「cu」を含む例文一覧(5425)

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  • The transparent thin-film electrode includes a Cu-based conductive layer containing Cu and other metals, and a metal capping layer formed at the upper portion of the Cu-based conductive layer.
    Ｃｕ及び他の金属を含むＣｕ系導電層とＣｕ系導電層の上部に形成される金属キャッピング層とを含む透明薄膜電極である。 - 特許庁
  • A Cu alloy layer is provided between a barrier metal and an alloy composed of either Cu or an alloy whose main component is Cu.
    バリアメタルと、ＣｕまたはＣｕを主成分とする合金のいずれかからなるＣｕ系メッキ層との間に、Ｃｕ系メッキ層とは組成の異なるＣｕ合金層を設ける。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a semiconductor device for forming Cu alloy wiring by uniformly distributing metallic materials different from Cu in Cu wiring.
    Ｃｕ配線中にＣｕとは異なる金属材料を均一に拡散させたＣｕ合金配線を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The grain diameter of the second electroless Cu plating 22 is 2 μm or less and the grain diameter of Cu is small when compared to the first electroless Cu plating 21.
    第２の無電解Ｃｕめっき２２の粒子径は２μｍ以下となっており、第１の無電解Ｃｕめっき２１に比較して、Ｃｕの粒子径が小さくなっている。 - 特許庁
  • Then, the Zn prevents Sn in the solder from combining with Cu in the copper ball, and the bonding strength from lowering.
    本発明の微小銅ボールは、Cu中にZnが0.01〜0.5質量％含有しているため、はんだ中のSnと銅ボールのCuとが結合するのを妨げて接合強度を低下させない。 - 特許庁
  • To solve a problem that MoS_2 and WS_2 used in a sliding material made of a Cu sintered alloy containing a solid lubricant are partially oxidized while being sintered, and graphite used in it is inferior in wettability with the Cu alloy when being sintered.
    固体潤滑剤が複合されたCu焼結合金からなる摺動材において、MoS_2, WS_2は焼結中に部分的に酸化され、黒鉛はなじみ焼結性が乏しい。 - 特許庁
  • In the power module including an organic insulating layer 2 between a Cu base substrate 1 and a Cu substrate 4, a Cu migration preventing layer is formed on a surface of the Cu base substrate and/or the Cu substrate to which a positive voltage is applied, which is brought into contact with the organic insulating layer.
    Ｃｕベース基板１とＣｕ基板４との間に有機絶縁層２を備えるパワーモジュールであって、正電圧が印加されるＣｕベース基板及び／又はＣｕ基板の有機絶縁層と接する面にＣｕマイグレーション防止層が形成されていることを特徴とするパワーモジュールである。 - 特許庁
  • Further, since the Cu film can be deposited at a low temperature and at a practical film deposition rate in this way, the flocculation of Cu is hardly caused to obtain the Cu film which has satisfactory surface properties.
    また、このように低温でかつ実用的な成膜レートでＣｕ膜を成膜できるため、Ｃｕの凝集が生じ難く、表面性状が良好なＣｕ膜となる。 - 特許庁
  • SiC/Cu COMPOSITE MATERIAL AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
    ＳｉＣ／Ｃｕ複合材料およびその製造方法 - 特許庁
  • Examples of the metal include Au, Ag, and Cu.
    金属の種類はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕなどが挙げられる。 - 特許庁
  • The wire more preferably contains ≤3% Mo, ≤2% Cu and one or more kinds selected from Zr, V, Nb, Ti and Ta by ≤2% in total.
    より好ましくは、Moを3%以下、Cuを2%以下、Zr、V、Nb、Ti、Taのうち一種又は二種以上を合計で２%以下含有する。 - 特許庁
  • To solve the problem in the conventional method of sputtering method employing an Al-Si-Cu target, that Si nodules are generated when an Al- interconnection film is deposited.
    Al-Si-Cuターゲットによるスパッタ法で、Al配線膜を堆積させるときに生ずるSiのノジュールが発生してしまう。 - 特許庁
  • SN-AG-CU-BI-BASE SOLDER FOR ELECTRONIC APPARATUS
    電子機器用Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ系はんだ - 特許庁
  • Cu-Ni-Si ALLOY HAVING EXCELLENT BENDABILITY
    曲げ加工性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金 - 特許庁
  • Cu-Ni-Si-BASED ALLOY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
    Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金及びその製造方法 - 特許庁
  • Cu-Ni-Si-Zn BASED ALLOY TINNED STRIP
    Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｚｎ系合金すずめっき条 - 特許庁
  • One or ≥ two kinds selected from Mn, P, Al, Sn, Sb, Ni, Cu, Mo, W, La, V, Nb, Ti, Y, Zr, B and Co may be incorporated therein.
    Mn、Ｐ、Al、Sn、Sb、Ni、Cu、Mo、Ｗ、La、Ｖ、Nb、Ti、Ｙ、Zr、Ｂ及びCoから選ばれる１種又は２種以上を含有させてもよい。 - 特許庁
  • The transition metal is copper (Cu) or nickel (Ni).
    上記遷移金属は、銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎｉ）である。 - 特許庁
  • To improve resistance to electromigration in copper (Cu) wiring.
    Ｃｕ配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。 - 特許庁
  • DISPLAY DEVICE, AND Cu ALLOY FILM FOR USE IN THE DISPLAY DEVICE
    表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜 - 特許庁
  • Next, a Cu film 17 on the film 13 is polished, to form a Cu-wiring layer 17a.
    次にシリコン窒化酸化膜１３上のＣｕ膜１７を研磨することによりＣｕ配線層１７ａを形成する。 - 特許庁
  • CU-CR-SN-ZN BASED ALLOY FOR PRESS WORK
    プレス加工用Ｃｕ−Ｃｒ−Ｓｎ−Ｚｎ系合金 - 特許庁
  • The thickness of the Sn layer 4 formed on the surface of Cu-Sn intermetallic compound layer is ≥0.3 μm and ≤0.8 μm.
    また、Cu-Sn金属間化合物層の表面に形成するSn層４の膜厚は0.3μｍ以上0.8μｍである。 - 特許庁
  • In the alloy layer 8, Cu_3Sn is formed in the side of the Cu-metalized part 9, and Cu_6Sn_5 is formed in the side of the solder 7.
    合金層８は、Cuメタライズ９の側には、Cu_3Snが形成され、はんだ７の側には、Cu_6Sn_5が形成されている。 - 特許庁
  • The flaky glass may include a crystal such as Cu, Cu_2O, or CuO whose constituent atom is Cu.
    鱗片状ガラス中にはＣｕを構成原子とする結晶（例えば、Ｃｕ、Ｃｕ_2Ｏ、ＣｕＯ）が含まれていてもよい。 - 特許庁
  • To provide a nitride-dispersed reinforced copper (Cu) alloy superior in tensile strength and conductivity and its manufacturing method.
    引張強度および導電率に優れた窒化物分散強化Cu合金およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Cu-Cr-Zr ALLOY, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
    Ｃｕ−Ｃｒ−Ｚｒ合金およびその製造方法 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING NANOSIZED Cu-Al2O3 COMPLEX POWDER
    ナノサイズＣｕ−Ａｌ２Ｏ３複合粉末の製造方法 - 特許庁
  • Moreover, the stress balance is improved by making patterns vertically overlapping have on the Cu foils on both surfaces of the substrate.
    さらに、両面のCu箔に上下に重なり合うパターンを持たせることにより応力の均衡が向上する。 - 特許庁
  • Cu-Ni-Si BASED ALLOY HAVING EXCELLENT FATIGUE PROPERTY
    疲労特性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金 - 特許庁
  • Cu-Zn-Sn ALLOY HAVING DAMPING CHARACTERISTIC
    制振特性を有するＣｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金 - 特許庁
  • SINTERED COMPACT OF SPINEL TYPE Ni-Cu-Zn-BASED FERRITE
    スピネル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトの焼結体 - 特許庁
  • To provide an extra-fine Cu-Ag alloy wire having high strength, high toughness and high electric conductivity, and to provide a method for producing the same.
    高強度、高靭性、高導電率である極細のCu-Ag合金線、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • METHOD AND DEVICE FOR FORMING Cu FILM FOR WIRING
    配線用Ｃｕ膜の形成方法及び形成装置 - 特許庁
  • To planarize a Cu surface with reduced dishing and erosion, using chemical and mechanical polishing.
    ディッシング及びエロージョンを低減した銅の平坦化。 - 特許庁
  • To provide a method of forming a Cu film capable of forming a smooth CVD-Cu film of high quality.
    平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁
  • NON-Cu CAST Al ALLOY AND HEAT TREATING METHOD THEREFOR
    非Ｃｕ系鋳造Ａｌ合金とその熱処理方法 - 特許庁
  • AL-CU JOINED STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    Ａｌ−Ｃｕ接合構造物およびその製造方法 - 特許庁
  • At this point, the remaining part of the Cu foil 5 is set smaller in area than that of the Cu plating layer 3.
    このとき、残存するＣｕ箔５の面積がＣｕメッキ層３の面積よりも小さくなるようにする。 - 特許庁
  • CU-W-BASED ALLOY ELECTRODE MATERIAL FOR ELECTRIC DISCHARGE MACHINING
    放電加工用Ｃｕ−Ｗ系合金電極材 - 特許庁
  • The obtained Ag-Cu-Ni alloy melt is continuously cast into an Ag-Cu-Ni alloy joining material.
    得られたＡｇ−Ｃｕ−Ｎｉ合金溶融液を連続鋳造してＡｇ−Ｃｕ−Ｎｉ合金接合材とする。 - 特許庁
  • The Cu-Ga alloy sputtering target is obtained by molding and sintering the Cu-Ga alloy powder.
    また、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を成型し、焼結することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。 - 特許庁
  • The Au alloy has a chemical composition composed mainly of Au and containing, by mass, 0 to 7% Ag, 2 to 12% Cu, 10 to 18% Pd and 0.05 to 3% Ge.
    Auを主成分として、Agを0〜7mass%、Cuを2〜12mass%、Pdを10〜18mass%、およびGeを0.05〜3mass%含有することを特徴とするAu合金。 - 特許庁
  • METHOD AND DEVICE FOR FORMING COPPER OR Cu CONTAINING FILM
    Ｃｕ又はＣｕ含有膜の形成方法、及び装置 - 特許庁
  • Alternatively, you can let everyone on your system run tip(1) and cu(1) by typing:
    そうする代わりに、次のようにタイプすることにより、 あなたのシステムの全ユーザーが tip や cu を実行できるようになります。 - FreeBSD
  • Cu-Si BASED COPPER ALLOY SHEET MATERIAL EXCELLENT IN MACHINABILITY
    被削性に優れるＣｕ−Ｓｉ系銅合金板材 - 特許庁
  • SIMULTANEOUS DETERMINATION METHOD FOR LOW-CONCENTRATION Cu(II) AND Fe(II)
    低濃度の銅（ＩＩ）と鉄（ＩＩ）の同時定量法 - 特許庁
  • Cu-Ni-Ti BASED COPPER ALLOY AND COOLING PLATE
    Ｃｕ−Ｎｉ−Ｔｉ系銅合金および放熱板 - 特許庁
  • Cu-Mg-P COPPER ALLOY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
    Ｃｕ−Ｍｇ−Ｐ系銅合金およびその製造法 - 特許庁
  • A Cu electrode film (or Cu alloy electrode film) 22 having tri-axis orientation is provided onto a piezoelectric substrate 2.
    圧電基板２上に、３軸配向を有するＣｕ電極膜（又はＣｕ合金電極膜）２２を配設する。 - 特許庁
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