「cu」を含む例文一覧(5425)
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続いて、電解めっき法によりＣｕビア９をビアホール８内に埋め込む。 - 特許庁 - In the second layer 10b, a right heat conduction material 12 (Cu) is arranged for the structure.
第２の層１０ｂには、良熱伝導材１２（Ｃｕ）を配置して構成する。 - 特許庁 - The semiconductor device with a bonding pad 130 on a semiconductor substrate 10 includes an upper Cu layer 100 formed on a lower surface of the bonding pad 130 via a barrier metal and having a larger Cu area ratio than a layer on which circuit wiring is formed, and a lower Cu layer 200 electrically insulated from the upper Cu layer 100 and formed on the side of the semiconductor substrate 10 from the upper Cu layer 100.
半導体基板１０上にボンディングパッド１３０を有する半導体装置であって、ボンディングパッド１３０の下面にバリアメタルを介して形成され、回路配線が形成される層よりもＣｕ面積率が大きな上部Ｃｕ層１００と、上部Ｃｕ層１００と電気的に絶縁され、上部Ｃｕ層１００よりも半導体基板１０側に形成された下部Ｃｕ層２００とを有する。 - 特許庁 - In the solder junction formed on a Cu electrode, the Cu_6Sn_5 phase formed on a junction interface between the Cu electrode and an Sn-based solder part has an average particle diameter D of D≤2.0 μm in a horizontal face to the Cu electrode.
Ｃｕ電極上に形成されたはんだ接合体において、Ｃｕ電極とＳｎ系はんだ部との接合界面に形成するＣｕ_６Ｓｎ_５相のＣｕ電極に対する水平面における平均粒径ＤがＤ≦２．０μｍであるはんだ接合体。 - 特許庁 - To provide a method for depositing a Cu film having a realistic film deposition temperature and a realistic film deposition rate and preventing the phenomenon that the reduction of migration on the surface of a Cu film occurs during film deposition, and Cu is flocculated and is grown to an island shape.
半導体プロセスとして現実的な成膜温度と成膜レートを有し、成膜中にＣｕ膜表面マイグレーションの減少が生じてＣｕが凝集し、島状に成長することを防止したＣｕ膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁 - In the joining layer, an Al-Cu layer consisting substantially of Al and Cu is formed on the structure 10 side, and a mixed layer of the hard metal for cladding by welding with a metal consisting mainly of Cu is formed on the hard built-up layer 53 side.
また、接合層中には、実質的にＡｌ及びＣｕよりなるＡｌ−Ｃｕ系層が構造体本体１０側に形成される一方、肉盛硬質金属とＣｕ主体の金属との混合層が硬質肉盛層５３側に形成される。 - 特許庁 - The metal exterior case material is based on a cold rolled steel sheet as a ground, and has a Cu-Ni diffusion layer, an Ni layer, a metal Cr or Cu layer, a Cu-Ni diffusion layer, an Ni layer, and a metal Cr layer from the lower layer side on the face corresponding to the case interior face.
冷延鋼板を下地とし、ケース内面に相当する面に下層側から、Ｃｕ−Ｎｉ拡散層、Ｎｉ層、金属Ｃｒ、又はＣｕ層、Ｃｕ−Ｎｉ拡散層、Ｎｉ層、金属Ｃｒを有する金属外装ケース用素材。 - 特許庁 - In the laminated material 1, a Cu plate 2 comprising Cu or Cu alloy is joined with one side surface 4a of the ceramic plate 4, and an Al plate 3 comprising Al or Al alloy is joined with the other side surface 4a of the ceramic plate 4, each by a discharge plasma sintering method.
積層材１は、セラミック板4の一方の片面4aにＣｕまたはＣｕ合金からなるＣｕ板2が、セラミック板4の他方の片面4aにＡｌまたはＡｌ合金からなるＡｌ板3が、放電プラズマ焼結法によりそれぞれ接合されている。 - 特許庁 - A first surface layer 2 of the one surface side is formed with Cu-Zn alloy consisting of ≥45 wt.% Zn and the balance essentially of pure Cu or with Cu, and a second surface layer 3 of the other surface side is formed with a non-magnetic metal having a silvery white color.
一方の表面側の第１表層２がＺｎ４５wt％以下、残部Ｃｕを主成分とするＣｕＺｎ合金あるいは純Ｃｕで形成され、他方の表面側の第２表層３が銀白色を呈する非磁性金属で形成される。 - 特許庁 - This magnetic recording medium has a multilayered base layer comprising a soft magnetic layer 2, a first base layer 3 containing crystal particles of plane oriented Cu, and a second base layer 4 mainly of Cu and nitrogen on the Cu base layer 3 formed on the substrate 1.
基板１上に形成された軟磁性層２と、面配向したＣｕからなる結晶粒子を含有する第１の下地層３と、Ｃｕ下地層３上にＣｕと窒素を主成分とする第２の下地層４とを含む多層下地層を設ける。 - 特許庁 - In the metallic material for a connector, on the base material of Cu or a Cu alloy, a Cu-Sn alloy layer and Sn or an Sn alloy layer are formed in this order, and the average thickness of the Sn or Sn alloy layer is 0.001 to 0.05 μm.
ＣｕまたはＣｕ合金の母材上にＣｕ−Ｓｎ合金層とＳｎまたはＳｎ合金層がこの順で形成され、前記ＳｎまたはＳｎ合金層の平均厚さが０．００１〜０．０５μｍであるコネクタ用金属材料。 - 特許庁 - To form an adhesion improved layer made of oxide at the interface between a Cu wire and a cap layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device, and to improve reliability of the Cu wire to migration without increasing resistance of the Cu wire.
半導体装置の多層配線構造において、Ｃｕ配線とキャップ層との界面に酸化物からなる密着改善層を形成し、Ｃｕ配線の抵抗を上昇させることなく、Ｃｕ配線のマイグレーションに対する信頼性を向上させる。 - 特許庁 - A Cu wiring layer 6 is formed on a wafer W, an amorphous carbon film 7 is formed as a Cu diffusion barrier by CVD using a process gas containing a hydrocarbon gas on the Cu wiring layer 6, and a Low-k film 8 is formed on it.
ウエハＷにＣｕ配線層６を形成し、Ｃｕ配線層６の上に、炭化水素ガスを含む処理ガスを用いたＣＶＤによりＣｕ拡散バリアとしてアモルファスカーボン膜７を成膜し、その上にＬｏｗ−ｋ膜８を形成する。 - 特許庁 - A contact portion of the vacuum valve is formed of Cu-TiC alloy and a bonding layer is a Ag-Cu-Mn based bonding layer formed of Ag (all or part of Ag substituted by Cu) and Mn (all or part of Mn substituted by one of Ti, Zr and Cr).
真空バルブの接点部をＣｕ−ＴｉＣ合金、接合層をＡｇ（Ａｇの一部またはすべてをＣｕで置換）とＭｎ（Ｍｎの一部またはすべてをＴｉ、Ｚｒ、Ｃｒの一つで置換）とからなるＡｇ−Ｃｕ−Ｍｎ系接合層とする。 - 特許庁 - In succession, a resin film 4 is etched by the use of a laser beam using the Cu foil 5 as a mask, by which the tapered (trapezoidal) resin film 4 is left on the Cu plating layer 3, so as to become gradually larger in cross-sectional area going toward the Cu plating layer 3.
続いて、例えばレーザを使用しＣｕ箔５をマスクとして樹脂フィルム４をエッチングすることにより、Ｃｕ箔５側からＣｕメッキ層３側にかけて面積が広くなるテーパ形状（台形状）に樹脂フィルム４を残存させる。 - 特許庁 - The CNT and Cu are simultaneously sputtered to form the CNT-containing metal layer 13, so that the CNT can be homogeneously mixed into the Cu, and interface resistance between the CNT and the Cu can be reduced to improve the electric conductivity of the wiring.
ＣＮＴとＣｕを同時にスパッタリングしてＣＮＴ入り金属層１３を形成しているため、ＣＮＴをＣｕ中に均一に混入できると共に、ＣＮＴとＣｕ間の界面抵抗を低減でき配線の電気導電率が向上する。 - 特許庁 - As the raw material used for the formation of a Cu film on the surface of a substrate by a Cu-CVD process, the liq. raw material made by adding any of 2-butyne, tmvs, 3-Hex and 1,5-COD to Cu (hfac) (atms) is used.
Ｃｕ−ＣＶＤプロセスによって基板表面にＣｕ膜を形成する方法に使用される原料として、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ａｔｍｓ）に２−ｂｕｔｙｎｅ、ｔｍｖｓ、３−Ｈｅｘ、１，５−ＣＯＤのうちいずれかを添加して作られる液体原料が使用される。 - 特許庁 - In this electrode wire 10 for electrically discharge machining, a coating layer 12 formed by alternately stacking Zn layers 13a, 13b and Cu-Zn alloy layers 14a, 14b on the outer periphery of a core material 11 formed of Cu or Cu alloy.
本発明に係るワイヤ放電加工用電極線１０は、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる心材１１の外周に、Ｚｎ層１３ａ，１３ｂとＣｕ−Ｚｎ合金層１４ａ，１４ｂとを交互に積層してなる被覆層１２を設けたものである。 - 特許庁 - To provide a method for evaluating the total amount of Cu that is solid-solved in a silicon wafer, and moreover the Cu concentration of a bulk region even though in the use of a total X-ray reflection fluorescence (TXRF) method for measuring the Cu concentration of a surface of the silicon wafer.
シリコンウェーハの表面におけるＣｕの濃度を測定するＴＸＲＦ法を用いるにもかかわらず、シリコンウェーハ中に固溶しているＣｕの全量、ひいてはバルク領域中のＣｕ濃度を評価する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide heat exchanger tube and fin-tube type heat exchanger having excellent heat conductivity which narrows the air space between Cu or Cu alloy tube and fin members, thereby making heat resistance smaller, and which has smaller refrigerant leakage from Cu pipe joints.
銅又は銅合金管とフィン材との間の空隙を狭くして熱抵抗を小さくすると共に、銅管の接合部からの冷媒のリークが少ない伝熱性能が優れた熱交換器用伝熱管及びフィンチューブ型熱交換器を提供する。 - 特許庁 - In this manufacturing method, after a wiring groove 3 is formed in an interlayer insulation film 2 on a semiconductor substrate 1, a Cu layer 5 and a Cu alloy layer 7 are laminated by a sputtering method via a barrier metal layer 4, thereby burying into a Cu groove by a plating film forming methods.
半導体基板上の層間絶縁膜に配線用の溝を形成した後、バリアメタル層を介してスパッタ法によりＣｕ層と、次いでＣｕ合金層を積層して、めっき成膜法によってＣｕの溝への埋め込みを行う。 - 特許庁 - By reducing the etching time, an amount of narrowing of width of the Cu wiring 9 comes to little, and the variation of width of Cu wiring 9 of the circumference and center of the semiconductor wafer can be reduced, then, the finning of the Cu wiring 9 can be attained.
エッチング時間が短縮することで、Ｃｕ配線９の幅の狭まり量を小さくでき、また、半導体ウェハの外周部と中央部とのＣｕ配線９の幅のばらつきを小さくできて、Ｃｕ配線９の微細化を図ることができる。 - 特許庁 - As a result, during wire bonding of the Al wires 4, it becomes possible to absorb shocks by the wire bonding with the Cu chip 3, or disperse pressure by the wire bonding with the Cu chip 3, or diffuse heat by the wire bonding with the Cu chip 3.
これにより、Ａｌワイヤ４をワイヤボンドする際、ワイヤボンドによる衝撃をＣｕチップ３で吸収したり、ワイヤボンドによる圧力をＣｕチップ３で分散させたり、ワイヤボンドによる熱をＣｕチップ３で拡散させたりすることができる。 - 特許庁 - In the method for producing a Cr-Cu alloy sheet, a Cr-Cu alloy stock comprising, by mass, >30 to ≤80% Cr, and the balance Cu with inevitable impurities is subjected to warm rolling in the temperature range of 40 to 300°C.
質量％でＣｒを３０％超え８０％以下含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなるＣｒ−Ｃｕ合金素材に４０〜３００℃の温度範囲で温間圧延を施したＣｒ−Ｃｕ合金板の製造方法。 - 特許庁 - The composite electric wire includes the electric wire body W consisting of the center conductor CU, and an outer layer conductive wire AL which is extended along the outer peripheral face of this center conductor CU in Z direction, and arranged so as to surround this center conductor CU.
複合電線は中心導線ＣＵとＺ方向にこの中心導線ＣＵの外周面に沿って延長すると共にこの中心導体ＣＵを囲むように配置される外層導線ＡＬとからなる電線本体Ｗを含んでいる。 - 特許庁 - The powder containing elements Cu, In, Ga and Se is characterized by containing a Cu-In-Ga-Se based compound and/or a Cu-In-Se based compound in an amount of ≥60 mass% in total.
本発明は、Ｃｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅの元素を含有する粉末であって、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ系化合物および／またはＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物を、合計で６０質量％以上含有することを特徴とする粉末である。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element with high performance and high reliability, capable of effectively preventing diffusion of Cu, particularly capable of effectively preventing the diffusion of the Cu, even if the thickness is small, and capable of simply forming a thin and highly accurate Cu diffusion prevention film.
Ｃｕの拡散を効果的に防止でき、特に、厚さが薄くてもＣｕの拡散を効果的に防止でき、更には薄くて高精度なＣｕ拡散防止膜を簡単に形成でき、高性能で信頼性に富む半導体素子を提供することである。 - 特許庁 - Blazing foil which is composed of 10-30 wt.% Cu and 10-30 wt.% Ni, is most appropriate for manufacturing the plate fin type heat exchanger which is mainly composed of laminated material, having the same corrosion resistance and strength with mother metal.
10〜30wt%Cu-10〜30wt%Ni-balTi組成からなるろう材箔が、積層を主体とするプレートフィン型熱交換器の製造に最適であり、耐食性と強度が母材と同等である。 - 特許庁 - The lead-free solder alloy is the one of which the main component is Sn, which contains 1.5-8 wt% of Cu, 0.01-2 wt% of Co, and occasionally 0.01-1 wt% of Ni, and of which the liquidus temperature is lower than 420°C.
主成分がSnであって、Cuを 1.5〜8 質量％、Coを0.01〜2 質量％、場合によりNiを0.01〜１質量％含有する、液相線温度が420 ℃以下の鉛フリーはんだ合金。 - 特許庁 - The steel can comprise ≤0.5% V, or ≤0.1% Al, or one or two kinds selected from ≤4% Mo and ≤4% Cu.
さらに、上記成分に加え、本発明では、Vを0.5％以下、もしくはAlを0.1％以下、もしくはMo：4％以下、Cu：4％以下のいずれか１種または２種を含有することができる。 - 特許庁 - A Cu-plated film 3 is patterned on an lumina substrate 1 with a base layer in between, and a first Ni-plated film 4 is stacked on the Cu-plated film 3.
アルミナ基板１上に下地層２を介してＣｕメッキ膜３がパターン形成されており、Ｃｕメッキ膜３上に第１のＮｉメッキ膜４が積層されている。 - 特許庁 - The composite material is formed of an element of one or more kinds selected from Cu, Si, and Ge as an additive and a remainder using a silver alloy formed of Ag and an impurity as a metal matrix.
Cu,Si,及びGeから選択される1種類以上の元素を添加元素とし、残部がAg及び不純物からなる銀合金を金属マトリクスとする複合材料である。 - 特許庁 - To provide a method for planarizing a surface containing Cu or a Cu alloy, by which the number of surface defects can be reduced greatly and the leakage between adjacent lines reduced.
表面の欠陥数が大幅に減少し、近接したライン間の漏洩が減少するようなＣｕおよびＣｕ合金の平坦化を可能にする方法を提供する。 - 特許庁 - The CU (Card Unit) stores the number of game balls usable in the P machines for games.
ＣＵ（カードユニット）は、Ｐ台で遊技に使用可能とされる遊技玉数を記憶する。 - 特許庁 - There is provided a method of forming a metal Cu layer on a Cu_2O film surface in which an object to be processed formed with the Cu_2O film is brought into contact with an aqueous solution containing a reducing agent.
Cu_2O膜を形成した被処理物を、還元剤を含有する水溶液に接触させることを特徴とするCu_2O膜表面に金属Cu層を形成する方法。 - 特許庁 - A plurality of poles 8 composed of Cu wires are erected on a tabular plate 7 composed of Cu, and the poles 8 are located at predetermined intervals.
Ｃｕからなる平板状の板部７にＣｕ線からなる複数の柱部８が立設されており、それぞれの柱部８は所定の間隔を隔てて配置されている。 - 特許庁 - The aluminum alloy wire may further contain one or more kinds of additional element selected from among Mg, Si, Cu, Zn, Ni, Mn, Ag, Cr, and Zr in a total amount of 0.005 to 1.0 mass%.
更に、質量％で、Mg、Si、Cu、Zn、Ni、Mn、Ag、Cr、及びZrから選択される1種以上の添加元素を合計で0.005質量％以上1.0質量％以下含有してもよい。 - 特許庁 - The cupper-based alloy having dezincfication resistive property, is composed of, by weight, 57-69% Cu, 0.3-3% Sn and 0.02-1.5% Si, wherein Si/Sn is in the range of 0.05-1, and the balance Zn with inevitable impurities.
重量%で、Cu:57〜69%、Sn:0.3〜3%、Si:0.02〜1.5%を含み、Si/Snの値が0.05〜1の範囲であり、残部がZnと不可避的不純物からなることを特徴とする耐脱亜鉛性銅基合金。 - 特許庁 - The heat sink 29 is formed of an alloy whose thermal expansion coefficient is nearly that of the ceramic substrate 22 (alumina, etc.), for example, one of Cu-Mo, Cu-W and Mo.
このヒートシンク２９は、熱膨張率がセラミック基板２２（アルミナ等）に近い合金、例えばＣｕ−Ｍｏ、Ｃｕ−Ｗ、Ｍｏのいずれかにより形成されている。 - 特許庁 - A surface barrier film 29 made of a metal material acting as a barrier for preventing diffusion of Cu is interposed between the Cu wiring 24 and the coating layer 31.
そして、Ｃｕ配線２４と被覆層３１との間には、Ｃｕの拡散を防止するバリア性を有する金属材料からなる表面バリア膜２９が介在されている。 - 特許庁 - The aluminum alloy possesses improved corrosion resistance because of excluding Fe and Cu, and possesses improved elongation and extrudability because of little total added quantity of Si, Fe, Cu, and the like.
Ｆｅ、Ｃｕを含有していないので耐食性を向上させ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ等の合計添加量が少ないので、伸び及び押出性を向上できる。 - 特許庁 - Then, a second wiring 14 composed of Cu is formed on the alloy film 18.
次いで、合金膜１８上に、Ｃｕからなる第２配線１４が形成される。 - 特許庁 - To the Fe-Cu alloy changing from the melting state to solidification through solid-liquid co-existing state, a strong magnetic field is applied while adding stirring in the solid-liquid co-existing state.
溶融状態から、固液共存状態を経て、凝固に至るFe−Cu合金に対し、その固液共存状態において、撹拌を付加しつつ、強磁場を印加する。 - 特許庁 - The above metal substrate 2 is preferably made of a metal belonging to the Ib-group in the periodic-law table or its alloy, and further preferably, is made of Cu or a Cu alloy.
上記金属基板２は、望ましくは周期律表のＩｂ族に属する金属またはその合金から成り、更に望ましくはＣｕまたはＣｕ合金から成る。 - 特許庁 - To provide a deposition method of a metal thin film which functions as the barrier film of Cu diffusion and as a plating seed layer with single film, and exhibits excellent adhesion to Cu.
単膜でＣｕ拡散のバリア膜及びめっきシード層として機能するとともに、Ｃｕとの密着性にも優れた金属薄膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁 - Metallic sulfides such as TiS, ZrS, VS, NbS, CrS, FeS, MnS, MoS2 and TaS and/or multiple carbosulfides such as Ti2CS, Zr2CS, Nb2CS2, Ta2CS2 and Ti4V6C5S6 is dispersed into a Cu base.
Cu基地中に、TiＳ，ZrＳ，ＶＳ，NbＳ，CrＳ，FeＳ，MnＳ，MoＳ____2 ，TaＳ等の金属硫化物および／または Ti_2ＣＳ， Zr_2ＣＳ， Nb_2ＣＳ_2 ， Ta_2ＣＳ_2 ， Ti_4Ｖ_6 Ｃ_5 Ｓ_6 等の複合炭硫化物を分散させる。 - 特許庁 - Cu-PLATED STEEL SHEET FOR SPRING SUPERIOR IN CONDUCTIVITY AND SPRING MATERIAL FOR ELECTRICAL CONTACT
導電性に優れたばね用Ｃｕめっき鋼板および電気接点ばね材料 - 特許庁 - The plated film 107 is a Cu film formed through an electroplating method.
このメッキ膜１０７は、電界メッキ法によりＣｕ膜をメッキすることで形成する。 - 特許庁 - In the precipitation strengthening type high strength steel, after aging treatment, Cu clusters having a BCC (body-centered cubic) structure with a particle diameter of ≤5 nm are precipitated in ≥5% by a volume ratio to the volume of the whole Cu.
時効処理後に、粒径が５ｎｍ以下のＢＣＣ構造になるＣｕクラスターを、全Ｃｕの体積に対して、体積率で５％以上析出させる。 - 特許庁 - Further, one or more kinds of metals selected from Cu, Ni, Cr and Mo, or one ore more kinds of metals selected from Nb, V, Ti and B, or one or more kinds metals selected from rare earth metals and Ca may be incorporated therein.
さらにCu、Ni、Cr、Moのうちの１種以上、あるいはNb、Ｖ、Ti、Ｂのうちの１種以上、あるいはREM 、Caのうちから選ばれた１種以上を含有してもよい。 - 特許庁
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