「cu」を含む例文一覧(5425)
＜前へ 1 2 .... 14 15 16 17 18 19 20 21 22 .... 108 109 次へ＞- (A group) Fe ion, Ni ion, Cu ion, Co ion, Cr ion, phosphoric acid ion (B group) Mo ion, Ti ion, W ion, Al ion, Mg ion, Sr ion, molybdic acid ion, titanic acid ion, tungstic acid ion.
（Ａ群）Feイオン、Niイオン、Cuイオン、Coイオン、Crイオン、リン酸イオン （Ｂ群）Moイオン、Tiイオン、Ｗイオン、Alイオン、Mgイオン、Srイオン、モリブデン酸イオン、チタン酸イオン、タングステン酸イオン - 特許庁 - The conversion circuit 4 comprises a 3-phase bridge circuit of first - sixth main switches S_1-S_6 and first - sixth capacitors Cu-Cz connected in parallel to the first - sixth switches S_1-S_6.
変換回路4を第1〜第6の主スイッチS1〜S6の3相ブリッジ回路と、第1〜第6のスイッチS1〜S6に並列接続した第1〜第6のコンデンサCu〜Czとで構成する。 - 特許庁 - Between the magnetic layers 41 and 42 and between the magnetic layers 42 and 43, a laminate composed of a Cu film, a magnetic film and a Cu film is inserted, respectively.
磁性層４１，４２の間と磁性層４２，４３の間には、それぞれ、Ｃｕ膜、磁性膜およびＣｕ膜よりなる積層体が挿入されている。 - 特許庁 - The selected element can be directly deposited on Cu embedded in the dielectric in the lower layer, without causing short-circuiting between the Cu wires.
選択された元素は、Ｃｕ配線間のショートを引き起こすことなしに、下層の誘電体中に埋込まれたＣｕの上に直接堆積することができる。 - 特許庁 - To simulateneously bake Cu and a magnetic substance material without damaging electrode characteristics or ferrite characteristics even with Cu used for a metal material.
金属材料にＣｕを使用しても、電極特性やフェライト特性を損なうことなくＣｕと磁性体材料とを同時焼成することができるようにする。 - 特許庁 - The Cu etching step and the Ag etching step are performed as separate steps.
Ｃｕエッチング工程とＡｇエッチング工程とを、別工程として実施する。 - 特許庁 - To establish a discharge surface treatment technique to a component and a die having high thermal conductivity of Cu, Cu alloys or the like, and to improve their durability.
ＣｕやＣｕ合金等の熱伝導率の高い部品や金型への放電表面処理技術を確立し、それらの耐久性を向上させる - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF Cu-In-Ga TERNARY SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - The Mg alloy for casting comprises Cu, and concretely comprises, by weight, 8.0% Al, 1.0 to 5.0% Cu, 2.0% Zn and 0.01% Be, and the balance Mg.
鋳造用Ｍｇ合金はＣｕを含み、具体的には、Ａｌ（8.0重量％）；Ｃｕ（1.0〜5.0重量％）；Ｚｎ（2.0重量％）；Ｂｅ（0.01重量％）；Ｍｇ（残部）である。 - 特許庁 - The brazing is performed by using Cu-P as a brazing material specially after applying a Cu-plating having ≥15 μm film thickness on a base material of the steel material, such as the stainless steel.
他にステンレス鋼等の鉄鋼材料の母材に膜厚１５μｍ以上のＣｕメッキを施した後に、ロウ材としてＣｕ−Ｐを用いてロウ付けする。 - 特許庁 - A Cu-Ag alloy stock containing 2.0 to 15.0 mass% Ag (the one obtained by performing cold working to a cast material) is subjected to intermediate heat treatment.
Agを2.0質量％以上15.0質量％以下含有するCu-Ag合金素材(鋳造材に冷間加工を施したもの)に中間熱処理を施す。 - 特許庁 - In particular, 80 to 99 wt.% cream-type lead-free solder of Sn-3%Ag-0.5% Cu, and 1 to 20 wt.% copper powder are mixed, so as to be the cream solder.
特に、Sn−３％Ag−0.5％Cuのクリーム状の鉛フリー半田８０〜９９wt％と、銅粉末１〜２０wt％とを混合したクリーム半田とする。 - 特許庁 - Subsequently, a second CMP is performed under such conditions as the polishing rate of Cu is equal to or higher than the polishing rate of TaN thus forming a Cu interconnect line 13.
次に、Ｃｕの研磨レートが、ＴａＮの研磨レートと同等以上となる条件で、第２のＣＭＰを行い、Ｃｕ配線１３を形成する。 - 特許庁 - A tungsten (W) film 4 as an adhesion metal is formed on a side wall of the Cu plug to increase the adhesion between the HSQ film 3 an Cu plug.
Ｃｕプラグの側壁には、ＨＳＱ膜３とＣｕプラグとの密着性を高めるための密着用メタルであるＷ（タングステン）膜４が形成されている。 - 特許庁 - Cu-Si-Co ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
電子材料用Ｃｕ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金及びその製造方法 - 特許庁 - The phosphor bronze rod is composed of 3.5-11.0 mass% Sn, 0.03-0.35 mass% P and the balance Cu with inevitable impurities, and 20-200 MPa compressed residual stress exists on the surface.
Sn：3.5〜11.0 mass%、P：0.03〜0.35 mass%、残部がCuおよび不可避的不純物よりなり、表面に20〜200 MPaの圧縮残留応力が存在することを特徴とするりん青銅条。 - 特許庁 - Next a Cu seed layer 11 is formed by sputtering, and a Cu-plated film 12 is formed by electroplating to bury the contact hole 8 and wiring groove 9.
次にスパッタ法でＣｕシード層１１を形成後、電解メッキ法によりＣｕメッキ膜１２を形成し、コンタクトホール８、配線溝９を埋め込む。 - 特許庁 - In a method of manufacturing the swash plate, a mixture of a bronze powder and a Cu-plated solid lubricant are temporarily sintered, and the temporarily sintered mass is pulverized.
また本発明のスワッシュプレートの製造方法は、青銅粉末とCuメッキされた固体潤滑剤を仮焼結し、仮焼結した塊を粉砕する。 - 特許庁 - To improve the junction reliability of a junction part between a Ni or Cu electrode and a junction material using Cu particles as a main agent of junction in a semiconductor device.
半導体装置のＮｉ又はＣｕ電極と、Ｃｕ粒子を接合の主剤とする接合材との接合部の接合信頼性を向上すること。 - 特許庁 - CU-TI ALLOY PLATE HAVING EXCELLENT SURFACE CHARACTERISTIC, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
表面特性に優れたＣｕ−Ｔｉ合金板及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR CONTROLLING CHARACTERISTIC OF HIGH STRENGTH AND HIGH CONDUCTIVITY Cu-Ag ALLOY SHEET MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING HIGH STRENGTH AND HIGH CONDUCTIVITY Cu-Ag ALLOY SHEET MATERIAL
高強度・高導電率Ｃｕ−Ａｇ合金板材の特性調整方法及び高強度・高導電率Ｃｕ−Ａｇ合金板材の製造方法 - 特許庁 - The dielectric layers 12A, 12B and 12C are formed of a benzocyclobutene film, and the Cu grounding layer 13 and the Cu wiring layers 9A, 9B and 9C are prepared by a plating method.
誘電体層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃは、ベンゾシクロブテン膜で形成し、Ｃｕ接地層１３、Ｃｕ配線層９Ａ、９Ｂ、９Ｃは、メッキ法により作成される。 - 特許庁 - The stainless steel sheet further comprises 0.01 to 1.0% Cu.
さらに質量％でＣｕ：０．０１％以上１．０％以下を含有する。 - 特許庁 - This contact material is manufactured by mixing the TiC powder at 75-90 vol.% and Cu at 10-25 vol.%, molding it, and infiltrated with Cu.
この接点材料は、ＴｉＣ粉末７５〜９０ｖｏｌ％とＣｕ１０〜２５ｖｏｌ％とを混合した後、成形し、Ｃｕを溶浸して製造する。 - 特許庁 - The contact for vacuum valve is constituted of a Cu-Cu_2Te contact having a composition consisting of 0.001 to 10 wt.% of Cu_2Te particles and the balance mainly Cu.
真空バルブ用接点を、Ｃｕ_２Ｔｅ粒子が０．００１〜１０重量％で、残部が主としてＣｕからなるＣｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ系接点で構成する。 - 特許庁 - A Cu film 9 is formed on the barrier metal film 8, and the aperture is embedded.
バリアメタル膜８上にＣｕ膜９を形成して、開口を埋め込む。 - 特許庁 - A substrate 1, on which a Mo film is formed, is placed into a film-forming chamber 3, and sputterings of an In-Ga-Se target 21 and a Cu target 23 are carried out at a substrate temperature of approximately 150°C-450°C.
成膜室３にMo膜が形成された基板１が入れられIn-Ga-Seターゲット21およびCuターゲット23のスパッタを、基板温度約１５０℃〜４５０℃で行う。 - 特許庁 - POWDER FOR CONTINUOUSLY CASTING NI-CU-BASED ALLOY, AND CONTINUOUS CASTING METHOD
Ｎｉ−Ｃｕ系合金用連続鋳造パウダーおよび連続鋳造方法 - 特許庁 - The steel sheet may further contain Cu, Ni, Mo, V, Nb, B, Cr and Ti.
更に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｂ、Ｃｒ及びＴｉを含んでもよい。 - 特許庁 - Further, the aluminum alloy wire may further contain 0.005-1.0 mass% in total of one or more additive elements selected from Mg, Si, Cu, Zn, Ni, Mn, Ag, Cr and Zr.
更に、質量％で、Mg、Si、Cu、Zn、Ni、Mn、Ag、Cr、及びZrから選択される1種以上の添加元素を合計で0.005質量％以上1.0質量％以下含有してもよい。 - 特許庁 - The content of Cu described above includes the film plated on the wire.
前記Ｃｕの含有量には、ワイヤのめっき皮膜によるものが含まれる。 - 特許庁 - The inside of a through hole H of a slotted-plate 6 made of invar is buried with a Cu material 7, and both the surfaces of the slotted-plate 6 are covered with the Cu material 7.
インバーからなる孔空き板６の貫通孔Ｈ内がＣｕ材７で埋め込まれると共に孔空き材６の両面がＣｕ材７で覆われている。 - 特許庁 - The steel may moreover contain one or ≥ two kinds among 0.05 to 0.70% Cu, 0.10 to 0.60% Cr, 0.10 to 0.50% Mo and 0.005 to 0.05% Ti and may further contain 0.0005 to 0.0100% Ca.
また、さらに、Cu：0.05〜0.70wt％、Cr：0.10〜0.60wt％、Mo：0.10〜 0.50 wt％、Ti：0.005 〜0.05wt％のうちの１種または２種以上を含有してもよく、またさらに、Ca：0.0005〜0.0100wt％を含有してもよい。 - 特許庁 - The negative electrode 2 and the Cu target 3 are connected to a power source 4, and the potential of the Cu target to the negative electrode 2 is controlled by the power source 4.
陰極２及びＣｕターゲット３に電源４を接続し、該電源４によってＣｕターゲット３の陰極２に対する電位を制御する。 - 特許庁 - Then, the metal layer 6 is etched so as to be left on the surface of the Cu foil 5, on the side of the resin film 4 and on the surface of the Cu plating layer 3.
次いで、Ｃｕ箔５の表面上、樹脂フィルム４の側面上及びＣｕメッキ層３の表面上に残存するように金属層６をエッチングする。 - 特許庁 - The bump electrode 2 is connected to the projecting region of the Cu plated layer 14.
バンプ電極２は、Ｃｕメッキ層１４の突出領域と接続する。 - 特許庁 - The Cu alloy consists of 0.05 to 0.3 wt.%, in total, of P and at least one or more elements among Fe, Ni and Co and the balance Cu with inevitable components.
また、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうち少なくとも１種類以上とＰを合計で０．０５〜０．３ｗｔ％含有し、残部がＣｕと不可避成分からなる。 - 特許庁 - The method further includes subjecting the strip to reflow treatment to form a Cu-Sn alloy layer 12 from the Cu-plated layer and the Sn-plated layer and also to obtain a smoothed Sn layer 13.
続いてリフロー処理して、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層からＣｕ−Ｓｎ合金層１２を形成し、かつ平滑化したＳｎ層１３を得る。 - 特許庁 - To provide a method for performing chemical mechanical polishing (CMP) over a Cu thin film at a high polishing rate while suppressing corrosion of Cu wiring.
本発明は、高い研磨速度でＣｕ薄膜のＣＭＰ を行い、かつＣｕ配線の腐食を抑制する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The deformed nail corrector 15 has a claw 17 projecting along one side end edge of a correction plate 16, and is made of Cu-Al-Mn shape-memory or super-elastic alloy.
矯正板16の一側端縁にカギツメ17が突出する変形爪矯正具15であり、Cu-Al-Mn系の形状記憶又は超弾性合金から作製されている。 - 特許庁 - To provide a method for collecting As and Cu by separating them from a non-steel smelted intermediate product containing other kinds of metals including As and Cu.
ＡｓとＣｕとを始めとする他種金属類とを含んでいる非鉄製錬中間産物からＡｓとＣｕとを分離して回収する方法を提供する。 - 特許庁 - A silver alloy is suitable for the application of a probe pin composed of a Au-Cu alloy and contains 30-50 wt.% Cu and the balance Ag.
本発明は、Ａｕ−Ｃｕ合金からなるプローブピン用途に適した銀合金であって、Ｃｕ：３０〜５０重量％、残部Ａｇである銀合金である。 - 特許庁 - To simultaneously achieve adhesion of a barrier metal with an insulating film and Cu and Cu diffusion prevention, relating to a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device.
半導体装置及びその製造方法に関し、バリアメタルの絶縁膜及びＣｕに対する密着性と、Ｃｕ拡散防止とを両立する。 - 特許庁 - The Cu wiring layer 13 and Cu plating layer 16 are formed using the same feeder to improve the mounting reliability while suppressing the manufacturing cost.
Ｃｕ配線層１３とＣｕメッキ層１６とは同じ給電線を用いて形成されることで、製造コストを抑えつつ、実装信頼性が向上される。 - 特許庁 - To provide a Cu-Pd alloy having excellent hydrogen permeability at high temperature.
高温下での水素透過率に優れたＣｕ−Ｐｄ合金を提供する。 - 特許庁 - Direct contact between Al and Cu is avoided by the passivation layer 32.
このパッシベーション層３２がＡｌとＣｕとの直接接触を回避させる。 - 特許庁 - To provide a method of directly passivating exposed Cu surfaces of a Cu interconnect structure by converting the surfaces to copper silicide.
その表面をケイ化銅に転化することにより、銅相互接続構造の露出銅表面を直接不動態化するための方法を提供すること。 - 特許庁 - The Cu based alloy powder containing Cu, Sn, P and Ni is heat-treated to control the powder constituting phases.
また、Ｃｕ，Ｓｎ，Ｐ，Ｎｉを含むＣｕ基合金粉末に熱処理を施し、粉末構成相を制御することを特徴とする耐酸化性に優れたろう接用銅合金粉末。 - 特許庁 - For excluding Cu ions from seawater in contact with an aluminum structure in advance, the Cu ions in seawater are immobilized by using H2S, a chelating agent or the like.
アルミ構造物に接触する海水からＣｕイオンを事前に排除するべく、Ｈ_2 Ｓやキレート剤等を用いて海水中のＣｕイオンを固定する。 - 特許庁 - The first Cu compound layer 22 may be formed to contain Cu_2O.
前記第１銅化合物層２２は、Ｃｕ_２Ｏを含んで形成されてもよい。 - 特許庁
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