「cu」を含む例文一覧(5425)
＜前へ 1 2 .... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 .... 108 109 次へ＞- The device also has a Cu sputtering layer 8a and Cu plating layers 8b electrically connected to the input/output terminal 5.
そして入出力端子５と電気的に接続されたＣｕスパッタ層８ａ及びＣｕめっき層８ｂを備えている。 - 特許庁 - PD-AG-AU-CU-BASED ALLOY FOR PORCELAIN BAKING
陶材焼付用Ｐｄ−Ａｇ−Ａｕ−Ｃｕ系合金 - 特許庁 - An Ni plating is applied to the base metal of the metal strip, then a Sn-(1-4 mass%)Cu plating containing no brightener is applied onto it.
金属条の母材金属上にNiめっきを施し、その上に光沢剤を含まないSn-(1〜4mass%)Cuめっきを施す。 - 特許庁 - Cu-Ga ALLOY TARGET MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Ｃｕ−Ｇａ合金ターゲット材およびその製造方法 - 特許庁 - Cu ALLOY FOR WIRING AND CONNECTION STRUCTURE USING THE SAME
配線用Ｃｕ合金及びそれを用いた接続構造 - 特許庁 - A is at least one kind of elements chosen from among the group of Mn (manganese), Fe (iron), Co (cobalt), Ni (nickel) and Cu (copper).
前記Aは、Mn（マンガン）、Fe（鉄）、Co（コバルト）、Ni（ニッケル）、及びCu（銅）のグループから選択される少なくとも１種類の元素である。 - 特許庁 - The electroless Cu plating liquid includes: the CNT; and a dispersant dispersing the CNT and composed of sodium dodecyl sulfate and hydroxypropyl cellulose.
無電解Cuめっき液は、CNTと、該CNTを分散させる、ドデシル硫酸ナトリウムとヒドロキシプロピルセルロースとからなる分散剤とを含む。 - 特許庁 - NI-CR-CU-FE-BASED BRAZING MATERIAL FOR HEAT EXCHANGER
熱交換器用Ｎｉ−Ｃｒ−Ｃｕ−Ｆｅ系ろう材 - 特許庁 - To provide a Cu/Ni two layered substrate reflow tinned strip of a Cu-Zn alloy in which whisker occurrence is suppressed.
ウィスカー発生が抑制された、Ｃｕ−Ｚｎ合金のＣｕ／Ｎｉ二層下地リフローＳｎめっき条を提供すること。 - 特許庁 - Cu-Ni-Si-BASED ALLOY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a method of forming Cu wiring, capable of filling up Cu reliably even into a minute trench or hole.
微細なトレンチまたはホールにも確実にＣｕを埋め込むことができるＣｕ配線の形成方法を提供すること。 - 特許庁 - Cu-Mn ALLOY SPUTTERING TARGET AND WIRING OF SEMICONDUCTOR
Ｃｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲット及び半導体配線 - 特許庁 - To improve manufacturability, quality, and characteristics of a copper alloy foil using a Cu alloy containing Sn for the raw material.
Snを含有するCuを素材とする銅合金箔について，その製造性，品質および特性を改善することである。 - 特許庁 - Cu-Ni-Si-BASED COPPER ALLOY AND ITS MANUFACTURING METHOD
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING ZnS: Cu, Cl ELECTROLUMINESCENCE PHOSPHORESCENT SUBSTANCE
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌエレクトロルミネセンス燐光体の製造方法 - 特許庁 - Cu-Ni-Si BASED COPPER ALLOY SHEET FOR Sn PLATING
Ｓｎめっき用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金板材 - 特許庁 - Cu-Ni-Si-Co BASED COPPER ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL
電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系銅合金 - 特許庁 - Cu-Zr-BASED COPPER ALLOY PLATE, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Ｃｕ−Ｚｒ系銅合金板及びその製造方法 - 特許庁 - THIN FILM THERMAL HEAD EMPLOYING Cu-Ag ALLOY IN CONDUCTOR LAYER
導体層にＣｕ−Ａｇ合金を用いた薄膜サーマルヘッド - 特許庁 - To obtain a Cu-Ga alloy sputtering target with uniform composition.
均一な組成のＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。 - 特許庁 - The plating treatment material comprises a substrate 3 made of Cu or a Cu alloy, and a metal plating layer 6 formed on the surface of the substrate 3.
ＣｕまたはＣｕ合金製の基体３と、基体３の表面に形成された金属めっき層６とを有する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having a Cu-Cu jointing interface with higher reliability, and a manufacturing method thereof.
より信頼性の高いＣｕ−Ｃｕ接合界面を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR MANUFACTURING THEREOF
Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - A server 1 detects the position of a client unit CU based upon a client signal measurement result supplied from a radio node WN.
サーバ１は、無線ノードWNから供給されるクライアント信号測定結果をもとに、クライアントユニットCUの位置を検出する。 - 特許庁 - BEARING MADE OF Cu BASED SINTERED ALLOY FOR MOTOR TYPE FUEL PUMP
モータ式燃料ポンプのＣｕ基焼結合金製軸受 - 特許庁 - To provide a semiconductor device equipped with a Cu wiring or a Cu plug having small resistance and high reliability.
抵抗が小さく信頼性の高いＣｕ配線またはＣｕプラグを備えた半導体装置を提供することにある。 - 特許庁 - The seed layer 6 includes a Cu-Ti alloy comprising essentially Cu and having a face-centered cubic structure as a main material.
シード層６は、Ｃｕを主成分とし、面心立方構造を有するＣｕ−Ｔｉ合金を主材料とする。 - 特許庁 - Ti-Zr-Cu-Pd-Sn METAL GLASS ALLOY
Ｔｉ−Ｚｒ−Ｃｕ−Ｐｄ−Ｓｎ金属ガラス合金 - 特許庁 - Ni-Zn-Cu-BASED FERRITE MATERIAL AND INDUCTOR ELEMENT
Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料及びインダクタ素子 - 特許庁 - Cu-Ti BASED COPPER ALLOY SHEET MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Ｃｕ−Ｔｉ系銅合金板材およびその製造法 - 特許庁 - To provide an aluminum based alloy which is small in linear expansion coefficient with an Al-Cu based alloy having excellent high temperature properties as a base.
高温特性に優れたAl‐Cu系合金を基本にして、線膨張係数が小さいアルミニウム基合金を提供する。 - 特許庁 - GOLF CLUB USING CU-ZN-SN-BASE VIBRATION DAMPING ALLOY
Ｃｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系制振合金を用いたゴルフクラブ - 特許庁 - To successfully implant Cu in a fine pattern and to suppress diffusion of Cu into an interlayer insulating film.
微細パターンのＣｕの埋め込みが良好であり、Ｃｕの層間絶縁膜中への拡散を抑制することを目的とする。 - 特許庁 - Then, a metal layer 6 is formed, by which the Cu foil 5 is electrically connected to the Cu plating layer 3.
次に、全面に金属層６を形成することにより、Ｃｕ箔５とＣｕメッキ層３との間の導通を確保する。 - 特許庁 - Furthermore, the method for producing the Cu-Ga based sputtering target material is provided, which uses the Cu-Ga based alloy powder as a raw material and the Cu-Ga based alloy powder is solidified and modified at a temperature of 400-850°C.
さらには、上記Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末を原料とし、これを４００〜８５０℃の温度で固化成形するＣｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁 - In place of the Cu-rich phase, a Cu-dense layer with a mass ratio of Cu/(Si+Mn) of 0.5 or more can be formed on a polar surface layer to make up a contact material maintaining a low contact resistance.
Ｃｕリッチ相に代え、Ｃｕ／(Ｓｉ＋Ｍｎ)の質量比が０.５以上のＣｕ濃化層を極表層に形成しても、低接触抵抗を維持する接点材料となる。 - 特許庁 - An insert member 24 made of, e.g. Cu, a Cu-Cr alloy, a Cu-Zn alloy, Ti or Ti-6Al-4V, etc., intervene between the cavity 22 and the supporting board 5.
そして、ダイ２２と支持盤５との間には、例えば、Ｃｕ、Ｃｕ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｚｎ合金、ＴｉまたはＴｉ−６Ａｌ−４Ｖ等からなるインサート部材２４が介装されている。 - 特許庁 - The height of the Cu film 13 is set such that the Cu film 13 is insusceptible to the high aspect ratio of the insulation film 11 and the surface of the Cu film 13 can be made flat substantially.
ここで、Ｃｕ膜１３の高さは、絶縁膜１１の高アスペクト比の影響を受けることなく、Ｃｕ膜１３の表面を略平坦にすることができる程度の高さとされる。 - 特許庁 - In the Sn-Cu-Cr alloy, the mass ratio Cu/Sn of Cu for Sn is 0.05-0.20 and the mass ratio Cr/Sn of Cr for Sn is 0.15-0.40.
Ｓｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金は、Ｓｎに対するＣｕの質量比Ｃｕ／Ｓｎが０．０５〜０．２０であり、かつ、Ｓｎに対するＣｒの質量比Ｃｒ／Ｓｎが０．１５〜０．４０である。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a Cu-based sputtering target containing oxides of the predetermined amount, which is capable of suppressing aggregation of Cu oxides, and achieving fine dispersion of the Cu oxides.
酸化物を一定量含んだＣｕ系スパッタリングターゲットについて、Ｃｕ酸化物の凝集を抑制し、Ｃｕ酸化物の微細分散を実現できる製造方法を提供する。 - 特許庁 - To suppress a variation in the removal of a Cu oxide film on the surface of a Cu wire being carried out before a silicon oxide film is formed on the Cu wire.
Ｃｕ配線上にシリコン窒化膜を形成する前に行う、Ｃｕ配線の表面のＣｕ酸化膜を除去する前処理におけるＣｕ酸化膜の除去のばらつきを小さくすること。 - 特許庁 - Thereafter, a Cu film 14c is stacked on the Cu film 14b within the wiring depositing grooves 12a and 12b by plating method using the sacrificial conductor film 12 and the Cu film 14b as a current carrying layer.
その後、犠牲導体膜１２とＣｕ膜１４ｂを通電層としてめっき法によって配線形成用溝１２ａ，１２ｂ内のＣｕ膜１４ｂ上にＣｕ膜１４ｃを積み増す。 - 特許庁 - The silicide layer 6 prevents diffusion of Cu from the Cu interconnection M1 and enhances adhesion between the Cu interconnection M1 and an overlying silicon nitride film 7.
このシリサイド層６によって、Ｃｕ配線Ｍ_1 からのＣｕの拡散を防ぎ、また、Ｃｕ配線Ｍ_1 とＣｕ配線Ｍ_1 の上層に形成される窒化シリコン膜７との接着性を向上させる。 - 特許庁 - Metal materials used for the connector made of Cu-Sn alloy of which Cu concentration of the outermost surface of Cu-Sn alloy is reduced gradually toward the surface.
およびこのコネクタに使用される金属材料であって、最表面が表面に向けて徐々にＣｕ濃度を減少させたＣｕ−Ｓｎ合金層からなるコネクタ用金属材料。 - 特許庁 - To ionize Cu diffused into a low-permittivity insulating layer and reduce the drift of Cu^+ ions in a semiconductor device having Cu wires and the low-permittivity insulating layer.
Ｃｕ配線および低誘電率絶縁膜を有する半導体装置において、低誘電率絶縁層中に拡散するＣｕのイオン化、並びにＣｕ^+イオンのドリフトを抑制する。 - 特許庁 - Cr-Cu ALLOY FOR CONDUCTING MEMBER FOR ELECTRONIC COMPONENT, METHOD FOR PRODUCING Cr-Cu ALLOY, LEAD FRAME OR BUS BAR USING THE Cr-Cu ALLOY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
電子機器用通電部材用Ｃｒ−Ｃｕ合金とＣｒ−Ｃｕ合金の製造方法、ならびにそのＣｒ−Ｃｕ合金を用いたリードフレーム又はバスバーとその製造方法 - 特許庁 - Sn-Cu ALLOY THIN FILM HAVING ANTIBACTERIAL PROPERTY, Sn-Cu ALLOY THIN FILM-FORMED ARTICLE HAVING ANTIBACTERIAL PROPERTY, AND METHOD FOR PRODUCING Sn-Cu ALLOY THIN FILM-FORMED ARTICLE HAVING ANTIBACTERIAL PROPERTY
抗菌性を有するＳｎ−Ｃｕ合金薄膜、抗菌性を有するＳｎ−Ｃｕ合金薄膜形成品、および抗菌性を有するＳｎ−Ｃｕ合金薄膜形成品の製造方法 - 特許庁 - When the Al or Al alloy foil is melted by the heating, the Al or Al alloy is infiltrated into the Cu or Cu alloy plate, and a Cu-Al alloy layer is formed.
この加熱によりＡｌまたはＡｌ合金箔が溶融すると、そのＡｌまたはＡｌ合金は、ＣｕまたはＣｕ合金板中に溶浸し、Ｃｕ−Ａｌ合金層を形成する。 - 特許庁 - The sliding material has a composition comprising a MoS_2 particle of 0.1 to 10%, each 10 to 50% molybdenum oxide and 0.1 to 10% copper sulfide when considering the MoS_2 particle as 100%, and the balance Cu with unavoidable impurities.
摺動材はMoS_2粒子：0.1〜10％を含有し、MoS_2粒子を100％として、それぞれ酸化Mo：10〜50％及び硫化Cu：0.1〜10％を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなる組成を有する。 - 特許庁 - In addition, a second area (Lb) surrounding the first area (La) is made of Cu that can be obtained at a lower cost than the Cu-Mo alloy or Cu-W alloy.
また、第１の領域（Ｌａ）を囲む第２の領域（Ｌｂ）は、上記したＣｕ−Ｍｏ合金やＣｕ−Ｗ合金に比べて安価に入手できるＣｕによって構成されている。 - 特許庁
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