「cu」を含む例文一覧(5425)
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Ｃｕ（銅）多層配線構造を有する半導体装置の信頼性を向上する。 - 特許庁 - BEARING MADE OF Cu-Ni-Sn SERIES COPPER BASED SINTERED ALLOY FOR ELECTRONIC CONTROL TYPE THROTTLE
電子制御スロットル用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ系銅基焼結合金製軸受 - 特許庁 - To prepare a galvanized surface treated steel sheet which does not contain components hard to be separated such as Cu, and also exhibits satisfactory edge face rust resistance even if the steel sheet is thick.
Cuのような分離困難な成分を含まず、しかも板厚が厚い場合でも良好な耐端面錆性を発揮する亜鉛めっき系の表面処理鋼板を得る。 - 特許庁 - Further, ≤3 mass %, in total, of one or ≥2 elements among Cr, Ni, Mo, Cu, Ti, and Nb are incorporated into the above composition.
またそれに加えてCr、Ni、Mo、Cu、Ti、Nbのうちの１種または２種以上を質量百分率の合計で３％以下含有することを特徴とする自動車構造用鋼製部材。 - 特許庁 - The steel sheet may further comprise Nb and/or one or two groups selected from a group (a): one or more selected from Cu, Ni, Cr and V, and a group (b): one or more selected from Ca and rare earth metals.
さらにNb、および／または、ａ群：Cu、Ni、Cr、Ｖのうちの１種または２種以上、ｂ群：Ca、REMのうちの１種または２種のうちの１群または２群を含有してもよい。 - 特許庁 - This steel plate can further contain Nb and/or either or both of the following groups (a) and (b): (a) one or more elements among Cu, Ni, Cr and V; (b) one or two elements among Ca and REM.
さらにNb、および／または、ａ群：Cu、Ni、Cr、Ｖのうちの１種または２種以上、ｂ群：Ca、REMのうちの１種または２種のうちの１群または２群を含有してもよい。 - 特許庁 - Since the organic material has higher fluidity as compared with Cu, the level difference in the organic coating film 30 becomes smaller as compared with the (initial) level difference in the Cu layer 20.
有機材料はＣｕに比較して流動性が高いので、有機塗布膜３０における段差は、Ｃｕ層２０における（初期）段差に比較して小さくなる。 - 特許庁 - After a barrier film 6 and a Cu film 7 are formed, the Cu film 7 is removed from the edge 10 by a removal width B which is different from the removal width A by 1 mm or more.
バリアメタル膜６及びＣｕ膜７を形成した後、エッジ１０から除去幅Ａと１ｍｍ以上異なる除去幅ＢだけＣｕ膜７を除去する。 - 特許庁 - The steel plate can further contain one or more among ≤1.5% Cu, ≤1.5% Ni, ≤1.2% Cr, ≤1.0%
この鋼板は、さらにCu：1.5％以下、Ni：1.5％以下、Cr：1.2％以下、Mo：1.0％以下、Ｖ：0.1％以下、Nb：0.10％以下、REM：0.0010％以下およびMg：0.0010％以下のうちの１種以上を含有してもよい。 - 特許庁 - The deposition rate of the Cu film 107 on the surface of the metal layer 105 is greater than that of the Cu film 107 on the surface of the metal nitride layer 106.
金属層１０５の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度は、金属窒化層１０６の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度よりも大きい。 - 特許庁 - The stainless steel may contain one or more elements of Nb, V, Mo, Ni, Cu, B, Mg and Ca as selective elements.
選択元素として、Ｎｂ，Ｖ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｂ，Ｍｇ，Ｃａを１種または２種以上含有して良い。 - 特許庁 - The second conductor film 15 is composed of a single Cu layer or composed of an Ni layer at a side in contact with the dielectric layer 11 and a Cu layer formed on the Ni layer.
第２の導体膜１５は、単一のＣｕ層からなり、又は、誘電体層１１に接する側のＮｉ層とこのＮｉ層上に形成されたＣｕ層とからなる。 - 特許庁 - A Cu-Sn compound layer is formed between the Ni plating layer and the Sn plating layer by heat-treating the connector having the characteristics at a temperature of the melting point of Sn or higher.
前記の特徴を有するコネクタをSnの融点以上の温度で熱処理することにより、Niめっき層とSnめっき層との間にCu-Sn化合物層を形成する。 - 特許庁 - After that, a Cu seed layer is formed in the via hole 8 by a non-electrolytic plating method.
その後、無電解めっき法によりＣｕシード層をビアホール８内に形成する。 - 特許庁 - The lamination film 14 is formed by laminating a TiW layer 9, Cu layer 10, a ferromagnetic layer 15 of Ni, Cu layer 11, and a TiW layer 12 in this order.
積層膜１４は、ＴｉＷ層９、Ｃｕ層１０、Ｎｉからなる強磁性体層１５、Ｃｕ層１１及びＴｉＷ層１２をこの順に積層して形成する。 - 特許庁 - Not only the main control unit authenticates the CU communication control unit in the challenge response system, but also the CU communication control unit authenticates the main control unit in the challenge response system.
メイン制御部がＣＵ通信制御部をチャレンジレスポンス方式で認証するばかりでなく、ＣＵ通信制御部がメイン制御部をチャレンジレスポンス方式で認証する。 - 特許庁 - Solder foil of materials containing metal particles such as Cu and solder particles of Sn extended by applying pressure and an electronic device connected using the solder foil are provided.
金属粒子としてCu等の粒子と、はんだ粒子としてSnの粒子を含むはんだ材料を圧延して形成したはんだ箔、また該はんだ箔を用いて接続した電子機器。 - 特許庁 - Oxidation of Cu in Cu wiring 14 can be prevented by reducing species, and Si in the SiN tin film can be heat-oxidized by such a heat treatment.
このような熱処理によれば、還元種によってＣｕ配線１４中のＣｕの酸化を防止でき、かつ酸化種によってＳｉＮ薄膜１５中のＳｉを熱酸化できる。 - 特許庁 - The induction absorptive material is formed of at least one oxide of metals selected from the group consisting of Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir, and Bi and a transparent substrate.
Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb,Ta, W, Re, Os, Ir,およびBiからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物と透明基板とから形成される誘導吸収材料。 - 特許庁 - The leakage current density of the MIM capacitor is lowered by interposing a Ta film 5 for preventing the diffusion/oxidation of Cu between a Cu film and a Ta_2O_5 film 7.
Ｃｕ膜とＴａ_２Ｏ_５膜７間にＣｕの拡散防止・酸化防止のためのＴａ膜５を挿入することにより、キャパシタのリーク電流密度を低減した。 - 特許庁 - CU-NI THICK-FILM RESISTOR, FORMING METHOD THEREOF, AND MANUFACTURING METHOD OF CIRCUIT BOARD
Ｃｕ−Ｎｉ厚膜抵抗体、その形成方法及び回路基板の製造方法 - 特許庁 - To provide an excellent method for forming a Cu wiring, which can easily obtain the low-cost and highly reliable Cu wiring usable for a semiconductor integrated circuit by an electroplating method.
電解メッキ法により半導体集積回路に用いられる安価で信頼性の高いＣu配線を、容易に得ることのできる優れたＣu配線形成方法を提供する。 - 特許庁 - A Zn layer, a Cu layer and the NiP plated film are successively formed on the surface of an aluminum alloy substrate and the Cu layer has 0.2 to 4 g/m^2 deposit.
アルミニウム合金基板の表面上に、Ｚｎ層、Ｃｕ層及びＮｉＰメッキ膜が順次形成されており、前記Ｃｕ層の付着量は、０．２乃至４ｇ／ｍ^^２である。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING Cu-Mg BASED ROUGH DRAWING WIRE
Ｃｕ−Ｍｇ系荒引線の製造方法及びＣｕ−Ｍｇ系荒引線の製造装置 - 特許庁 - Then the Cu layers 6, 8 of the etchable part 11 is eliminated by etching (f).
次に、エッチング可能部１１のＣｕ層６、８をエッチング処理により除去する（ｆ）。 - 特許庁 - The first Cu plating film 16 is formed on the foundation electrode layer 15.
第１のＣｕめっき膜１６は、下地電極層１５の上に形成されている。 - 特許庁 - This wiring is used in a semiconductor device having a double capping film which is made of silicon nitride and silicon carbide and is positioned on a Cu material that is CMP to form Cu damascene wiring.
Ｃｕダマシン配線としてＣＭＰされたＣｕ上にシリコンナイトライド／シリコンカーバイドの二重膜がキャッピング膜として形成された半導体素子の配線である。 - 特許庁 - A first CMP (chemical mechanical polishing) is then performed using slurry containing a Cu protective film forming agent sufficiently such that the polishing rate of Cu is sufficiently higher than the polishing rate of TaN.
次に、Ｃｕの研磨レートがＴａＮの研磨レートより十分大きく、かつ、Ｃｕ保護膜形成剤が十分に含有されたスラリーを用いて第１のＣＭＰを行う。 - 特許庁 - To obtain a method for depositing a Cu film by electroplating in which the planarity of surface does not depend on the pattern of a semiconductor substrate after a Cu plating film is buried in a wiring trench.
電解メッキによるＣｕ成膜方法において、Ｃｕメッキ膜を配線溝に埋め込んだ後の表面の平坦度が、半導体基板のパターンに依存しないようにする。 - 特許庁 - The sensor case is formed by plating molded resin with Ni-Cu.
なお、センサケースは、成形された樹脂にＮｉ−Ｃｕメッキを施されて形成される。 - 特許庁 - Thus, the method improves uniformity and quality of the barrier layer 6 and improves an effect to prevent scattering of Cu from Cu film 7 buried inside of the groove pattern 4.
これによって、バリア層６の付き廻りや膜質が改善されて、溝パターン４の内部に埋め込まれたＣｕ膜７からのＣｕの拡散を防止する効果が向上する。 - 特許庁 - After a Cu film 111 is formed on the Cu film by first heat treating, an outside part, such as the recess 106 or the like of the film 111, is removed.
該Ｃｕ膜に対して第１の熱処理を行なってＣｕ膜１１１を形成した後、Ｃｕ膜１１１における凹部１０６等の外側の部分を除去する。 - 特許庁 - To provide a method for specifying a Cu contaminated position by non-destructively, simply and accurately detecting Cu to be possibly mixed into a silicon wafer when reproduced.
シリコンウエハーの再生時に混入する恐れのあるＣｕを、非破壊的且つ簡便に精度良く検出することができ、Ｃｕ汚染箇所を特定できる方法を提供する。 - 特許庁 - The second component is composed of at least any one of Ce and Ce compounds such as CeO_2, Fe and Fe compounds such as Fe_2O_3 and Cu, and Cu compounds such as CuO.
第２成分は、Ｃｅ、ＣｅＯ_２等のＣｅ化合物、Ｆｅ、Ｆｅ_２Ｏ_３等のＦｅ化合物、Ｃｕ、ＣｕＯ等のＣｕ化合物のうちの少なくとも１つからなる。 - 特許庁 - In the semiconductor device 1, a lamination barrier film 30 is interposed between a Cu interconnection 23 principally comprising Cu and a W plug 32 composed of W.
この半導体装置１において、Ｃｕを主成分とするＣｕ配線２３とＷからなるＷプラグ３２との間には、積層バリア膜３０が介在されている。 - 特許庁 - The steel sheet may further comprise one or more kinds selected from ≤1.5% Cu, ≤1.5% Ni, ≤1.2% Cr, ≤1.0%
この鋼板は、さらにCu：1.5％以下、Ni：1.5％以下、Cr：1.2％以下、Mo：1.0％以下、Ｖ：0.1％以下、Nb：0.10％以下、REM：0.0010％以下およびMg：0.0010％以下のうちの１種以上を含有してもよい。 - 特許庁 - The Fe-Ni sheet is applicable to a known Fe-Ni alloy which has a composition consisting of 40-90 wt.% Ni and the balance Fe, or in which a third element such as Mo, Cr or Cu is substituted for a part of Fe.
なお、本発明はNi:40〜90wt%、残部Feでなるか、またはFeの一部を、Mo、CrまたはCu等の第三元素で置換した公知のFe-Ni系合金に適用することができる。 - 特許庁 - In the semiconductor device, a Cu electrode 12 is formed in the first principal surface of a glass-epoxy substrate 11.
ガラエポ基板１１の第１主面にＣｕ電極１２が形成されている。 - 特許庁 - The photosensitive paste contains at least one of Ag, Cu and Al.
また、感光性ペースト中に、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌのうち少なくとも一つを含んでいる。 - 特許庁 - A seed Cu film is formed in a recess to be filled by sputtering, or the like.
埋め込み対象となる凹部に、スパッタ法等によりシードＣｕ膜を形成する。 - 特許庁 - An external electrode 8 is formed of a baked conductor film composed principally of Cu.
外部電極８を、Ｃｕを主成分とする焼付け導体膜から構成する。 - 特許庁 - Then, Sn concentration of a Cu matrix inevitably becomes high, since Sn in the Nb tube diffuses the superconductive layer in Nb_3Sn, and diffuses even toward the Cu matrix.
すると、Ｎｂ管の中のＳｎはＮｂ_３Ｓｎの超電導層を拡散し、Ｃｕマトリックスの方へも拡散してくるため、必然的にはＣｕマトリックスのＳｎ濃度が高くなる。 - 特許庁 - In the Sn-Cu-Ag film of the second layer, it is desirable that the content of Ag to Sn-Cu is ≥3 mass% and <30 mass%.
第２層のＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜において、Ｓｎ−Ｃｕに対するＡｇの含有量が、３質量％以上、３０質量％未満であることが望ましい。 - 特許庁 - These selected elements are selected, based on the negative high reduction potential with respect to oxygen and water, low solubility to Cu, and the compound formation with Cu.
これらの選ばれた元素は、酸素及び水に関する負の高い還元電位と、Ｃｕへの低い溶解度、及びＣｕとの化合物形成に基づいて選ばれている。 - 特許庁 - To provide a method of regenerating a silicon wafer, in which Cu not only on a surface but also penetrating into an inside of the silicon wafer is removed and there is no Cu contamination with respect to the inside of the silicon wafer.
シリコンウエハの表面のみならず内部に侵入したＣｕを取除き、シリコンウエハ内部についてもＣｕ汚染がない、シリコンウエハの再生方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD OF PRODUCING HIGH PURITY Cu SPUTTERING TARGET WITH BACKING PLATE MADE OF Al ALLOY
Ａｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - Cu-CONTAINING AUSTENITIC STAINLESS STEEL WIRE ROD FOR COLD FORGING HAVING EXCELLENT TOOL LIFE
工具寿命に優れる冷間鍛造用Ｃｕ含有オーステナイト系ステンレス鋼線材 - 特許庁 - The copper foil for producing graphene contains Cu with the purity of 99.95 mass% or higher.
純度が99.95質量％以上のＣｕからなるグラフェン製造用銅箔である。 - 特許庁 - A silane passivation process, carried out in-situ together with the formation of a subsequent dielectric film, converts the exposed Cu surfaces of the Cu interconnect structure, to copper silicide.
その後の誘電体フィルムの形成とともに原位置に実行されるシラン・パッシベーション・プロセスは、Ｃｕ相互接続構造の露出したＣｕ表面をケイ化銅に転化する。 - 特許庁 - The metal is selected from specific metals such as Cu, Ag, Au, In, and Pd.
金属はＣｕ，Ａｇ，Ａｕ、Ｉｎ，Ｐｄなどの特定の金属から選択される。 - 特許庁
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