「cu」を含む例文一覧(5425)
＜前へ 1 2 .... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 .... 108 109 次へ＞- In this case, the Cu electrode layer 2 is formed so that the upper surface 2a of the Cu electrode layer 2 is located higher at position than for the P-SiN film 55.
このとき、Ｃｕ電極層２の上面２ａの位置がＰ−ＳｉＮ膜５５の上面よりも高い位置となるように、Ｃｕ電極層２を形成する。 - 特許庁 - A coaxial cable 1 is a short material with length of 1000 mm or less, and a central conductor 10 is a single wire conductor mainly composed of one Cu-Ag alloy wire 11.
同軸ケーブル1は、その長さが1000mm以下の短尺材であり、中心導体10が主として1本のCu-Ag合金線11から構成される単線導体である。 - 特許庁 - Sn and Cu in the Cu-added solder ball bump 6 drastically react with Ni in the Ni junction layer 3 to form a diffusion suppression alloy layer 7.
Ｃｕ添加ハンダボールバンプ６中のＳｎおよびＣｕとＮｉ接合層３中のＮｉとが急激に反応し拡散抑制合金層７が形成される。 - 特許庁 - A spiral inductor 14 is formed at the Cu wiring layer 9B, and a grounding pattern 15 and a pad 16 for external connection are formed at the Cu wiring layer 9C.
Ｃｕ配線層９Ｂには、スパイラルインダクタ１４が形成され、Ｃｕ配線層９Ｃには、接地パターン１５及び外部接続用のパッド１６が形成される。 - 特許庁 - The inner layer 4 is formed of P-Cu alloy containing P 0.7-3.2 wt.%, or pure Ni or Ni-Cu alloy containing Ni 4.0 wt.% or more.
前記内層４はＰを０．７〜３．２mass％含むＰ−Ｃｕ合金又は純ＮｉあるいはＮｉを４．０mass％以上含むＮｉ−Ｃｕ合金で形成される。 - 特許庁 - ARMATEUR-BRUSHING MATERIAL MADE OF Cu-GRAPHITE BASED SINTERED MATERIAL HAVING EXCELLENT WEAR RESISTANCE
耐摩耗性のすぐれたＣｕ−黒鉛系焼結材製摺動集電材 - 特許庁 - Cu PLATED STEEL SHEET FOR ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELD HAVING EXCELLENT CORROSION RESISTANCE AND DISCOLORATION RESISTANCE
耐食性・耐変色性に優れた電磁波シールド用Ｃｕめっき鋼板 - 特許庁 - A barrier metal layer 4 consisting of TaN is formed all over the surface, and then a Cu layer 5 is made by electrolytic plating method, using the seed layer consisting of Cu.
全面にＴａＮからなるバリアメタル層４を製膜した後、Ｃｕからなるシード層を用いて電解めっき法によりＣｕ層５を形成する。 - 特許庁 - An alloy comprising Zn, Cu and at least one of Bi, Sn and Cd is heat-treated in an oxidizing atmosphere to produce zinc oxide whiskers.
また、Ｚnと、Cuと、Ｂi、Sn及びＣｄのいずれか１種とを含む合金を、酸化性雰囲気中で加熱処理して酸化亜鉛のウイスカーを製造する。 - 特許庁 - BEARING MADE OF GRAPHITE DISPERSED Cu BASED SINTERED ALLOY FOR MOTOR TYPE FUEL PUMP
モータ式燃料ポンプの黒鉛分散型Ｃｕ基焼結合金製軸受 - 特許庁 - The contact of the vacuum breaker is made of a Cu-Cr series contact containing an conductive component consisting of Cu and an arc-resistant component consisting of Cr.
真空遮断器の接点を、Ｃｕから成る導電性成分とＣｒから成る耐弧性成分とを含有したＣｕ−Ｃｒ系接点から成るものとする。 - 特許庁 - To prevent degradation of piezoelectric strain properties when Cu is used for internal electrodes.
Ｃｕを内部電極に用いた場合の圧電歪特性低下を防止する。 - 特許庁 - To provide an aqueous and semi-aqueous composition useful for removing residue after etching and ashing from a Cu low K dielectric semiconductor devices.
Cu低K誘電性半導体装置からエッチング及びアッシング後の残渣を除去するのに有用な水溶性及び半水溶性配合物を提供する。 - 特許庁 - Thereby, the lead 30 made of Cu or Cu alloy can be welded with a conductive member 40 by applying laser light without passing through complicated processes.
これにより、複雑な工程を経ることなく、レーザ光を用いてＣｕまたはＣｕ合金からなるリード３０と導電部材４０とを溶接することができる。 - 特許庁 - To prevent increase in capacitance resulted from high permittivity of a plasma silicon nitride film used for preventing a diffusion of Cu on the interconnection in the lower layer Cu.
下層Ｃｕの配線上にＣｕの拡散防止のために用いているプラズマシリコン窒化膜の高誘電率に起因する配線容量の増加を防止する。 - 特許庁 - The Cu foil 1 is wet etched to be removed over the entire surface or into a prescribed shape to form a Cu wiring 13, thereby obtaining a wiring structure 14.
次に、銅箔１をウエットエッチング法で全面除去か所定の形状にエッチングして銅配線１３を形成して配線構造１４を得る。 - 特許庁 - The lead frame 10 consists of Cu or Cu alloy, and each of coupling parts 27 are exposed outward from side surfaces 23b_1 to 23b_4 of the outer resin part 23.
リードフレーム１０は、銅または銅合金からなり、各連結部２７は、外側樹脂部２３の側面２３ｂ_１〜２３ｂ_４から外方へ露出している。 - 特許庁 - Upon the manufacture of the sliding material, Cu-Sn alloy powders and Bi powders are nonuniformly mixed, the mixture is then scattered on a steel plate, and the same is sintered.
そのような摺動材料の製造に際しては、Cu-Sn合金粉末と、Bi粉末を不均一に混合してから鋼板上に散布し、それを焼結する。 - 特許庁 - In the copper foil with the resin for laser beam boring, a surface layer of an alloy mainly containing Zn and Cu is formed on the surface on the laser beam irradiation side of the copper foil.
銅箔のレーザ照射側の表面に、ZnとCuを主体とする合金からなる表面層が形成されているレーザ穴あけ加工用樹脂付き銅箔。 - 特許庁 - A substrate 1 composed of an alloy (Cu-Ni alloy) of Ni which is a CNT forming catalyst and Cu which is a non-forming catalyst is set in a reaction tube 2.
反応管２内にＣＮＴ生成触媒であるＮｉと非生成触媒であるＣｕとの合金（Ｃｕ−Ｎｉ合金）からなる基板１を設置する。 - 特許庁 - Further, since Cu diffusibility is low, highly reliable wiring is formed.
さらに、Ｃｕ拡散性が低いので、信頼性の高い配線が形成される。 - 特許庁 - The formation of the electroless plating film progresses on the heated Cu wiring, and the formation of the electroless plating film is suppressed on the part other than the Cu wiring.
加熱されたＣｕ配線上では無電解めっき膜の形成が進行し、Ｃｕ配線上以外の部分では無電解めっき膜の形成は抑制される。 - 特許庁 - MOLD MADE OF Zr-Cu-BASED METAL GLASS ALLOY FOR ULTRAFINE PATTERN TRANSFER
超微細パターン転写用Ｚｒ−Ｃｕ系金属ガラス合金製金型 - 特許庁 - To provide a Cu-Cr-Zr based copper alloy plate having high strength, high conductivity and satisfactory bending performance, and a method for manufacturing the Cu-Cr-Zr based copper alloy plate.
高強度且つ高導電率で良好な曲げ加工性を有するＣｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系の銅合金板材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A package substrate 6 having Cu wiring of at least one layer is formed.
また、１層以上のＣｕ配線を有したパッケージ基板６を形成する。 - 特許庁 - Cu-W-BASED ALLOY, AND ELECTRODE USING THE ALLOY FOR ELECTRIC SPARK MACHINING
Ｃｕ−Ｗ系合金および該合金を用いた放電加工用電極 - 特許庁 - A Cu layer 3 formed on a surface of a substrate 1 is overlaid with a photo resist pattern 4 that constitutes a mask corresponding to Cu wiring to be formed.
基板１の表面に形成したＣｕ層３上に、形成すべきＣｕ配線に対応したマスクを構成するフォトレジストパターン４を設ける。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING Cu(In1-xGax)Se2 FILM AND SOLAR BATTERY
Ｃｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２膜の製造方法及び太陽電池 - 特許庁 - PROCESS FOR MANUFACTURING Al-Mg-Cu ALUMINUM ALLOY PLATE FOR FABRICATION
成形加工用Ａｌ−Ｍｇ−Ｃｕ系アルミニウム合金板の製造方法 - 特許庁 - The slide bearing material includes a Cu single layer and a Cu-Sn alloy layer, and disperses phosphor bronze, TiO_2, C, and FeP therein.
Ｃｕ単層とＣｕ−Ｓｎ系合金層を含有するとともに、燐青銅、ＴｉＯ_２、ＣおよびＦｅＰを分散させてなる滑り軸受材料とする。 - 特許庁 - Cu-Si-Co BASED COPPER ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL
電子材料用Ｃｕ−Ｓｉ−Ｃｏ系銅合金及びその製造方法 - 特許庁 - Cu-Sn-Sb SOLDER AND METHOD FOR JOINING METALLIC MEMBERS
Ｃｕ−Ｓｎ−Ｓｉ系鑞材及びそれを用いる金属部材の接合方法 - 特許庁 - An Al plug 31 penetrating the interlayer dielectric 1 and coming into contact with both the lower layer Cu interconnect line 21 and the upper layer Cu interconnect line 41 is provided.
層間絶縁膜１を貫通して下層Ｃｕ配線２１と上層Ｃｕ配線４１との双方に接触するＡｌプラグ３１を設ける。 - 特許庁 - Further, it may contain 0.005 to 1.0 mass% of one or more additive elements selected from Mg, Si, Cu, Zn, Ni, Mn, Ag, Cr and Zr, in percent by mass in total.
更に、質量％で、Mg、Si、Cu、Zn、Ni、Mn、Ag、Cr、及びZrから選択される1種以上の添加元素を合計で0.005質量％以上1.0質量％以下含有してもよい。 - 特許庁 - METHOD FOR MEASURING CONCENTRATION OF Pb OR Cu IN COMPOUND CONTAINING Zn
Ｚｎ含有化合物中のＰｂ又はＣｕの濃度を測定する方法 - 特許庁 - The Cu layer 20 is subjected to CMP processing at a subsequent step and planarized ideally up to the dot line part, thus forming a Cu interconnect.
このＣｕ層２０は、後の工程でＣＭＰ処理を施されることにより、理想的には点線部分まで平坦化され、Ｃｕ配線となるものである。 - 特許庁 - HIGH-POWER Ti-Ni-Cu SHAPE MEMORY ALLOY AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
高強力Ｔｉ−Ｎｉ−Ｃｕ形状記憶合金とその製造方法 - 特許庁 - In addition, the stainless steel pipe can include Nb and/or Ca, and/or Cu, and/or at least one element among Ti, Zr, B and W, and/or Al, as needed.
なお、Nb、および／または、Ca、および／または、Cu、および／または、Ti、Zr、Ｂ、Ｗのうちの１種以上、および／または、Alを、必要に応じて選択して含有できる。 - 特許庁 - The steel sheet may contain at most 0.50% Si, and at least 0.03%, in total, of one or more elements selected from at most 1.5% Cu and at most 1.5% Ni.
Si ：0.50％以下として、さらに、Cu：1.5％以下およびNi：1.5％以下の群から選ばれる１種または２種を合計で0.03％以上含有させてもよい。 - 特許庁 - The WTO defines three basic regional trade agreement categories: “customs union (CU)”, “free trade area (FTA)”, and the “interim agreement” leading to the CU and FTA.
WTOでは、地域貿易協定（Regional TradeAgreement）を「関税同盟（Customs Union）」及び「自由貿易地域（FTA:Free-Trade Area）」、並びにそれらの形成のための「中間協定（Interim Agreement）」の三つの概念に分類している。 - 経済産業省 - The electronic circuit is formed with the soldering powder consisting of at least one from Sn-Ag and Sn-Ag-Cu, diffusion suppressing alloy powder consisting of at least one form Cu-Zn and Cu-Zn-Sn, and a fluxing agent.
Ｓｎ−ＡｇまたはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕの少なくとも一つからなるはんだ粉末と、Ｃｕ−ＺｎまたはＣｕ−Ｚｎ−Ｓｎの少なくとも一つからなる拡散抑制合金粉末と、フラックスとを含むように構成する。 - 特許庁 - The specific surface area of Cu is increased by it that Cu and Mn are present in a state of fine particles, which is achieved by virtue of the low temperature calcination, and the surface area in contact with a gas can be maintained due to it that the Cu particle diameters are hardly caused to change by the low temperature calcination.
また、低温焼成でＣｕとＭｎとが微粒子状態で存在することでＣｕの比表面積を増大すると共に、Ｃｕ粒子径はほとんど変化しないためガス接触面積を維持することができる。 - 特許庁 - After forming the barrier films, the substrates W are transferred to an ion plating unit 13, a Cu film material is vaporized by utilizing a plasma beam and, at the same time, a thin Cu seed film is formed on the barrier films by ionizing the Cu vapor.
次に、イオンプレーティングユニット１３に基板Ｗを移送し、プラズマビームを利用して膜材料Ｃｕを蒸発させるとともにこのＣｕ蒸気をイオン化させて基板Ｗ上であってバリア膜上にＣｕのシード膜を薄く形成する。 - 特許庁 - Core wire made of Cu or a Cu alloy plated with Zn or a Zn alloy is heat-treated within a range of 200 to 454°C and a Cu-Zn alloy of β-or γ-phase of a large amount of Zn is formed on the surface of the core wire.
ＺｎまたはＺｎ合金めっきを施したＣｕまたはＣｕ合金製の芯線を、２００〜４５４℃の範囲で熱処理し、高Ｚｎ量のβ相またはγ相のＣｕ−Ｚｎ合金を芯線表面に形成する。 - 特許庁 - The Cu wiring 100 is formed with at least a Cu alloy 1 containing at least one of Ag, As, Bi, P, Sb, Si, or Ti with an amount not less than 0.1 wt.% and not larger than the maximum solid solubility limit for Cu.
前記Ｃｕ配線１００は、Ａｇ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｐ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｔｉのうち少なくとも１つを０．１重量％以上、Ｃｕに対する最大固溶限未満の範囲で含有するＣｕ合金１で構成されている。 - 特許庁 - To provide: a Cu-In-Ga-Se based powder which contains Cu, In, Ga and Se and is free from occurrence of cracks during sintering or process; and a sintered body and a sputtering target, each of which uses the Cu-In-Ga-Se based powder.
焼結時や加工時に割れの発生しないＣｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅを含有するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ系粉末、およびこれを用いた焼結体およびスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。 - 特許庁 - Thereby, the Cu-diffused ZAS alloy is obtained, in which Cu diffuses to a distance of 0.5 mm or deeper inside from the surface of the ZAS alloy, and the Cu concentration decreases toward the inside of the ZAS alloy from the surface.
これにより、ＺＡＳ合金の表面からの深さが０．５ｍｍ以上の内部にまでＣｕが拡散し、かつＣｕの濃度がＺＡＳ合金の表面から内部に指向して減少したＣｕ拡散ＺＡＳ合金が得られる。 - 特許庁 - The Cu-containing catalyst contains at least two kinds of elements of Cu and Zn and Teflon (R) particles adhere to the surface of a Cu-ZnO catalyst component.
ＣｕおよびＺｎの少なくとも２種の元素を含むＣｕ含有触媒であって、Ｃｕ−ＺｎＯ系触媒成分の表面にテフロン粒子が付着していることを特徴とするＣｕ含有触媒、並びに、その製造方法。 - 特許庁 - Cu alloy wiring for semiconductor device comprises Cu alloy containing Ge in 0.2 to 1.0 at%, and a spattering gate comprising Cu alloy used to manufacture the wiring.
半導体装置に使用される配線であって、Ｇｅを０．２〜１．０ａｔ％含有するＣｕ合金からなる半導体装置用Ｃｕ系合金配線と、当該配線の製造に用いるＣｕ系合金からなるスパッタリングターゲットを開示する。 - 特許庁 - Cu-reinforcing plugs 16 and 28, which are connected to the Cu conductive layers 14 and 26 and penetrates the SiCN films 3 on the lower sides of each low relative permittivity film 4, are provided to the Cu conductive layers 14 and 26.
また、Ｃｕ導電層１４，２６には、これらＣｕ導電層１４，２６に接続されるとともに、各低比誘電率膜４のそれぞれの下側のＳｉＣＮ膜３を貫通してＣｕ補強プラグ１６，２８が設けられている。 - 特許庁
