「inter-element」を含む例文一覧(295)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 次へ＞- Or, the first thin film transistor is formed on the insulating substrate, the second thin film transistor is formed so as to interpose the inter-layer insulating film between itself and the first thin film transistor, and the first thin film transistor is electrically connected to the second thin film transistor through the contact hole formed in the inter-element insulating film.
または、絶縁体基板上に第１層めの薄膜トランジスタが形成され、素子間絶縁膜をはさんで第２層めの薄膜トランジスタが形成され、第１層めの薄膜トランジスタは素子間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して第２層めの薄膜トランジスタと導通している。 - 特許庁 - To provide a flash memory which has excellent element characteristics such that inter-cell interference is suppressed by seamlessly filling gaps between adjacent word lines, and to provide a manufacturing method thereof.
隣接ワードラインの間をシームレスに埋め込み、セル間干渉が抑制された良好な素子特性を有するフラッシュメモリ及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - To easily form a high performance peripheral transistor by preventing the gate insulating film of a memory cell or the floating gate or inter-layer capacitative film of the memory cell from remaining on the side face of an element isolating insulating film.
素子分離絶縁膜の側面にメモリセルのゲート絶縁膜またはメモリセルの浮遊ゲートや層間容量膜が残留せず、簡便に高性能な周辺トランジスタを形成できる。 - 特許庁 - To provide an accoustooptical deflection element in which deterioration of surface elastic wave diffraction efficiency of a wide band wave generated by a tilt charp type inter-digital transducer is prevented and which has a flat deflection characteristic.
チルトチャープ型インターデジタルトランスデューサによって発生した広帯域の表面弾性波回折効率の劣化を防止し、フラットな偏向特性を有する音響光学偏向素子を得る。 - 特許庁 - To decide probability that a user is a principal himself or herself as a quantitative probability value under the consideration of inter-decision element dependency, and to easily and precisely achieve principal authentication suitable for a service.
判定要素間の依存関係を加味した定量的な確率値として判定すること、サービスに適合した本人認証を容易かつ精度良く実現することを課題とする。 - 特許庁 - Two linear antennas a_1 and a_2 to which power is fed from the inter-element connection compensating device are parallel to each other, and the both antennas are arranged parallel to a planar metal reflector.
素子間結合補償装置から給電される２本の線状アンテナａ_１，ａ_２は互いに平行であり、且つ両アンテナとも平面金属反射板に平行に配置される。 - 特許庁 - To make the source/drain of a transistor low in resistance and to reduce the leakage current in a semiconductor device which is formed on a SOI substrate and equipped with a partial trench isolation as an inter-element isolation.
ＳＯＩ基板に形成され、素子間分離として部分トレンチ分離を有する半導体装置において、トランジスタのソースドレインの低抵抗化およびリーク電流の低減を図る。 - 特許庁 - To improve the sensitivity of a solid-state image pickup element by preventing the occurrence of lens welding and effectively utilizing the light beams made incident to inter-lens gap areas.
レンズの融着が起こることがなく、レンズ間ギャップ領域に入射された光を有効利用することにより、より高感度な固体撮像素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a signal detector which suppresses erroneous alarms caused by duplicated selection of the same picture element in searching an integration path by restricting allocation duplication of the picture element in reference to an inter-frame integration result for every frame and a search result of every pixel.
フレーム毎のフレーム間積分結果と各画素の探索結果を参照し、画素の割り当て重複を制限することで、積分路探索において同一画素選択の重複による誤警報を抑圧できる信号検出装置を得る。 - 特許庁 - By inter-coupling the piezoelectric element 42 and the driving shaft 44 by engagement between the driving shaft 44 and the piezoelectric element 42, the driving shaft 44 is accurately coupled to the piezoelectric element 42, and the degradation of the performance of a device into which the driving component 40 is incorporated or inhibition of the miniaturization of the device can be suppressed.
駆動軸４４とピエゾ素子４２間の嵌合によって、ピエゾ素子４２と駆動軸４４を互いに連結させることで、駆動軸４４とピエゾ素子４２とを高精度に連結し、駆動部品４０が組み込まれる装置の性能が劣化する又はその装置の小型化が阻害されることを抑制することができる。 - 特許庁 - To provide a device and method for controlling quality capable of performing autonomic and adaptive quality control by correcting deviation in the gradual (partial) consideration of the relation of inter-element influence by using the sensitivity data of each element (process) of an object.
対象の個々の要素（工程）の感度データを用いて要素間の影響関係を少しずつ（部分的に）考慮しながらずれを修正してゆくことで自律的かつ適応的な品質制御を行なう品質制御装置および品質制御方法を提供すること。 - 特許庁 - A phased array antenna 1 is obtained as a multi-layer structure in which plural radiating elements 15, phase shifting units 16 for changing the phase of a high frequency signal transmitted and received by each radiating element, and a distributing and synthesizing part 14 are formed in different layers so that inter-element intervals can be reduced.
多数の放射素子１５、各放射素子で送受信される高周波信号の位相を変更する移相ユニット１６、分配合成部１４をそれぞれ異なる層に形成した多層構造で構成することにより、素子間隔の縮小化を図る。 - 特許庁 - A capacitor element 6 is housed in a case 9 made of polyphenylene sulfide (PPS), and sealed with a resin 11 filled in the case 9, and the case 9 including the sealed capacitor element 6 is housed in an aluminum-made case 12 via an inter-case bonding resin.
コンデンサ素子６が、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）ケース９内に収納され、該ケース９内に充填された樹脂１１にて封入されており、コンデンサ素子６が封入されたケース９が更に、ケース間接合樹脂を介してアルミニウム製ケース１２内に収納されている。 - 特許庁 - Further, on the electrode substrate 300, a supporting walls 101 having the same height as that of the rib structural bodies 310 are formed (fixed) separately from the electrode substrate 300 in the peripheral regions (inter-element regions) of the respective element regions, in which the rib structural bodies 310 are not provided.
加えて、電極基板３００は、各素子領域の周囲（素子間領域）のリブ構造体３１０が設けられていない領域に、リブ構造体３１０と同じ高さの支持壁１０１が、電極基板３００とは別体に形成（固定）されている。 - 特許庁 - To provide a substrate for a semiconductor device for which problems of quality such as the decline of a bonding property due to dust sticking and sticking of chipping pieces and inter-layer short-circuits and inter-layer insulation decline due to metal burrs are dissolved, a base material composed of glass fibers and an epoxy resin is used and the loading density of a semiconductor element and electronic parts is high.
粉塵付着やチッピング片の付着によるボンディング性の低下、金属バリによるパターン間ショートや層間絶縁低下など、品質上の間題を解消したガラス繊維とエポキシ樹脂からなる基材を使用する、半導体素子や電子部品の搭載密度の高い半導体装置用基板を提供する。 - 特許庁 - A first inter-layer insulation film 15 is formed on a semiconductor substrate formed with transistors; and lower electrodes 22 electrically connected to the transistors, capacitive insulation films 23, and upper electrodes 24 sequentially formed from the lower side form the capacitive element on the first inter-layer insulation film 15.
トランジスタが形成された半導体基板の上に、第１の層間絶縁膜１５が形成され、第１の層間絶縁膜１５の上には、トランジスタと電気的に接続され、下から順次形成された下部電極２２と、ＳＢＴＮからなる容量絶縁膜２３と、上部電極２４とによって容量素子が形成されている。 - 特許庁 - To further miniaturize an inter-element isolation region in not only a peripheral circuit formation region but also a pixel formation region while suppressing the noises of a solid-state image sensing device on an image signal.
固体撮像素子において、画像信号に対するノイズを抑制しながら、周辺回路形成領域のみならず画素形成領域においてもさらに素子間分離領域を微細化する。 - 特許庁 - The inter-frame difference value between an input picture and an already obtained output picture is obtained in a computing element 3 and is divided into individual frequency band components in filters 5 to 8.
演算器３において、入力画像と、既に得られている出力画像とのフレーム間差分値が求められ、フィルタ５乃至８において、そのフレーム間差分値が、各周波数帯域成分に分割される。 - 特許庁 - To provide a composition for film formation capable of forming a silica-based film having good filtering of a solution and a small number of foreign matters in the solution as an inter-layer insulation film material in a semiconductor element or the like.
半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、溶液の濾過性が良好で、かつ溶液中の異物数が少ないシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。 - 特許庁 - To suppress degradation in the performance of a device into which an actuator is incorporated or hindrance to the miniaturization of the device caused by a piezoelectric element and a driving shaft being inter-coupled in a misaligned state.
ピエゾ素子と駆動軸とが軸ずれして連結してしまうことによって、アクチュエータが組み込まれる装置の性能が劣化する又はその装置の小型化が阻害されることを抑制すること。 - 特許庁 - For example, in case of step-up type, when the inter-terminal voltage of the third capacitor C3 becomes larger than the reference voltage, it switches off the switch element P6 so that it may not charge the third capacitor C3.
例えば昇圧型の場合には、第３キャパシタＣ３の端子間電圧が基準電圧よりも大きくなったときに、スイッチ素子Ｐ６をオフして、第３キャパシタＣ３を充電しないようにする。 - 特許庁 - The metal junction or inter-metal compound between the first and second coats is formed by tightly contacting them together and then pressing under heat, for jointing the piezo element to the electrode.
第１及び第２の被膜を密着させて加圧しながら加熱することにより、第１及び第２の被膜の金属接合又は金属間化合物を形成することにより、ピエゾ素子と電極とを接合する。 - 特許庁 - As for a quantum logic element which uses the electron state of a semiconductor quantum structure, inter-polarization interaction between excitons having polarization in a semiconductor quantum well structure is used.
本発明は、半導体量子構造の電子状態を利用した量子論理素子に関し、半導体量子井戸構造中の分極を有する励起子間の分極間相互作用を利用する。 - 特許庁 - To provide a method for forming inter-element isolating insulation film by which the occurrence of the projections on a silicon substrate and acute- angle portions on a silicon oxide film formed through thermal oxidation can be avoided by making the thickness of the silicon oxide film uniform.
熱酸化によって形成するシリコン酸化膜の膜厚を均一にし、シリコン基板の突起やシリコン酸化膜の鋭角部の発生を回避し得る素子間分離絶縁膜の形成方法を得る。 - 特許庁 - A sensor or a power-generating portion 26 detecting the nature of raw water and/or permeated water flowing within the membrane filter is arranged in the inter-connector 42 which serves as a mounting member removable from the membrane element.
膜エレメントに対して着脱可能な取付部材であるインターコネクタ４２に、膜濾過装置内を流れる原水や透過水などの液体の性状を検知するセンサ又は発電部２６を設ける。 - 特許庁 - In the 2nth imaging operation, the frame inter-line transfer CCD 23 starts accumulation of electric charge to a light receiving element immediately after reading and transferring the signal charge from the light receiving element to a first vertical CCD in the 2n-1th imaging operation with the regular illumination light.
フレームインターライントランスファ型のＣＣＤ２３は、第２ｎ回目の撮像動作では、通常照明光による第２ｎ−１回目の撮像動作で、受光素子から第一垂直ＣＣＤに信号電荷を読み出し転送した後から、直ちに受光素子への電荷蓄積を開始する。 - 特許庁 - To provide a piezoelectric conversion element having extremely low possibility of inter-electrode short circuit due to adhesion of conductive adhesive across positive and negative electrodes in an arrangement for securing the piezoelectric conversion element to the land of a printed board through the conductive adhesive and supplying power thereto.
圧電変換素子をプリント基板のランド等に導電性接着剤により固定と給電を行う構成において、導電性接着剤が正負の電極を跨いで付着することによる電極間短絡の発生する可能性が極めて低い圧電変換素子を提供する。 - 特許庁 - The capacitive element is constituted of a laminated body comprising a lower electrode 102 formed of platinum, a capacitive insulating film 103 composed of SBT (SrTaBiO) containing an element, e.g. titanium, for absorbing hydrogen in crystal grain boundaries, inter-grating positions or pores and an upper electrode 104 formed of platinum.
容量素子は、白金よりなる下部電極１０２と、水素を吸蔵する元素、例えばチタンが結晶粒界、格子間位置又は空孔に含まれたＳＢＴ（ＳｒＴａＢｉＯ）よりなる容量絶縁膜１０３と、白金よりなる上部電極１０４との積層体からなる。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a sensor element (120) which is disposed in a semiconductor substrate (110) and a trench (150) which covers and surrounds inter-level insulators (ILD:140) disposed on the semiconductor substrate and the sensor element and is disposed in the ILD filled with a first insulator.
半導体デバイスは、半導体基板（１１０）内に配置されるセンサ要素（１２０）と、半導体基板上に配置されるインターレベル絶縁体（ＩＬＤ：１４０）とセンサ要素を覆い且つ包囲し、第一絶縁材で充填されるＩＬＤに配置されるトレンチ（１５０）とを含む。 - 特許庁 - To provide an optical element which can be used, without causing delamination between an alignment layer and a retardation layer or causing inter-layer exfoliation in the alignment layer, even in high-temperature and high-humidity environment, with regard to the optical element having an alignment layer and a retardation layer.
本発明は、配向層と位相差層を有する光学素子において、高温高湿雰囲気下においても、配向層と位相差層の層間剥離が生じたり、配向層に凝集破壊等が生じることなく使用できる光学素子を提供することを主目的とする。 - 特許庁 - Since a pulse signal reversed by each C-MOS inverter is supplied to an external pin through a resistance R, the resistive element provides a time constant to a parasitic capacity and a harmonic element of a pulse, which flows into an adjacent circuit via an inter-pin capacity Cs3, is reduced.
各Ｃ−ＭＯＳインバータで反転されたパルス信号は抵抗Ｒを介して外部ピンに供給されているため、この抵抗素子が寄生容量に対して時定数を与えることになり、ピン間容量Ｃｓ３を介して隣接する回路に流入するパルスの高調波成分が低減される。 - 特許庁 - The metamorphic buffer layer 20 on a base body 1 has its extension area 20R formed outside a formation part for a semiconductor element across an inter-element separation groove 41 to reduce a substantial step between the semiconductor element and another part adjacent thereto, thereby improving reliability of an insulating layer, a wire, etc., against the stepping.
基体１上のメタモルフィックバッファ層２０を、素子間分離溝４１を挟んで半導体素子の形成部の外側に、メタモルフィックバッファ層２０の延在領域２０Ｒを形成して、半導体素子部と、これに隣接する他部との実質的段差の緩和を図って、この段差に基づく絶縁層、配線等の信頼性の向上を図るものである。 - 特許庁 - An inter-layer insulating film 10 is then formed to give a flat surface, and then an extension electrode 21 leading to the emitter layer (n-type diffusion layer 5) is so formed as to connect to the silicide film 8 on the element isolating film 3.
そして層間絶縁膜１０を設けて平坦化した後、素子分離膜３の上のシリサイド膜８に接続するように、エミッタ層（ｎ型拡散層５）につながる引き出し電極２１が設けられている。 - 特許庁 - To provide a non-linear optical waveguide element capable of being easily connected to the outside, increasing the photoelectric field of a reference waveguide mode in a non-linear optical waveguide part, and attaining a very fast optical switching high in extinction ratio without any inter-bit interference.
外部との結合が図りやすく、非線形光導波路部での基本導波モードの光電界を大きくすることができ、消光比が高くビット間干渉のない超高速の光スイッチングを可能にする。 - 特許庁 - The electric field intensity of the insulating film 44a is thus decreased to prevent the drop in breakdown voltage of the high-breakdown-voltage NMOSFET 20, the breakage of the inter-layer insulating film 5, and the isolation breakdown voltage deterioration of the element isolation groove (trench 4a).
絶縁膜４４ａの電界強度を低下させることで、高耐圧ＮＭＯＳＦＥＴ２０の耐圧低下や層間絶縁膜５の破壊および素子分離溝（トレンチ４ａ）の分離耐圧劣化を防止できる。 - 特許庁 - Even when the semiconductor element differing in height are formed, the heights of the semiconductor elements can be almost made to match, by using the height difference to reduce steps appearing on the top surface of the inter-layer film 5.
この高低差を利用して、たとえ異なる高さの半導体素子を形成しても半導体素子の頂上の高さをほぼ一致させることができ、層間膜５の上面に表れる段差を低減することができる。 - 特許庁 - To provide an image correcting device, capable of maintaining precise unmagnification characteristics, even when an inter-sensor element pixel interval is different from specific pixel density, at reading of pixels by a sensor unit having plural sensor elements.
複数のセンサ素子を有するセンサユニットにより、画像を読み取る際、センサ素子間画素間隔が規定の画素密度と相違していても、精度のよい等倍特性を維持することが可能な画像補正装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an optical wavelength filter device which is easily prepared, can control the inter-reflection-film distance without enlarging the size, and has performance level equal to that when using the conventional etalon element.
本発明の目的は、作製が容易であるとともに大型化することなく反射膜間距離を制御でき、従来のエタロン素子を用いた場合と同等の性能を有する光波長フィルタ装置を提供することである。 - 特許庁 - in the case of low-molecular compounds, qualitative composition (the existence of atoms of certain chemical elements), quantitative composition (the number of atoms of each element), inter-atomic bond and the reciprocal location of atoms in molecules expressed by the formula of chemical structure
低分子化合物の場合，化学構造式により表現された定性的組成(一定の化学元素の原子の存在)，定量的組成(各元素の原子の数)，原子間結合及び分子中の原子の相互配置 - 特許庁 - The single-crystal silicon layer is stuck on the top surface, consisting of the 1st inter-layer insulating film 12 formed of the 1st insulator layer 12A and 2nd insulator layer 12B and this single-crystal silicon layer is used to form a transistor element.
第１の絶縁体層１２Ａと第２の絶縁体層１２Ｂとからなる第１層間絶縁膜１２の表面上に単結晶シリコン層を貼り合わせ、単結晶シリコン層を用いてトランジスタ素子を形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an electrooptical device capable of precisely flattening an inter-layer insulating film (a flattened insulating film) for forming an excellent organic EL element, and provide an electrooptical device, as well as an electronic apparatus.
良好な有機ＥＬ素子を形成するために、より高精度に層間絶縁膜（平坦化絶縁膜）の平坦化が可能になる電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an electrooptical deivce capable of precisely flattening an inter-layer insulating film (a flattened insulating film) for forming an excellent organic EL element, and provide an electrooptical device, as well as an electronic apparatus.
良好な有機ＥＬ素子を形成するために、より高精度に層間絶縁膜（平坦化絶縁膜）の平坦化が可能になる電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。 - 特許庁 - Further, the inter-layer insulating layer 20 has a plurality of through trap holes H2, penetrating to the element formation surface 11a, at a position on both Y-directional sides of each contact hole H1 and facing a counter light shield layer.
また、層間絶縁層２０は、各コンタクトホールＨ１のＹ方向両側であって対向遮光層と対向する位置に、それぞれ素子形成面１１ａまでを貫通する複数のトラップホールＨ２を有する。 - 特許庁 - The capacitive element can be manufactured without the use of transistor, so that this can simplify the circuit, and due to its being inter-line capacity a prescribed capacitance can be formed between wirings.
また、トランジスタを用いることなく、容量素子を作ることができるため、回路を簡単化することができると共に、線間容量であるため、配線と配線との間に所定の容量を形成することもできる。 - 特許庁 - Variation of inter-frame and intra-frame placement is substantially reduced by writing successive frames or sub-frames based on a detection of a previously-written frame or sub-frame by a read element.
フレーム間およびイントラフレームの配置の変動は、以前に書込まれたフレームまたはサブフレームの読取り要素による検出に基づいて、連続したフレームまたはサブフレームを書込むことによって実質的に減じられる。 - 特許庁 - The plurality of display elements 10 have electrodes 14 and 14 applied with a voltage, and an inter-electrode distance (d) of a display element 10 to which one of the plurality of colors, for example, R, G, and B used for the color image display is allocated is different from inter-electrode distances (d) of display elements 10 to which other colors are allocated.
上記複数の表示素子１０は、電圧が印加される電極１４・１４を有しており、カラー画像表示に使用する例えばＲＧＢなどの複数の色のうちの一つの色が配色されている表示素子１０の電極間距離ｄが、他の色が配色されている表示素子１０の電極間距離ｄと異なっている。 - 特許庁 - On the other hand, in the peripheral circuit region (recess part), an MOC transistor is element-separated by a locus 6, and lead-out wiring 41, 42 are installed on the inter-layer insulating layer 21 for a gate electrode 17, a source and a drain 18.
一方、周辺回路領域（凹部）においては、ＭＯＳトランジスタがロコス６で素子分離され、ゲート電極１７及びソース及びドレイン１８に対して、層間絶縁層２１上に引き出し配線４１，４０が設けられている。 - 特許庁 - Further, the traffic information element knowledge base is generated based on the roads, intersections and sections, their respective attributes, and the relationship between them, to support inter-conversion between road topological network traffic information and text-based traffic information.
さらに、道路トポロジーネットワーク交通情報とテキストベースの交通情報の間の相互変換をサポートするため、道路・交差点・区間と、個々の属性と、これらの関係とに基づいて交通情報要素知識ベースを生成する。 - 特許庁 - Without intending to be limited by theory, it is believed that the strength and rigidity of the polymeric restraint can help the capacitor element better withstand vibrational forces incurred during use without resulting in inter-layer delamination.
理論によって制限することを意図するわけではないが、ポリマー拘束物の強度及び剛性は、コンデンサ素子が、使用中に受ける振動力に、層間剥離を伴わずにより良好に耐えるのに役立つことができると考えられる。 - 特許庁 - When there exists other blank band at one side of the blank zone as the object of judgement with the character string interposed, and there exists a clear separation element or blank separator at the other side, the blank band as the object of judgement is not defined as an inter-character region separator.
ただし、判定対象の空白帯に文字行を挟んで一方に他の空白帯が存在し、他方に明確な区切り要素か空白セパレータがある場合は、判定対象の空白帯を文字領域間のセパレータとしない。 - 特許庁
