「cu」を含む例文一覧(5425)
＜前へ 1 2 .... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 .... 108 109 次へ＞- After the leveling process, a heat treatment is conducted, and a CU alloy wiring is obtained.
平面化処理後、熱処理を行い、Ｃｕ合金配線を得る。 - 特許庁 - COMPACT CONSISTING OF Cu-Zn ALLOY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Ｃｕ−Ｚｎ合金からなる成形体およびその製造方法 - 特許庁 - Cu-Ni-Si BASE ALLOY TO BE USED IN ELECTRICALLY CONDUCTIVE SPRING MATERIAL
導電性ばね材に用いられるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金 - 特許庁 - To provide high performance W-Cu composite oxide powders with high electric conductivity and thermal conductivity.
高性能Ｗ−Ｃｕ複合酸化物粉末を提供する。 - 特許庁 - LOW CORE LOSS Ni-Cu-Zn-BASED FERRITE FOR HIGH FREQUENCY POWER DEVICE
高周波パワーデバイス用低損失Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD FOR MG-CU COMPOSITE MATERIAL AND HYDROGEN OCCLUDING ALLOY
Ｍｇ−Ｃｕ複合材料の製造方法及び水素吸蔵合金 - 特許庁 - INDUCTANCE ELEMENT MADE OF Ni-Zn-Cu BASED FERRITE SINTERED COMPACT
Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト焼結体からなるインダクタンス素子 - 特許庁 - Cu-Ni-Si-BASED ALLOY HAVING EXCELLENT STRENGTH AND BENDING WORKABILITY
強度と曲げ加工性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金 - 特許庁 - SHEET MATERIAL OF Cu-Ni-Si-BASED COPPER ALLOY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金板材およびその製造法 - 特許庁 - TITANIUM PLATE FOR DRUM IN MANUFACTURING ELECTROLYTIC Cu FOIL, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
電解Ｃｕ箔製造ドラム用チタン板およびその製造方法 - 特許庁 - Cu/ZnO CATALYST, ITS PRODUCING METHOD, AND GENERATOR
Ｃｕ／ＺｎＯ系触媒及びその製造方法並びに発電装置 - 特許庁 - Al-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND Cu-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET
Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、及びＣｕ基合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - To prevent oozing of copper to a pad for a bonding from a Cu pad.
Ｃｕパッドからボンディング用パッドへの銅の滲出を防止する。 - 特許庁 - (1) The sulfide is composed mainly of Cu, Zn and Sn.
（１）前記硫化物は、Ｃｕ、Ｚｎ、及びＳｎを主成分とする。 - 特許庁 - The Cu alloy thermal sprayed film 3 has the hardness of ≤Hv 200 in Vickers hardness.
Ｃｕ合金溶射膜３ビッカース硬さでHv200以下の硬度を有する。 - 特許庁 - Cu-Mg-P-BASED COPPER ALLOY BAR MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Ｃｕ−Ｍｇ−Ｐ系銅合金条材及びその製造方法 - 特許庁 - SELECTIVE W-CVD METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR Cu MULTILAYER WIRING
選択Ｗ−ＣＶＤ法及びＣｕ多層配線の製作法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH Cu WIRING OR ELECTRODE
Ｃｕ配線或いは電極をもつ半導体装置の製造方法 - 特許庁 - This glass contains MVxOy (wherein, M is Ag, Cu, Cr, Li, Sr or Ca; x is 1-10; and y is 2-30).
ＭＶｘＯｙ（M：Ａｇ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｌｉ，Ｓｒ，Ｃａ）、（x：１〜１０，y：２〜３０）を含有する。 - 特許庁 - Both the wiring 10 and the electric fuse 20 consist of Cu.
配線１０および電気ヒューズ２０は、共にＣｕからなっている。 - 特許庁 - Further, the Ti is implanted near the BCB surface and a reaction region 24 between BCB and Ti is formed, for enhanced tight contact between the BCB and Cu.
さらにBCB表面近傍にTiが注入され、BCBとTiの反応領域２４が形成されることにより、BCBとCuの密着性を高められる。 - 特許庁 - This high-strength damping alloy is provided as an Mn-Cu-based high-strength damping alloy obtained by dispersing ferromagnetic particles such as borides into an Mn-Cu type base alloy.
Ｍｎ−Ｃｕ系母合金に、硼化物等の強磁性粒子を分散させて、Ｍｎ−Ｃｕ系高強度制振合金とする。 - 特許庁 - To provide a low-cost method for both reducing dishing after a CMP of a Cu wiring film and removing residual Cu.
Ｃｕ配線膜のＣＭＰ後のディッシングの低減とＣｕ残除去との両立を低コストで実現する技術を提供することである。 - 特許庁 - One aspect is the sample capturing alloy which has a modified surface, contains Fe, Pt and Cu, and captures samples.
本発明のあるの側面は、表面が修飾され、Fe、Pt及びCuを含有し、試料を捕捉することを特徴とする試料捕捉合金にある。 - 特許庁 - To provide a Cu alloy strip to be used for a connector, having small insertion force and free from the increase of the contact resistance even in use at a high temperature.
挿入力が小さく、かつ、高温で使用しても接触抵抗の増大しないコネクタに使用されるCu合金条を実現する。 - 特許庁 - The dummy ball for barrel plating includes one or two sorts of Ag of 5 mass% or less or Cu of 2 mass% or less, of 0.1 mass% or more, and the balance substantially Sn.
Agを5mass%以下、またはCuを2mass%以下のうち一種または二種を0.1mass%以上含み、残部実質的にSnからなるバレルめっき用ダミーボール。 - 特許庁 - By performing the cold working under specified conditions before the final heat treatment, the Cu-Ag alloy wire having high elongation and excellent fatigue resistance can be obtained.
最終熱処理前に特定の条件の冷間加工を施すことで、伸びが高く、耐疲労性に優れるCu-Ag合金線が得られる。 - 特許庁 - The steel plate can further contain one or more kinds selected from Cu, Ni, Cr, Ti, V and B, and/or one or more kinds selected from Ca% and rare earth metals.
さらに、Cu、Ni、Cr、Ti、Ｖ、Ｂのうち１種または２種以上、および／または、Ca％、REM のうち１種または２種以上を含有してもよい。 - 特許庁 - The compound film serves as a variable resistance layer of a resistance memory, and has a Cu/(Cu+Si) mole percentage of 1 to 15%.
混合膜は、抵抗メモリの可変抵抗層として使用され、混合膜のＣｕ／（Ｃｕ＋Ｓｉ）のモル百分率は、１〜１５％である。 - 特許庁 - Further, the Al alloy wire can contain addition elements of one or more kinds selected from Cu, Si, Zr and Ag by 0.005-0.2 mass% in total.
更に、Cu,Si,Zr及びAgから選択される1種以上の添加元素を合計で0.005質量％〜0.2質量％含有することができる。 - 特許庁 - To provide a method capable of improving the performance of a Cu/Al_2O_3 catalyst of a reduction precipitation type that is excellent in heat resistance and oxidation resistance.
耐熱性や耐酸化性に優れた還元析出型のCu/Al_2O_3触媒のさらなる性能向上を可能とする方法を提示する。 - 特許庁 - To stably supply an RE-Ba-Cu-O bulky superconductor capable of attaining high electromagnetic force at a relatively high temp.
高い電磁力を比較的高い温度で達成できるＲＥ−Ba−Cu−Ｏバルク超電導体を安定供給できるようにする。 - 特許庁 - A trace of Co is contained in Sn-based lead-free solder alloy consisting mainly of Sn and Cu to suppress elution of Cu.
Ｓｎ及びＣｕを主成分とするＳｎ基無鉛はんだ合金に、Ｃｕの溶出を抑制するために微量のＣｏを含有させた。 - 特許庁 - The through hole 16 is then filled with Cu powder 20 and the Cu powder 20 is irradiated with YAG second harmonic pulse laser light SHG.
そして、スルーホール１６にＣｕパウダー２０を充填し、ＹＡＧ第２高調波パルスレーザ光ＳＨＧをＣｕパウダー２０に照射する。 - 特許庁 - To prevent a soldering failure from occurring between a lead frame of Cu or Cu alloy and a semiconductor element so as to improve a semiconductor device in yield.
ＣｕまたはＣｕ合金リードフレームと半導体素子の半田付け不良を無くし、半導体装置の歩留りを向上させる。 - 特許庁 - The Cu alloy constituting the connecting projecting section 5 contains 69 to 79mass% Cu and 1.7 to 4.2mass% Si, respectively.
接続突起部５を構成するＣｕ合金は、Ｃｕを６９〜７９質量％及びＳｉを１．７〜４．２質量％それぞれ含有する。 - 特許庁 - Subsequently, after Cu wiring 14 comprised of the Cu films 14b and 14c is planarized by CMP process, the sacrificial conductor film 12 is removed.
ついで、Ｃｕ膜１４ｂ，１４ｃからなるＣｕ配線１４をＣＭＰ処理して平坦化した後、犠牲導体膜１２を除去する。 - 特許庁 - An Al pipe 20 of the inside diameter of 10 mm is disposed in the vessel 1 so as to cover the periphery of a Cu target 14 disposed on the axis of the vessel 1.
容器1内には内径10mmのAlパイプ20が、この容器1の軸上に配置されたCuターゲット14周囲を覆うように配置される。 - 特許庁 - A most typical composition thereof contains Si: 0.5-11%, Mn: 1-8%, Cu: 3% or less, Mg: 0.5% or less, Zn: 1.5% or less, and Fe: 2.0% or less, by a mass ratio, and the remainder of Al except impurities.
その最も代表的な組成は、質量比で、、Si：0.5〜11%、Mn：1〜8%、Cu：3%以下、Mg:0.5%以下、Zn:1.5%以下、Fe:2.0%以下、残部不純物を除きAlからなる。 - 特許庁 - (where [Mn], [Cu], [Ni], [Nb] and [C] represent contents of Mn, Cu, Ni, Nb and C, respectively) satisfies the relation of (value X>1); and has a microstructure which mainly includes bainite.
Ｋ_0＝{０．０８［Ｍｎ］＋０．０４（［Ｃｕ］＋［Ｎｉ］）＋２［Ｎｂ］}／５［Ｃ］ …（１） 但し、［Ｍｎ］、［Ｃｕ］、［Ｎｉ］、［Ｎｂ］および［Ｃ］は、夫々Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＮｂおよびＣの含有量を示す。 - 特許庁 - To excellently embed Cu into a fine pattern of a semiconductor device, and to suppress diffusion of the Cu into an interlayer insulating film.
半導体装置において、微細パターンへのＣｕの埋め込みを良好にし、且つＣｕの層間絶縁膜中への拡散を抑制する。 - 特許庁 - The heat dissipating substrate 16 is formed of a cladding material where Cu and Mo are laminated or a composite material where Mo is impregnated with Cu.
放熱基板１６は、ＣｕとＭｏとを積層させたクラッド材、またはＭｏにＣｕを含浸させた複合材により形成される。 - 特許庁 - On a low thermal resistance Cu or CuW heat sink 1, a Ni film layer in the range of 2-6 μm is formed by plating.
熱抵抗の小さいCuまたはCuWからなるヒートシンク１上にメッキ法によりNi薄膜層を２μm以上６μm以下の膜厚で形成する。 - 特許庁 - When layers 3, 4 comprising Cu or Cu alloy are dry etched, use is made of gas containing a halogen compound and oxygen as etching gases.
Ｃｕ又はＣｕ合金から成る層３，４をドライエッチングする際に、ハロゲン化合物を含むガスと酸素とをエッチングガスとして使用する。 - 特許庁 - A Cu film 4 is laminated on the alloy film 3 (insulating film 1) so that the Cu film 4 fills the wiring groove 2 after covering of the alloy film 3.
この合金膜３の被着後、合金膜３（絶縁膜１）上に、Ｃｕ膜４が配線溝２を埋め尽くすように積層される。 - 特許庁 - The lead for the external connection is formed of the alloy (42 Alloy) of Fe and Ni and an exterior plating film composed of the alloy of Sn and Cu is formed on the surface.
外部接続用リードをFeとNiの合金（42Alloy）で形成し、その表面に、SnとCuの合金からなる外装めっき膜を形成する。 - 特許庁 - The Pt-Cu base alloy is a Pt-Cu alloy having Pt:Cu=3:7 in the ratio of the number of atoms as the composition ratio.
また、Ｐｔ−Ｃｕ系合金は、組成比としては原子数比でＰｔ：Ｃｕ＝３：７のＰｔ−Ｃｕ合金であることを特徴とする。 - 特許庁 - Thus, a minute SiO2 thin film 16 protecting Cu wiring 14 can selectively be formed on the surface of Cu wiring 14.
その結果、Ｃｕ配線１４を保護できる緻密なＳｉＯ_2 薄膜１６をＣｕ配線１４の表面に選択的に形成できる。 - 特許庁 - This catalyst uses powder of a Cu-based quasicrystal mainly constituted of Cu and containing Al and Sc.
触媒であって、Ｃｕを主構成元素とし、ＡｌおよびＳｃを含有するＣｕ系準結晶の粉末を用いたことを特徴とする。 - 特許庁 - The upper electrode 24b is formed simultaneously with a second Cu wiring layer 24a using a second Cu film 24 of a dual damascene wiring.
上部電極２４ｂはデュアルダマシン配線である第２のＣｕ膜２４を用いて第２のＣｕ配線層２４ａと同時に形成する。 - 特許庁
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