「cu」を含む例文一覧(5425)
＜前へ 1 2 .... 20 21 22 23 24 25 26 27 28 .... 108 109 次へ＞- The coating layer is an alloy layer containing 20 to 80 mass% Cu and the balance Pb.
被覆層を、２０〜８０質量％のＣｕ、残部Ｐｂからなる合金層とする。 - 特許庁 - Thus, an upper part 2a of the side of the Cu electrode layer 2 is formed in a forward taper shape.
これにより、Ｃｕ電極層２の側面上部２ａを順テーパ形状とする。 - 特許庁 - The chip 14 and the Cu plate 6 are covered with a sealing resin 8a and made into a package.
チップ１４とＣｕ板６は、封止樹脂８ａで覆われてパッケージ化されている。 - 特許庁 - SINTERED Cu-BASED ALLOY, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND BEARING USED IN MOTOR FOR DEIONIZED WATER
Ｃｕ基焼結合金とその製造方法並びに純水用モータに用いる軸受 - 特許庁 - At least one of Ag, Cu, and Al is contained in the light sensitive paste material.
また、感光性ペースト中に、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌのうち少なくとも一つを含んでいる。 - 特許庁 - The Cu film 12F is a thin film which does not have a passage pattern functioning as a barrier rib layer.
Ｃｕ膜１２Ｆは隔壁層として機能する流路パターンを持たない薄膜である。 - 特許庁 - A Tan film 16 is formed at the grooves 15 and a Cu film 17 is formed in addition.
配線溝１５にＴａＮ膜１６を形成し、さらにＣｕ膜１７を形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which a wiring trench can be filled with Cu of huge grains.
配線溝にＣｕを埋め込むことができ、かつグレインが大きな半導体装置の提供。 - 特許庁 - In a positive-electrode mixture, a predetermined quantity of Fe-Cu alloy powder is intentionally made contained.
正極合剤中に、所定量のＦｅ−Ｃｕ合金粉末を意図的に含有させた。 - 特許庁 - Here, [Cu], [Si], [N], and [Mo] are contents of each element shown by mass%.
ここで、［Ｃｕ］、［Ｓｉ］、［Ｎ］、及び［Ｍｏ］は、質量％で表した各元素の含有量とする。 - 特許庁 - To suppress metal splashes caused by an impact occurring during bonding even though a wire is a Cu wire.
ワイヤがＣｕワイヤであっても、ボンディング時の衝撃による金属のスプラッシュを抑制する。 - 特許庁 - Dielectric paste is applied so as to cover a Cu wiring layer on a ceramic base.
セラミック基板１上のＣｕ配線層１２を覆うように誘電体ペーストを塗布する。 - 特許庁 - A Ni film 16 is formed on the Cu electrode 12 in the through-hole 14.
スルーホール１４内においてＣｕ電極１２上にＮｉ膜１６が形成されている。 - 特許庁 - Cu-Cr ALLOY POWDER AND CONTACT MATERIAL FOR VACUUM CIRCUIT BREAKER USING THE SAME
Ｃｕ−Ｃｒ合金粉末およびそれを用いた真空遮断器用接点材料 - 特許庁 - The one in which Si, Mn, Cr, Mo, Cu, Ni or the like are suitably added as steel components may be used.
鋼成分としてＳｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ｎｉ等を適宜添加したものを用いることができる。 - 特許庁 - To form a light absorbing layer of a chalcopyrite-type solar cell as a homogeneous Cu(In, Ga)-Se layer.
カルコパイライト型太陽電池の光吸収層を、均質なＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ層として形成する。 - 特許庁 - To provide a Cu-Ni-Si base alloy for electronic parts having an excellent balance in strength and bending workability.
強度、曲げ加工性のバランスに優れた電子部品用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金。 - 特許庁 - To provide a method of forming a CVD-Ru film with excellent wettability of Cu.
Ｃｕの濡れ性が良好なＣＶＤ−Ｒｕ膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁 - By reducing the concentration of dissolved oxygen in water, decomposition of Cu (hfac) tmvs is suppressed.
水中の溶存酸素濃度を減少させることにより、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓの分解が抑制される。 - 特許庁 - Al-Ni-La-Cu-BASED Al ALLOY SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - Cu conductive layers 14 and 26 are provided to the inside of each low relative permittivity film 4.
各低比誘電率膜４の内部にＣｕ導電層１４，２６が設けられている。 - 特許庁 - CU-NI-SI-BASED ALLOY WITH SUPPRESSED WRINKLE AT BENT PORTION AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
曲げ部のしわを低減させたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金及びその製造方法 - 特許庁 - The metal layer 3 contains elements such as Cu, Ni, Au, Pd, etc., and is formed by plating and sticking.
メタル層３は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ等であり、メッキ及び貼付けにより形成する。 - 特許庁 - The Cu film 114, the barrier metallic film 113, and the barrier metallic film 111, are removed.
次いで、Ｃｕ膜１１４、バリア金属膜１１３及びバリア金属膜１１１を除去する。 - 特許庁 - To provide slurry in which the Cu of an overplating part can be removed while reducing dishing.
ディッシングを低減しつつオーバープレーティング部のＣｕを除去可能なスラリーを提供する。 - 特許庁 - The conductive powder, for example, has a surface of Cu-Ni covered with a glass material.
導電性粉末は、例えば、Ｃｕ−Ｎｉの表面がガラス材で被覆されている。 - 特許庁 - Cu-CONTAINING STEEL FOR WELD STRUCTURE SUPERIOR IN SURFACE PROPERTY, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
表面性状に優れた溶接構造用Ｃｕ含有鋼およびその製造方法 - 特許庁 - The Cu film 9 which remains in the peripheral edge of the substrate is dissolved with chemical and eliminated.
基板周縁部に残存するＣｕ膜９を薬液により溶解させて除去する。 - 特許庁 - To reduce the resistance and stress of a barrier metal film used for a Cu wire.
Ｃｕ配線に使用されるバリアメタル膜の抵抗および応力の低減化を図ること。 - 特許庁 - To obtain a laser element having a nitride semiconductor laser bar securely fixed onto a Cu heat sink.
窒化物半導体レーザバーがＣｕヒートシンク上に、強固に固定ているレーザ素子を得る。 - 特許庁 - PROCESSED FOOD OF ORGANISM CONTAINING Cu AS CORE COMPONENT OF BLOOD AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
血液の中核構成がＣｕである生物の加工食品及び製造方法 - 特許庁 - Pcm=C+Si/30+(Mn+Cu+Cr)/20+Ni/60+Mo/15+V/10+5B (1); the symbols in the formula (1) denote the mass% of the respective elements.
Ｐｃｍ＝Ｃ＋Ｓｉ／３０＋（Ｍｎ＋Ｃｕ＋Ｃｒ）／２０＋Ｎｉ／６０＋Ｍｏ／１５＋Ｖ／１０＋５Ｂ （１） 式（１）中の記号は各元素の質量％を示す。 - 特許庁 - The Cu wiring WR contains copper and is provided on the semiconductor substrate SB.
Ｃｕ配線ＷＲは銅を含有し半導体基板ＳＢ上に設けられている。 - 特許庁 - COPPER CURRENT COLLECTOR FOR SECONDARY BATTERY COMPRISING Cu-NITRILE COMPOUND COMPLEX FORMED ON SURFACE THEREOF
表面にＣｕ−ニトリル化合物錯体が形成された二次電池用銅集電体 - 特許庁 - Cu-Ni-Si BASED COPPER ALLOY STRIP HAVING EXCELLENT BENDING WORKABILITY IN BAD WAY
ＢａｄＷａｙの曲げ加工性が優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金条 - 特許庁 - A non-lead metal such as Ag, Sn, Cu, Au or Ni, for example, is used as a material for capacitor electrodes.
コンデンサ電極の材料としては、非鉛系金属、例えば、Ａｇ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉが使用される。 - 特許庁 - To be optimum, the high tension aluminum is made of an Al-Zn-Mg-Cu alloy.
また高張力アルミニウムはＡｌ−Ｚｎ−Ｍｇ−Ｃｕ系合金とすれば最適である。 - 特許庁 - Cu-Pb BASED COPPER ALLOY HAVING FINE LEAD STRUCTURE AND PLAIN BEARING FOR INTERNAL COMBUSTION ENGINE
微細鉛組織を有するＣｕ−Ｐｂ系銅合金及び内燃機関用すべり軸受 - 特許庁 - Al-Zn-Mg-Cu-BASED ALUMINUM ALLOY CONTAINING ZR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Ｚｒを含むＡｌ−Ｚｎ−Ｍｇ−Ｃｕ系アルミニウム合金及びその製造方法 - 特許庁 - In this charging container for anhydrous hydrofluoric acid, inner surfaces of the charging container is coated with copper (Cu) or silver (Ag).
充填容器内面を銅（Ｃｕ）、または、銀（Ａｇ）で被覆することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an annealed wafer improved in a gettering effect to Cu.
Ｃｕに対するゲッタリング効果を向上してなるアニールウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁 - Ni-Cu-Al ALLOY HAVING LOW REHEATING-CRACK SENSITIVITY AND SUPERIOR HOT WORKABILITY
再加熱割れ感受性が低く、熱間加工性に優れるＮｉ−Ｃｕ−Ａｌ合金 - 特許庁 - Cu-In-Ga TERNARY SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET, AND ITS MANUFACTURING METHOD
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - The sputtering target material is used for forming the Cu alloy film for wiring film.
また、上記の配線膜用Ｃｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材である。 - 特許庁 - IMPROVED ON-CHIP Cu INTERCONNECTION USING METAL CAP HAVING A THICKNESS OF 1 TO 5 NM
１ないし５ｎｍの厚さの金属キャップを用いる改良されたオンチップＣｕ相互接続 - 特許庁 - The body 32 is formed of Cu-Ni-Zn alloy powder by sintering it.
軸受本体３２は、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ合金粉末を焼結して形成されている。 - 特許庁 - Thus, the organic contaminants on the surfaces of Cu wiring and insulating film are removed effectively.
Ｃｕ配線表面及び絶縁膜表面の有機汚染物を効果的に除去できる。 - 特許庁 - Consequently, upper surface of the Cu film in the trench becomes flush with the upper surface of the TaN.
これにより、トレンチ内のＣｕ膜の上面位置は、ＴａＮ上面位置と同一となる。 - 特許庁 - Cu-Ni-Si-BASED COPPER ALLOY EXCELLENT IN BENDABILITY AND STRESS RELAXATION RESISTANCE
曲げ加工性及び耐応力緩和特性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金 - 特許庁 - Cu ALLOY WIRING FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SPATTERING TARGET USED FOR FORMING THE SAME
半導体装置用Ｃｕ系合金配線及びその形成に用いるスパッタリングターゲット - 特許庁
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