AND WARM PRESS FORMING METHOD THEREFOR
温間プレス成形用Ｃｕ析出硬化型鋼材およびその温間プレス成形方法 - 特許庁 - LOW-LOSS NICKEL-ZINC-COPPER (Ni-Zn-Cu) SYSTEM OXIDE MAGNETIC MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD
低損失Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系酸化物磁性材料及びその製造方法 - 特許庁 - AGING STATE EVALUATION METHOD FOR CU-CONTAINING STEEL PRODUCT AND AGING TREATMENT METHOD USING IT
Ｃｕ含有鋼材の時効状態評価方法及びそれを用いた時効処理方法 - 特許庁 - After forming the Cu plating layers 7a, 7b, the Cu plating layers 7a, 7b are recrystallized by performing a heat treatment at a temperature more than a temperature at which the Cu plating layers 7a, 7b are recrystallized, and at a temperature at which any glass contained in conductive paste is not softened.
Ｃｕめっき層７ａ，７ｂの形成後、Ｃｕめっき層７ａ，７ｂが再結晶化する温度以上の温度で、かつ、導電性ペーストに含まれるガラスが軟化しない温度で熱処理することによりＣｕめっき層７ａ，７ｂを再結晶化させる。 - 特許庁 - A joint portion 19 between the external terminal 8 and metal terminal 10 is formed by baking joining paste containing conductive powder composed principally of Cu, wherein the external electrode 8 and metal terminal 10 are joined together by Cu-Cu solid-phase sintering.
外部電極８と金属端子１０との接合部１９を、Ｃｕを主成分とする導電性粉末を含有する接合用ペーストを焼き付けることによって形成し、外部電極８と金属端子１０とをＣｕ−Ｃｕの固相焼結によって接合する。 - 特許庁 - This sintered metal bearing is manufactured by using a material prepared by dispersing Cu system into Fe system and contains the Fe system ten times or more the Cu system by weight ratio, and the Cu system remains as a granular system.
本発明に係る焼結金属製軸受は、Ｆｅ系組織中にＣｕ組織が分散した焼結金属製軸受であって、Ｆｅ系組織が重量比でＣｕ組織の１０倍以上含まれると共に、Ｃｕ組織が粒状組織として残っている。 - 特許庁 - Since the synthesis of the high polymer molecular compound may be checked if Cu exists, a negative electrode electricity-collector-body layer 22b is constituted from a foil of a metal (for example, Ni, Cr, and Au) not forming an alloy with Li, excepting Cu, or Cu foil covered with the metal.
この高分子化合物の合成はＣｕが存在すると阻害されるので、負極集電体層２２ｂはＣｕ以外でＬｉと合金と形成しない金属（例えばＮｉ，Ｃｒ，Ａｕ）の箔、またはその金属が被覆されたＣｕ箔により構成されている。 - 特許庁 - The fine roughened particle layer in which a copper-alloy fine roughened particle layer consisting of the Cu alloy is laminated on the copper fine roughened particle layer composed of Cu is used as the particle layer, and it is preferable that the fine roughened particle layer is formed of a Cu-Co-Ni alloy.
前記微細粗化粒子層は、Ｃｕからなる銅微細粗化粒子層の上にＣｕ合金からなる銅合金微細粗化粒子層を積層した微細粗化粒子層であり、前記微細粗化粒子層はＣｕ−Ｃｏ−Ｎｉ合金で形成するとよい。 - 特許庁 - The exterior parts for timepieces have plating layers 6 of 7 to 12 μm formed by subjecting the surfaces of the parts to Cu satin plating and plating layers 8 of 2 to 5 μm formed by applying Cu-Sn alloy plating or Cu-Sn-Zn alloy plating thereon.
この時計用外装部品は、Ｃｕ梨地メッキを施すことにより形成される７〜１２μｍのメッキ層６と、その上にＣｕ−Ｓｎ合金メッキ又はＣｕ−Ｓｎ−Ｚｎ合金メッキを施すことにより形成される２〜５μｍのメッキ層８を有している。 - 特許庁 - A copper alloy film 106 made of Cu-Sn alloy, Cu-Mg alloy, or Cu-Zr alloy is deposited on the TiN/Ti film 105 by the sputtering method, and a copper film 107 is deposited on the copper alloy film 106 by the CVD method or the plating method.
ＴｉＮ／Ｔｉ膜１０５の上にスパッタ法により、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｍｇ合金又はＣｕ−Ｚｒ合金からなる銅合金膜１０６を堆積した後、該銅合金膜１０６の上にＣＶＤ法又はメッキ法により銅膜１０７を堆積する。 - 特許庁 - A method of manufacturing a semiconductor device having a Cu wiring 12 includes a process for oxidizing the surface area of the Cu wiring 12 after forming the Cu wiring 12, and a process for removing oxide 17 formed by the oxidation process.
Ｃｕ配線１２を有する半導体装置の製造方法であって、Ｃｕ配線１２を形成した後にＣｕ配線１２の表面領域に酸化処理を施す工程と、この酸化処理によって形成された酸化物１７を除去する工程とを有する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which has a Cu buried wiring of low contact resistance and which is applied to a logic system LSI requiring high speed operation by forming a Cu diffusion preventing barrier metal of low resistance before a wiring connecting hole and a wiring groove are filled with Cu.
配線接続用ホールおよび配線溝にＣｕを埋め込む前に低抵抗のＣｕ拡散防止用バリアメタルが形成でき、Ｃｕ埋め込み配線のコンタクト抵抗が低く、高速動作が要求される論理系ＬＳＩに適用し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method for the substrate for the power module has a first plating process, in which an NiP plating layer 6 is formed by carrying out an NiP electroless plating on the metallic substrates 2 and 3, and a Cu attaching process in which Cu atoms are attached on the NiP plating layer to form a Cu atom layer 7.
金属基板２、３上にＮｉＰ無電解メッキを施してＮｉＰメッキ層６を形成する第１のメッキ工程と、前記ＮｉＰメッキ層上にＣｕ原子を付着させてＣｕ原子層７を形成するＣｕ付着工程とを有する。 - 特許庁 - The wiring pattern 3 for the signal wire, of a specific height t_1 is formed on a Cu layer 6 of a bilayer tape 7 composed of a base 5 and the Cu layer 6, and the wiring pattern 15 for ground, of a height t_2 (>t_1) is formed on the Cu layer 6 of the other bilayer tape 14.
基板５とＣｕ層６からなる２層テープ７のＣｕ層６上に所定高さｔ1 の信号線用の配線パターン３を形成すると共に、他の２層テープ１４のＣｕ層６上に高さｔ2 （＞ｔ1 ）のグランド用の配線パターン１５を形成する。 - 特許庁 - Furthermore, when a film of Cu layer/Cu alloy layer/Cu plated buried layer 6 is formed, by conducting this at a room temperature, with the result that a close adhesion between the respective laminated layers have full strength, and a leveling process by a CMP in a next step can be executed.
またＣｕ層／Ｃｕ合金層／Ｃｕメッキ埋め込み層の成膜時の基板温度は何れも室温で行うことで、各積層間の密着性は十分な強度をもつものとなり、次工程のＣＭＰによる平面化処理を実施することができる。 - 特許庁 - To establish a manufacturing method of a semiconductor device using a residue removing liquid by providing the residue removing liquid after the dry process capable of suppression of slight crack-like corrosion which can not have been resolved by a conventional polymer peeling liquid without giving damage to a Cu and low-k film.
本発明は、Cu及びlow-k膜にダメージを与えずに、従来のポリマー剥離液で解決し得なかったわずかな亀裂状のCu腐食の抑制が可能なドライプロセス後の残渣除去液を提供し、これを用いた半導体デバイスの製造方法を確立する。 - 特許庁 - Practically, the sink main body 12 is made of one of a Cu/Mo/Cu cladding material, Cu/CuO, AlSiC, AlC, CuSiC, or Mo, and the insulation layer 13 is a silica-coated layer 13a which is adhesively layered on a surface of the sink body 12.
具体的には、シンク本体１２はＣｕ／Ｍｏ／Ｃｕのクラッド材、Ｃｕ／ＣｕＯ、ＡｌＳｉＣ、ＡｌＣ、ＣｕＳｉＣ又はＭｏのいずれかにより形成され、絶縁層１３はシンク本体１２の表面に積層接着されたシリカコーティング層１３ａである。 - 特許庁 - The conductive material has a Cu-Sn alloy covering layer which contains a Cu of 20 to 70at% and has an average thickness of 0.2 to 3.0 m, and an Sn covering layer having an average thickness of 0.2 to 5.0 μm formed formed in this order on the surface of a base material composed of a Cu plate strip.
Ｃｕ板条からなる母材の表面に、Ｃｕ含有量が２０〜７０ａｔ％で平均の厚さが０．２〜３．０μｍのＣｕ−Ｓｎ合金被覆層と平均の厚さが０．２〜５．０μｍのＳｎ被覆層がこの順に形成された導電材料。 - 特許庁 - The Y-Ba-Cu-O based high-temperature superconductor film formed on a dielectric substrate 10 is characterized in that the composition ratio of Cu to Ba nearby on the top surface of the film is larger than the composition ratio of Cu to Ba in the film.
誘電体基板１０上に形成されたＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の高温超伝導体膜であって、膜の上面近傍におけるＢａに対するＣｕの組成比が、膜の内部におけるＢａに対するＣｕの組成比より大きくなっている。 - 特許庁 - Acid is added to a solution containing copper (I)-ammine complex ions to reduce its pH, and copper (I) ions (Cu^1+) are subjected to disproportionation decomposition reaction into copper (II) ions (Cu^2+) and metallic copper (Cu), so that the metallic copper is precipitated in the shape of ultrafine grains to produce the copper ultrafine grains.
銅(I)アンミン錯イオンを含む溶液に酸を加えてｐＨを低下させて、銅(I)イオン（Ｃｕ^1+）を、銅(II)イオン(Ｃｕ^2+)と金属銅（Ｃｕ）とに不均化分解反応させることで、金属銅を超微粒子状に析出させて銅超微粒子を製造する。 - 特許庁 - Thereby, as the anti-corrosive coating film is formed on the surface of the layer 32 containing Cu, the etching of Cu is suppressed and, on the other hand, the etching of Ni is accelerated by the ferrous chloride.
これにより、Ｃｕを含む層３２の表面には防食性被膜が形成されてＣｕのエッチングが抑制される一方、塩化第１鉄によってＮｉのエッチングが促進される。 - 特許庁 - A soft magnetic backing layer is film-formed on a nonmagnetic substrate, and, a seed film with a composition composed of Cu and Ge is film-formed thereon using a sputtering target whose composition is composed of Cu-Ge.
非磁性基板上に軟磁性裏打ち層を製膜し、その上に組成がＣｕ−Ｇｅからなるスパッタリングターゲットを用いてＣｕとＧｅからなる組成のシード膜を製膜する。 - 特許庁 - The silver alloy thin film contains 0.01 to 0.1 atomic % of one or more kinds of metals selected from Pd and Pt, and, if required, containing one or more kinds of metals selected from Zn, Mg and Cu, and the balance Ag with inevitable impurities.
上記銀合金薄膜は、PdおよびPtのうちの１種以上を0.01〜0.1原子%、必要によりZn、MgおよびCuのうちの１種以上を0.1〜5原子%含み、残部がAgおよび不可避不純物からなる。 - 特許庁 - This electrical contact material is obtained by internally oxidizing an Ag-Zn-Cu alloy consisting of, by weight, 5 to 10% Zn and 0.01 to 3.00% Cu, and the balance Ag.
５〜１０重量％のＺｎと、０．０１〜３．００重量％のＣｕと、残部ＡｇとからなるＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金を内部酸化して得られる電気接点素材とした。 - 特許庁 - To provide a Cu-Ni-Si based alloy and a Cu-Co-Si based alloy in which the balance between 0.2% proof stress, bendability, the fatigue strength in a high cycle is improved.
０．２％耐力、曲げ加工性及び高サイクルでの疲労強度のバランスが改良されたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金およびＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金を提供する。 - 特許庁 - The light limiting material consists of a transparent substrate and oxides of at least one kind of metal selected from among Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir and Bi (but except VO2).
透明基板とTi，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Nb，Mo，Ru，In，Sn，Sb，Ta，W，Re，Os，IrおよびBiからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物(但し、VO_2 を除く)とから形成される光制限材料。 - 特許庁 - Then, the mixed powder compact is set in an arc-melting apparatus, and a Cu infiltrant is superposed on the compact and melted to infiltrate into the Cu and Cr mixed powder compact (step 3).
ついで、この混合粉末成形体をアーク溶解装置にセットし、成形体の上にＣｕ溶浸材を重ね、Ｃｕ溶浸材を溶解し、Ｃｕ、Ｃｒ混合粉末成形体に溶浸する（工程３）。 - 特許庁 - Alternatively, the target material containing Cr-Mo-Cu has a componential composition containing 60 to 90% Cr, 5 to 35% Mo and 1 to 10% Cu.
また、上記ターゲット材が原子量％で、Ｃｒ：６０〜９０％、Ｍｏ：５〜３５％、％、Ｃｕ：１〜１０％からなる成分組成であるＣｒ−Ｍｏ−Ｃｕを含むターゲット材。 - 特許庁 - To provide a Cu alloy film for a display apparatus which is excellent in adhesiveness to an insulating film (for example, SiN film) while maintaining low electric resistivity that is a characteristic of Cu based material.
Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗率を維持しつつ、絶縁膜（例えばＳｉＮ膜）との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。 - 特許庁 - The inorganic oxide is preferably an oxide of one element selected from Si, Ti, W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb and Mn or oxides of a combination of two or more elements.
ここで、無機酸化物は、Si,Ti,W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb, Mnから選ばれるいずれか１種の酸化物、またはいずれか２種以上の組み合わせの酸化物であることが好ましい。 - 特許庁 - The Cu-material is melted in the pod and is infiltrated in pore parts of the calcination material which is formed from the W-material and the Cr-material, and a CuW alloy which contains Cr in Cu is formed.
Ｃｕ材が、さや中で溶融し、Ｗ材とＣｒ材から形成される仮焼体中の気孔部に溶浸して、Ｃｕ中にＣｒを含んだＣｕＷ合金となる。 - 特許庁 - The oxide magnetic material for the laminated inductor is used for the DC/DC converter which operates in current discontinuous mode, and 15 to 50% by mass of ZrSiO_4 is added to Ni-Cu-Zn based ferrite.
電流不連続モードで動作するDC／DCコンバータに用いられる、積層型インダクタ用酸化物磁性材料であって、Ni-Cu-Zn系フェライトに15質量%を超え50質量%以下のZrSiO_4を添加する。 - 特許庁 - The conducting material has a Cu-Sn alloy covering layer consisting mainly of a Cu_6Sn_5 phase, and an Sn covering layer, which are formed in this order on the surface of a base material composed of a Cu alloy plate strip.
Ｃｕ合金板条からなる母材の表面に、Ｃｕ_６Ｓｎ_５相を主体とするＣｕ−Ｓｎ合金被覆層と、Ｓｎ被覆層がこの順に形成された導電材料。 - 特許庁 - The laminate comprises forming an adhesive layer on the surface of the adherent which is composed of Cu, V, a Cu alloy or a V alloy and in which deposits with a height of 500 nm or below are scattered.
Ｃｕ、Ｖ、Ｃｕ合金またはＶ合金からなり、かつ、５００ｎｍ以下の高さの析出物が点在する被接着体表面に、接着剤層を形成してなる積層体。 - 特許庁 - The stainless steel has a componential composition containing, by mass, >0.04 to 0.10% C+N, ≤0.5% Si, 1.0 to 2.5% Mn, >10.0 to 14.5% Cr, ≤0.5% Cu and >0.5 to 1.50% Ni, and the balance Fe with inevitable impurities.
質量％で、Ｃ＋Ｎ：0.04超〜0.10％、Si：0.5 ％以下、Mn：1.0〜2.5 ％、Cr：10.0超〜14.5％、Cu：0.5 ％以下、Ni：0.5 ％超〜1.50％を含有し、残部はFeおよび不可避的不純物からなる成分組成とする。 - 特許庁
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