METHOD OF FORMING Cu FILM, AND STORAGE MEDIUM Cu膜の成膜方法および記憶媒体 - 特許庁
This high carbon steel sheet excellent in surface properties is the one contg., by weight, 0.3 to 1.3% C, ≥0.1% Si, 0.02 to 0.1% Ni, 0.02 to 0.1% Sn and 0.02 to 0.3$ Cu and also satisfying the relational inequality of Cu+3×Sn<4×Ni. 重量%で、 C:0.3〜1.3%,Si:0.1%以上,Ni:0.02〜0.1%,Sn:0.02〜0.1%,Cu:0.02〜0.3%を含有し、かつ、Cu+ 3×Sn< 4×Niの関係式を満足することを特徴とする表面性状に優れた高炭素鋼板。 - 特許庁
The Cu matrix in the alloy consists of an acid-soluble Cu composition which is a Cu composition dissolved in an acid solution, and an acid non-soluble Cu composition which is a Cu composition not dissolved in an acid solution, and the quantity of the acid non-soluble Cu composition is 10-1,000 ppm. そして、合金中のCuマトリックスを、酸性溶液に溶解するCu成分である酸溶解性Cu成分と、酸性溶液に溶解しないCu成分である酸非溶解性Cu成分とから成るものとし、酸非溶解性Cu成分の量を10ppm〜1000ppmとする。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING Mn-Cu BASED DAMPING ALLOY Mn−Cu系制振合金の製造方法 - 特許庁
Continuously, after a barrier film 108, a Cu film 109 and a Cu film 110 are deposited, the substrate is heated. 続いてバリア膜108、Cu膜109、Cu膜110を堆積後、基板を加熱する。 - 特許庁
SOLDERING MATERIAL COMPRISING Sn, Ag AND Cu Sn、AgおよびCuからなるはんだ物質 - 特許庁
Cu-In BASED METAL POWDER AND MANUFACTURING METHOD Cu・In系金属粉体およびその製法 - 特許庁
The element is one kind or more selected from the group consisting of Cu, Ag, Zn, La, Ce, Mn, Co, Ni, Fe and a mixed rare earth element. 前記元素がCu,、Ag、Zn、La、Ce、Mn、Co、Ni、Fe、混合希土類からなる群から選ばれる1種以上である。 - 特許庁
TINNED STRIP OF Cu-Sn-P-BASED ALLOY Cu−Sn−P系合金すずめっき条 - 特許庁
The lower wiring 25 is formed of a wiring material other than Cu, and the upper wiring 29 is formed of Cu. 下配線25はCu以外の配線材料からなり、上配線29はCuからなる。 - 特許庁
FILM DEPOSITION METHOD FOR Cu FILM AND STORAGE MEDIUM Cu膜の成膜方法および記憶媒体 - 特許庁
Cu-FREE, Zr-BASED METAL GLASS ALLOY Cuを含まないZr基金属ガラス合金 - 特許庁
To provide a semiconductor device allowing a Cu wire to be mounted on a Cu wiring layer. Cu配線層上にCuワイヤを実装可能とする半導体装置を提供すること。 - 特許庁
Ni-Cu-Zn-BASED MAGNETIC FERRITE MATERIAL Ni−Cu−Zn系フェライト磁性材料 - 特許庁
Sn-Ag-Cu BASE SOLDER FOR ELECTRONIC APPARATUS 電子機器用Sn−Ag−Cu系はんだ - 特許庁
Cu-Cr-Si-BASED ALLOY AND Cu-Cr-Si-BASED ALLOY FOIL FOR ELECTRICAL/ELECTRONIC COMPONENT 電気・電子部品用Cu−Cr−Si系合金およびCu−Cr−Si系合金箔 - 特許庁
This configuration can prevent the diffusion of Cu from the Cu wiring 24 to the coating layer 31. これにより、Cu配線24から被覆層31へのCuの拡散を防止することができる。 - 特許庁
To improve the casting-crack resistance of an Al-Mn-Mg-Cu-based alloy used as a material for food cans. 食缶用材料として用いられるAl-Mn-Mg-Cu系合金の鋳造割れ性を改善する。 - 特許庁
As a result, 0.02% bearing force of the Cu/NbTi-based reinforced type Nb_3Sn wire 10 can be set above 300 MPa. その結果、Cu/NbTi系強化型Nb_3Sn線材10の0.2%耐力を300MPa以上とすることが可能となる。 - 特許庁
The sputtering target comprises highly pure Cu. 高純度Cuからなるスパッタリングターゲットである。 - 特許庁
To achieve wide, shallow, and firm bonding between a Cu based bonding wire and a Cu based terminal. Cu系のボンディングワイヤとCu系の端子との間に広くて浅くて強固な接合を得ること。 - 特許庁
TREATMENT METHOD FOR SUBSTANCE CONTAINING Sn, Pb AND Cu Sn,Pb,Cu含有物質の処理方法 - 特許庁
The MnO film is removed, Cu is further deposited on the Cu film and the wiring forming film is additionally deposited. MnO膜を除去し、Cu膜上にさらにCuを堆積し、配線形成膜を積み増す。 - 特許庁
Cu-Cr-BASED COPPER ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL 電子材料用Cu−Cr系銅合金 - 特許庁
Cu ION MINERAL STERILIZED WATER GENERATOR AND METHOD FOR USING Cu ION MINERAL STERILIZED WATER GENERATOR Cuイオンミネラル殺菌水発生装置とCuイオンミネラル殺菌水発生装置の使用方法 - 特許庁
METHOD OF REMOVING Cu ION FROM ARSENIC ACID SOLUTION 砒酸溶液からのCuイオンの除去方法 - 特許庁
The RDL 14 is made of an alloy including Ti/Cu/Au alloy or Ti/Cu/Ni/Au alloy. RDL14は、Ti/Cu/Au合金またはTi/Cu/Ni/Au合金を備える合金から作られる。 - 特許庁
The ferritic stainless steel also preferably includes one or two elements of Cu and V in a range satisfying a particular correlation expression. Cu、Vのいずれか1種または2種を特定の相関式を満たす範囲で含むことが好ましい。 - 特許庁
To prevent Cu contamination from a substrate back surface when Cu-DD wiring is used. Cu−DD配線を用いた場合における基板裏面からのCu汚染を防止すること。 - 特許庁
The foamed metallic material is formed into a three-dimensional reticular porous one by Cu or a Cu alloy. 発泡金属材はCu又はCu合金により三次元網状多孔質に形成される。 - 特許庁
The composite alloy is formed of a Cu pooling phase 3 and a Mo-Cu alloy phase 2. 前記複合合金は、Cuプール相3とMo−Cu合金相2で形成されてなる。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING Cu-BASED EMBEDDED WIRING AND PULSE PLATING METHOD OF Cu-BASED EMBEDDED WIRING Cu系埋込配線を有する半導体装置及びCu系埋込配線のパルスメッキ方法 - 特許庁
The lining layer 3 is composed of one kind selected from Cu, Al, a Cu alloy and an Al alloy. ライニング層3はCu,Al,Cu合金およびAl合金から選択される一種よりなる。 - 特許庁
To provide a wiring forming method that prevents a wiring made of Cu or a Cu alloy from being corroded while improving corrosion resistance to Cu. Cuへの防食性を向上して、Cu又はCu合金からなる配線が腐食するのを防止する配線形成方法の提供。 - 特許庁
Although Cu-NH3 complexes occurred at small activities, their toxic effect on N. europaea was evident. Cu-NH3錯体の活性度は低かったけれど,N. europaeaに対するそれらの毒性影響は明白であった。 - 英語論文検索例文集
To protect Cu damascene wiring against erosion. Cuダマシン配線のエロージョンを抑制すること。 - 特許庁
To form a thin Cu film 16 of high quality by increasing a deposition speed and drastically reducing the cost. 成膜速度が速く、コストを大幅に減少させて高品質なCu薄膜16を生成する。 - 特許庁
The purification method comprises adding an arsenious acid together with zinc dust to the liquid in a Cu removal process, sending the post-decupirization liquid including the generated decupirization residue to a Co removing process without filtration, and implementing the Co removal by adding the zinc dust again to the liquid. 脱Cu工程で、亜鉛末と共に亜砒酸を添加し、生成した脱Cu残渣含みの脱Cu後液を、濾過すること無く脱Co工程に送り、亜鉛末を再添加することにより脱Coを実施する。 - 特許庁
In addition, the method for manufacturing the copper ball is characterized by melting a small piece of an alloy with a large surface tension consisting of 0.5-40 mass% Zn and the balance Cu at a temperature not lower than the melting point of Cu higher, to make spherodized balls. また本発明の銅ボールの製造方法は、表面張力の大きいZn0.5〜40質量%、残部Cuからなる合金の小片をCuの溶融温度以上で溶融して球状化する。 - 特許庁
Cu-(Hf, Zr)-Ag METAL GLASS ALLOY Cu−(Hf、Zr)−Ag金属ガラス合金。 - 特許庁
Cu-Ti ALLOY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME Cu−Ti合金およびその製造方法 - 特許庁
DEPOSITION METHOD AND FORMATION METHOD OF Cu WIRE 成膜方法およびCu配線の形成方法 - 特許庁
Alternatively, in the production method, Cu is infiltrated into a porous body obtained by sintering Cr powder and Cu powder to make a Cr-Cu alloy stock, and it is subjected to warm rolling to obtain a Cr-Cu alloy sheet. Cr粉末とCu粉末との混合粉末を焼結した多孔質体にCuを溶浸して、Cr−Cu合金素材とし、これを温間圧延でCr−Cu合金板とする製造方法。 - 特許庁
Cu-Zn-Sn BASED ALLOY TIN PLATED STRIP Cu−Zn−Sn系合金すずめっき条 - 特許庁
Al-Cu BONDING RIBBON AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR Al−Cuボンディングリボン及びその製造方法 - 特許庁
After Cu is deposited over the entire surface, Cu on the insulating layer 12 is removed by CMP operation, Cu is selectively filled into the via hole 13, and the wiring groove 14 forms a Cu damascene wiring. そして、Cuを全面に堆積した後、CMPを行って絶縁層12上のCuを除去して、ヴィアホール13及び配線溝14に選択的にCuを埋め込んで、Cuダマシン配線を形成する。 - 特許庁
Cu-Zn-Sn ALLOY FOR ELECTRICAL-ELECTRONIC APPARATUS 電気電子機器用Cu−Zn−Sn合金 - 特許庁
Cu-Co-Si-BASED ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL 電子材料用Cu−Co−Si系合金 - 特許庁
The sliding material is made of a Cu-Ni-Si-based alloy and includes 0.5-10.0 mass% of Ni, 0.1-5.0 mass% of Si, 0.1-5.0 mass% of Cr, with the balance comprising Cu and inevitable impurities, and Sn in the level of impurities. Cu-Ni-Si系合金で構成される摺動材料で、Niを0.5〜10.0質量%、Siを0.1〜5.0質量%、Crを0.1〜5.0質量%含み、残部がCuと不可避的な不純物からなり、不純物レベルでSnを含む。 - 特許庁
Cu-Zn-Sn BASED ALLOY TIN-PLATED STRIP Cu−Zn−Sn系合金すずめっき条 - 特許庁