COMPOSITION FOR SILICON ETCHING シリコンエッチング用組成物 - 特許庁
COMPOSITION FOR ETCHING エッチング処理用組成物 - 特許庁
METHOD FOR ETCHING THIN FILM 薄膜のエッチング方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF ETCHING ARTICLE エッチング品の製造法。 - 特許庁
METHOD OF PLASMA ETCHING プラズマエッチング処理方法 - 特許庁
DEFECTIVE ETCHING OF GERMANIUM ゲルマニウムの欠陥エッチング - 特許庁
METHOD FOR ETCHING DIAMOND ダイヤモンドのエッチング方法 - 特許庁
In etching steps, a first etching step is performed by wet etching in which an etchant is used, and a second etching step is performed by dry etching in which an etching gas is used. エッチング工程において、第1のエッチング工程は、エッチング液によるウエットエッチングを用い、第2のエッチング工程はエッチングガスによるドライエッチングを用いる。 - 特許庁
As the anisotropic etching, dry etching and PEC etching can be cited. この異方性エッチングとしては、乾式エッチング、PECエッチングが挙げられ得る。 - 特許庁
The etching includes two steps of a first etching step and a second etching step. エッチングは第1エッチング工程と第2エッチング工程の2段階に分ける。 - 特許庁
SUBSTRATE TRAY USED IN PLASMA ETCHING EQUIPMENT, ETCHING EQUIPMENT, AND ETCHING METHOD プラズマエッチング装置において用いる基板トレイ、エッチング装置及びエッチング方法 - 特許庁
In this method of dry etching, CH2F2 is used as an etching gas at the time of dry etching. ドライエッチング時に、エッチングガスとしてCH_2F_2を用いることを特徴としている。 - 特許庁
ETCHING EQUIPMENT AND METHOD エッチング装置及び方法 - 特許庁
ETCHING METHOD AND DEVICE エッチング方法及び装置 - 特許庁
ETCHING METHOD, ETCHING APPARATUS AND METHOD FOR FORMING LAYER エッチング方法、エッチング装置及び層形成方法 - 特許庁
ETCHING METHOD OF OXIDE 酸化物のエッチング方法 - 特許庁
METHOD FOR ETCHING METAL THIN PLATE AND ETCHING DEVICE 金属薄板のエッチング方法およびエッチング装置 - 特許庁
HIGH RESOLUTION PLASMA ETCHING 高解像度プラズマ・エッチング - 特許庁
PHOTON INDUCED ETCHING OF COPPER 銅の光子誘起除去 - 特許庁
ETCHING APPARATUS AND METHOD OF DETECTING FINISH OF ETCHING エッチング装置およびエッチング終了検出方法 - 特許庁
ETCHING RESIDUE REMOVAL METHOD エッチング残渣除去方法 - 特許庁
WET-ETCHING APPARATUS AND METHOD OF WET-ETCHING SUBSTRATE ウェットエッチング装置及び基板のウェットエッチング方法 - 特許庁
ETCHING SOLUTION AND METHOD FOR CONTROLLING CONCENTRATION OF ETCHING SOLUTION エッチング液およびエッチング液の濃度制御方法 - 特許庁