「cu」を含む例文一覧(5425)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 108 109 次へ＞- In the two-phase copper alloy composed by mass% of 4-10% Fe and the balance Cu with inevitable impurities and composed of Cu basal phase 2 and secondary phases 4, precipitated materials mainly containing Fe are precipitated on the Cu basal phase.
質量％でFeを4％以上10％以下含有し残部Cu及び不可避的不純物からなり、Cu母相２と第二相４とからなる二相銅合金であって、Feを主体とする析出物がCu母相に析出している。 - 特許庁 - In the semiconductor device having a plurality of Cu wirings, a Cu wiring 1 and Cu wiring made of a seed Cu film 11 and a plating Cu film 12 are isolated by a hydrogen silsesquioxane (HSQ) film 3, and the HSQ film 3 is provided with a Cu plug to electrically connect the Cu wiring 1 and the seed and platin Cu films 11 and 12.
複数のＣｕ配線を有する半導体装置において、Ｃｕ配線１とシードＣｕ膜１１，メッキＣｕ膜１２からなるＣｕ配線とがＨＳＱ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）膜３によって分離され、ＨＳＱ膜３にはＣｕ配線１とシードＣｕ膜１１，メッキＣｕ膜１２とを電気的に接続するＣｕプラグを形成されている。 - 特許庁 - INK COMPOSITION HAVING Cu NANOPARTICLES DISPERSED THEREIN
Ｃｕナノ粒子分散インク組成物 - 特許庁 - Cu ALLOY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Ｃｕ合金およびその製造方法 - 特許庁 - Ni-Cu ALLOY COMPOSITE PLATING FILM
Ｎｉ−Ｃｕ合金複合メッキ被膜 - 特許庁 - Cu-CONTAINING AUSTENITIC STAINLESS STEEL
Ｃｕ含有オーステナイト系ステンレス鋼材 - 特許庁 - A slice setting part 331 controls the position of a slice boundary on a CU-by-CU basis and sets a slice structure indicating how to divide a picture into slices so as to set one of CU boundaries to be the slice boundary.
スライス設定部３３１は、スライス境界の位置をCU単位で制御し、いずれかのCU境界をスライス境界とするように、ピクチャをどのようにスライス分割するかを示すスライス構造を設定する。 - 特許庁 - Herein, a distance between the dummy Cu wiring and the Cu wiring is set to be a predetermined one or shorter, and the dummy Cu wiring is formed such that at least a part of the Cu wiring is surrounded by the dummy Cu wiring.
ここで、ダミーＣｕ配線と、Ｃｕ配線との距離は所定の距離以下とし、ダミーＣｕ配線により、Ｃｕ配線の少なくとも一部が囲まれるようにダミーＣｕ配線を形成する。 - 特許庁 - In the expressions, C, N, Ni, Cu, Mn, Cr, Si, Al, Mo, and Ti each denote the content (mass%) of each element.
γmax=420C+470N+23Ni+9Cu+7Mn-11.5Cr-11.5Si-52Al+189…式１γpot =700C+800N+10(Mn+Cu)+20Ni-9.3Si-6.2Cr-9.3Mo-74.4Ti-37.2Al+63.2…式２ここで、C、N、Ni、Cu、Mn、Cr、Si、Al、Mo、Tiは、それぞれの元素の含有量(質量%)を示す。 - 特許庁 - METHOD FOR HOMOGENIZING Al-Cu ALLOY
Ａｌ−Ｃｕ合金の均質化方法 - 特許庁 - Cu WIRING FORMATION METHOD AND DEVICE THEREOF
Ｃｕ配線形成方法及び装置 - 特許庁 - A two-layered tape 7 composed of a film 5 and a Cu layer 6 is prepared (a), and a Cu layer 8 is plated on the Cu layer 6.
まず、フィルム５とＣｕ層６からなる２層テープ７を用意し（ａ）、Ｃｕ層６上にＣｕ層８をメッキする（ｂ）。 - 特許庁 - As a result, the volume of the Cu material is increased and thus the wiring of low resistance is provided.
その分Cu材の体積が増加するので、低抵抗の配線が得られる。 - 特許庁 - NI-CU-BASED OXIDE MAGNETIC MATERIAL
Ｎｉ−Ｃｕ系酸化物磁性材料 - 特許庁 - It is preferable that the amorphous alloy contains Mo and Nb as additional major elements, and further contains Cu in some cases.
残りの主要元素としてMo、Nb、場合によりCuを含有させるとよい。 - 特許庁 - It is also possible that the diffusion of a Cu component is prevented by a barrier plating film.
バリアめっき皮膜によりCu成分の拡散を防止するようにしてもよい。 - 特許庁 - To materialize multilayer Cu wiring for preventing shape deterioration of the Cu wiring.
Ｃｕ配線の形状劣化を防止できる多層Ｃｕ配線を実現すること。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING Cu-In LAMINATING FILM
Ｃｕ—Ｉｎ積層膜の製造方法 - 特許庁 - To form a Cu wiring by embedding a trench or a hole Cu only by PVD without using Cu plating.
Ｃｕめっきを用いることなくＰＶＤのみでトレンチまたはホールＣｕを埋め込んでＣｕ配線を形成すること。 - 特許庁 - Cu-Al-Si BASED ALLOY POWDER
Ｃｕ−Ａｌ−Ｓｉ系合金粉末 - 特許庁 - METHOD FOR SEPARATING Fe AND Cu FROM Fe-Cu ALLOY BY APPLICATION OF MAGNETIC FIELD
磁場印加によりＦｅ−Ｃｕ合金からＦｅとＣｕを分離する方法 - 特許庁 - Cu-ALLOY THIN FILM, Cu-ALLOY SPUTTERING TARGET AND FLAT PANEL DISPLAY
Ｃｕ合金薄膜およびＣｕ合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ - 特許庁 - As for the metal with Cu as a major component, metal containing Ni, P, Sn, Al, Si or the like to such a degree that the plating bath is not contaminated can be used for increasing their hardness compared with a Cu simple substance.
本発明のCuを主成分とする金属としては、硬度をCu単体よりも高めるために、めっき浴を汚染しない程度のNi、P、Sn、Al、Si等を含有したものでもよい。 - 特許庁 - A wiring involving a Cu or Cu alloy layer is heat treated in an inert gas atmosphere so that the majority of Cu or Cu alloy crystal grains form twin crystals.
銅あるいは銅合金層を含む配線において、過半数の銅あるいは銅合金結晶粒が双晶を形成する様に、不活性ガス環境下で熱処理を施す。 - 特許庁 - To increase the nuclear generating density of crystal growth in the initial stage of the growth of a Cu film in the case Cu (hfac) (atms) is used in the production of a Cu film by a Cu-CVD process.
Ｃｕ−ＣＶＤプロセスによるＣｕ膜作製でＣｕ（ｈｆａｃ）（ａｔｍｓ）を用いる場合にＣｕ膜成長の初期段階で結晶成長の核発生密度を高める。 - 特許庁 - The element X is Cu, for example.
前記元素Ｘは例えばＣｕである。 - 特許庁 - A Cr-Cu alloy layer containing a Cu matrix and Cr of 30 mass% or more and 80 mass% or less is disposed on at least one surface of an organic resin-containing electrically insulating layer.
有機樹脂を含有する電気絶縁層の少なくとも片面に、Cuマトリックスと30質量％超え80質量％以下のCrを含有するCr−Cu合金層を配置する。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING Cr-Cu ALLOY SHEET
Ｃｒ−Ｃｕ合金板の製造方法 - 特許庁 - The sputtering target consists of a metal oxide sintered compact that contains an In element, a Cu element, and a Ga element in an atom ratio of Cu/(Cu+In+Ga)=0.001-0.09 and Ga/(Cu+In+Ga)=0.001-0.90.
Ｉｎ元素、Ｃｕ元素及びＧａ元素をＣｕ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．０９及びＧａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．９０の原子比で含む金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 - 特許庁 - Copper alloys can be employed which have component systems such as a Cu-Ni-Si-based (Corson alloy) alloy, a Cu-Ni-Sn-P-based alloy, a Cu-Be-based (beryllium-copper) alloy, and a Cu-Ti-based (titanium-copper) alloy.
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系（コルソン合金）、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ系、Ｃｕ−Ｂｅ系（ベリ銅）、Ｃｕ−Ｔｉ系（チタン銅）などの成分系の銅合金が適用できる。 - 特許庁 - Cu-Zn BASED ALLOY TIN-PLATED STRIP
Ｃｕ−Ｚｎ系合金すずめっき条 - 特許庁 - METHOD FOR MEASURING CONCENTRATION OF Cu IN SILICON WAFER
シリコンウェーハのＣｕ濃度測定方法 - 特許庁 - Cu-Ni-Sn-P-BASED COPPER ALLOY
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ系銅合金 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING Cu-Ga ALLOY POWDER, Cu-Ga ALLOY POWDER, METHOD FOR PRODUCING Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET AND Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET
Ｃｕ−Ｇａ合金粉末の製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金粉末、並びにＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - Cu-Co-Si-Zr ALLOY MATERIAL
Ｃｕ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｚｒ合金材 - 特許庁 - Ni-Cu-Zn BASED FERRITE MATERIAL
Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料 - 特許庁 - Cu AGE HARDENING STEEL AND ITS PRODUCTION METHOD
Ｃｕ時効鋼およびその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH Cu PATTERN AND SUBSTRATE WITH Cu PATTERN OBTAINED THEREBY
Ｃｕパターン付基板の製造方法及びそれにより得られるＣｕパターン付基板 - 特許庁 - To increase a film deposition rate by surely increasing a Cu film with respect to a film deposition time.
成膜時間に対してCu膜を確実に増加させて成膜速度を速くする。 - 特許庁 - Especially, the surface layer 103 is composed of Cu, W or Cu-W alloy.
特に、表面層１０３は、Ｃｕ、Ｗ、またはＣｕ及びＷの合金から成る。 - 特許庁 - FORMATION METHOD OF Cu WIRING, DEPOSITION METHOD OF Cu FILM, AND DEPOSITION SYSTEM
Ｃｕ配線の形成方法およびＣｕ膜の成膜方法、ならびに成膜システム - 特許庁 - The ridged part 5 is made of Cu, and the supporting film 4 is made of carbon.
その隆線形状部(5)はCuで作製され、その支持膜(4)は炭素で作製される。 - 特許庁 - To prevent corrosion of a Cu wire caused in a Damascene Cu wire forming process.
ダマシンＣｕ配線の形成工程で生じるＣｕ配線の腐蝕を防止する。 - 特許庁 - The organic metal salt is preferably Cu(OAc)_2, Co(OAc)_2, Ni(OAc)_2, Mn(OAc)_2, Zn(OAc)_2 or Pd(OAc)_2.
ここで、有機金属塩は、Cu(OAc)_2 ,Co(OAc)_2 ,Ni(OAc)_2 ,Mn(OAc)_2 ,Zn(OAc)_2 ,Pd(OAc)_2であることが好ましい。 - 特許庁 - In a later step involving a temperature rise, the Cu-plated film 12 and Cu seed layer 11 are formed into a single Cu film 13.
その後の温度上昇を伴う工程によりＣｕメッキ膜１２とＣｕシード層１１は一つのＣｕ膜１３となる。 - 特許庁 - Next, the trenches 3 for interconnections are filled with an electrolytic plating Cu film 6 by electrolytic plating with the sputter Cu film 5 as a seed layer to form a film 7 for a Cu interconnection which is formed of the sputter Cu film 5 and the electrolytic plating Cu film 6.
次に、スパッタＣｕ膜５をシード層として電解メッキ法により電解メッキＣｕ膜６を埋め込み、スパッタＣｕ膜５と電解メッキＣｕ膜６からなるＣｕ配線用膜７を形成する。 - 特許庁 - The gold brazing filler metal for jewelry has a composition composed of, by mass, 75-77% Au, 1-7% In, 1-5% Zn, and the balance Cu with inevitable impurities.
Auを75〜77mass%、Inを1〜7mass%、Znを1〜5mass%、残部 Cuと不可避不純物からなる宝飾用金ろう。 - 特許庁 - METHOD FOR EVALUATING Cu CONCENTRATION OF SILICON WAFER
シリコンウェーハ中のＣｕ濃度評価方法 - 特許庁 - The combination of the first and second coats is either Au/Au, Aau/Al, Zn/Cu, and Sn/Cu.
第１及び第２の被膜の組合せはＡｕ／Ａｕ，Ａｕ／Ａｌ，Ｚｎ／Ｃｕ又はＳｎ／Ｃｕの何れかである。 - 特許庁 - The internal electrode 2 is preferably made of copper (Cu) or copper (Cu) alloy.
内部電極２は銅（Ｃｕ）又は銅（Ｃｕ）合金により構成されることが好ましい。 - 特許庁
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