「cu」を含む例文一覧(5425)
＜前へ 1 2 .... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 .... 108 109 次へ＞- METHOD FOR POLISHING Cu FILM AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
Ｃｕ膜の研磨方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - IMPROVED METHOD FOR Cu ELECTROPLATING IN INTEGRATED CIRCUIT FABRICATION
集積回路製造における改良された銅電気メッキ方法 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a target having a backing plate in which the backing plate is joined with a Cu-made or Cu alloy-made target.
ＣｕまたはＣｕ合金製ターゲットにバッキングプレートを接合してなるバッキングプレート付きターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING SN-AG-CU THREE-ELEMENT ALLOY THIN FILM
Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を形成する方法 - 特許庁 - Cu-Ga-BASED ALLOY POWDER WITH LOW OXYGEN CONTENT, Cu-Ga-BASED ALLOY TARGET MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING THE TARGET MATERIAL
酸素含有量が低いＣｕ−Ｇａ系合金粉末、Ｃｕ−Ｇａ系合金ターゲット材、およびターゲット材の製造方法 - 特許庁 - Further, at least a part of the metal layer is formed of alloy layers 40 and 44 containing Cu other than Zn and Al.
さらに、その金属層の少なくとも一部が、Zn、Alの他に、Cuを含む合金層４０、４４で形成されていることを特徴とする。 - 特許庁 - For suppressing the elution of Cu, Co is incorporated into an Sn based leadless solder alloy essentially consisting of Sn and Cu.
Ｓｎ及びＣｕを主成分とするＳｎ基無鉛はんだ合金に、Ｃｕの溶出を抑制するためにＣｏを含有させた。 - 特許庁 - Cu-Ni-Si BASED COPPER ALLOY BAR HAVING EXCELLENT BENDABILITY
曲げ加工性に優れるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金条 - 特許庁 - Ni-Cu-Zn SYSTEM FERRITE MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD
Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料及びその製造方法 - 特許庁 - To manufacture a high-quality Cu-Ga alloy sputtering target.
高品質なＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを作製する。 - 特許庁 - The first disperse phase comprises at least one member selected from Cu and Cu oxides, and the second disperse phase comprises a Ce oxide.
第１分散相はＣｕおよびＣｕ酸化物の少なくとも一種よりなり，また第２分散相はＣｅ酸化物よりなる。 - 特許庁 - The apparatus substrate 2 is made of Cu and includes an element attaching part 3.
装置基板２はＣｕ製で素子取付け部３を有する。 - 特許庁 - Cu-Zn-Sn-BASED ALLOY THREAD EXCELLENT IN BENDING WORKABILITY
曲げ加工性に優れるＣｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金条 - 特許庁 - A lower electrode 18b of a capacitor is formed simultaneously with a first Cu wiring layer 18a using a first Cu film 18.
キャパシタの下部電極１８ｂを第１のＣｕ膜１８を用いて第１のＣｕ配線層１８ａと同時に形成する。 - 特許庁 - CU-ZN SERIES COPPER ALLOY SHEET MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
Ｃｕ−Ｚｎ系銅合金板材およびその製造方法 - 特許庁 - THIN AL-CU JOINED STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
薄型Ａｌ−Ｃｕ接合構造物およびその製造方法 - 特許庁 - Cu can transmit light having ≤560 nm wave length.
Ｃｕは、波長５６０ｎｍ以下の光を透過することができる。 - 特許庁 - Cu-Ni-Zn ALLOY IMPROVED IN ANNEALING CRACK PROPERTY
焼鈍割れ性を改善したＣｕ−Ｎｉ−Ｚｎ系合金 - 特許庁 - The amount of Cu due to elemental analysis is 5 wt.%≤Cu≤25 wt.% and, when the amount of SiO_2 is calculated based on the elemental analysis values of Cu, Si and O by setting total Cu to CuO, it is 5 wt.%≤SiO_2≤15 wt.%.
元素分析によるＣｕ量が５ｗｔ％≦Ｃｕ≦２５ｗｔ％であり，またＣｕ，ＳｉおよびＯの元素分析値に基づき全ＣｕをＣｕＯとしてＳｉＯ_2 量を算出したとき，そのＳｉＯ_2 量が５ｗｔ％≦ＳｉＯ_2 ≦１５ｗｔ％である。 - 特許庁 - Further, as to the metal composite material in this invention, at least one kind of metallic continuous phase selected from the groups consisting of aluminum, an Al-Si, an Al-Cu, an Al-Mg, an Al-Si-Cu and an Al-Si-Mg composite is present in the gaps of the porous preform.
また、本発明の金属基複合材料は、多孔質プリフォームの空隙に、連続相としてアルミニウム、Al−Si系、Al−Cu系、Al−Mg系、Al−Si−Cu系、Al−Si−Mg系からなる群から選択される少なくとも1種の金属連続相が存在することを特徴とする。 - 特許庁 - To suppress an increase in a leak current between Cu wirings due to a reducing process of the Cu wiring, which is carried out in order to remove oxide films formed on the surface of the Cu wiring after the Cu wiring is formed so as to be embedded in the surface of an interlayer insulating film.
層間絶縁膜の表面にＣｕ配線を埋込み形成した後、Ｃｕ配線の表面に形成された酸化膜を除去する目的で行う、Ｃｕ配線の還元処理に起因するＣｕ配線間のリーク電流の増大を抑制すること。 - 特許庁 - A Ti-Cr-(Mo-Nb-Fe) based hydrogen storage alloy is coated with Cu and Ni in order by electroless plating, mechanical alloying or the like, and heat treatment is performed at 400 to 1,000°C to form an Ni-added layer containing a Ti-Ni intermetallic compound such as TiNi and a Cu- containing layer at the inside thereof on the surface of the alloy.
Ti−Cr− (Mo−Nb−Fe) 系の水素吸蔵合金に、無電解めっきまたはメカニカルアロイング等によりCuおよびNiを順に被覆し、 400〜1000℃で熱処理して、合金表面に、TiNi等のTi−Ni金属間化合物を含むNi付加層と、その内側のCuを含む層を形成する。 - 特許庁 - A surface plated layer made of an Ni layer, a Cu-Sn alloy layer and an Sn layer is formed in that order on the surface of a parent material made of Cu or a Cu alloy, with the Cu-Sn alloy layer made of a η layer (Cu_6Sn_5) of a thickness of 0.5 to 100 μm.
Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に、Ｎｉ層、Ｃｕ−Ｓｎ合金層及びＳｎ層からなる表面めっき層がこの順に形成され、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金層はη層（Ｃｕ_６Ｓｎ_５）からなり、その厚さが０．５〜１００μｍである。 - 特許庁 - An Sn-Cu-based intermetallic compound layer is formed in advance on an electrode which is provided with a Cu layer or a Cu alloy layer in an outermost layer, so that the growth of the Zn-Cu intermetallic compound layer is suppressed when a Zn-containing solder is adhered.
最外層にＣｕ層またはＣｕ合金層を有する電極上に、あらかじめＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物層を形成しておくことで、Ｚｎを含有するはんだを付着させた際にＺｎ−Ｃｕ金属間化合物層の成長を抑制する。 - 特許庁 - The manufacturing method basically includes steps of forming a Cu plating film 6 to a wafer, covering the surface of the Cu plating film 6 with a protection film 11 just after forming the Cu plating film 6, and removing the protection film 11 just before start of the CMP applied to the Cu plating film 6.
ウェーハにＣｕメッキ膜６を形成する工程、Ｃｕメッキ膜６の形成直後に表面を保護膜１１で覆う工程、Ｃｕメッキ膜６のＣＭＰが開始される直前に保護膜１１を除去する工程とが含まれてなることを基本とする。 - 特許庁 - Further, as substrate plating, Cu-Sn alloy plating or Cu-Sn-Zn alloy plating is applied, and moreover, in the formation of patterns with a satin surface tone, Cu satin surface plating is applied to improve the corrosion resistance thereof, and the thickness of the Pd-Cu alloy plating is reduced.
また、下地メッキとしてＣｕ−Ｓｎ合金メッキ又はＣｕ−Ｓｎ−Ｚｎ合金メッキを施すと共に、梨地調の模様を形成する際にはＣｕ梨地メッキを施して耐蝕性を向上させ、Ｐｄ−Ｃｕ合金メッキの厚みの削減を可能としている。 - 特許庁 - The invention provides a cosmetic method for, preventing, minimizing and removing wrinkles, comprising applying a material incorporating water-insoluble copper compounds which release Cu^+ ions, Cu^++ ions or combinations thereof upon contact with a fluid to a body surface to be treated.
液体と接触してCu^＋イオン、Cu^＋＋イオン又はそれらの組合せを放出する非水溶性銅化合物を組み込んだ材料を、治療対象の体表面に適用することを含む、皺を予防、最小限に抑制及び除去する美容方法を提供する。 - 特許庁 - These Cu wirings 7 are respectively one formed by laminating a 15-μm thick electrolytic Cu-plated layer 11 on an electroless Cu-plated layer 9 of a thickness in the range of a thickness of 0.3 to 0.9 μm, such as a thickness of 0.7 μm.
このＣｕ配線７は、厚さ０．３〜０．９μｍの範囲の例えば０．７μｍの無電解Ｃｕメッキ層９の上に、厚さ１５μｍの電解Ｃｕメッキ層１１を積層したものである。 - 特許庁 - Then an opening region 15 is formed in the resin film 14, and a Cu plating layer 16 is formed in the resin film 14, and a Cu plating layer 16 is formed by electrolytic plating on an upper surface of the Cu wiring layer 13 which is exposed from the opening region 15.
そして、樹脂膜１４に開口領域１５を形成し、開口領域１５から露出するＣｕ配線層１３上面に電解メッキ法によりＣｕメッキ層１６を形成する。 - 特許庁 - The metal thin film containing a Co_3Ti alloy has excellent conductivity and Cu diffusion barrier, and since the lattice mismatch to Cu is as low as 0.15%, excellent adhesion to Cu wiring is attained.
Ｃｏ_３Ｔｉ合金を含む金属薄膜は、優れた導電性とＣｕ拡散バリア性を有し、Ｃｕとの格子不整合が０．１５％と非常に小さいため、Ｃｕ配線と優れた密着性が得られる。 - 特許庁 - To enhance yield and reliability of a semiconductor device by improving embedment of Cu in a Cu interconnection without sacrifice of the diffusion prevention function of a barrier film in a Cu interconnection having a damascene structure.
ダマシン構造を有するＣｕ配線において、バリア膜の拡散防止機能を低下させずにＣｕ配線内のＣｕの埋め込み性を改善し、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上する。 - 特許庁 - Cu wirings 24 protruding onto a third interlayer film 17 and the third interlayer film 17 are coated with a coating layer 31 made of PBO having characteristic of capturing Cu (Cu ion).
第３層間膜１７およびこの第３層間膜１７上に突出するＣｕ配線２４は、Ｃｕ（Ｃｕイオン）を捕獲する性質を有するＰＢＯからなる被覆層３１によって被覆されている。 - 特許庁 - Then re-formation processing for a barrier metal layer is performed, and a Cu seed layer and a Cu plating layer are formed to form a second Cu wiring portion to be buried in the connection hole 8 and groove 9 for wiring finally.
その後、バリアメタル層の再成膜処理、Ｃｕシード層及びＣｕめっき層を形成し、最終的に接続孔８及び配線用溝９内に埋め込まれる第２のＣｕ配線部を形成する。 - 特許庁 - To perform Cu-based embedded wiring which is superior in adhesive ness and embedding at low cost, in a semiconductor device having Cu-based embedded wiring and a pulse plating method of Cu-based embedded wiring.
Ｃｕ系埋込配線を有する半導体装置及びＣｕ系埋込配線のパルスメッキ方法に関し、密着性に優れ且つ埋込性に優れたＣｕ系埋込配線を低コストで形成する。 - 特許庁 - To prevent the reduction of the corrosion resistance and strength of a material caused by the melting of Al and Cu in the base metals by the mutual diffusion of Al and Cu in a brazing method for an Al material and a Cu material.
Ａｌ材とＣｕ材とのろう付け方法において、Ａｌ及びＣｕの相互拡散によって母材のＡｌ及びＣｕが溶融することによる耐食性及び強度の低下を、防止する。 - 特許庁 - After a Cu film 111 is deposited on the surface of a TiSiN film 110 by a physical vapor-phase growth method, a Cu film 112 is deposited on the surface of the Cu film 111 by an electrolytic plating method.
次に、ＴｉＳｉＮ膜１１０の表面に物理的気層成長法によりＣｕ膜１１１を堆積した後に、電解メッキ法によりＣｕ膜１１１の表面にＣｕ膜１１２を堆積する。 - 特許庁 - To planarize a Cu layer which is formed by electroplating and has asperities on its surface by slight over-etching in order to prevent remaining of the Cu layer in the asperities after removing excess Cu layer by a damascene method.
ダマシン配線を電気めっきで形成すると、めっきで形成されたＣｕ層表面の凹凸が大きくＣＭＰでは平坦化できず、この凹凸部にＣｕ層が残留して短絡要因となる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which increase of wiring resistance due to reaction of Cu and Al, or fall of reliability of Cu wiring due to rising of Cu can be suppressed, and to provide its fabrication process.
ＣｕとＡｌが反応することによる配線抵抗の上昇や、Ｃｕの隆起によるＣｕ配線の信頼性の低下を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To maintain stable contact resistance even in high temperature environment, by raising a barrier property against a ground base material which includes Cu or a Cu alloy and by more certainly preventing Cu from diffusing to improve heat resistance.
Ｃｕ又はＣｕ合金からなる下地基材に対するバリア性を高め、Ｃｕの拡散をより確実に防止して耐熱性を向上させ、高温環境下でも安定した接触抵抗を維持する。 - 特許庁 - To provide a surface roughening agent which is excellent in adhesion of the surface of Cu or a Cu alloy and a resin and can prevent an oxidation of the surface of Cu after roughened.
銅又は銅合金表面と樹脂との密着性に優れた表面粗化剤を提供すること、及び粗化後の銅表面の酸化を防止することができる表面粗化剤を提供すること。 - 特許庁 - The displacement Sn plating 23 is formed by displacing Cu of the second electroless Cu plating 22 with Sn, and has denseness in proportion to denseness of the second electroless Cu plating 22.
置換Ｓｎめっき２３は、第２の無電解Ｃｕめっき２２のＣｕをＳｎで置換することにより形成され、第２の無電解Ｃｕめっき２２の緻密性に比例した緻密性を有して形成される。 - 特許庁 - A method for producing catalyst crashes an ingot of a Cu-based quasicrystal mainly constituted of Cu and containing Al and Sc to obtain powder of the Cu-based quasicrystal.
また、触媒の製造方法であって、Ｃｕを主構成元素とし、ＡｌおよびＳｃを含有するＣｕ系準結晶のインゴットを粉砕し、Ｃｕ系準結晶の粉末を得ることを特徴とする。 - 特許庁 - Cu PRECIPITATION HARDENING TYPE HIGH STRENGTH STEEL MEMBER AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
Ｃｕ析出硬化型高強度鋼材およびその製造方法 - 特許庁 - TARGET MATERIAL CONTAINING Cr-Mo-Cu, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Ｃｒ−Ｍｏ−Ｃｕを含むターゲット材およびその製造方法 - 特許庁 - Cu-Ni-Si-Co-Cr-BASED ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL
電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ−Ｃｒ系合金 - 特許庁 - CU WIRING FILM STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
Ｃｕ配線膜構造およびＣｕ配線膜構造の形成方法 - 特許庁 - Cu ALLOY FILM, AND DISPLAY DEVICE OR ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME
Ｃｕ合金膜、及びそれを備えた表示装置または電子装置 - 特許庁 - To provide a highly reliable semiconductor device having Cu wiring.
Ｃｕ配線を有し信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁 - An external electrode 3b and the mounting pad 4b are composed of Cu.
外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂは、Ｃｕからなる。 - 特許庁 - Cu-CONTAINING STEEL HAVING EXCELLENT SURFACE PROPERTY AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
表面性状に優れたＣｕ含有鋼およびその製造方法 - 特許庁
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