「cu」を含む例文一覧(5425)
＜前へ 1 2 .... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 .... 108 109 次へ＞- Then, the organic resin film 74 is formed on the Cu electrode layer 2.
その後、Ｃｕ電極層２上に有機樹脂膜７４を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for forming patterns in an organic film including favorable copper (Cu) without leaving copper (Cu) residue or unremoved parts of a sidewall protective film.
銅（Ｃｕ）残渣や側壁保護膜の除去残りを発生することなく、好適な銅（Ｃｕ）を含む有機膜のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - In an Sn-Ag-Cu based solder joint on a Cu electrode, a layer of a Cu_3Sn intermetallic compound is formed directly on the Cu electrode, and, a Cu_6Sn_5 intermetallic compound layer is formed thereon.
Ｃｕ電極上のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ハンダ接合部では、Ｃｕ電極の直上にＣｕ_3Ｓｎ金属間化合物の層が形成され、さらにその上にＣｕ_6Ｓｎ_5金属間化合物層が形成される。 - 特許庁 - Thus it is possible to chamfer the opening tops, without depositing Cu to the opening side walls, even if the lower layer is a Cu wiring, hence avoid diffusing Cu atoms and form metal electrodes contg. no voids.
これにより、下層が銅配線であっても、開口部側壁に銅が付着することなく開口部上部の角落としが可能となるため、銅原子の拡散を防止しかつ空洞のない金属電極の形成が可能となる。 - 特許庁 - To provide a copper alloy which has both of high strength and high electric conductivity comparatively by effectively precipitating an element solid-dissolved in a Cu mother phase.
Cu母相中に固溶する元素を効果的に析出させることで、高強度と高導電率の両立を図った銅合金を提供する。 - 特許庁 - Furthermore, the alloy may contain 0.005 to 0.1 mass% of Cu and 0.001 to 0.01 mass% of B.
さらに、Ｃｕ０．００５〜０．１、Ｂ０．００１〜０．０１を含んでも良い。 - 特許庁 - The Cu oxide securely bonds the Cu plating films 22 and the ceramic body 9, and enhances the bonding force of the external terminal electrodes 10, 11.
Ｃｕ酸化物は、セラミック素体９とＣｕめっき膜２２とを強固に接合し、外部端子電極１０，１１の固着力を高める。 - 特許庁 - To provide a Cu-Ag alloy wire having excellent tensile strength, wire drawability and flexibility, and to provide a Cu-Ag alloy wire for a coaxial cable.
引張強度、伸線性および屈曲性に優れたＣｕ−Ａｇ合金線、および同軸ケーブル用Ｃｕ−Ａｇ合金線を提供する。 - 特許庁 - The W cap film is formed selectively on the surface of the Cu wiring film after a pre-treatment, and an upper-layer Cu wiring is further manufactured.
前処理後、Ｃｕ系配線膜表面上に選択的にＷキャップ膜を形成し、その後さらに上層Ｃｕ配線を製作する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method capable of preventing the generation o a projection on a copper (Cu) wiring layer and preventing the diffusion of Cu.
銅(Ｃｕ)配線層の突起の発生を防止してＣｕの拡散を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - BORIDE PARTICLE DISPERSED Cu ALLOY POWDER AND SINTERED ALLOY THEREOF
ホウ化物粒子分散Ｃｕ基合金粉末及びその焼結合金 - 特許庁 - A driven disc 9, a rotary member 3, and a fan insert 8 are made of Al or Cu and Al group alloy or Cu group alloy.
従動ディスク９と回転部材３およびファンインサート８ををＡｌまたはＣｕおよびＡｌ基合金製またはＣｕ基合金製とする。 - 特許庁 - Disclosed is the white gold alloy composed of an Au alloy obtained by adding, to 75 to 77 mass% Au, 10 to 17 mass% Cu and 0.01 to 0.5 mass% Ru, and, as necessary, 0.1 to 2.0 mass% Ga, and the balance Pd.
75〜77mass%のAuにCuを10〜17mass%、Ruを0.01〜0.5mass%、場合によってはGaを0.1〜2.0mass%を添加し、残部がPdからなるAu合金より構成されているホワイトゴールド合金。 - 特許庁 - Further, Cu, Zn and In are added to suppress the by-production of methane.
また、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｉｎを添加してメタンの副生成を抑制する。 - 特許庁 - Further, the steel may contain Mo, V, Ti, Nb, Cu or the like.
また、鋼は、さらに、Ｍｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｃｕなどを含有してもよい。 - 特許庁 - The weather resistance of the welding material is improved by satisfying [Ni]+[Cu]+3[Mo]≥1.2% and the selective corrosion in the welded part is prevented by satisfying ([Ni]+[Cu]+3[Mo])/([Ni]p+[Cu]p+3[Mo]p)≥1.05.
溶接材料の耐候性を〔Ｎｉ〕＋〔Ｃｕ〕＋３〔Ｍｏ〕≧１．２％となるようにし向上させ、溶接部の選択腐食を(〔Ｎｉ〕＋〔Ｃｕ〕＋３〔Ｍｏ〕)／(〔Ｎｉ〕_p＋〔Ｃｕ〕_p＋３〔Ｍｏ〕_p)≧１．０５となるようにし、防止する。 - 特許庁 - The light absorbing layer is formed of a compound containing Cu and Te.
そして、光吸収層はＣｕとＴｅからなる化合物からなる。 - 特許庁 - The sensitivity factor(s) (k-factor) was experimentally evaluated using a single-phase homogeneous dilute Cu-Ti sample of known composition.
感度因子(k因子)が、知られている組成の単一相で一様な低濃度Cu-Ti試料を使って実験的に評価された(数値として求められた)。 - 科学技術論文動詞集 - The semiconductor device includes an insulating film 21 provided on a semiconductor substrate 10 and having a trench 22, a Cu seed layer 26 provided along an inside surface of the trench 22, a Cu silicide layer 28 provided along a surface of the Cu seed layer 26, and a Cu wiring layer 30 provided on a surface of the Cu silicide layer 28 so as to be embedded in the trench 22.
本発明は、半導体基板１０上に設けられた、溝部２２を有する絶縁膜２１と、溝部２２の内面に沿って設けられたＣｕシード層２６と、Ｃｕシード層２６の表面に沿って設けられたＣｕシリサイド層２８と、溝部２２に埋め込まれるように、Ｃｕシリサイド層２８の表面上に設けられたＣｕ配線層３０と、を有する半導体装置である。 - 特許庁 - The voltage is applied to the target 14 by the RF application device 4 (the pipe 20 is grounded), and discharge is generated between the target 14 and the pipe 20 to deposit Cu on an inner surface of the pipe 20.
そしてRF印加装置4によりターゲット14に電圧を印加し（パイプ20はグランド接地）ターゲット14、パイプ20間で放電をおこし、Cuをパイプ20内面に付着する。 - 特許庁 - In addition, in the case where a metal low resistance layer 26 consisting primarily of Cu is formed on a surface of the barrier film 25, Cu does not diffuse to the semiconductor layer 30.
また、バリア膜２５表面にＣｕを主成分とする金属低抵抗層２６が形成された場合に、Ｃｕが半導体層３０に拡散しない。 - 特許庁 - To provide a low-loss Ni-Zn-Cu system oxide magnetic material suitable for a small-sized transformer for a power source and a method for manufacturing the low-loss Ni-Zn-Cu system oxide magnetic material.
小形の電源用トランスに好適な低損失のＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系酸化物磁性材料及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A Cu pattern 13A is provided at the center of a bend portion (BAL) of a flexible board 4, and a Cu pattern 13B is provided at an end portion of a mounting area.
フレキシブル基板４の折り曲げ部（ＢＡＬ）の中央にはＣｕパターン１３Ａが設けられ、実装エリアの端部にはＣｕパターン１３Ｂが設けられている。 - 特許庁 - Subsequently, a reflowing process is conducted to form a Cu-Sn alloy layer 12 from the Cu-plated layer and the Sn-plated layer and the Sn-plated layer 13 is smoothed.
続いてリフロー処理して、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層からＣｕ−Ｓｎ合金層１２を形成し、Ｓｎめっき層１３を平滑化する。 - 特許庁 - To provide a substrate treatment method for accelerating a film formation speed of a Cu film and a method for forming the Cu film using the substrate treatment method.
Ｃｕ膜の成膜速度を向上させるための基板処理方法およびこの基板処理方法を用いたＣｕ膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁 - Then, the TaN film 111, the Cu film 112, and the Cu film 113 deposited on the surface of the FSG film 108 are removed by a CMP method.
次にＦＳＧ膜１０８の表面に堆積されたＴａＮ膜１１１、Ｃｕ膜１１２およびＣｕ膜１１３をＣＭＰ法により除去する。 - 特許庁 - METHOD FOR PREVENTING SURFACE FLAW IN HOT ROLLED MATERIAL OF Cu-Sn-CONTAINING STEEL material
Ｃｕ、Ｓｎ含有鋼材の熱間圧延材の表面疵の防止方法 - 特許庁 - Sets of first Cu wiring 12 are formed in the first interlayer insulating film 11 and sets of second Cu wiring 14 in the second interlayer insulating film 13.
第１の層間絶縁膜１１内には第１のＣｕ配線１２が、第２の層間絶縁膜１３には第２のＣｕ配線１４が形成されている。 - 特許庁 - Fe-Cr-Ni-Cu ALLOY FOR SLIDING MEMBER SUPERIOR IN ABRASION RESISTANCE
耐磨耗性に優れた摺動部材用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｃｕ合金 - 特許庁 - This electric contact is made of a sintered alloy containing mainly Cr and Cu, and further containing 0.05 to 0.5 wt.% of Te, 100 to 3000 ppm of oxygen, 7.5 to 900 ppm of aluminum, and 15 to 750 ppm of Si.
本発明は、Cr及びCuを主とし、Te 0.05〜0.5重量％、酸素100〜3000ppm、Al 7.5〜900ppm及びSi15〜750ppmを含む焼結合金からなることを特徴とする電気接点にある。 - 特許庁 - The metal body 3 is made of Ni, nickel-plated Fe, or nickel-plated Cu, and has 0.05-0.1 mm diameter, and 0.3-0.7 mm thickness.
そして、前記金属体３は、Ni、NiめっきされたFe、またはＮiめっきされたCuのいずかから構成され、線径が０．０５〜０．１mm、厚みが０．３〜０．７mmであることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a wafer storage device which is capable of preventing a Cu wiring from being corroded by an oxidizing agent contained in abrasives when wafers are stored after they are subjected to Cu-CMP (Chemical Mechanical Polish).
Ｃｕ−ＣＭＰ後のウェハを保管する際に、研磨剤に含まれる酸化剤がＣｕ配線を腐食するのを防止できる保管装置を提供する。 - 特許庁 - Further, a groove pattern 6 for wiring, a contact hole, etc., is formed by etching on the low dielectric constant insulating film 3, and a plating layer 10 made of Cu is deposited.
さらに、エッチングによって低誘電率絶縁膜３に配線やコンタクトホールなどの溝パターン６を形成し、Cuからなるめっき層１０を析出させる。 - 特許庁 - As the components, Cu is further contained, and when the content of ZnS is defined as 100 mol%, the Cu content can be controlled to ≥0.0002 mol%.
成分として、さらにＣｕを含み、Ｃｕ含有量はＺｎＳ量を１００ mol％とした場合に０．０００２ mol％以上とすることができる。 - 特許庁 - In the Sn-Cu-Ag film of the second layer, it is desirable that the content of Cu to Sn is ≥3 mass% and <20 mass%.
第２層のＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜において、Ｓｎに対するＣｕの含有量が、３質量％以上、２０質量％未満であることが望ましい。 - 特許庁 - In the soldering method, P of 0.001 to 0.1 percent by mass is added independently or together with Ge of 0.001 to 0.1 percent by mass to Sn-Cu of 0.1 to 3 percent by mass base lead-free solder alloy.
Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁 - To ensure to bury Cu in a recessed part such as a fine trench or a hole without causing voids and form Cu wiring having low resistance.
微細なトレンチまたはホール等の凹部にボイドを発生させずに確実にＣｕを埋め込むことができ、かつ低抵抗のＣｕ配線を形成すること。 - 特許庁 - To provide a method of forming a Cu film in which a smooth CVD-Cu film of high quality can be formed with high adhesion to a substrate.
平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁 - The overlay layer of the sliding member includes Cu, and a Sn-Cu compound which is formed so as to project into itself from the intermediate layer by heat treatment.
オーバレイ層にＣｕを含ませ、熱処理によってオーバレイ層中に中間層から凸状に延びるＳｎ−Ｃｕ系の化合物を形成した。 - 特許庁 - Cu-Zn ALLOY SUPERIOR IN SEASON CRACKING RESISTANCE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
耐時期割れ性に優れたＣｕ−Ｚｎ系合金及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a Cu evaluating method in a silicon wafer, with which Cu concentration in the silicon wafer can precisely be detected with high sensitivity without a complicated process.
煩雑な工程を経ることなく、シリコンウェーハ中のＣｕ濃度を正確、かつ高感度に検出可能なシリコンウェーハ中のＣｕ評価方法を提供する。 - 特許庁 - The surface of the Cu layer 18 is planarized to embed the first TaN layer 17 and Cu layer 18 into the grooves.
Ｃｕ配線層１８の表面に対して平坦化処理を行い、溝内に第１のＴａＮ層１７及びＣｕ配線層１８を埋め込み形成する。 - 特許庁 - The Cu film is grown isotropically, so that the upper corner 2g of the Cu electrode layer can be made round in shape.
この場合、Ｃｕ膜を等方的に成長させるので、Ｃｕ電極層の形状を上面コーナ部２ｇが丸みを有する形状とすることができる。 - 特許庁 - HIGH STRENGTH Al-Cu-Mg ALLOY EXTRUDED MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
高強度Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ合金押出材およびその製造方法 - 特許庁 - To prevent corrosion of a wiring due to a battery effect by suppressing deposition of Cu.
Ｃｕの析出を抑制し、電池効果による配線腐蝕を防止する。 - 特許庁 - A three-layered pasted single-sided board composed of a resin layer 11, a very thin Cu layer 12, an Ni-release layer 13, and a 35 μm thick Cu layer 14 of which are adjacent to each other is prepared.
樹脂層１１，極薄Ｃｕ層１２，Ｎｉ離型層１３，３５μｍのＣｕ層１４の順に隣接している３層貼片面板を用意する。 - 特許庁 - To provide a Cu alloy film for a display device that has high adhesion to a glass substrate while maintaining low electric resistance characteristic of Cu-based materials.
Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗を維持しつつ、ガラス基板との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。 - 特許庁 - To improve current breaking characteristics of a Cu-TiC system contact material.
Ｃｕ−ＴｉＣ系接点材料の電流遮断特性を向上させる。 - 特許庁 - To provide a photoresponsive copper ion adsorption material capable of selectively adsorbing only Cu(II) ion among metal ions, and desorbing and recovering the Cu(II) ion.
金属イオンのうち銅（II）イオンのみを選択的に吸着し、脱離して回収することができる光応答性銅イオン吸着材料を提供する。 - 特許庁 - The catalyst 1 for decomposing and removing nitrogen oxides is formed by supporting Cu or a catalyst component 3 consisting of Cu and other metals on a carrier 2 consisting of zeolite.
窒素酸化物分解除去用触媒１は，ゼオライトからなる担体２に，ＣｕもしくはＣｕ及び他の金属からなる触媒成分３を担持してなる。 - 特許庁
- 特許庁
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