「cu」を含む例文一覧(5425)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 108 109 次へ＞- METHOD OF FORMING (Cu-C) SEED LAYER
（Ｃｕ−Ｃ）シード層の形成法 - 特許庁 - Cu ELECTROPLATING FILM FORMING METHOD
Ｃｕ電解めっき成膜方法 - 特許庁 - Cu-Al SPRAYED SLIDING MATERIAL
Ｃｕ−Ａｌ系溶射摺動材料 - 特許庁 - Second layer Cu wirings 12, an interlayer connection Cu wiring 13 and second layer TaN films 14 are formed in the grooves 10 and the hole 11.
溝１０および孔１１に第２層Cu配線１２、層間接続用Cu配線１３、第２層TaN膜１４を形成し、半導体装置を得る。 - 特許庁 - Due to the effect of a part 24 where BCB was nitrided by Ti ion, no peeling of the Cu film 25 takes place during polishing or that of the Cu wiring 26 in a post process.
TiイオンでBCBが窒化された部分２４の効果により、研磨中のCu膜２５の剥離や、後工程でのCu配線２６の剥離は発生しない。 - 特許庁 - CU CORE BALL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Ｃｕコアボールとその製造方法 - 特許庁 - Cu-Zn-Al DAMPING ALLOY
Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｌ制振合金 - 特許庁 - To obtain lead-free new Sn-Cu series solder good in heat resistance, joinability, strength and ductility by improving the conventional Sn-Cu series solder.
従来のSn-Cu 系はんだ合金を改良して耐熱性，接合性，強度，延性の艮好な鉛フリーの新規なSn-Cu 系はんだ合金を得る。 - 特許庁 - The obtained Cu-Ag alloy wire and a strand wire twisting the Cu-Ag alloy wire are suitably used for a center conductor of a coaxial cable.
得られた極細のCu-Ag合金線や、このCu-Ag合金線を撚り合わせた撚り線は、同軸ケーブルの中心導体に好適に利用することができる。 - 特許庁 - Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET
Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - This electromagnetic wave shielding film comprises a first layer film and a second layer film formed on the surface of a molded plastic product, wherein the first layer film consists of a Cu material, and the second layer film consists of a Sn-Cu-Ni alloy or a Sn-Cu-chromium (Cr) alloy.
プラスチック成形品の表面に形成された第１層被膜および第２層被膜であり、該第１層被膜の材質はCu、第２層被膜の材質は、Sn-Cu-Ni合金またはＳn-Cu-クロム(Cr)合金である。 - 特許庁 - More practically, as a Cu-based-Mns, Cu-Ni-MnS is used.
より具体的にはＣｕ系−ＭｎＳはＣｕ−Ｎｉ−ＭｎＳである。 - 特許庁 - Further, it is preferable that the surface of the wire is plated with Cu of ≥0.5 μm.
また、ワイヤ表面に、0.5 μm 以上のCuめっきを施すのが好ましい。 - 特許庁 - To restrain diffusion of scattering Cu, when a Cu fuse is cut.
Ｃｕヒューズの切断する際に飛散するＣｕの拡散を抑制する。 - 特許庁 - Cu-Ag ALLOY WIRE, AND Cu-Ag ALLOY WIRE FOR COAXIAL CABLE
Ｃｕ−Ａｇ合金線および同軸ケーブル用Ｃｕ−Ａｇ合金線 - 特許庁 - Sn-Cu ALLOY PLATING BATH AND Sn-Cu ALLOY PLATING METHOD
Ｓｎ−Ｃｕ合金めっき浴及びＳｎ−Ｃｕ合金めっき方法 - 特許庁 - Ni-Cu ALLOY TARGET MATERIAL FOR Cu ELECTRODE PROTECTIVE FILM AND LAMINATED FILM
Ｃｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材及び積層膜 - 特許庁 - The solar battery layer includes an Mo layer, a Cu(In, Ga)Se_2(CIGS) layer, a CdS layer, and a ZnO layer.
太陽電池層は、Mo層と、Cu(In,Ga)Se_2（CIGS）層と、CdS層と、ZnO層とを含む。 - 特許庁 - As the metal supported on the zeolite catalyst, there is Cu, Mn or Co.
尚、前記ゼオライト触媒に担持された金属には、Cu、Mn若しくはCoがある。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING CU-AG ALLOY WIRE, AND CU-AG ALLOY WIRE
Ｃｕ−Ａｇ合金線の製造方法及びＣｕ−Ａｇ合金線 - 特許庁 - This copper alloy comprises, by mass%, 1.5% or more but less than 3.0% Ag, 0.05 to 0.4% Cr or Zr, and the balance Cu with unavoidable impurities: and has Ag and Cr, or Ag and Cu-Zr intermetallic compounds precipitated in a parent phase of Cu.
Ag：1.5質量%以上3.0質量%未満、Cr又はZr：0.05〜0.4質量%、残部が銅及び不可避的不純物からなり、AgとCr、又はAgとCu-Zr金属間化合物がCu母相中に析出している。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING CU-CONTAINING STEEL
Ｃｕ含有鋼材の製造方法 - 特許庁 - METHOD OF FORMING CU WIRING FILM
Ｃｕ系配線膜の成膜方法 - 特許庁 - Favorably, a Cu ion is preferable.
好ましくは、Ｃｕイオンが好ましい。 - 特許庁 - Cu ALLOY FILM AND DISPLAY DEVICE
Ｃｕ合金膜および表示デバイス - 特許庁 - Cu ALLOY FILM AND DISPLAY DEVICE
Ｃｕ合金膜および表示装置 - 特許庁 - Ni-Cu ALLOY COMPOSITE PLATING SOLUTION
Ｎｉ−Ｃｕ合金複合メッキ液 - 特許庁 - After formation of a Cu layer 20, a sacrificial layer 31 made of high purity Cu is laminated on the Cu layer 20.
Ｃｕ層２０の形成後、Ｃｕ層２０上に、高純度Ｃｕからなる犠牲層３１が積層される。 - 特許庁 - The Ni-Cu-Zn-based magnetic ferrite material is prepared by adding 0.4-3.0 wt.% SnO2 alone or together with 0.3-0.5 wt.% Li2CO3 to Ni-Cu- Zn-based ferrite having a prescribed molar ratio.
所定のモル比のNi−Cu−Zn系フェライトに、SnO_2を0.4〜3.0wt％単独か、それに併せてLi_2CO_3を0．3〜0.5wt％添加する。 - 特許庁 - In this Cu/NbTi-based reinforced type Nb_3Sn wire 10, a Cu/NbTi-based reinforcing material layer 11 is formed in its center part in order to enhance strength of the Nb_3Sn wire being a superconductive wire.
Cu/NbTi系強化型Nb_3Sn線材１０は、超電導線材であるNb_3Sn線材の強度を高めるために、中心部にCu/NbTi系強化材層１１を形成している。 - 特許庁 - [wherein Nieq.=30(C+N)+0.5(Mn+Cu)+Ni+11.6; and Creg.=1.5Si+Cr+Mo+0.8W] is -2 or more.
Ni-bal.＝Nieq.−1.36×Creq. ・・・・・ (1) ただし、Nieq.＝30(Ｃ＋Ｎ)＋0.5(Mn＋Cu)＋Ni＋11.6 Creq.＝1.5Si＋Cr＋Mo＋0.8Ｗ。 - 特許庁 - At least end surfaces of the respective columnar substances 18 are made of Cu.
各柱状物質１８の少なくとも端面はCuで形成されている。 - 特許庁 - CU EVALUATING METHOD IN SILICON WAFER
シリコンウェーハ中のＣｕ評価方法 - 特許庁 - First layer TaN films 8 and first layer Cu wirings 4 are formed in the grooves 7.
溝７に第１層TaN膜８および第１層Cu配線４を形成する。 - 特許庁 - Cu-Co-Si BASED ALLOY STRIP
Ｃｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金条 - 特許庁 - A Cu foil 5 is etched so as to be left partially on a Cu plating layer 3.
Ｃｕメッキ層３上に残存するように、Ｃｕ箔５をエッチングする。 - 特許庁 - The metal paste is e.g. Cu paste containing a Cu powder as an electrically conductive material, and the metal ball 3 is e.g. a Cu ball consisting predominantly of Cu.
金属ペーストは例えばＣｕ粉末を導電材料として含有するＣｕペーストであり、金属ボール３は例えばＣｕを主体とするＣｕボールである。 - 特許庁 - Al-Zn-Mg-Cu ALLOY
Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ−Ｃｕ合金 - 特許庁 - The Cu-Ag alloy wire comprises a copper alloy containing Ag, wherein the Ag of 0.1 to 15 mass% is contained and the remainder comprises Cu and impurities.
Agを含有する銅合金からなるCu-Ag合金線であって、Agを0.1質量％以上15質量％以下含有し、残部がCu及び不純物からなる。 - 特許庁 - Further a Sn4 is plated thin on the surface of the Cu-Sn intermetallic compound layer 5.
その後、Cu-Sn金属間化合物層５の表面にSn４を薄くめっきする。 - 特許庁 - After that, a Cu-Sn intermetallic compound layer 5 is formed up to the surface by reflow.
その後リフローして表面までCu-Sn金属間化合物層５を形成する。 - 特許庁 - Cu-Cr-Si-BASED ALLOY FOIL
Ｃｕ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金箔 - 特許庁 - Cr(%)≤(1/3)(6.5-Ni(%))1/2...(1) Pcm=C+ Si/30+Mn/20+Cu/20+Ni/60+Cr/20+Mo/15+V/10...(2).
Cr (％) ≦(1/3)(6.5 −Ni (％))^1/2 ・・・・・(1) Pcm ＝Ｃ＋Si/30 ＋Mn/20 ＋Cu/20 ＋Ni/60 ＋Cr/20 ＋Mo/15 ＋V/10・・・・・(2) - 特許庁 - CUTTING METHOD OF Cu-Ga ALLOY
Ｃｕ−Ｇａ合金の切断方法 - 特許庁 - METHOD FOR ROLLING Cu-Ga ALLOY
Ｃｕ−Ｇａ合金の圧延方法 - 特許庁 - An aluminum phosphate compound coating film is formed on the surface of a Cu-Al sprayed layer.
Cu-Al系溶射層の表面にリン酸アルミニウム化合物皮膜を形成する。 - 特許庁 - PRODUCTION OF Cu-Ag ALLOY WIRE ROD AND Cu-Ag ALLOY WIRE ROD
Ｃｕ—Ａｇ合金線材の製造方法およびＣｕ—Ａｇ合金線材 - 特許庁 - The catalyst for oxychlorination of ethylene to 1,2-dichloroethane comprises compounds of Cu and Mg carried on alumina and has 2-8 wt.% copper content (expressed as Cu), wherein the ratio of the number of Mg atoms to the number of Cu atoms is 1.2-2.5, and the specific surface area of the catalyst is 30-130 m^2/g.
アルミナに担持されたCu及びMgの化合物からなり、Cuとして示される銅含量が2〜8重量％で、Mg/Cu原子数比が1.2〜2.5であり、触媒の比表面積が30〜130m^2/gである、1,2-ジクロロエタンへのエチレンのオキシ塩素化用触媒。 - 特許庁 - When a layer of Sn is interposed between metal layer Cu and Cu of the columnar substances 18 and heated, Cu and Sn are alloyed, so that the metal layers and the end surfaces of the respective columnar substances 18 are connected with the SnCu alloy present between them.
金属層Cuと柱状物質１８のCuの間にSnの層を介在させておいて加熱すると、CuとSnが合金化し、金属層と各柱状物質１８の端面が両者の間に存在するSnCu合金で接続される。 - 特許庁 - For example, the anode electrode is made from Zr-Cu or Cr-Cu, and the nozzle is made from Cr-Zr-Cu, preferably the anode electrode is made from oxygen free copper and the nozzle is made from Zr-Cu, Cr-Cu or Cr-Zr-Cu.
例えば、電極の材質をＺｒ銅またはＣｒ銅とし、ノズルの材質をＣｒ−Ｚｒ銅とするか、もしくは電極の材質を無酸素銅とし、ノズルの材質をＺｒ銅、Ｃｒ銅またはＣｒ−Ｚｒ銅とする。 - 特許庁
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