「inter-element」を含む例文一覧(295)

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  • INTER-SUBBAND LIGHT EMITTING ELEMENT
    サブバンド間発光素子 - 特許庁
  • FORMATION METHOD FOR INTER-METAL LAYER INSULATING FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT
    半導体素子の金属層間絶縁膜形成方法 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF ELEMENT FOR EVALUATING CHARACTERISTIC OF INTER-WIRE INSULATION FILM
    配線間絶縁膜特性評価用素子製造方法 - 特許庁
  • INTEGRATED CIRCUIT ELEMENT HAVING FLAT INTER-LEVEL DIELECTRIC LAYER
    平坦なレベル間誘電体層を有する集積回路素子 - 特許庁
  • FORMATION OF INTER-ELEMENT ISOLATING INSULATION FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE
    素子間分離絶縁膜の形成方法及び半導体装置 - 特許庁
  • ANTENNA INTER-ELEMENT PHASE CORRECTION MODE ELECTRIC WAVE EMISSION SOURCE VISUALIZER
    アンテナ素子間位相補正方式電波発射源可視化装置 - 特許庁
  • To provide a formation method of an inter-element separation layer capable of improving controllability in a polishing step of an insulating film formed on a semiconductor substrate and capable of forming the inter-element separation layer having excellent inter-element separation performance.
    半導体基板上に形成された絶縁膜の研磨工程における制御性を向上させ、優れた素子間分離性能を有する素子間分離層を形成する方法を提供する。 - 特許庁
  • INTER-ELEMENT WIRING MEMBER, SOLAR CELL MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    素子間配線部材、太陽電池モジュールおよびその製造方法 - 特許庁
  • METHOD FOR CONTROLLING INTER-ELEMENT COUPLING AMOUNT OF CONCENTRATED CONSTANT TYPE FILTER AND CONCENTRATED CONSTANT TYPE FILTER IN WHICH INTER-ELEMENT COUPLING AMOUNT IS CONTROLLED
    集中定数型フィルタの素子間結合量制御方法および素子間結合量が制御された集中定数型フィルタ - 特許庁
  • INTER-ELEMENT WIRING MEMBER, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT CONNECTOR USING THESE, AND PHOTOELECTRIC CONVERSION MODULE
    素子間配線部材、光電変換素子およびこれらを用いた光電変換素子接続体ならびに光電変換モジュール - 特許庁
  • HIGH-FREQUENCY OSCILLATION ELEMENT, ONBOARD RADAR DEVICE USING SAME, INTER-VEHICLE COMMUNICATION DEVICE AND INTER-INFORMATION TERMINAL COMMUNICATION DEVICE
    高周波発振素子、ならびにそれを用いた車載レーダー装置、車間通信装置および情報端末間通信装置 - 特許庁
  • DUAL POLARIZATION ANTENNA ARRAY WITH INTER-ELEMENT COUPLING AND ASSOCIATED METHOD
    素子間結合を有する二重偏波アンテナアレイ及び、それに関する方法 - 特許庁
  • INTER-ELEMENT WIRING MEMBER AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT CONNECTION BODY USING IT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION MODULE
    素子間配線部材およびこれを用いた光電変換素子接続体ならびに光電変換モジュール - 特許庁
  • SINGLE POLARIZATION SLOT ANTENNA ARRAY WITH INTER-ELEMENT COUPLING AND ASSOCIATED METHOD
    素子内結合を具備する単一偏波スロットアンテナアレー及びその製造方法 - 特許庁
  • A transmission apparatus separates elements constituting a structured document into a direct element to be transmitted directly and a referred element to be transmitted according to inter-element relation information and a request from a reception side, and transmits the direct element and the inter-element relation information.
    送信装置で、構造化文書を構成する要素を直接送信する直接要素と要素間関係情報及び受信側からの要求に応じて送信する被参照要素に分離し、直接要素と要素間関係情報を送信する。 - 特許庁
  • To improve controllability of the remaining film thickness of an inter- layer insulation film on a fuse element.
    ヒューズ素子上の層間絶縁膜の残膜厚の制御性を向上させる。 - 特許庁
  • An inter-layer insulating film 104 is formed on the element isolation insulating film 102.
    素子分離絶縁膜102上に層間絶縁膜104が形成されている。 - 特許庁
  • In the solid-state imaging device disclosed herein, the electric charge detection region and the inter-element separation region are arranged apart from each other, and a region with an impurity concentration lower than that of the inter-element separation region is inserted between the both.
    本発明では、電荷検出領域と素子間分離領域とを離し、両者間に素子間分離領域よりも不純物濃度が低い領域を挟む。 - 特許庁
  • To provide an inter-element wiring member that more surely connects photoelectric conversion elements, a photoelectric conversion element connector mutually connecting two or more photoelectric conversion elements by the inter-element wiring member, and the like.
    光電変換素子をより確実に接続する素子間配線部材と、素子間配線部材によって複数の光電変換素子が互いに接続された光電変換素子接続体等を提供する。 - 特許庁
  • The system also gives element counts in the queue and logical names of inter-process communication queues.
    システムは、また、キュー内の要素カウントと、プロセス間通信キューの論理名とを与える。 - 特許庁
  • To improve inter-layer matching, joint strength, and heat-radiation characteristics, etc., of a semiconductor element module substrate.
    半導体素子モジュール基板の層間整合性、接合強度、放熱特性等の改良。 - 特許庁
  • DUAL POLARIZATION ANTENNA ARRAY WITH INTER-ELEMENT CAPACITIVE COUPLING PLATE AND ASSOCIATED METHOD
    素子内に静電結合板を具備する二重偏波アンテナアレー及びその製造方法 - 特許庁
  • SINGLE POLARIZATION SLOT ANTENNA ARRAY WITH INTER-ELEMENT CAPACITIVE COUPLING PLATE AND ASSOCIATED METHOD
    素子内に静電結合板を具備する単一偏波スロットアンテナアレー及びその製造方法 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device including a deep trench film in accordance with inter-element breakdown voltage and in-element breakdown voltage required for an element to be formed.
    形成する素子に要求される素子間耐圧や素子内部耐圧に応じたディープトレンチ膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • The driving shaft 44 and the piezoelectric element 42 are inter-coupled by engagement between the driving shaft 44 and the piezoelectric element 42.
    駆動軸44とピエゾ素子42間の嵌合によって、駆動軸44とピエゾ素子42とは互いに連結している。 - 特許庁
  • To provide a method for forming an inter-element separation area capable of entirely burying a trench without any voids in inter-element separation by STI, and shortening treatment time.
    STIによる素子間分離において、ボイドが無く完全にトレンチを埋め込むことができ、処理時間の短縮化を図ることができる素子間分離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁
  • The depth of a trench 16A for element separation in a low voltage element region is set to a value A4 required for preventing an inter-element leak or higher.
    低電圧素子領域内の素子分離のためのトレンチ16Aの深さは、素子間リークを防ぐために必要な値A4又はそれ以上に設定される。 - 特許庁
  • Then, a groove at least from the second inter-layer insulating layer into the first inter-layer insulating layer is disposed in the region of the first and second inter-layer insulating layers corresponding to the element isolation region.
    そして、少なくとも第2の層間絶縁層から第1の層間絶縁層内に達する溝が素子分離領域に対応する第1及び第2の層間絶縁層の領域に配されている。 - 特許庁
  • The inter-shaft distance measuring means 30 is composed of a light emitting diode as a light emitting element, and a photodiode 32 as a light receiving element.
    軸間距離測定手段30は発光素子である発光ダイオード31と、受光素子であるフォトダイオード32からなる。 - 特許庁
  • To provide a multilayer analysis element with lessened inter-lot difference and intra-lot difference, and enhanced measurement accuracy.
    ロット間差及びロット内差が小さく、測定精度が高い多層分析要素を提供すること。 - 特許庁
  • LIGHT RECEIVING ELEMENT, ITS FABRICATING METHOD, AND METHOD FOR CONTROLLING INTER-ELECTRODE RESISTANCE THEREOF
    受光素子、該受光素子の製造方法および該受光素子の電極間の抵抗の制御方法 - 特許庁
  • To prevent inter-layer delamination or inter-layer cracks after burning due to the variation of pressurizing forces at the time of lamination in a multi- layer piezoelectric element in which the number of lamination is large.
    積層数の多い多層圧電素子において、積層時の加圧力のばらつきによる層間のデラミネーションや焼成後の層間クラックを防止する。 - 特許庁
  • The photoelectric conversion device is provided with the photoelectric conversion element and an element isolation region disposed to a semiconductor substrate, and has a plurality of inter-layer insulating layers including a first inter-layer insulating layer disposed most closely to the semiconductor substrate and a second inter-layer insulating layer disposed covering the first inter-layer insulating layer.
    光電変換装置は、半導体基板に配された光電変換素子と素子分離領域とを有し、半導体基板に最も近接して配された第1の層間絶縁層と、第1の層間絶縁層を覆って配された第2の層間絶縁層と、を含む複数の層間絶縁層とを有する。 - 特許庁
  • Whether or not any inter-layer connection element necessary for the layer change of a return current route exists within a check range including the detected check point is decided by an inter-layer connection element check means 120.
    層間接続要素チェック手段120により、検出されたチェックポイントを含むチェック範囲内にリターン電流ルートの層変更に必要な層間接続要素が存在するか否かを判定する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method for a surface acoustic wave element that can sufficiently suppress the occurrence of inter-electrode short- circuiting and inter-electrode discharge in the manufacturing process of the element so as to easily enhance the yield.
    素子の製造過程での電極間ショートや電極間放電が充分に抑制でき、製造歩留まりが容易に向上できるようにした弾性表面波素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • When an inter-sensor element pixel interval is larger than a prescribed pixel interval, a correcting part 30 inserts proper number o pixels into the inter-sensor element pixel interval according to an instruction from a control part 40.
    補正部30は、制御部40からの指示により、センサ素子間の画素間隔が所定の画素間隔より大きい場合、当該センサ素子間の画素間隔に適当な数の画素を挿入する。 - 特許庁
  • To provide a formation method for an inter-metal layer insulating film of a semiconductor element by which element characteristics are effectively prevented from deteriorating by preventing the formation of an inter-metal wiring abnormal film caused by etching for a part of metal wiring when an inter-layer insulating film is formed.
    層間絶縁膜形成時に金属配線の一部がエッチングされることで金属配線間の異常膜が形成されるのを防止し、素子特性の劣化を有効に防止できる半導体素子の金属層間絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁
  • In the range below a given voltage that the inter-terminal voltage is not affected by a non-linear element, the time variation of the inter-terminal voltage is compared with the time variation of the inter-terminal voltage of a good article to determine good or bad.
    端子間電圧が非線形素子の影響を受けない所定電圧以下の範囲において、端子間電圧の時間変化を良品の端子間電圧の時間変化と比較して良否判定を行う。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device capable of improving drain withstand voltage and suppressing inter-element leak current.
    ドレイン耐圧の向上、乃至素子間リーク電流の抑止を実現できる半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • Then, the switching element corresponding to the power supply device having a lower inter-terminal voltage is turned off.
    また、端子間電圧が低いほうの電力供給デバイスに対応するスイッチング素子をオフ状態とする。 - 特許庁
  • The sum of inter-element voltage values of the 4th to 6th elements 4 to 6 is inputted to the input terminal of the gate 7.
    転送ゲートの入力端には第4から第6の素子の素子間電圧の和が入力される。 - 特許庁
  • Each admittance variable circuit C_FD1 includes a variable element so as to be capable of controlling an inter two-terminal admittance.
    アドミタンス可変回路C_FD1 は可変素子を含んでおり、2 端子間アドミタンスを制御することができる。 - 特許庁
  • TAILORING OF WETTING/BARRIER LAYER TO REDUCE ELECTROMIGRATION IN ALUMINUM INTER-ELEMENT CONNECTION
    アルミニウム素子間配線におけるエレクトロマイグレーションを減少させるためのウエッティング/バリヤー・レイヤーの適合方法。 - 特許庁
  • To provide a magnetic random access memory which protects a magnetoresistance effect element against outgas from an inter-layer film and suppresses deterioration of the magnetic characteristics.
    層間膜のアウトガスから磁気抵抗効果素子を保護し、磁気特性の劣化を抑制する。 - 特許庁
  • To improve current density in a semiconductor element where inter- band tunnel conduction is used.
    バンド間トンネル電導を用いた半導体素子における電流密度を向上することを目的とする。 - 特許庁
  • On the 3rd inter-layer insulating film 12, a TMR element 18 is formed and partially etched.
    そして、第3間層間絶縁膜12上にTMR素子18を形成し、これを部分的にエッチングする。 - 特許庁
  • The aesthetic yarn 11 is formed by inter-twisting six aesthetic yarn element threads each of which is formed by inter-twisting, for example, two continuous fibers made of stainless steel.
    意匠ヤーン11は、例えば、2本のステンレス鋼連続繊維を嵩高に撚り合わせてなる意匠ヤーン素糸をさらに6本緩く撚り合わせてなるものである。 - 特許庁
  • Each magnetoresistive element 31 to 34 is covered with a protective film (inter-layer insulating film 40 and passivation film 60).
    磁気抵抗素子31〜34の各々は、保護膜(層間絶縁膜40、パッシベーション膜60)により覆われている。 - 特許庁
  • An inter-layer insulating film 10 is embedded, after separation processing on gate electrodes MG and PG and a capacitive element Cap.
    ゲート電極MG、PGおよび容量性素子Capの分離加工後に層間絶縁膜10を埋め込む。 - 特許庁
  • Then a bit line 21 is laminated and formed on the 4th inter-layer insulating film 20 and TMR element 18.
    その後、第4の層間絶縁膜20およびTMR素子18の上にビット線21を積層形成する。 - 特許庁
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