「cu」を含む例文一覧(5425)

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  • METHOD OF FORMING Cu-BASED WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
    半導体装置のＣｕ系配線形成方法 - 特許庁
  • To prevent cracking which is liable to occur in a Cu-clad Al2O2 anumina substrate by a stress, which is developed in the substrate from Cu foils on both surfaces of the substrate, in the case where the thickness of the substrate is made thin for improving a heat dissipation from a packaged semiconductor element.
    実装した半導体素子からの放熱を良くするためにCu張りAl_2Ｏ_3基板の厚さを薄くした場合に、Cu箔からAl_2Ｏ_3板に加わる応力により発生しやすくなる亀裂を防止する。 - 特許庁
  • Cu-Ni-Si-Mg BASED COPPER ALLOY STRIP
    Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｍｇ系銅合金条 - 特許庁
  • CU ALLOY FOR SEMICONDUCTOR WIRING, METHOD FOR MANUFACTURING CU ALLOY WIRING, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CU ALLOY WIRING OBTAINED BY THE MANUFACTURING METHOD, AND SPATTERING TARGET FOR FORMING CU ALLOY WIRING OF SEMICONDUCTOR
    半導体配線用Ｃｕ合金、Ｃｕ合金配線の製法、該製法で得られたＣｕ合金配線を有する半導体装置、並びに半導体のＣｕ合金配線形成用スパッタリングターゲット - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING RING MADE OF Mn-Cu ALLOY
    Ｍｎ−Ｃｕ系合金製リングの製造方法 - 特許庁
  • Or, by arranging a Ta pipe 13 in an inner side of the Nb or Nb-Ta alloy pipe, a (Mg+B)/Ta/Nb/Cu (or a Cu alloy) or (Mg+B)/Ta/Nb-Ta/Cu (or the Cu alloy) structure is provided.
    あるいは、ＮｂまたはＮｂ−Ｔａ合金パイプの内側にＴａパイプ１３を配置することにより、（Ｍｇ＋Ｂ）／Ｔａ／Ｎｂ／Ｃｕ（またはＣｕ合金）、あるいは（Ｍｇ＋Ｂ）／Ｔａ／Ｎｂ−Ｔａ／Ｃｕ（またはＣｕ合金）構造とする。 - 特許庁
  • Cu BASED ALLOY FOR THERMAL CONDUCTION, AND ITS PRODUCTION METHOD
    Ｃｕ系伝熱用合金とその製造方法 - 特許庁
  • To provide Cu (copper) wiring forming method, in which elution of Cu will not be generated upon CMP (chemical mechanical polishing) when the Ru material is employed as a barrier metal film for the Cu wiring.
    Ｒｕ材料をＣｕ配線のバリアメタル膜として使用した際、ＣＭＰ時にＣｕ溶出の発生しないＣｕ配線形成方法を提供する。 - 特許庁
  • Then to remove the barrier layer 12 and control dishing to less than 100 Å, selective buff processing is made concerning Cu: Ta or TaN and Cu: silicon dioxide.
    次に、障壁層12を取り除き100Å以下にディッシングを制御するために、Cu：Ta又はTaN及びCu：二酸化珪素に関して、選択的にバフ加工を行う。 - 特許庁
  • Cu ions in the chemical 4 are exchanged with Al of the metal plate 5 and Cu is deposited on a surface of the metal plate 5, so that the Cu ions in the chemical are removed.
    薬液４中のＣｕイオンが金属板５のＡｌと交換して、Ｃｕが金属板５表面に析出し、薬液中のＣｕイオンが除去される。 - 特許庁
  • When the chip coil is subjected to reflow soldering, the Cu of the plated Sn-Cu layer 13c malts into reflow solder and suppresses the Cu from melting out of the wire 15.
    このチップコイルをリフローはんだする際、Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃのＣｕがリフローはんだに溶出し、ワイヤ１５のＣｕが溶出するのを抑制する。 - 特許庁
  • Then the Cu in the Cu film 5 is diffused in the Al film 3 and, in addition, a Cu-Al eutectic state is formed in the Al film 3 through heat treatment.
    次に熱処理によってＣｕ膜５中のＣｕをＡｌ膜３中に拡散させ、かつＡｌ膜３中にＣｕとＡｌとの共晶状態を形成する。 - 特許庁
  • Ni-Zn-Cu FERRITE POWDER, GREEN SHEET CONTAINING Ni-Zn-Cu FERRITE POWDER AND Ni-Zn-Cu FERRITE SINTERED BODY
    Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末、該Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末を含有するグリーンシート及びＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト焼結体。 - 特許庁
  • With the laminated film as a base material layer for Cu deposition, a Cu is formed through electrolytic plating method, and the wiring channel 2 is embedded with a Cu film 6.
    その後、この積層膜をＣｕ析出用の下地層として電解めっき法によってＣｕを形成し、配線用溝２をＣｕ膜６で埋め込む。 - 特許庁
  • The intermediate layer 3 is an Al layer 3a made of Al or Al alloy, or a Cu layer 3c made of Cu or Cu alloy.
    中間層３は、Ａｌ若しくはＡｌ合金で形成されたＡｌ層３ａであるか、又は、Ｃｕ若しくはＣｕ合金で形成されたＣｕ層３ｃである。 - 特許庁
  • The laminated metals are Cu and Fe-Ni and the metals are laminated as a first Cu layer 31, a Fe-Ni layer 32, and a second Cu layer 33.
    ここで積層される金属は、ＣｕおよびＦｅ−Ｎｉであり、第１Ｃｕ層３１、Ｆｅ−Ｎｉ層３２、および第２Ｃｕ層３３として積層されている。 - 特許庁
  • The removal processing of a Cu oxidized film is executed to the Cu electrode pad 12 of the semiconductor chip 11 and the Cu inner lead 14 of a TAB tape 13.
    半導体チップ１１のＣｕ電極パッド１２とＴＡＢテープ１３のＣｕインナーリード１４に対してＣｕ酸化膜の除去処理を施す。 - 特許庁
  • [%Cu]+8×[%Sn]<α×[%Ni], [%Cu]>0[%Sn]≥0, α>0, and [%Cu], [%Sn], and [%Ni] show the mass % of the content of each element in the steel.
    ［％Ｃｕ］＋８×［％Ｓｎ］＜α×［％Ｎｉ］］［％Ｃｕ］＞０［％Ｓｎ］≧０α＞０、［％Ｃｕ］、［％Ｓｎ］、［％Ｎｉ］は、鋼中の各元素の含有率の質量％を示す。 - 特許庁
  • DISPLAY APPARATUS AND Cu ALLOY FILM USED THEREFOR
    表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜 - 特許庁
  • Cu-Ag ALLOY WIRE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
    Ｃｕ−Ａｇ合金線及びその製造方法 - 特許庁
  • Cu-Ga ALLOY MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    Ｃｕ−Ｇａ合金材およびその製造方法 - 特許庁
  • FORMATION METHOD OF Cu WIRING AND FILM-FORMING SYSTEM
    Ｃｕ配線の形成方法および成膜システム - 特許庁
  • CU PLATED ELECTROSEAMED STEEL PIPE AND MANUFACTURE THEREOF
    Ｃｕめっき電縫鋼管及びその製造方法 - 特許庁
  • To improve electromigration characteristics of Cu wiring.
    Ｃｕ配線のエレクトロマイグレーション特性を向上する。 - 特許庁
  • Ti-Cu-Zr-Pd METAL GLASS ALLOY
    Ｔｉ−Ｃｕ−Ｚｒ−Ｐｄ金属ガラス合金 - 特許庁
  • TWO-WAY ELEMENT MADE OF Cu-Al-Mn BASED ALLOY
    Ｃｕ−Ａｌ−Ｍｎ系合金製二方向素子 - 特許庁
  • Among all the teddy bears i've seen it's the most cu
    これまで見た熊の中で一番可愛いっいち - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • A lower layer Cu interconnect line 21 and an upper layer Cu interconnect line 41 are arranged through an interlayer dielectric 1.
    層間絶縁膜１を介して下層Ｃｕ配線２１と上層Ｃｕ配線４１とを配置する。 - 特許庁
  • Thereby, an Mn residue amount in a second Cu wiring consisting of the Cu layer 20 can be reduced.
    よって、Ｃｕ層２０からなる第２Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる。 - 特許庁
  • The compositional material includes Mo, W, Mo-Cu, W-Cu, and the like.
    そのような構成材料として、例えばＭｏ、Ｗ、Ｍｏ−Ｃｕ、Ｗ−Ｃｕ等を挙げることができる。 - 特許庁
  • To provide a decorative part superior in corrosion resistance and adhesion, and having an Au-Cu-based alloy hardened layer.
    耐食性、密着性に優れた表面にAu-Cu系合金硬化層を有する装飾部品を提供する。 - 特許庁
  • The relation between the Mg content and the Cu content is controlled to be Mg% ≥1.5 Cu% preferably.
    Ｍｇの含有量とＣｕの含有量の関係は、Ｍｇ％≧１．５Ｃｕ％にするのが好ましい。 - 特許庁
  • To provide an Al-Zn-Mg-Cu based alloy material having high strength, further exhibiting high elongation, and provided with excellent SCC resistance.
    強度が高く、しかも高い伸びを呈し、優れた耐SCC性を備えたAl‐Zn‐Mg‐Cu系合金材を提供する。 - 特許庁
  • The steel may further also include both Ni and Cu of each specific amount in combination, as needed.
    また、必要に応じてさらに、それぞれ特定量のNiとCuを複合して含有するものであってもよい。 - 特許庁
  • To provide a low-resistance copper wiring without using a barrier metal by improving tight-contact property of Cu and BCB(benzocyclobutane).
    CuとBCBの密着性を改善することにより、バリアメタルを用いない低抵抗な銅配線を実現する。 - 特許庁
  • Then Cu layers 12 are plated on the surfaces of the Cu layers 6, 8 after the resist layer 9 is eliminated.
    次に、レジスト層９を除去した後、Ｃｕ層６、８の表面にＣｕ層１２をメッキする（ｇ）。 - 特許庁
  • By forming the Cu film in this way, adhesion between the barrier metal film and the Cu film is improved.
    このようにＣｕ膜を形成することにより、バリアメタル膜とＣｕ膜との密着性が向上する。 - 特許庁
  • A Cu layer 20 is arranged as a material for forming a Cu interconnect on a substrate 10.
    基板１０上には、Ｃｕ配線を形成するための材料としてＣｕ層２０が配置されている。 - 特許庁
  • To provide Cu-containing steel which has no cracks caused by a Cu phase, and has excellent toughness.
    本発明は、Ｃｕ液相に起因する割れ等がなく、靭性に優れたＣｕ含有鋼を提供する。 - 特許庁
  • To provide a Cr-Cu alloy for a conducting member for an electronic component having a low thermal expansion coefficient and high electric conductivity.
    低熱膨張率で高電気伝導度の電子機器用通電部材用Cr−Cu合金を提供する。 - 特許庁
  • A thickness of the Cu-Mo composite body 30 is greater than that obtained by adding the thickness of the Cu plates 32, 34 thereto.
    Ｃｕ−Ｍｏ複合体３０の厚さは、Ｃｕ板３２，３４の厚さを足した厚さよりも大である。 - 特許庁
  • The ferritic stainless steel preferably includes one or more elements among Cu, V, Ca, Mg and B in place of a part of Fe.
    Cr＋3Mo＋6Ni≧23 ・・・（A) Al／Nb≧10 ・・・（B) Feの一部にかえてCu、V、Ca、Mg、Bのいずれか1種または２種以上を含むことが望ましい。 - 特許庁
  • To provide an electroless Cu plating liquid which satisfactorily takes a CNT (carbon nanotube) into a plating film.
    CNT（カーボンナノチューブ）をめっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Cuめっき液を提供する。 - 特許庁
  • On your system, the programs tip(1) and cu(1) can only access the /var/spool/lock directory via user uucp and group dialer.
    おそらくあなたのシステムでは tip(1) や cu(1) は uucp ユーザーか、dialer グループによってのみ実行可能なのでしょう。 - FreeBSD
  • The chalcogenide glass illuminant contains ions of 3d transition metal elements (other than ions of Ti and Cu^+).
    3d遷移金属元素のイオン(但し、TiのイオンおよびCu^+を除く)を含有するカルコゲン化物ガラス発光体。 - 特許庁
  • The Cu coating steel plate 20 has a plate thickness of 0.02-2.00 mm including the Cu coating layer 12.
    Ｃｕ被覆鋼板２０のＣｕ被覆層１２を含む板厚は例えば０.０２〜２.００ｍｍである。 - 特許庁
  • Cu-Ga ALLOY, SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING THE Cu-Ga ALLOY, AND METHOD FOR PRODUCING THE SPUTTERING TARGET
    Ｃｕ−Ｇａ合金、スパッタリングターゲット、Ｃｕ−Ｇａ合金の製造方法、スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁
  • To solve a problem that sulfides of MoS_2 and WS_2 are oxidized while being sintered together with a Cu alloy to deteriorate sliding performance.
    Cu合金とMoS_2、WS_2を焼結すると焼結中にこれら硫化物が酸化され摺動性能を損う。 - 特許庁
  • On the barrier film 8 there is formed a Cu wiring 9 that comprises Cu and completely fills the wiring groove 7.
    バリア膜８上には、Ｃｕからなり、配線溝７を埋め尽くすＣｕ配線９が形成されている。 - 特許庁
  • Ag-Cu ALLOY POWDER, ITS PRODUCTION, AND PASTE USING THIS Ag-Cu ALLOY POWDER
    Ａｇ−Ｃｕ合金粉末およびその製造方法およびこのＡｇ−Ｃｕ合金粉末を用いたペースト - 特許庁
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