「cu」を含む例文一覧(5425)

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  • In addition, the Cu-diffused ZAS alloy has no clear interface between Cu and the ZAS alloy.
    なお、このＣｕ拡散ＺＡＳ合金においては、ＣｕとＺＡＳ合金との間に明確な界面は存在しない。 - 特許庁
  • The Cu-In based metal powder with excellent oxidation resistance is constituted by coating the surface of Cu particles with In.
    Ｃｕの粒子表面をＩｎで被覆してなる耐酸化性の優れたＣｕ・Ｉｎ系金属粉体である。 - 特許庁
  • Cu-Ni-Si BASED ALLOY AND Cu-Co-Si BASED ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金、Ｃｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金及びその製造方法 - 特許庁
  • Cu-Co-Si-BASED ALLOY HAVING EXCELLENT BENDING WORKABILITY
    曲げ加工性に優れたＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金 - 特許庁
  • A via hole 3 connecting a Cu wiring 1 is formed in an interlayer insulation film 2 covering the Cu wiring 1.
    Ｃｕ配線１を覆う層間絶縁膜２内に、Ｃｕ配線１に接続するビアホール３を形成する。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR DEVICE CU WIRING AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    半導体装置のＣｕ配線およびその製造方法 - 特許庁
  • To improve the half-like of a ZnS: Cu, Cl electroluminescence phosphorescent substance.
    ZnS:Cu,Clエレクトロルミネセンス燐光体の半減期を改善する。 - 特許庁
  • A Cu electrode 3 is obtained by removing the A1 pattern 2.
    Ａｌパターン２を除去してＣｕ電極３を得る。 - 特許庁
  • In the catalyst component 3, finally Cu is supported.
    また，触媒成分３は，Ｃｕが最後に担持されている。 - 特許庁
  • QUATERNARY Pb-FREE SOLDER COMPOSITION OF Sn-Ag-Cu-In
    錫・銀・銅・インジウムの４元系鉛フリー半田組成物 - 特許庁
  • It is preferable that the metal film 4 contains at least one selected from a group of Au, Ag, Cu, Pt, Ni, Co, Fe, and Al.
    金属膜４は、Au、Ag,Cu,Pt、Ni、Co、Fe及びAlからなる群より選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましい。 - 特許庁
  • The second Cu compound layer 24 may be composed of a mixture containing Cu and substance of group 16.
    前記第２銅化合物層２４は、Ｃｕ及び１６族の物質を含む混合物から形成されてもよい。 - 特許庁
  • Cu-Co-Si-BASED ALLOY, ROLLED COPPER ARTICLE, ELECTRONIC COMPONENT, CONNECTOR, AND METHOD FOR PRODUCING Cu-Co-Si-BASED ALLOY
    Ｃｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金、伸銅品、電子部品、コネクタ及びＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金の製造方法 - 特許庁
  • Ni-Cu-Zn FERRITE AND ITS MANUFACTURING METHOD
    Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトおよびその製造方法 - 特許庁
  • Cu-Be BASED COPPER ALLOY PLATE MATERIAL AND PRODUCING METHOD THEREFOR
    Ｃｕ−Ｂｅ系銅合金板材およびその製造法 - 特許庁
  • Believe me, life is better as a dog, cu.
    "犬の一生は 人生よりも上等だ。" 信じろよ、クー。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • Cu-Zn-Sn-BASED ALLOY FOR ELECTRICAL AND ELECTRONIC EQUIPMENT
    電気電子機器用Ｃｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金 - 特許庁
  • To provide a method for forming a Cu line.
    Ｃｕラインを形成する方法を提供することである。 - 特許庁
  • To provide a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer, a solar battery, a method for forming a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, and a method for forming a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer.
    Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ_２薄膜層、Ｃｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ，Ｓｅ）_２ 薄膜層、太陽電池、Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ_２薄膜層の形成方法及びＣｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ、Ｓｅ）_２薄膜層の形成方法を提供 - 特許庁
  • An organic film that does not include oxygen is used for an interlayer insulating film 11 as a diffusion barrier, and a Cu wiring 12 is surrounded directly by this interlayer insulating film 11, and a barrier metal is not used at least on the side wall of the Cu wiring 12.
    酸素を有しない有機膜を、拡散バリアとして層間絶縁膜11に用い、この層間絶縁膜11でCu配線12を直接囲む構造とし、バリア金属は少なくともCu配線12の側壁に用いない構造とする。 - 特許庁
  • The ferrite material composed mainly of oxide of spinel structure, the main ingredient of which is Fe and containing at least one or more kinds among Zn, Ni and Cu, and contains 0.01-20 vol.% oxide, the main ingredient of which is at least one kind among Zn, Ni and Cu.
    Feを主成分としてZn、NiまたはCuの少なくとも１種以上を含むスピネル構造の酸化物を主体とし、Zn、NiあるいはCuのうち少なくとも１種を主成分とする酸化物を0.01〜20体積%含有するフェライト材料とする。 - 特許庁
  • A metal conductor (for instance, Cu or a Cu alloy) having a low electrical resistance value and a high linear expansion coefficient is braided into a braided wire, and is connected using a conductive bonding material to a wiring connecting portion on the upper surface of the semiconductor element of the semiconductor device.
    半導体装置の半導体素子上面の配線接続に、電気抵抗値は低いが線膨張係数が大きい金属（例えばCuあるいはCu合金）の導体を、編み線状にして導電性接合材により接続する。 - 特許庁
  • The semiconductor device is provided with structure in which a semiconductor element is connected to a Cu or Ni electrode through a junction layer composed of Cu and the Cu junction layer and the Cu or a Ni electrode are joined to each other by diffused junction.
    半導体素子と、ＣｕまたはＮｉ電極がＣｕで構成された接合層を介して接続され、前記Ｃｕ接合層と前記ＣｕまたはＮｉ電極とが相互拡散接合している構造を備えた半導体装置。 - 特許庁
  • The semiconductor device further comprises second Cu wiring 105 provided on the first barrier insulating film 103 and a second barrier insulating film 106 that is provided on the second Cu wiring 105 and prevents diffusion of Cu from the second Cu wiring 105.
    また、第１のバリア絶縁膜１０３の上には、第２のＣｕ配線１０５と、第１のＣｕ配線１０５の上に設けられ、第２のＣｕ配線１０５からＣｕの拡散を防ぐ第２のバリア絶縁膜１０６と、を備える。 - 特許庁
  • Sn-PLATED STRIP OF Cu-Ni-Si-Zn-BASED ALLOY
    Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｚｎ系合金Ｓｎめっき条 - 特許庁
  • The Cu posts 1h at a corner out of outermost circumferential Cu posts 1h arranged in a rectangle are a dummy post.
    矩形状に配置された最外周のＣｕポスト１ｈのうち角部に位置するＣｕポスト１ｈは、ダミーポストである。 - 特許庁
  • For example, La(EDMDD)_3 is employed as an La material, and Cu(EDMDD)_2 is employed as a Cu material.
    Ｌａ原料として例えばＬａ（ＥＤＭＤＤ）_3 、Ｃｕ原料として例えばＣｕ（ＥＤＭＤＤ）_2 を用いる。 - 特許庁
  • Cu-BASED WIRING MATERIAL AND ELECTRONIC COMPONENT USING THE SAME
    Ｃｕ系配線用材料およびそれを用いた電子部品 - 特許庁
  • Further, a Cu film 103 is formed on the seed film 102 by the plating processing to form the Cu wire.
    それから、このシード膜１０２上に、めっき処理によってＣｕ膜１０３を成膜してＣｕ配線を形成する。 - 特許庁
  • The Cu diffusion prevention insulation layer of the multi-layer structure of two layers or more is formed on Cu wiring by a CVD method.
    Ｃｕ配線上にＣＶＤ法により２層以上の多層構造のＣｕ拡散防止絶縁層を形成する。 - 特許庁
  • Cu-Zn ALLOY WITH HIGH STRENGTH AND EXCELLENT BENDABILITY
    高強度で曲げ加工性に優れたＣｕ−Ｚｎ系合金 - 特許庁
  • Sn-Ag-Cu-Bi-In SOLDER FOR ELECTRONIC APPARATUS
    電子機器用Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだ - 特許庁
  • CHEMICAL POLISHING LIQUID AND METHOD FOR CHEMICAL-POLISHING Cu ALLOY MATERIAL
    化学研磨液及びＣｕ合金材の化学研磨方法 - 特許庁
  • To provide a method for depositing a Cu film, which can deposit a CVD-Cu film having good surface properties.
    表面性状が良好なＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁
  • Further, 5 to 30% Pt, 10 to 30% Cr, >0 to 10% Ta, >0 to 30% Ni and >0 to 15% (Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+Ru+Rh+Pd+ Os+Ir+rare earth elements) can be incorporated therein.
    30≧Pt≧5at%、30≧Cr≧10at%、10≧Ta＞0at%、30≧Ni＞0at%、さらには、15≧(Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+Ru+Rh+Pd+Os+Ir+希土類元素)＞0at%を含有させることが可能である。 - 特許庁
  • To reliably deposit a Cu film by an electrolytic plating.
    電解めっき法によるＣｕ膜の確実に析出させる。 - 特許庁
  • And (9)Inhibition: weakly inhibited by Mn^2+, Co^2+, Cu^2+, EDTA and iodoacetic acid and strongly inhibited by Hg^2+ and SDS.
    （９）阻害：Mn^２＋、Co^２＋、Cu^２＋、ＥＤＴＡ、ヨード酢酸により弱く阻害を受け、Hg^２＋、ＳＤＳにより強く阻害される。 - 特許庁
  • By this film-formation method, under the Cu seed film 10 and the Cu plating film 11, always the barrier metal film 9 is present.
    これにより、Ｃｕシード膜１０及びＣｕめっき膜１１の下には、必ずバリアメタル膜９が存在することになる。 - 特許庁
  • A Cu plating layer 15 and an Ni plating layer 17 are formed on the Cu sputtered layer 13 by first electroplating.
    次に、第１電解メッキにより、Ｃｕスパッタ層１３上にＣｕメッキ層１５及びＮｉメッキ層１７を形成する。 - 特許庁
  • Further, preferably, the Cu droplets are formed by dropping Cu molten metal to which pressure and vibration are applied from an orifice.
    また、前記Ｃｕ液滴は、圧力と振動を付与したＣｕ溶湯をオリフィスより滴下して形成することが好ましい。 - 特許庁
  • By heat-treating the precursor at 450C° or lower, the Cu-based electrode including the Ti-based barrier film can be formed.
    この前駆体を450℃以下で熱処理することで、Ti系バリア膜を有するCu系電極を形成することが可能となる。 - 特許庁
  • In such a way, the unevenness on the surface of the formed Cu-Sn intermetallic compound layer 5 is small one of ≤0.5 μm Rmax.
    このようにして、形成されたCu-Sn金属間化合物層５の表面の凹凸は小さくRmaxは0.5μｍ以下である。 - 特許庁
  • Next, the Cu plating is performed by an electroplating method, thereby filling the via holes 13 and the wiring groove 14 with a Cu layer 18.
    次に、電解メッキ法でＣｕメッキすることにより、ビアホール１３及び配線溝１４をＣｕ層１８で埋め込む。 - 特許庁
  • The Cu-Ag alloy wire has a wire diameter of ≤0.1 mm, tensile strength of ≥290 MPa, elongation of ≥10% and electric conductivity of ≥80% IACS.
    このCu-Ag合金線は、線径が0.1mm以下、引張強さが290MPa以上、伸びが10％以上、導電率が80％IACS以上である。 - 特許庁
  • The heat dissipation substrate is a sintered alloy of Cu-stainless invar and a content of Cu is 30 to 70 mass%.
    放熱基板は、Ｃｕ−ステンレスインバーの焼結合金であって、前記Ｃｕの含有量が３０〜７０質量％である。 - 特許庁
  • In this case, the solder alloy comprises more than 3.8 mass% and 4.2 mass% or less Ag, 0.8-1.2 mass% Cu and the balance substantially Sn.
    このときのはんだ合金は、Ag:3.8質量％超4.2 質量％以下、Cu:0.8〜1.2 質量％、残部実質上Snからなる。 - 特許庁
  • PRODUCTION OF LOW OXYGEN HIGH DENSITY Cu/Cr SPUTTERING TARGET
    低酸素高密度Ｃｕ／Ｃｒスパッタ・ターゲットの製造方法 - 特許庁
  • A barrier layer and a Cu wiring layer are formed in the wiring groove.
    配線溝にバリア層とＣｕ配線層を形成する。 - 特許庁
  • The heatsink 3 has a joining structure in which a Cu-Mo composite body 30 is interposed between a pair of Cu plates 32 and 34.
    ヒートシンク３は、Ｃｕ−Ｍｏ複合体３０を一対のＣｕ板３２，３４で挟んだ接合構造を有する。 - 特許庁
  • To allow the respective properties of Bi and a hard material to be exhibited in a Cu-Bi-hard material based sintered alloy.
    Cu-Bi-硬質物系焼結合金においてBi及び硬質物のそれぞれの性質が十分に発揮できるようにする。 - 特許庁
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