「cu」を含む例文一覧(5425)
＜前へ 1 2 .... 19 20 21 22 23 24 25 26 27 .... 108 109 次へ＞- This transgenic rat in which a DNA comprising an extraneous mutant Cu/Zn SOD gene integrated therein is transduced is capable of developing typical ALS symptoms such as muscle weakness symptoms accompanied by amyotrophy.
外来の変異Cu/Zn SOD 遺伝子を組み込んだDNA を導入したトランスジェニックラットは、筋萎縮を伴う筋力低下症状などの典型的なALS 症状を発症する。 - 特許庁 - PICKLING TREATMENT METHOD FOR Cu-CONTAINING STEEL HOT ROLLED STEEL SHEET HAVING EXCELLENT COLOR TONE
色調性に優れたＣｕ含有普通鋼熱延鋼板の酸洗処理方法 - 特許庁 - Subsequently, the Cu film 13 on the insulation film 11 is polished using a chemical mechanical polishing method thus forming wiring formed of the Cu film 13 in the wiring forming part 12.
その後、化学的機械研磨法を用いて、絶縁膜１１上のＣｕ膜１３を研磨することにより、Ｃｕ膜１３による配線を配線形成部１２内に形成する。 - 特許庁 - The desired satin feel and gloss may be obtained without using an Ni metal by applying the Cu-Sn alloy plating or Cu-Sn-Zn alloy plating to the plating layers.
Ｃｕ−Ｓｎ合金メッキ又はＣｕ−Ｓｎ−Ｚｎ合金メッキを施すことで、Ｎｉ金属を使用することなく、所望の梨地感や光沢を得ることが可能となる。 - 特許庁 - The desired satin feel and gloss may be obtained without using an Ni metal by applying the Cu-Sn alloy plating or Cu-Sn-Zn alloy plating to the plating layers.
Ｃｕ−Ｓｎ合金メッキ又はＣＵ−Ｓｎ−Ｚｎ合金メッキを施すことで、Ｎｉ金属を使用することなく、所望の梨地感や光沢を得ることが可能となる。 - 特許庁 - Next, a Cu electrode layer 2 is formed in the opening 55a through plating method.
次に、その開口部５５ａにめっき法によりＣｕ電極層２を形成する。 - 特許庁 - The steel wire plated with brass on the circumference of a wire and the concentration of transition metals excluding Zn and Cu on the surface of the brass plating is set to 0.01 mass% or more.
ワイヤの周面にブラスめっきを施したスチールワイヤについて、該ブラスめっきの表面における、ZnおよびCuを除く遷移金属の濃度を0.01mass％以上とする。 - 特許庁 - RECOVERING METHOD OF Cu, Co, AND Ni FROM LEACHATE OF In CONTAINING DRAINAGE SLUDGE
Ｉｎ含有排水泥の浸出液からのＣｕ、Ｃｏ及びＮｉの回収方法 - 特許庁 - Au is added to an Sn-Cu solder alloy or an Sn-Ag-Cu solder alloy, thus the erosion of Au upon the soldering of Au wire is prevented.
Ｓｎ−Ｃｕはんだ合金、あるいはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ合金にＡｕを添加することで、Ａｕワイヤーのはんだ付時におけるＡｕの食われを防止する。 - 特許庁 - Cu-Co-Si-BASED COPPER ALLOY STRIP FOR ELECTRONIC MATERIAL, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
電子材料用Ｃｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金条及びその製造方法 - 特許庁 - This catalyst is composed by carrying on a carrier formed of a porous oxide, a catalyst metal containing at least Rh, and a promotor comprising at least one selected from Cu, Ag, Au, Zn, Cd and Hg.
多孔質酸化物よりなる担体に、少なくともRhを含む触媒金属と、Cu、Ag、Au、Zn、Cd及びHgから選ばれる少なくとも一種からなる助触媒金属と、を担持した。 - 特許庁 - Cu-Zn-Sn BASED COPPER ALLOY SHEET MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND CONNECTOR
Ｃｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系銅合金板材およびその製造法並びにコネクタ - 特許庁 - By further adding one kind of a metal selected from the group consisting of Ag, Cu and Zn to the photocatalyst layer, bacteria bonded to the surface of the photocatalyst layer can be killed.
また、光触媒層には、更に、Ag、Cu、Znからなる群から選ばれた１種の金属を含むことにより、表面に付着した細菌を死滅させることができる。 - 特許庁 - Cr-Cu ALLOY SHEET, HEAT SINK FOR SEMICONDUCTOR, AND HEAT DISSIPATING COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR
Ｃｒ−Ｃｕ合金板、半導体用放熱板及び半導体用放熱部品 - 特許庁 - Sn or Sn alloy (Sn-Cu, Sn-Fe, Sn-Co, Sn-Ag, and Sn-Sb or the like) plating is applied to a cloth-like mesh 11 braided by a Cu wire 12.
銅細線１２で編んだクロス状のメッシュ１１にＳｎもしくはＳｎ合金（Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｆｅ、Ｓｎ−Ｃｏ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｓｂなど）めっきを施した。 - 特許庁 - At this time, the CO removing catalyst 15 is constituted by arranging the Cu/Al_2O_3 catalyst at a front stage and the Cu/CeO_2 catalyst at a rear stage.
ここで、前記ＣＯ除去触媒１５は、前段に前記Ｃｕ／Ａｌ_2Ｏ_3触媒を配置すると共に、後段に前記Ｃｕ／ＣｅＯ_2触媒を配置してなるものである。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING Y-Ba-Cu-O BASED SUPERCONDUCTING FILM BY MIGRATION ELECTRODEPOSITION METHOD
泳動電着法によるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導膜の製造方法 - 特許庁 - As a film of a metal which is more prone to oxidize than Cu (easy to oxidize), an aluminium copper alloy film (AlCu film) 111 is formed on the Cu wiring layer 108.
銅（Ｃｕ）配線層１０８上には、銅よりも酸化傾向の大きい（＝酸化され易い）金属の膜として、アルミニウム銅合金膜（ＡｌＣｕ膜）１１１を形成する。 - 特許庁 - CU-ALLOY INTERCONNECTION FILM, TFT ELEMENT FOR FLAT PANEL DISPLAY USING THE FILM, AND CU ALLOY SPUTTERING TARGET FOR MANUFACTURING THE FILM
Ｃｕ合金配線膜とそのＣｕ合金配線膜を用いたフラットパネルディスプレイ用ＴＦＴ素子、及びそのＣｕ合金配線膜を作製するためのＣｕ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - The bearing material has a composition containing 3 to 15% Al, 1 to 8% Mn, 0.05 to 5% Si, 0.5 to 5% Ni, and 1 to 10% Fe, and the balance Cu with inevitable impurities, and in which Fe-Mn-Si hard substance is dispersed.
3 〜15 ％Al, 1〜 8％ Mn, 0.05 〜 5％ Si, 0.5〜 5％ Ni, 1〜10％ Feを含有し、残部不可避的不純物及びCuからなり、Fe-Mn-Si系硬質物が分散した銅系軸受材料。 - 特許庁 - The Cu-Al alloy 21 has the surface in which Al concentration is controlled to 0.6 to 5%.
そして、Ｃｕ−Ａｌ合金２１表面のＡｌ濃度を、０．６〜５％とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device wherein an interlayer insulating film has a Cu diffusion barrier property.
層間絶縁膜にＣｕ拡散バリア性を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁 - At least a portion of the modified layer 31 is polished through polishing by a CMP method to form a conductive pattern 11 of Cu for the wiring, a conductive plug, etc.
ＣＭＰ法による研磨で改質層３１の少なくとも一部を研磨し、Cuからなる配線や導電性プラグといった導電性パターン１１を形成する。 - 特許庁 - In addition, it may contain a metal selected from a group of Cu, Ag, and Ni.
更に、Ｃｕ、Ａｇ及びＮｉの群から選ばれる金属を含むことができる。 - 特許庁 - The NOx adsorption material which consists of carrier containing specific oxide which is oxide of at least one element selected from Co, Fe, Cu, Ce and Mn, and carried metal which is at least one metal selected from Cu, Co, Ag and Pb and is different from metal element of the carrier and is carried by the specific oxide, is made contact with excess oxygen lean gas containing oxygen gas.
Co、Fe、Cu、Ce及びMnから選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物である特定酸化物を含む担体と、Cu、Co、Ag及びPdから選ばれる少なくとも一種であって担体の金属元素とは異なり特定酸化物に担持された担持金属と、からなる常温NO_x 吸着材に対し、酸素ガスを含む酸素過剰のリーンガスを接触させる。 - 特許庁 - A process for eliminating an insulating film formed on a Cu film in a method for eliminating the insulating film comprises a process for etching under conditions, where the penetration of an etching active species onto the surface of a Cu film is 15 nm or less on the surface of the Cu film; and a process for washing the surface of the Cu film after eliminating the insulating film.
Ｃｕ膜上に形成された絶縁膜を除去する工程において、Ｃｕ膜表面へのエッチング活性種の入り込みがＣｕ膜表面から１５ｎｍ以下となる条件でエッチングを行う工程と、絶縁膜を除去した後Ｃｕ膜表面を洗浄する工程と、を備えることを特徴とする絶縁膜の除去法方法を提供する。 - 特許庁 - This copper based plain bearing material obtained by sintering and laminating a copper alloy to a steel back plate has a composition cintaiing >2 to 4% Ag and 1 to 10% Sn, and the balance substantially Cu, and at least on the surface side of the sintered layer, Ag and Sn lie in a state of being perfectly or substantially entered into solid solution in the Cu matrix.
銅合金を鋼裏金に焼結・成層してなる銅系すべり軸受材料において、Ag:２％を超え４％以下、Sn：１〜１０％を含有し、残部が実質的にCuからなり，焼結層の少なくとも表面側でAg及びSnがCuマトリックス中に完全もしくは実質的に固溶した状態である銅系すべり軸受材料。 - 特許庁 - A hypochlorite salt is continuously added to a metal cyanidecontaining solution in which cyanides of Ni, Cu, Zn and Au and/or Ag are dissolved, under alkaline conditions within the temperature range from 60°C to a temperature below the boiling point of the solution to precipitate Ag as a chloride and Ni, Cu and Zn as oxides or hydroxides and to dissolve Au as chloroaurate in the solution.
Ni,Cu,Zn,Au及び/又はAgのシアン化合物を溶解したシアン系金属含有液にアルカリ性かつ６０℃から沸点未満の温度範囲の条件で次亜塩素酸塩を連続添加し、Agは塩化物として析出させ、Ni,Cu及びZnは酸化物もしくは水酸化物として析出させ、かつAuは塩化金酸塩として溶液中に溶解させる。 - 特許庁 - Such Sn-Cu-Bi-In-P-base leadless solder has not only a melting temperature relatively lower than the existing Sn-Ag-base and Sn-Cu-Ag-base leadless solder but lessens the production of dross in soldering and therefore the thermal damage on the electronic parts is lessened and the soldering work can be smoothly carried out in soldering semiconductors and electronic products.
このようなSn−Cu−Bi−In−P系無鉛半田は既存のSn−Ag系やSn−Cu−Ag系無鉛半田に比べて比較的に低い溶融温度を有しているばかりでなく半田付けの際、ドロス（dross）発生が少ないので半導体や電子製品を半田付けするとき電子部品に熱損傷を少なくし、半田付け作業を円滑に行うことが出来る。 - 特許庁 - When the sheath is made of an Al-Si alloy plate containing 5 to 15 mass% of Si, and the Cu wire material supplied in the sheath has become an Al-Cu-Si ternary alloy by being alloyed with the sheath material, it is preferable that the Cu wire material has a diameter corresponding to that containing 22 to 37 mass% of Cu in the ternary alloy.
鞘が５〜１５質量％のＳｉを含有するＡｌ−Ｓｉ系合金板から構築され、鞘内に充填されるＣｕ線材が、鞘材と合金化されてＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ三元系の合金となったときに、当該三元系合金中で２２〜３７質量％のＣｕに相当する直径を有するものが好ましい。 - 特許庁 - The high-temperature conductive oxide coat is formed in (1) a method for applying sputter coating to Cu and Al under an oxygen containing depressurized atmosphere, or in (2) a method for applying sputter coating to Cu and Al under a non-oxidized atmosphere to form a Cu-Al alloy layer and then oxidizing a surface layer portion of the Cu-Al alloy layer.
この高温導電性酸化物皮膜は、例えば（１）酸素含有減圧雰囲気下でＣｕおよびＡｌをスパッタコーティングする方法、（２）ＣｕおよびＡｌを非酸化性雰囲気下でスパッタコーティングすることによりＣｕ−Ａｌ系合金層を形成した後、そのＣｕ−Ａｌ系合金層の表層部を酸化させる方法などにより形成させることができる。 - 特許庁 - The ≥1 kind selected from Bi, Zn, Cu and Ge may be further incorporated into the brazing filler metal.
ろう材には更にＢｉ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇｅの内から選択した１種類以上を含有しても良い。 - 特許庁 - A gear shift position sensor 4 and a steering angle sensor 5 are connected to the surrounding supervisory CU 1.
周辺監視ＣＵにはギアシフト位置センサ４、操舵角センサ５が接続している。 - 特許庁 - In the formula, M represents Zn, Cu, Fe or Mn, and m represents 4 to 8.
Ｍ^２＋［Ｓ−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｓ］^２− …（１） （式中、Ｍ＝Ｚｎ，Ｃｕ，Ｆｅ又はＭｎであり、ｍ＝４〜８である。） - 特許庁 - To provide a decoratively working apparatus which changes the color of the surface of a Cu-Al alloy.
Ｃｕ−Ａｌ合金の表面の色を変化させる装飾加工装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an aluminum alloy having high strength, wear resistance and slidability by adding Zn, Cu, B and Mg to a hypereutectic Al-Si alloy.
高強度で耐摩耗性及び摺動性の優れたアルミニウム合金を提供する。 - 特許庁 - Particularly, Sn, Ag, Cu, and about ≤0.065% P are incorporated therein.
特に、ＳｎとＡｇとＣｕと０．０６５重量％程度以下のＰとを含有させる。 - 特許庁 - The middle layer can be selected from the group of Cu, Hg, Ag, Pt, and Au.
中間層は、Ｃｕ、Ｈｇ、Ａｇ、ＰｔおよびＡｕのグループから選択することができる。 - 特許庁 - A wiring body layer 46 with Cu as a main component is buried in the aperture 42.
開口部４２内にＣｕを主成分とする配線本体層４６が埋め込まれる。 - 特許庁 - A judgment whether a speed reduction command is output from a cruise CU 137 is determined in a step 200.
ステップ２００にて、クルーズＣＵ３７から減速指令が出ているか否かを判定する。 - 特許庁 - The sensor case 42 is formed by applying Ni-Cu plating on molded resin.
なお、センサケース４２は、成形された樹脂にＮｉ−Ｃｕメッキを施されて形成される。 - 特許庁 - Reaction of Nb in Cu advances further, and increases the superconductive layer of Nb_3Sn.
Ｃｕ中のＮｂはさらに反応が進み、Ｎｂ_３Ｓｎの超電導層を増加させる。 - 特許庁 - Finally, the printed region on the Cu layer is removed by means of a peroxodisulfate etching bath.
最後にＣｕ層の印刷領域を、ペルオキソジスルファート・エッチング浴を使用して除去する。 - 特許庁 - To provide a Cu-Ni-Si-Co copper alloy which has an improved spring critical value.
ばね限界値を向上させたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金を提供する。 - 特許庁 - Cu PRECIPITATION TYPE HIGH TENSILE STRENGTH STEEL SHEET SUPPRESSED IN VARIATION OF STRENGTH, AND ITS PRODUCTION METHOD
強度バラツキの抑制されたＣｕ析出型高張力鋼板とその製造方法 - 特許庁 - NON-HEAT TREATED Cu PRECIPITATION TYPE HIGH TENSILE STRENGTH STEEL SHEET EXCELLENT IN DUCTILITY, AND ITS PRODUCTION METHOD
延性に優れた非調質Ｃｕ析出型高張力鋼板とその製造方法 - 特許庁 - In the contact hole 18, a Cu seed layer 17a is formed only near the bottom part.
コンタクトホール１８において、底部近傍にのみＣｕシード層１７ａが形成されている。 - 特許庁 - The wire may further contain 0.05 to 1.5 mass% Cu.
さらにＣｕを０．０５質量％以上１．５質量％以下含有したものであっても良い。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an electronic device having anticorrosion effect to a Cu layer.
Ｃｕ層に対する防食効果を有する電子装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - PICKLED STEEL PLATE OF Cu-CONTAINING PLAIN STEEL WITH EXCELLENT COLOR TONE CHARACTERISTIC, AND ITS MANUFACTURING METHOD
色調性に優れたＣｕ含有普通鋼酸洗鋼板およびその製造方法 - 特許庁
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