「cu」を含む例文一覧(5425)
＜前へ 1 2 .... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 .... 108 109 次へ＞- The temperature within the CO2 reactor 22 is kept at about 300-700°C, and Fe being recovered as metal components from an ash fusing furnace 24 and a small quantity of Cu are blown in fused condition into it, and C, an iron oxide, and a small quantity of Cu and residual gas remain.
ＣＯ_2反応器２２中の温度は300〜700℃程度に保たれており、その中には、灰溶融炉２４からメタル成分として回収されたFeと少量のCuが溶融状態で吹き込まれ、Ｃと酸化鉄と少量のCuが及び残ガスが残る。 - 特許庁 - Furthermore, preferably this has an Fe-Ni layer or an Fe-Cu-Ni layer in the middle of the cold rolled steel sheet and the Cu-Ni layer, and an Fe-Ni layer or an Fe-Cu-Ni layer in the middle of the cold rolled steel sheet and the Cu layer.
さらに、冷延鋼板とＣｕ−Ｎｉ拡散層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層、冷延鋼板とＣｕ層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層を有すると好ましい。 - 特許庁 - Further, it is preferable to have an Fe-Ni layer or an Fe-Cu-Ni layer in the middle of the cold rolled steel sheet and the Cu-Ni diffusion layer, and to have an Fe-Ni layer or an Fe-Cu-Ni layer in the middle of the cold rolled steel sheet and the Cu layer.
さらに、冷延鋼板とＣｕ−Ｎｉ拡散層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層、冷延鋼板とＣｕ層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層を有すると好ましい。 - 特許庁 - After the plating growth of Cu, Cu is irradiated with silane system gas to introduce Si to Cu, and the grain growth of Cu is carried out by anneal; Si is diffused to form SuSi alloy, and it is flattened by CMP to form wiring or via.
Ｃｕのメッキ成長後、シラン系ガスを照射してＣｕ中にＳｉを導入し、その後、アニールによってＣｕをグレイン成長させると共にＳｉを拡散させてＣｕＳｉ合金とし、ＣＭＰにより平坦化して配線やビアを形成する。 - 特許庁 - The ferrite material essentially consists of oxides having a spinel structure containing Fe as the main component and at least one of Zn, Ni and Cu, in which the proportion of oxides essentially consisting of at least one of Zn, Ni and Cu is specified to <0.01 vol.%.
Feを主成分としてZn、NiまたはCuの少なくとも１種以上を含むスピネル構造の酸化物を主体とし、Zn、NiあるいはCuのうち少なくとも１種を主成分とする酸化物の含有量を0.01体積%未満としたフェライト材料とする。 - 特許庁 - The sacrificial layer 31 made of high purity Cu is laminated on the Cu layer 20, so that part of the Mn diffused into the Cu layer 20 is attracted and moved to the sacrificial layer 31 in the Cu layer 20, and is diffused in the sacrificial layer 31.
Ｃｕ層２０上に高純度Ｃｕからなる犠牲層３１が積層されているので、Ｃｕ層２０に拡散したＭｎの一部は、Ｃｕ層２０中を犠牲層３１に引き寄せられるように移動し、犠牲層３１に拡散する。 - 特許庁 - The surface of an n-type Si wafer 10 is made hydrophobic by hydrofluoric acid and immersed in a Cu ion aqueous solution having a work function greater than that of the semiconductor, and a Schottky barrier is formed from an Si-Cu contact of one atom level, thereby manufacturing a semiconductor device.
ｎ型Siウエーハ１０の表面をフッ化水素酸で疎水性とし、該半導体より大きな仕事関数を有するCuイオン水溶液に浸漬し、１原子レベルのSi—Cuコンタクトで形成されるショットキー障壁を形成して半導体素子を製造する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device with Cu wires or electrodes that suppresses occurrence of corrosion of Cu between a Cu plating step and a Cu-CMP step without the need for a huge facility investment thereby realizing the semiconductor device having the Cu wires or electrodes with high reliability.
Ｃｕ配線或いは電極をもつ半導体装置の製造方法に関し、膨大な設備投資を必要とせずに、Ｃｕメッキ工程とＣｕ−ＣＭＰ工程との間でＣｕの腐食が発生することを抑止し、信頼性が高いＣｕ配線或いは電極をもつ半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁 - The electronic parts are provided with Cu baking electrode layers 6a, 6b which make Cu a principal component; Cu plating layers 7a, 7b formed on the Cu baking electrode layers 6a, 6b, in which a recrystallization treatment is performed; and upper layer side plating layers 9a, 9b formed on the Cu plating layers 7a, 7b.
Ｃｕを主成分とするＣｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂと、Ｃｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂ上に形成された、再結晶化処理が施されたＣｕめっき層７ａ，７ｂと、Ｃｕめっき層７ａ，７ｂ上に形成された上層側めっき層９ａ，９ｂとを備えた構成とする。 - 特許庁 - The drain electrode 12 is connected and fixed to a Cu plate 6.
ドレイン電極１２は、Ｃｕ板６に接続固定されている。 - 特許庁 - Preferably, the surfaces of the Cu layers 13 and 15 are roughened.
好適には、Ｃｕ層１３，１５の表面が粗化されている。 - 特許庁 - The metal of the second bonding element is Ni or Cu.
第２接合成分の金属としては、ＮｉまたはＣｕである。 - 特許庁 - Cu-Mn BASED BRAZING FILLER METAL FINE WIRE, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Ｃｕ−Ｍｎ系ろう材細線およびその製造方法 - 特許庁 - CU-NI-SI-BASED ALLOY STRIP EXCELLENT IN PLATING ADHESION
めっき密着性に優れるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金条 - 特許庁 - The Cu content in the substrate exceeds 5 weight %.
基板内のＣｕの含有量は５重量％以上である。 - 特許庁 - METHOD OF PRODUCING HIGH DAMPING CAPACITY Ti-Ni-Cu-H ALLOY
高減衰能Ｔｉ−Ｎｉ−Ｃｕ−Ｈ合金の製造法 - 特許庁 - A Cu-base alloy has been demonstrated to increase the GeH_4 current efficiency by almost 20% compared to a Cu metal alloy.
Ｃｕ基合金は、Ｃｕ金属合金と比べて、ＧｅＨ_４の電流効率をほぼ２０％改良することを示した。 - 特許庁 - To control production of H_2S in a stoichiometric air-fuel-ratio or a reducing atmosphere without use of Cu or Ni, an environmental load substance.
環境負荷物質であるNiあるいはCuを用いることなく、ストイキあるいは還元雰囲気におけるH_2S の生成を抑制する。 - 特許庁 - Cu-PLATED FERRITIC STAINLESS STEEL SHEET AND MULTIPLY-WOUND STEEL PIPE
Ｃｕめっきフェライト系ステンレス鋼板および多重巻き鋼管 - 特許庁 - To provide CMP slurry capable of polishing a Cu film at a practical speed while inhibiting dishing or corrosion without leaving Cu residuals.
Ｃｕ残渣なしに、ディッシングやコロージョンを抑制しつつ、実用的な速度でＣｕ膜を研磨できるＣＭＰ用スラリーを提供する。 - 特許庁 - This leadless solder is composed by incorporating, by weight %, 0.1 to 2.0% Cu, 0.01 to 20.0% In, 0.01 to 1.5% P, 0.1 to 6.5% Bi and the balance Sn into the solder.
本発明による無鉛半田は重量％で、Cu：0.1〜2.0％、In：0.01〜2.0％、P：0.01〜1.5％、Bi：0.1〜6.5％、残量Snを含んで組成される。 - 特許庁 - To provide a Cu-Ga alloy material with a small amount of a segregation phase, sputtering target, and a method of producing a Cu-Ga alloy material.
偏析相が少ないＣｕ−Ｇａ合金材、スパッタリングターゲット、及びＣｕ−Ｇａ合金材の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an ultrafine Cu-Ag alloy wire suitable for a shield conductor of a coaxial cable and method for manufacturing the same, and also to provide a coaxial cable.
同軸ケーブルのシールド導体に適した極細のCu-Ag合金線及びその製造方法、並びに同軸ケーブルを提供する。 - 特許庁 - The heat dissipating substrate 16 is formed of a composite material consisting of Cu and a metal whose coefficient of thermal expansion is lower than Cu.
放熱基板１６は、Ｃｕより熱膨張率の低い金属およびＣｕからなる複合材料により形成される。 - 特許庁 - The Al constituent infiltrated into the Cu or Cu alloy forms a solid solution with the steel strap 1 when reaching a boundary surface to the steel strap 1.
ＣｕまたはＣｕ合金中に溶浸したＡｌ成分は帯鋼１との境界面に達すると、帯鋼１中に固溶する。 - 特許庁 - A three-layer structure of Cu-Cu_3Sn-Cu_6Sn_5 is formed by carrying out a heat treatment of a mixed material consisting of Cu powder and Sn powder.
Ｃｕ粉とＳｎ粉の混合材を熱処理することで、Ｃｕ−Ｃｕ_３Ｓｎ−Ｃｕ_６Ｓｎ_５の３層構造を形成。 - 特許庁 - WIRE INCLUDING FLUX FOR Cu-Ni-Ti BASE HIGH ATMOSPHERIC CORROSION RESISTANT STEEL
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｔｉ系高耐候性鋼用フラックス入りワイヤ - 特許庁 - It is preferable that the above intermediate layer 3 is formed on the (111) face of the metal substrate 2 made of Cu or Cu alloy.
望ましくは、ＣｕまたはＣｕ合金から成る金属基板２の（１１１）面上に上記中間層３が形成される。 - 特許庁 - The base material 11 comprises, for example, a Cu alloy, etc.
基材１１は、例えばＣｕ合金等から構成されている。 - 特許庁 - METHOD OF EVALUATING CONTAINED AMOUNT OF Cu AND Ni IN SILICON SUBSTRATE
シリコン基板中のＣｕ及びＮｉ含有量の評価方法 - 特許庁 - The wiring groove is filled with a Cu film 407, which is chemically/mechanically polished to provide a prescribed Cu wiring 408.
配線溝にはＣｕ膜４０７が充填され、化学機械研磨を行うことにより、所定のＣｕ配線４０８となる。 - 特許庁 - Cu-Ni-Si-BASED ALLOY PLATE OR BAR FOR ELECTRONIC MATERIAL
電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金板又は条 - 特許庁 - The metallized layer 5 may be formed from one or more elements selected among Mo, Mn, W, Ni, Ag, Cu, Ti, Nb, and Zr.
また、メタライズ層５としては、Mo、Mn、Ｗ、Ni、Ag、Cu、Ti、NbおよびZrのうちから選択される１種以上の元素を用いることができる。 - 特許庁 - The Cu layer is formed by a nonelectrolytic plating method.
また、前記Ｃｕ層は無電解メッキ法により形成されている。 - 特許庁 - To provide a reflow-Sn soldered strip with Cu/Ni-double ground layers of Cu-Zn alloy, in which the generation of whiskers is suppressed.
ウィスカー発生が抑制された、Ｃｕ−Ｚｎ合金のＣｕ／Ｎｉ二層下地リフローＳｎめっき条を提供すること。 - 特許庁 - The zinc alloy cast ingot may comprise 1 to 3.5 mass% of Cu as well.
更に、Ｃｕを１〜３．５質量％含有していても良い。 - 特許庁 - Further, the thickness of the Cu plate 32 on the side where the ceramic package 5 is located is greater than that of the Cu plate 34 on the opposing side thereto.
また、セラミックパッケージ５が位置する側のＣｕ板３２の厚さは、反対側のＣｕ板３４の厚さよりも大である。 - 特許庁 - A transition metal such as Cu can be substituted for a part of Ca.
Ｃａの一部をＣｕ等の遷移金属で置換してもよい。 - 特許庁 - As the Cu-Zn-based alloy, a Cu-Zn-based alloy containing Zn in an apparent amount of 37 to 45 mass % is preferable.
Ｃｕ−Ｚｎ系合金は、見掛け上のＺｎ含有量が３７〜４５質量％のＣｕ−Ｚｎ系合金が好ましい。 - 特許庁 - The metal fine particle layer is desirably made of Ag, Au, Cu or Pt.
金属微粒子層は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔが好ましい。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING Cu-Ni-Fe ALLOY MATERIAL FOR MAGNETIC SCALE
磁気スケール用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金材の製造方法 - 特許庁 - A ratio (Ca/(Cu+Ca)) of calcium (Ca) to copper (Cu) in the raw liquid is in a range of 0.05-1.0 wt.%.
原料液中の銅（Ｃｕ）に対するカルシウム（Ｃａ）の割合（Ｃａ／（Ｃｕ＋Ｃａ））を、０．０５〜１．０重量％の範囲とする。 - 特許庁 - Cu(HFAC) TMVS PRECURSOR TO IMPROVE CONDUCTIVITY OF COPPER BY ADDITION OF WATER
水を添加して銅の伝導率を向上させるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ前駆体 - 特許庁 - To form vias and trenches in a copper (Cu) dual damascene process.
銅（Ｃｕ）デュアルダマシンプロセスによりビア及びトレンチを形成する。 - 特許庁 - For example, a bimetal is composed of Fe-Ni alloy, Mn-Cu-Ni alloy, or Cr-Cu-Ni alloy.
バイメタルは、たとえばＦｅ−Ｎｉ合金と、Ｍｎ−Ｃｕ−Ｎｉ合金またはＣｒ−Ｃｕ−Ｎｉ合金とで構成されている。 - 特許庁 - Cu-Ni-Sn-P BASED COPPER ALLOY AND ITS MANUFACTURING METHOD
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ系銅合金およびその製造法 - 特許庁 - And damascene wiring of copper (Cu) is performed in the grooves 15.
そして、その溝１５に銅（Ｃｕ）によるダマシン配線を行う。 - 特許庁 - Cu-Ni-Si BASED COPPER ALLOY STRIP HAVING EXCELLENT BENDING WORKABILITY
曲げ加工性が優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金条 - 特許庁 - Cu-Ni-Si-BASED COPPER ALLOY SUPERIOR IN HOT WORKABILITY
熱間加工性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金 - 特許庁 - The electrode pad 2 includes Al as a main component and Cu as an auxiliary component, the weight ratio of Cu being ≥3.5%.
電極パッド２は、主成分としてのＡｌと副成分としてのＣｕとを含み、Ｃｕの重量比が３．５％以上である。 - 特許庁
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