「cu」を含む例文一覧(5425)
＜前へ 1 2 .... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 .... 108 109 次へ＞- METHOD OF PRODUCING Cu-Zn-BASED ALLOY EXTRUDED MATERIAL HAVING FINE STRUCTURE AND Cu-Zn-BASED ALLOY EXTRUDED MATERIAL OBTAINED BY THE SAME
微細組織を有するＣｕ−Ｚｎ系合金押出材の製造方法および該製造方法により得られるＣｕ−Ｚｎ系合金押出材 - 特許庁 - To provide an ink composition having dispersed Cu particles that has Cu nanoparticles stably dispersed in an organic solvent adapted for inkjet printing.
インクジェット印刷に適合した有機溶剤中に、Ｃｕナノ粒子を安定的に分散したＣｕナノ粒子分散インク組成物を提供する。 - 特許庁 - The Ni/Cu barrier layer obstructs interaction between the gold bump and a solder.
Ｎｉ／Ｃｕ障壁層は、金バンプとハンダとの相互作用を妨げる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a Cu-P alloy fine particle, a Cu-Sn alloy fine particle and a Cu-Sn-P alloy particle having suppressed dendrite formation by a reduction reaction in a liquid phase.
液相で還元反応を行うことにより、デンドライト化が抑制されたＣｕ−Ｐ合金微粒子、Ｃｕ−Ｓｎ合金微粒子、及びＣｕ−Ｓｎ−Ｐ合金微粒子を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To make excellent the reliability of a semiconductor device by making excellent a contact force between a Cu diffusion prevention film of the semiconductor device and Cu wiring.
半導体装置のＣｕ拡散防止膜とＣｕ配線との密着力を良好とし、半導体装置の信頼性を良好とする。 - 特許庁 - The metal plating is any of Cu plating, Ni plating, or Ag plating.
金属メッキが、Ｃｕメッキ、Ｎｉメッキ、又はＡｇメッキのいずれかである。 - 特許庁 - This bolt is made out of bidirectional shape-memory alloy of Cu-An system, Cu-Al-Ni system or Fe-Ni-Co-Ti system.
ボルトはＣｕ−Ｚｎ系、Ｃｕ−Ａｌ−Ｎｉ系、又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ｔｉ系の２方向性の形状記憶合金をからなる。 - 特許庁 - In addition, the steel pipe can contain one or more groups among a group of Cu, a group of Ni, Mo, V and Nb, a group of Ti, Zr, B and W, and a group of Ca, as needed.
なお、Cuの群、Ni,Mo,V,Nbの群、Ti,Zr,Ｂ,Ｗの群、Caの群のうちの１群または２群以上を、必要に応じて選択して含有できる。 - 特許庁 - The metal which can be diffused in Cu is diffused in at least a surface layer of the foundation electrode layer 15 in the first Cu plating film 16.
第１のＣｕめっき膜１６の少なくとも下地電極層１５側の表層には、Ｃｕに拡散し得る金属が拡散している。 - 特許庁 - RESIN-COATED CU PLATED STEEL PANEL EXCELLENT IN SOLDERING PROPERTIES AND CORROSION RESISTANCE
ハンダ付け性及び耐食性に優れた樹脂被覆Ｃｕめっき鋼板 - 特許庁 - In the Cu infiltration step, a thin Cu plate is placed on the calcined article and maintained at a temperature of 1,100-1,200°C for 1-2 h in a heating furnace so as to induce liquid-phase sintering of Cu and its infiltration into the calcined article.
Ｃｕ溶浸工程で、仮焼結体上にＣｕ薄板を配置し、加熱炉において１１００〜１２００℃の温度で１〜２時間保持することで仮焼結体中にＣｕを液相焼結させて溶侵させる。 - 特許庁 - Further, it is desirable that the thickness of Cu-plating is 0.30 μm or smaller.
また、Ｃｕめっき厚さは０．３０μｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁 - In the soldering method, P of 0.001-0.1 percent by mass is added independently or together with Ge of 0.001-0.1 percent by mass to Sn-Cu of 0.1-3 percent by mass base lead-free solder alloy.
Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁 - To prevent deterioration of the characteristics and disconnection of the Cu coil in a planar magnetic element.
平面磁気素子のＣｕコイルの特性の劣化、断線を防止する。 - 特許庁 - The steel bar further contains 0.10 to 2.5% Si and 0.25 to 2.0% Mn and suitably contains one or more kinds of Al, Ti, Ca, rare earth metals, V and Nb and/or one or more kinds of B, Cu, Ni and Mo.
該鋼棒は、更に、Si:0.10 〜2.5%とMn:0.25 〜2.0%を含み、適宜、Al、Ti、Ca、REM 、V 及びNbの１種以上、及び／または、B 、Cu、Ni及びMoの１種以上を含有する。 - 特許庁 - HEAT-RESISTANT Sn SOLDERED STRIP OF Cu-Zn ALLOY WITH SUPPRESSED GENERATION OF WHISKER
ウィスカーが抑制されたＣｕ−Ｚｎ合金耐熱Ｓｎめっき条 - 特許庁 - Further, this steel material can contain one or more elements among Ca, Mg, Ti, Zr and REM, or one or more elements among Cr, Cu, Ni and Mo, or further Al.
さらに、Ca、Mg、Ti、Zr、REMのうちの１種または２種以上、あるいはCr、Cu、Ni、Moのうちの１種または２種以上、あるいはさらに、Alを含有してもよい。 - 特許庁 - Since the melt point of the Cu alloy 1 becomes lower than that of Cu from the above, the particle diameter of the Cu alloy 1 can be increased and the grain boundary can be reduced.
前記Ｃｕ配線１００は、Ａｇ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｐ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｔｉのうち少なくとも１つを０．１重量％以上、Ｃｕに対する最大固溶限未満の範囲で含有するＣｕ合金１で構成されている。 - 特許庁 - (2) Ceq=C+Mn/6+Si/24+Ni/40+Cr/5+Mo/4+V/14≥0.34; and (3) P_CM=C+Si/30+Mn/20+Cu/20+Ni/60+Cr/20+Mo/15+V/10+5B≥0.17.
−{119.6Mn＋18.4Ni＋278.3Mo}＋{292.1Si＋142.6Cu＋2615.1Ｖ｝≦−80 …（１）Ｃeq=Ｃ＋Mn/６＋Si/24＋Ni/40＋Cr/５＋Mo/４＋Ｖ/14≧0.34 …（２）Ｐ_CM＝Ｃ＋Si/30＋Mn/20＋Cu/20＋Ni/60＋Cr/20＋Mo/15＋Ｖ/10＋５Ｂ≧0.17 …（３） - 特許庁 - Furthermore, the austenitic stainless steel can include one or more elements among Cu, Mo and Al.
さらに、Ｃｕ，Ｍｏ，Ａｌを１種以上含有することができる。 - 特許庁 - It is preferable that the conductive layer is made of Cu or a Cu alloy, or Al or an Al alloy, and that the metal layer comprises at least one metal selected from a group consisting of W, Mo, Ni, Au, Cu, Ag, and Ti.
導体層がＣｕ又はＣｕ合金若しくはＡｌ又はＡｌ合金からなり、金属介在層がＷ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉから選ばれた少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。 - 特許庁 - Cu ALLOY FILM, AND DISPLAY DEVICE OR ELECTRONIC DEVICE EACH EQUIPPED WITH THE SAME
Ｃｕ合金膜、及びそれを備えた表示装置または電子装置 - 特許庁 - To form a Ti-based self diffusion barrier film on a wiring surface, even if a Cu-Ti-based sputter film is heat-treated at a temperature lower than the conventional temperatures.
Cu-Ti系スパッタ膜を従来よりも低い温度で熱処理しても、配線表面にTi系自己拡散バリア膜を形成できるようにする。 - 特許庁 - The electrolyte layer 3 is formed of Li_2S-P_2S_5 based solid electrolyte, the electrode extraction part 20 is formed of a Cu foil, and the insulating film 25 is formed of Li_2CO_3.
電解質層3はLi_2S‐P_2S_5系固体電解質で形成され、また、電極取り出し部20はCu箔で形成され、絶縁膜25はLi_2CO_3で形成されている。 - 特許庁 - The highly conductive amorphous alloy may comprise an Ni-Nb-Zr amorphous alloy or a Ti-Ni-Cu amorphous alloy wherein hydrogen atoms invade and are solid-dissolved in gaps between the individual metal clusters.
水素原子が各金属クラスター間に侵入固溶した、Ni-Nb-Zr系非晶質合金またはTi-Ni-Cu系非晶質合金から成っていてもよい。 - 特許庁 - Cu-CONTAINING STEEL MATERIAL HAVING SUPERIOR SURFACE QUALITY, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
表面性状に優れたＣｕ含有鋼材およびその製造方法 - 特許庁 - The calcination material is put into a pod and a Cu- powder or a Cu-plate is put in further, and they are heat-treated above 1000°C in hydrogen atmosphere.
仮焼体をさやに入れ、さらにＣｕ粉またはＣｕ板を入れて、水素雰囲気中において１０００℃以上で熱処理する。 - 特許庁 - A Cu film 8 of 100 nm thick is deposited on TaN 7 by sputtering, and a Cu film 9 of 500 nm thick is formed thereon by electrolytic plating.
ＴａＮ７上に１００ｎｍ厚のＣｕ膜８をスパッタ成膜し、さらに電解メッキにより５００ｎｍ厚のＣｕ膜９を成膜する。 - 特許庁 - The inner face of an opening and the upper face of the insulating film are covered with an auxiliary film composed of a Cu alloy including a first metal element other than Cu (b).
（ｂ）開口の内面及び絶縁膜の上面を、Ｃｕ以外に第１の金属元素を含むＣｕ合金からなる補助膜で覆う。 - 特許庁 - The inorganic powder contains metal powder which consists of Cu or mainly Cu, glass frit and titanium oxide powder.
上記無機粉末は、Ｃｕからなる金属粉末またはＣｕを主成分とする金属粉末と、ガラスフリットと、酸化チタン粉末とを含んでいる。 - 特許庁 - The rolled copper alloy foil comprises 400-1,000 mass ppm Ti, ≤20 ppm oxygen, ≤2 ppm hydrogen and the balance being Cu and unavoidable impurities.
400〜1000質量ppmのTiを含有し、酸素濃度が20ppm以下、水素濃度が2ppm以下であり、残部Cu及び不可避的不純物からなる圧延銅合金箔である。 - 特許庁 - Cu atoms consisting a Cu film 6 by performing a reflow treatment on a semiconductor substrate 1 are made to flow into a groove 4 through fluidization phenomenon.
半導体基板１にリフロー処理を施して、Ｃｕ膜６を構成するＣｕ原子を流動現象によって溝４の内部へ流し込む。 - 特許庁 - The coating brings about protection against oxidization, increases the adhesive force between Cu and the dielectric, and makes the boundary surface diffusion of Cu reduced.
そのコーティングは、酸化に対する防御をもたらし、Ｃｕと誘電体の間の密着力を増し、そしてＣｕの界面拡散を減少させる。 - 特許庁 - The above steel sheet contains suitable amounts of C, N, Ti, Nb, Mo, Cu, Ni, B, Mg, Si, Mn and S.
以上の鋼板が、Ｃ，Ｎ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｂ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｓの好適量を含有する。 - 特許庁 - Cu-Ni-Sn-P BASED COPPER ALLOY SHEET AND ITS MANUFACTURING METHOD
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ系銅合金板材およびその製造法 - 特許庁 - The masteralloy can include Cr, B, Ta, Nb, C, Mo, W, Zr, Zn, Cu, Hf, O, Si or N.
母合金には、Ｃｒ，Ｂ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃ，Ｍｏ，Ｗ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｈｆ，Ｏ，Ｓｉ又はＮを含むことができる。 - 特許庁 - A diffusion prevention film 19a and Cu are buried into the groove to form wiring.
この溝に拡散防止膜１９ａとＣｕを埋め込み、配線とする。 - 特許庁 - Due to Cu layer not being formed, a cylindrical electrode film 6 whose electrical resistance value is low, without precipitation of Cu oxide, is provided.
Ｃｕ層が形成されていないことにより、Ｃｕ酸化物の析出のない、かつ、電気抵抗値が小さい筒状電極膜６が得られる。 - 特許庁 - To make better the sinterability, seizure resistance, fatigue resistance and corrosion resistance of a Cu-Bi based sintered alloy used for a fuel injection pump component.
燃料噴射ポンプ部品に使用されるCu-Bi系焼結合金において焼結性、耐焼性、耐疲労性および耐食性を良好にする。 - 特許庁 - A Cu film 5 is formed on an Al film 3 which is formed as Al wiring.
Ａｌ配線としてのＡｌ膜３上にＣｕ膜５を形成する。 - 特許庁 - The Cu alloy sputtering target includes: 25-53 mass% of Ce oxide; and a remainder including Cu and an inevitable impurities.
本発明は、Ｃｅ酸化物を２５〜５３質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金スパッタリングターゲットである。 - 特許庁 - The Cu alloy constituting the connecting cylindrical portion 5 contains 69 to 79mass% Cu and 1.7 to 4.2mass% Si, respectively.
接続筒状部５を構成するＣｕ合金は、Ｃｕを６９〜７９質量％及びＳｉを１．７〜４．２質量％それぞれ含有する。 - 特許庁 - To efficiently and economically recover copper concentrate with high Cu grade.
Ｃｕ品位の高い銅精鉱を効率良くかつ経済的に回収する。 - 特許庁 - The Cu alloy layer 5 serves both as contact layer and seed layer.
Ｃｕ合金層５は、密着層兼シード層としての役割を果たす。 - 特許庁 - To enhance characteristics of a sliding member by sufficiently exerting characteristics of a solid lubricating coating layer applied to Al-based and Cu-based bearing alloy surfaces.
Al系及びCu系軸受合金表面に施される固体潤滑コーティング層の特性を十分に発揮させ、摺動部材の特性を高める。 - 特許庁 - TERNARY Ti-Ni-Cu SHAPE MEMORY ALLOY AND ITS MANUFACTURING METHOD
Ｔｉ−Ｎｉ−Ｃｕ三元系形状記憶合金とその製造法 - 特許庁 - To provide an organic insulation film having a low dielectric constant and a high adhesiveness with respect to Cu which is used for manufacturing a semiconductor device.
半導体装置の構築に用いられる有機絶縁膜として、低誘電率でCuとの高い密着性を示す有機絶縁膜を提供する。 - 特許庁 - Cu ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR ELECTRONIC DEVICE WIRING, AND ELEMENT STRUCTURE
電子デバイス配線用Ｃｕ合金スパッタリングターゲット材、及び素子構造 - 特許庁 - A second electrode formed on the capacitor insulating film is formed of one of a Cu layer and a Cu layer containing the substances.
キャパシタ絶縁膜上に形成された第２の電極は、Ｃｕ層と、前記物質を含むＣｕ層のうちの１つにより形成されている。 - 特許庁 - Thus a part of Cu constituting the first Cu wiring 109 is substituted by tungsten and an Si containing tungsten film 130 is formed.
これにより、第１Ｃｕ配線１０９を構成するＣｕの一部がタングステンにより置換され、Ｓｉ含有タングステン膜１３０が形成される。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
