「cu」を含む例文一覧(5425)
＜前へ 1 2 .... 16 17 18 19 20 21 22 23 24 .... 108 109 次へ＞- Since Cu wiring layers 300A and 300B are provided on a Cu substrate 3 which consists of Cu with good heat dissipation through an insulating layer 301 and a reflector part 30 is formed by press working, it has good light reflectivity.
放熱性の良好なＣｕからなるＣｕ基板３に絶縁層３０１を介してＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂを設け、プレス加工によってリフレクタ部３０を形成しているので、良好な光反射性を有する。 - 特許庁 - A precursor (CuxCly) 30 film-deposited by plasma is subjected to reduction with hydrogen while controlling its temperature, a substrate 12 formed with Cu hyperfine particles 29 with a desired and uniform grain size is produced, and chemical vapor phase deposition treatment is applied to produce the Cu hyperfine particles 29 on the substrate 12 having an optional shape.
プラズマで成膜した前駆体（CuxCly）３０を、温度制御しながら水素還元することで、所望の粒径で、しかも、粒径のそろったCu超超微粒子２９が形成された基板１２を作製し、化学気相堆積処理を適用してCu超超微粒子２９を任意の形状の基板１２に作製する。 - 特許庁 - In the method for producing a copper alloy strip, plating of an Ni layer 2 is applied to the surface of a Cu alloy base material 1, successively, Cu plating of a Cu layer 3 and Sn plating of an Sn layer 4 are applied thereto in such a manner that the ratio of the Sn plating thickness/the Cu plating thickness is controlled to ≤6, and thereafter, reflowing treatment is performed.
銅合金条の製造方法において、Ｃｕ合金母材１の表面にＮｉ層２のめっきを施した後、続いてＣｕ層３のＣｕめっき、Ｓｎ層４のＳｎめっきを、Ｓｎのめっき厚さ／Ｃｕのめっき厚さ比が６以下となるように施した後、リフロー処理を行う。 - 特許庁 - This invention discloses also the method of manufacturing the Cu wiring film of the semiconductor device of sputtering the Cu alloy sputtering target including 25-53 mass% of Ce oxide, and the remainder including Cu and the inevitable impurities, to form the base film, and then of forming the Cu wiring film on the base film by sputtering.
また、本発明は、Ｃｅ酸化物を２５〜５３質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金スパッタリングターゲットをスパッタリングして下地膜を形成し、次いで該下地膜上にＣｕ系配線膜をスパッタリングにより形成する半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法である。 - 特許庁 - In the semiconductor device 1 having the Cu wiring 10, a sectional structure of the Cu wiring 10 has side parts and a lower part in contact with a barrier metal 20, and an upper part in contact with an insulating film 30, and a the upper part of the Cu wiring 10 which comes into contact with the insulating film 30 is smaller in grain size than a center part of the Cu wiring 10.
Ｃｕ配線１０を備える半導体装置１において、 Ｃｕ配線１０の断面構造は、側部及び下部をバリアメタル２０に接し、上部を絶縁膜３０に接し、絶縁膜３０に接するＣｕ配線１０の上部のグレインサイズが、Ｃｕ配線１０の中央部のグレインサイズより小さ。 - 特許庁 - A compound semiconductor which is a sulfide which contains Cu, Zn, Ge and S and whose Cu/Ge ratio (atomic ratio) is less than 2.00, or a compound semiconductor which is a sulfide which contains Cu, Zn, Ge, Sn and S and whose Cu/(Sn+Ge) ratio (atomic ratio) is less than 2.00, is used as a light-absorbing layer of the photoelectric element.
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ及びＳを含む硫化物であり、Ｃｕ／Ｇｅ比（原子比）が２．００未満である化合物半導体若しくはＣｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物であり、Ｃｕ／（Ｓｎ＋Ｇｅ）比（原子比）が２．００未満である化合物半導体を光電素子の光吸収層とする。 - 特許庁 - After forming an extremely thin Ti-based film on a base material 1 as a first film 2, by having a compound film including a slope structure of a Ti-based material of a Ti-based material and a Cu-based material formed as a second film 3, and a third film 4 formed on the compound film as a Cu-based electrode, a precursor having a three-layer structure is formed.
極薄のTi系膜を第一の膜２として基材１上に形成した後、Ti系材料のTi系材料とCu系材料との傾斜構造を持つ複合膜を第二の膜３として形成し、その上にCu系電極となる第三の膜４を形成することにより、３層構造の前駆体を形成する。 - 特許庁 - This head is provided with a thin film magnetic head element, a lead conductor layer including a Cu layer connected electrically to the thin film magnetic head element, a connection pad layer including a Cu layer connected electrically to the lead conductor layer, and a resist material layer formed being adjacent to the Cu layer of the connection pad layer and the Cu layer of the lead conductor layer.
薄膜磁気ヘッド素子と、薄膜磁気ヘッド素子に電気的に接続されたＣｕ層を含むリード導体層と、リード導体層に電気的に接続されたＣｕ層を含む接続パッド層と、接続パッド層のＣｕ層及びリード導体層のＣｕ層に隣接して形成されたレジスト材料層とを備えている。 - 特許庁 - In the Cu-Cr alloy powder obtained by melting and dispersing a Cu-Cr material composed of Cu as a highly electrically conductive component and Cr as an arc resistant component and further rapidly cooling the same, the solid solution concentration of Cr in the Cu phase is ≤200 ppm.
高導電成分としてのＣｕと耐弧成分としてのＣｒとから成るＣｕ−Ｃｒ材料を溶融分散し、さらに急冷することにより得られるＣｕ−Ｃｒ合金粉末において、Ｃｕ相におけるＣｒの固溶濃度が２００ｐｐｍ以下であることを特徴とするＣｕ−Ｃｒ合金粉末である。 - 特許庁 - This CVD device forming a copper film for wiring on a substrate is provided with a 1st CVD module 15 forming a copper film as a base by using a Cu(hfac)(tmvs) raw material low in a film forming rate and a 2nd CVD module 16 executing film formation of thickening a copper film by using a Cu(hfac)(atms) raw material high in a film forming rate.
基板に配線用銅膜を成膜するＣＶＤ装置は、成膜速度が小さいCu(hfac)(tmvs)系原料を用いて下地としての銅膜を成膜する第１ＣＶＤモジュール１５と、成膜速度が大きいCu(hfac)(atms)系原料を用いて銅膜の厚みを厚くする成膜を行う第２ＣＶＤモジュール１６を備える。 - 特許庁 - Only Cu wiring formed on a wafer 7 is heated by a heating mechanism 10.
加熱機構１０によりウエハ７に形成されたＣｕ配線のみを加熱する。 - 特許庁 - A level difference is provided between regions 11 and 12 on the upper surface of the Cu layer 20.
Ｃｕ層２０の上面は、領域１１，１２間で段差を有している。 - 特許庁 - Ag-BASED METAL POWDER, Cu-BASED METAL POWDER, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Ａｇ系金属粉末及びＣｕ系金属粉末並びにその製造方法 - 特許庁 - To provide a ferritic stainless steel which has satisfactory Ni brazability and Cu brazability.
ＮｉろうやＣｕろう付け性が良好なフェライト系ステンレス鋼を提供する。 - 特許庁 - Nd-Ba-Cu-O BASED HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTING FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD
Ｎｄ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系高温超伝導膜及びその製造方法 - 特許庁 - X value = Cr+Mo+1.5Si+0.5Nb+0.2V+0.3W+8 Al-Ni-0.6Co≥-0.5Mn-30C-30N-0.5Cu...(1).
Ｘ値＝Cr＋Mo＋1.5 Si＋0.5 Nb＋0.2 Ｖ＋0.3 Ｗ＋８Al−Ni−0.6 Co−0.5 Mn−30Ｃ−30Ｎ−0.5 Cu --- (1) - 特許庁 - A conductive pattern 4 is formed on a base material 1 with the use of a Cu foil 2.
基材１上にＣｕ箔２を用いて導電性パターン４を形成する。 - 特許庁 - The Cu etching step is performed using an etching liquid in which Ag is not dissolved.
Ｃｕエッチング工程は、Ａｇを溶解しないエッチング液を用いて実施する。 - 特許庁 - A resist pattern 25 is formed on the whole surface of the Cu sputtered layer 13.
次に、Ｃｕスパッタ層１３の表面全体に、レジストパターン２５を形成する。 - 特許庁 - A natural oxide present on a Cu layer is removed in HCl solution.
ＨＣｌ溶液中で、Ｃｕ層上に存在する自然酸化物を除去する。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET OF CU-IN-GA-SE-BASED QUATERNARY ALLOY
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - The first metal is Cu, and the second metal is Fe or stainless steel.
第１の金属はＣｕであり、第２の金属はＦｅまたはステンレス鋼である。 - 特許庁 - To remove residue generated by etching of a Cu film by chlorinated gas.
塩素系ガスによるＣｕ膜のエッチングによって生成した残渣を除去する。 - 特許庁 - COATED ELECTRODE FOR ARC WELDING OF AUSTENITIC STAINLESS STEEL HAVING EXCELLENT Cu BRITTLE CRACK RESISTANCE
耐Ｃｕ脆化割れ性に優れたオーステナイト系ステンレス鋼被覆アーク溶接棒 - 特許庁 - It is further effective that a part of copper is replaced with a Cu-P based brazing filler metal.
銅の一部をＣｕ−Ｐ系ろう材で置換すると、更に有効である。 - 特許庁 - If required, one or more kinds of metals selected from Mg, B, Mo, Ni, Cu and V can further be incorporated therein.
必要に応じて、Ｍｇ，Ｂ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｖの１種以上をさらに含有しても良い。 - 特許庁 - To evaluate a Cu contamination quantitatively without using an expensive measuring device.
高価な測定装置を用いずに、定量性良くＣｕ汚染を評価すること。 - 特許庁 - Because the Sn-Cu compound has high strength, the fatigue resistance is improved.
Ｓｎ−Ｃｕ系の化合物は強度が高いので、耐疲労性を向上させる。 - 特許庁 - For this sintered body, Pr, Co, Ca, either Cu or Ni is added.
この焼結体には、Ｐｒ、Ｃｏ、Ｃａ、及び、Ｃｕ又はＮｉが添加される。 - 特許庁 - METHOD FOR COLLECTING As AND Cu BY SEPARATING THEM FROM NON-STEEL SMELTED INTERMEDIATE PRODUCT
非鉄製錬中間産物からＡｓとＣｕとを分離して回収する方法 - 特許庁 - In the second layer 10b, a highly heat-conductive material 12 (Cu) is arranged for the structure.
第２の層１０ｂには、良熱伝導材１２（Ｃｕ）を配置して構成する。 - 特許庁 - A bottom metal plate of a Cu capacitor is formed by the duplicate damascene method.
二重ダマシン法を使用してＣｕコンデンサの底部金属プレートを形成する。 - 特許庁 - A cast rod of a Cu base alloy contg. 2 to 14 wt.%
また低いＡｇの添加量において高強度のＣｕ−Ａｇ合金を得る。 - 特許庁 - As a material of the recording layer, a sulfide of Cu, S, GeS or the like is used.
記録層の材料としてはＣｕＳ，ＧｅＳ等の硫化物を用いる。 - 特許庁 - ADHESIVE-COATED Cu STRING, HIGHLY HEAT-RADIATIVE LEAD FRAME, AND HIGHLY HEAT-RADIATIVE PACKAGE
接着剤塗布Ｃｕ条、高放熱性リードフレーム及び高放熱性パッケージ - 特許庁 - Cu-Ni-Si BASED COPPER ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金及びその製造方法 - 特許庁 - Cu-Ni-Si TYPE COPPER ALLOY SHEET WITH EXCELLENT PROOF STRESS AND BENDABILITY
耐力および曲げ加工性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金板材 - 特許庁 - Cu-Co-Si COPPER ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
電子材料用Ｃｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a Cu-Ni-Si-based copper alloy superior in hot workability.
熱間加工性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金を提供する。 - 特許庁 - Cu-Ni-Si BASED COPPER ALLOY ROLLED SHEET AND ELECTRIC PART USING THE SAME
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金圧延板及びそれを用いた電気部品 - 特許庁 - To suppress electromigration of a Cu ion from copper wiring to an insulating film.
銅配線から絶縁膜へのＣｕイオンの電界拡散を抑制させること。 - 特許庁 - SLURRY FOR USE IN Cu FILM CMP, POLISHING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
Ｃｕ膜ＣＭＰ用スラリー、研磨方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING HIGH STRENGTH Al-Cu-Mg ALLOY EXCELLENT IN WORKABILITY
加工性に優れる高強度Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ系合金の製造方法 - 特許庁 - Cu ALLOY FILM FOR WIRING FILM, AND SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING WIRING FILM
配線膜用Ｃｕ合金膜および配線膜形成用スパッタリングターゲット材 - 特許庁 - Cu-Fe-P-Mg BASED COPPER ALLOY, ITS PRODUCTION METHOD, AND CONDUCTIVE COMPONENT
Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐ−Ｍｇ系銅合金および製造法並びに通電部品 - 特許庁 - To simplify a forming process of multilayer Cu wiring using Dual-Damascene method.
デュアルダマシン（Dual-Damascene）法を用いた多層Ｃｕ配線の形成工程を簡略化する。 - 特許庁 - To prepare a Cu-Ga alloy sputtering target with a small oxygen content.
酸素含有量が少ないＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを作製する。 - 特許庁 - LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL, ITS MANUFACTURING METHOD, AND CU ALLOY SPUTTERING TARGET
液晶ディスプレイパネル及びその製造方法並びにＣｕ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - CU-NI-ORGANIC ELECTRODEPOSITION THIN FILM LAMINATED STRUCTURE AND METHOD OF DEPOSITING THE SAME
Ｃｕ−Ｎｉ−有機電着薄膜積層構造体及びその形成方法 - 特許庁 - CU-SN-P-BASED COPPER ALLOY SHEET MATERIAL AND ITS PRODUCTION METHOD, AND CONNECTOR
Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐ系銅合金板材およびその製造法並びにコネクタ - 特許庁
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