「inter-element」を含む例文一覧(295)
＜前へ 1 2 3 4 5 6- To compensate inter-channel deviation of luminance regardless of change in the environment where a display device is used or in the lapse of time and without giving rise to circuit scale expansion, for example, in a display device having a driving system in which video signals are supplied in parallel to the display electrodes of a plurality of channels of a display element.
映像信号を表示素子の複数チャンネルの表示電極に並列化して供給する駆動方式の表示装置において、使用環境の変化や経時変化とは無関係に、且つ、駆動回路の回路規模の大型化等を招くことなく、チャンネル間での輝度の偏差を補正する。 - 特許庁 - The device 1 for making alphabet/Japanese reading correspond to each other is provided with a means 1a for calculating inter-element distance between a English word and the arbitrary partial character string of square form of KANA (Japanese syllabary) and a means 1b for searching correspondence of the minimum distance, thereby automatically making the English character correspondent to the square form of KANA.
本発明のアルファベット・日本語読み対応付け装置１は、例えば英単語とカタカナの任意の部分文字列間について要素間距離を計算する手段１ａと最小距離対応付けを探索する手段１ｂとを備え、英文字とカタカナの対応付けを自動的に処理できる。 - 特許庁 - Then, the rigid substrate 6 is not brought into direct contact with piezoelectric layers 2 made of PZT (lead zirconium titanate), or the like, but the inter-element filler layers 7 and the conductive adhesive layers 8 which are comparatively soft are provided between the rigid substrate 6 and the piezoelectric layers 2, and therefore, the rigid substrate 6 can be prevented from being cracked.
したがって、剛性基板６がＰＺＴなどから成る圧電層２に直接接触せず、それらの間に、比較的柔らかい素子間充填剤層７や導電性接着剤層８が介在されることになるので、前記剛性基板６の割れを防止することができる。 - 特許庁 - A spacer 151 is arranged so as to be superimposed on a light-receiving element 150 between a TFT array substrate 10 and a counter substrate 20 for maintaining the interval between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, that is, an inter-substrate gap between the substrates constant.
スペーサ１５１は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の間隔、言い換えればこれら基板間の基板間ギャップを一定に維持するために、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間において受光素子１５０に重なるように配置されている。 - 特許庁 - The deflection generating on a cantilever 41 is detected by an inter-atomic force between a probe 44 of the cantilever 41 and the air bearing surface 13 of the thin-film magnetic head Q in the manner of using an atomic force microscope(AFM) 4 provided with the cantilever 41 mounting a magnetic field generating element 45 thereon.
磁界発生素子４５を取り付けたカンチレバー４１を有する原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）４を用い、カンチレバー４１の探針４４と薄膜磁気ヘッドＱの空気ベアリング面１３の間の原子間力によって、カンチレバー４１に生じる撓みを検知する。 - 特許庁 - A model element analysis part 6 receives a model A and a model B as input, extracts relation between classes from the two models, refers to a collation pattern included in a conversion rule definition part 8 to the pair of the extracted inter-class relation, and selects a collation pattern to be applied.
モデル要素解析部６は、モデルＡとモデルＢとを入力として、この２つのモデルからそれぞれクラス間の関係を抽出し、抽出されたクラス間の関係のペアに対して、変換ルール定義部８に含まれる照合パターンを参照し、適用すべき照合パターンを選び出す。 - 特許庁 - A substrate embedded touch sensor 1 is structured by embedding a detecting circuit 5 composed of a plurality of electronic parts 4 as well as embedding a temperature sensor element 3 on a surface layer side of a multilayered wiring board main body 2 equipped with conductor patterns and inter-layer connecting conductor portions between multilayered insulating layers 8.
多層の絶縁層８間に導体パターンや層間接続導体部を備えた多層配線基板本体２に、表層側に位置して温度センサ素子３を埋込むと共に、複数個の電子部品４からなる検知回路５を埋込んで基板組込型タッチセンサ１を構成する。 - 特許庁 - The second seal portion 118 arranged outside the first seal portion 116 is provided with a second contact seal element 126 sealing a second inter-member gap 124 formed in a circumferential wall 110 of the first joint section 16, the circumferential wall defining an accommodation space 108 for the first driving mechanism 34.
第１シール部１１６の外側に配置される第２シール部１１８は、第１駆動機構３４の収容空間１０８を画定する第１関節部１６の周囲壁１１０に形成される第２の部材間隙１２４をシールする第２の接触シール要素１２６を備える。 - 特許庁 - The battery voltage detection device 50 includes both a capacitative element C1 connected to a battery block B1 in parallel via power lines PL1 and PL2 according to the conduction of switching circuits SW1 and SW2 and a voltage detection part for detecting an inter-terminal voltage Vc of the capacitative element C1 to be supplied with a battery voltage Vb1 from the battery block B1 and charged.
電池電圧検出装置５０は、スイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２が導通されたことに応じて、電池ブロックＢ１と電源線ＰＬ１，ＰＬ２を介して並列接続される容量素子Ｃ１と、電池ブロックＢ１から電池電圧Ｖｂ１の供給を受けて充電される容量素子Ｃ１の端子間電圧Ｖｃを検出する電圧検出部とを含む。 - 特許庁 - To prevent fluctuation in solder height for improved connection strength by suppressing spread of solder, related to a solder-connection electrode structure for an optical semiconductor element and a wiring board, thus deviation in optical axis caused by fluctuation in solder height, and mounting position after connecting the optical semiconductor element as well as degradation in the connection strength due to generation of inter-metal compound caused by solder are prevented.
光半導体素子および配線基板のソルダ接続用電極構造において、ソルダの濡れ広がりを抑えることによりソルダ高さの変動を防ぎ、接続強度を向上させ、光半導体素子接続後のソルダ高さおよび搭載位置の変動による光軸ズレやソルダ起因の金属間化合物の生成による接続強度の低下を防止する。 - 特許庁 - The organic electroluminescent element comprises a luminous element 17 having an organic layer 13 including a luminous layer interposed between a lower electrode 12 formed on a substrate 11 and an opposing electrode 14, and a non-luminous part 18 with an inter-layer insulation film 15 formed on the substrate and the lower electrode 12, and a moistureproof layer 16 at the outer surface of the non-luminous part.
基板１１上に設けた下部電極１２と対向電極１４の間に、発光層を含む有機層１３を有する発光素子部分１７と、基板及び下部電極上にパターン加工された層間絶縁膜１５が存在する非発光素子部分１８とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、非発光素子部分の外表面に防湿性絶縁膜１６を有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁 - In this surface acoustic wave element, an electrode 6 serving as an inter-digital transducer is formed on a piezoelectric substrate 1, and the electrode 6 includes the laminate structure of a conductive layer 2 made of metal, and an electronic diffusion suppressing layer 3 constituted of a semiconductor whose potential barrier should be formed on its interface with the conductive layer 2.
本発明に係る弾性表面波素子は、圧電基板１上にインターディジタルトランスデューサとなる電極６が形成されており、該電極６は、金属からなる導電層２と、該導電層２との界面にポテンシャル障壁を形成すべき半導体からなる電子拡散抑制層３の積層構造を有している。 - 特許庁 - To surely detect any failure generated in a semiconductor manufacturing process even in a semiconductor integrated circuit in which the current values of the rest time power source currents of each element constituting a semiconductor integrated circuit and the fluctuation of the current values are both large, and the inter-semiconductor integrated circuit fluctuation due to a process parameter is large.
半導体集積回路を構成する各素子の静止時電源電流の電流値とこの電流値のばらつきとが大きく、さらにプロセスパラメータによる半導体集積回路間のばらつきが大きな半導体集積回路であっても、半導体製造プロセスで発生した不具合を確実に検出すること。 - 特許庁 - A direction estimating means 30 calculates a correlation matrix in which inter-element connection of antenna elements 1-7 is reflected on the basis of a received signal received by the array antenna 10, and also, calculates a received power spectrum of the array antenna 10 on the basis of the calculated correlation matrix and a steering vector of the array antenna 10.
方向推定手段３０は、アレーアンテナ１０が受信した受信信号に基づいて、アンテナ素子１〜７の素子間結合が反映された相関行列を演算し、その演算した相関行列と、アレーアンテナ１０のステアリングベクトルとに基づいてアレーアンテナ１０の受信電力スペクトルを演算する。 - 特許庁 - To provide a modified OVM stripe structure for preventing a risk in a field in which a card including an OVM stripe has an operational problem relating to a static discharge via a metal layer, specifically to an inter-end discharge electrically connecting a card holder body and a trading device or a conductive element in a reader.
ＯＶＭストライプを含むカードが、金属層を経由する静電放電、特にカードホルダーの本体と取引装置またはリーダー中の導電性素子を電気的に結ぶ端部間放電に関連した操作上の問題を起こす分野において危険性を除くために、修正されたＯＶＭストライプ構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a superior thermoelectric conversion material which is improved in total thermoelectric conversion efficiency by injecting a trace of oxygen into an inter-metal compound thermoelectric conversion material to reduce heat conductivity while keeping a thermoelectromotive force intact and maintaining conductivity to some extent, and also to provide a thermoelectric conversion element and a thermoelectric conversion module.
金属間化合物熱電変換材料に微量の酸素を含有させることにより、熱起電力を損なわず、導電性をある程度保ちながら熱伝導率を低減し、総合的に熱電変換効率を向上させた、優れた熱電変換材料、熱電変換素子及び熱電変換モジュールを提供する。 - 特許庁 - In forming a pixel electrode 9a on an element substrate of a liquid crystal device, a first insulating film 47 including a lattice-shaped convex part 47f extending along an inter-pixel region 10f is formed, then, a contact hole 47a is formed in the first insulating film 47, and thereafter, a conductive film 9 and a second insulating film 49 are sequentially stacked.
液晶装置の素子基板に画素電極９ａを形成する際、画素間領域１０ｆに沿って延在する格子状の凸部４７ｆを備えた第１絶縁膜４７を形成した後、第１絶縁膜４７にコンタクトホール４７ａを形成し、その後、導電膜９および第２絶縁膜４９を順次積層する。 - 特許庁 - An inter-resistance element parasitic capacitance value calculation unit 16 selects out of the resistance database two resistance elements sharing a common section capable of generating parasitic capacitance, calculates the parasitic capacitance value between the resistance elements, and stores the value in a parasitic capacitance list wherein the value and the nodes are coordinated with each other.
抵抗素子間寄生容量値算出部１６は、抵抗データベースから寄生容量を発生させる共通区間を有する二つの抵抗素子を選択して抵抗素子間の寄生容量値を算出し、算出した寄生容量値と前記ノードとを関連付けて寄生容量リストに保存する。 - 特許庁 - When a call request is newly given from a new terminal in a cell, a control signal reception part 7 individually obtains signal vectors U1to UK with respect to K-pieces of delay paths and obtains the predicted SINR value of the new terminal when the new terminal is stored from an inter-element correlation matrix Φ and the signal vectors U1 to UK of the respective paths.
セル内の新規端末から新たに発呼要求が生じると、制御信号受信部７でそのＫ個の遅延パスに対する信号ベクトルＵ_1〜Ｕ_Kを個別に求め、素子間相関行列Φと各パスの信号ベクトルＵ_1〜Ｕ_Kとから、新規端末を収容した場合における該新規端末の予測ＳＩＮＲ値をもとめる。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor storage device that reduces a voltage applied to an inter-poly insulating film by increasing a capacity coupling rate on an active area in a dummy cell region, and prevents wire breaking of a control gate caused by a hollow of the control gate on an element isolation region, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor storage device.
ダミーセル領域において、アクティブエリア上の容量カップリング比を大きくしてインターポリ絶縁膜にかかる電圧を低減できると共に、素子分離領域上の制御ゲートの窪みによって発生する制御ゲートの断線を防止することができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a film-forming composition which is superior in heat resistivity and dielectric constant characteristics, especially, in CMP durability for forming a silicon system film, having a proper uniform thickness suitably available as an inter-layer insulating film in a semiconductor element, and to provide a porous insulating film which uses this film-forming composition and a method for manufacturing the film.
半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能な、しかも耐熱性、誘電率特性に優れ、特にＣＭＰ耐性に優れた膜形成組成物、これを用いた多孔質絶縁膜、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A second condition determining part 15 determines whether a second condition on a factor caused by a surrounding vehicle for enabling idle stop is established or not (a second condition flag is output), by use od a state of the surrounding vehicle indicated by surrounding vehicle data acquired by inter-vehicle communication as a determining element.
第２条件判定部１５は、車車間通信等により取得した周辺車両データで示される周辺車両の状態を判定要素にして、アイドリングストップを実施可能とするための周辺車両による都合に関する第２条件が成立するか否かを判定する（第２条件フラグを出力）。 - 特許庁 - A capacitive insulation film 23 and the upper electrodes 24 are sequentially formed on the upper side on the second inter-layer film 25 in a way of bridging over the openings and the peripheral region of the openings, and the effective region of the capacitive element is equal to a region of the capacitive insulation film 23 in contact with the lower electrodes 22.
第２の層間絶縁膜２５の上面における開口部及び開口部の周辺領域に跨るように容量絶縁膜２３と上部電極２４とが順次形成されており、容量素子の有効領域は、容量絶縁膜２３が下部電極２２と接する領域と等しくなっている。 - 特許庁 - To suppress the inter-granular stress corrosion cracking(IGSCC) of a material composed mainly of stainless steel, control the behavior of the ACP in reactor water, improve the integrity of materials for a nuclear power plant and reduce radiation exposure dose equivalents by treating Cr contained in the material to stabilize the element on the surface of the material.
ステンレス鋼を中心とする材料に含まれているＣｒを材料表面に安定化する処理を施すことで、材料のＩＧＳＣＣを抑制するとともに、炉水中のＡＣＰの挙動を制御し、原子力発電プラントの材料健全性向上，被ばく線量当量低減を図る。 - 特許庁 - To provide an inter-layer connection via structure with small signal distortion which is used to connect coplanar transmission lines isolated with a thick insulating film to each other, or to connect the electrode of an active element such as a signal generator or receiver right above a substrate and a coplanar transmission line on the thick insulating film.
厚い絶縁膜で隔たれたコプレーナ伝送線路同士を接続する場合、あるいは、基板直上の信号発生器または受信器などの能動素子の電極と厚い絶縁膜上のコプレーナ伝送線路を接続する場合に用いる信号の歪みの少ない層間接続ビア構造を提供すること。 - 特許庁 - When a capacitance of a diode element (inter-terminal capacitance) is smaller than a standard value on the basis of the capacitance measured after forming a pn junction, in an ultraviolet ray emission process executed by eliminating electric charges charged on a substrate after forming a rear side electrode, ultraviolet rays are emitted by suppressing an ultraviolet ray emission energy.
ＰＮ接合形成後に計測したダイオード素子の容量（端子間容量）値を基にして、その容量値が規格値より小さい場合には、裏面電極の形成後に基板が帯電している電荷を除去するために行う紫外線照射工程において、紫外線照射エネルギーを抑制して照射を行う。 - 特許庁 - To prevent a decrease in infrared absorptivity of a solar heat collecting structure, erosion in a high-temperature atmospheric environment, shortening of a device lifetime, and inter-layer peeling due to thermal stress of an interface in a high-temperature difference cycle environment; and to efficiently supply an infrared wavelength range of irradiation and absorption to a thermoelectric power generating element.
太陽熱集熱構造における赤外線吸収率の低下、高温度大気環境下における侵食、装置寿命の低下、高温度落差サイクル環境下での界面の熱応力による層間剥離を防止し、照射、吸収された赤外線波長領域を効率良く熱電発電素子に供給する。 - 特許庁 - Each pixel includes a second conductive electric charge storage region (photoelectric conversion section); an amplifier including a second conduction type electric charge detection region to which electric charges are transferred from the electric charge storage region, and providing an output of a pixel signal in response to the transferred electric charge amount; and a first conduction type inter-element separation region.
各画素は、第２導電型の電荷蓄積領域（光電変換部）と、電荷蓄積領域から電荷が転送される第２導電型の電荷検出領域を含むと共に転送された電荷量に応じた画素信号を出力する増幅部と、第１導電型の素子間分離領域とを有する。 - 特許庁 - A parallel system in system engineering is used to functionize all evaluation objects as a system so that it is possible to not only individually evaluate elements configuring this system but also comprehensively evaluate inter-configuring element relevancy and synergistic effects or spread effects or the like provided as the function of this system.
システム工学における並列システムを用いて、全ての評価対象をシステムとして関数化することにより、そのシステムを構成する要素の個別評価は勿論のこと、システムの機能として有する構成要素間の関連度および相乗効果、或いは波及効果などが、総合的に評価が出来る。 - 特許庁 - A thermoelectric conversion material, principally contains an inter-metallic compound, represented by general formula XYZ (where X, Y and Z represent at least one kind of metallic element, respectively), and contains a glass component which contains boron oxide, silicon oxide and alkaline-earth metal oxides such as Ca, Ba, and the like, in the range of less than 15 vol.% (excluding 0 vol.%).
一般式ＸＹＺ（ただし、Ｘ、Ｙ、Ｚは、それぞれ少なくとも一種の金属元素を示す。）で表される金属間化合物を主成分とし、酸化ホウ素、酸化ケイ素、及びＣａやＢａ等のアルカリ土類金属酸化物を含有したガラス成分が、１５vol％未満（０vol％を含まず。）の範囲で含まれている。 - 特許庁 - The diffractive optical element 1 is configured such that an inter-material gradient M, which is a ratio of a variation of reference refractive indexes between the first optical member 10 and the second optical member 11 to that of principal dispersions between the first optical member 10 and the second optical member 11, and a blaze wavelength λ_b of the diffraction grating 13 are within a predetermined range.
回折光学素子１は、第１光学部材１０と第２光学部材１１との間の主分散の変化量に対する、第１光学部材１０と第２光学部材１１との間の基準屈折率の変化量の比である材料間の傾きＭと、回折格子１３のブレーズ波長λ_bが所定の範囲となるように構成されている。 - 特許庁 - To prevent a silicide layer 12b of a wiring layer 12 comprising the silicide layer 12b as an uppermost layer formed on an element isolation insulating film 8a and a polysilicon layer 12a as a lower layer from being overetched to disappear when a contact hole 20a etc., are formed by dry etching in an inter-layer insulating film IL having its surface ground in a CMP step to be flattened.
ＣＭＰ工程でその表面が研削され、平坦化された層間絶縁膜ＩＬ中にドライエッチングによりコンタクトホール２０ａ等を形成する時、素子分離絶縁膜８ａ上に形成された最上層がシリサイド層１２ｂ、下層がポリシリコン層１２ａからなる配線層１２の、該シリサイド層１２ｂがオーバーエッチングにより消失することを防止する。 - 特許庁 - Here, acceleration/deceleration switching timing for the inter-layer jump based upon the variation rate of a SUM signal obtained from a photodetecting element 27 is generated, and the SMU signal is discriminated with a specified threshold TH and an S-shape error signal is discriminated with different thresholds THH and THL of positive and negative levels to perform acquiring operation for focus control.
ここで、受光素子２７から得られるＳＵＭ信号の変化率によって層間ジャンプを行う際の加速・減速切り替えタイミングを生成し、ＳＵＭ信号を特定の閾値ＴＨで識別するとともに、Ｓ字誤差信号を正、負レベルの異なる閾値ＴＨＨ、ＴＨＬにより識別することで、焦点制御の引き込み動作を行う。 - 特許庁 - A vehicle model distinction part 20 of this vehicle model distinction device 10 distinguishes one reference vehicle to which the vehicle corresponds, on the basis of image data and an inter-axle distance of the vehicle, reference axle pattern information stored in a vehicle various element dictionary data storage part 26, and reference image data stored in a vehicle image dictionary data storage part 27.
車種判別装置１０の車種判別部２０は、車両の車軸間距離と画像データと、車両諸元辞書データ記憶部２６に記憶される基準車軸パターン情報と、車両画像辞書データ記憶部２７に記憶される基準画像データとに基づいて、車両が基準車両のいずれに該当するかを判別する。 - 特許庁 - In this semiconductor device, the surface protective film 11 covering an epitaxial layer 4A covers a part of an outer peripheral epitaxial layer 4A-1 on the outer peripheral side of a high-resistance GaAs layer (inter-element insulation layer) 5 and contacts the part, and thereby adhesiveness of the end of the surface protective film 11 is improved, and moisture intrusion from the outside can be prevented.
この半導体装置では、エピタキシャル層４Ａを覆う表面保護膜１１が高抵抗ＧａＡｓ層(素子間絶縁層)５の外周側の外周エピタキシャル層４Ａ−１の一部を覆って上記一部に接しているので、表面保護膜１１の端部の密着性が向上して外部からの水分侵入を防止できる。 - 特許庁 - It has a first antireflection film 11 on a semiconductor substrate 2 at the sensor part 3, a second antireflection film formed thereon via an inter-layer film 6 or directly, so that the first and second antireflection films pass specified wavelength lights, thus constituting a solid state imaging element.
また、センサ部３の半導体基板２上に第１の反射防止膜１１を有し、その上に層間膜６を介して又は介さないで第２の反射防止膜１２または１３が形成され、第１の反射防止膜１１及び第２の反射防止膜１２または１３により特定波長光λ１を通すようにして成る固体撮像素子２１，３１，４１を構成する。 - 特許庁 - The tracking error detector is provided with an inter-signal amplitude difference adjusting circuit 41 in which gains of gain control amplifiers 3 and 4 that amplify the signals outputted from a light receiving element 1 are adjusted based on the amplitude differences among the signals so that the amplitudes among the two signals inputted to binary circuits 8 and 13 are always the same, and the amplitude differences among the signals are properly adjusted.
２値化回路８，１３に入力される２つの信号間の振幅が常に同一となるように、受光素子１から出力される前記各信号を増幅するゲインコントロールアンプ３，４のゲインを、前記信号間の振幅差をもとに調整し、前記信号間の振幅差を揃える信号間振幅差調整回路４１を備える。 - 特許庁 - The 1st substrate 12 and 2nd substrate 14 are disposed so that a reflecting electrode 17 of the organic EL element 11 corresponding to a specific pixel sandwiched between inter-pixel shield walls 18 on the 1st substrate 12 and a drain electrode 136 of the driving TFT 13 corresponding to a specific pixel formed on a spacer 19 for conduction on the 2nd substrate 14 arranged opposite each other.
第１の基板１２と第２の基板１４を、第１の基板１２上の各画素間遮壁１８で挟まれた所定の画素に対応する有機ＥＬ素子１１の反射電極１７と、第２の基板１４上の導通用スペーサ１９上に形成された所定の画素に対応する駆動用ＴＦＴ１３のドレイン電極１３６とが対向して配置されるように位置決めする。 - 特許庁 - This model evaluation analysis system is provided with: an attribute information extracting means 213 for extracting the attribute information of configuring elements configuring a model from model description information; and an association information extracting means 214 for extracting inter-configuring element association information from the model description information, thereby performing the evaluation analysis of the model by using the attribute information and the association information.
モデルを構成する構成要素の属性情報を前記モデル記述情報より抽出する属性情報抽出手段２１３と、前記構成要素間の関連付け情報を前記モデル記述情報より抽出する関連付け情報抽出手段２１４とを備え、前記属性情報と前記関連付け情報を用いて前記モデルの評価解析を行う。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory having proper cell operation characteristics, by suppressing impairment of film quality resulting from a post-heating process, when a rare earth oxide, a rare earth nitride or a rare earth oxinitride containing a rare earth element is employed as an inter-electrode insulating film or a block insulating film, thereby avoiding crystallization or deterioration in the permittivity.
本発明の課題は、希土類元素を含む希土類酸化物、希土類窒化物、または、希土類酸窒化物を電極間絶縁膜やブロック絶縁膜として用いる場合、後熱工程に起因する膜質劣化を抑制し結晶化や誘電率低下を回避して、セル動作特性の良好な不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - The semiconductor element consists of a semiconductor substrate 60 including a conductive region and insulating region, a conductive pattern formed on the conductive region of the semiconductor substrate 60, an auxiliary pattern composed of a conductive layer positioned adjacent to the conductive pattern, and an inter-layer dielectric film 66 which is formed on the semiconductor substrate 60 and has a contact hole 68 exposing the conductive pattern and auxiliary pattern at the same time.
導電領域と絶縁領域とを含む半導体基板６０と、半導体基板６０の導電領域に形成される導電パターンと、導電パターンと隣接して配置される導電層よりなる補助パターンと、半導体基板６０上に形成され、前記導電パターンと補助パターンとを同時に露出させるコンタクトホール６８を有する層間絶縁膜６６とを含む。 - 特許庁 - The optical network element of this invention is provided with an optical transmitter that is similarly connected to the spatial switching matrix to recover a clock signal of a frame configuration digital signal FP and to reconfigure the signal FP to be transmitted so that a multiplexed unit inter-nested to a transfer frame is integrated with a fixed column of the reconfigured frame that is not changed by each frame according to a multiple layer.
本発明による光ネットワークエレメントでは、多重階層に従って、移送フレームにインターネストされる多重ユニットが、フレームごとに変化しない、再構成されるフレームの固定カラムに組み込まれるように、空間スイッチングマトリックスに同様に接続され、送信されるべきフレーム構成デジタル信号ＦＰの再クロックおよび再構成を行う、さらなる光送信機が供給される。 - 特許庁 - The number of element increasing part converts a first signal with predetermined components following the first image format into a second signal with the predetermined components following a second image format with the large number of pixels, and the component quality improving part acquires a third signal with predetermined components whose component quality is improved by operating inter-image compensation processing to the second signa with predetermined components relating to continuous images.
要素数増大部は、第１の画像フォーマットに従う所定成分の第１の信号を、要素数が多い第２の画像フォーマットに従う所定成分の第２の信号に変換し、成分品質向上部は、連続する画像に係る所定成分の第２の信号に対する画像間補間処理により、成分品質を向上させた所定成分の第３の信号を得る。 - 特許庁 - A solar battery element is formed by using a good-conductivity metallic belt as a base material, laminating the film of microcrystal silicon or noncrystal silicon, and further laminating a transparent electrode, and the electric connection thereof is made by surface-activating a projection on a straight line formed on the base material and a metallic film formed on the transparent electrode and making an inter-metal connection between the both.
良導電性金属帯を基材として微結晶シリコン及びまたは非結晶シリコンを積層成膜し、さらに透明電極を成膜積層して太陽電池素子とし、その電気的な接続を基材に形成する直線上の小突起と、透明電極上に形成する金属膜を表面活性化手段によって表面活性化し両者を金属間接合する。 - 特許庁 - Next, an inter-sub array element connection part 32 additionally connects ultrasonic vibration elements connected in common within a prescribed sub array with those connected in common in a sub array adjacent to the sub array based on a distance to the transmission converging point of the transmission ultrasonic waves to form a group of the ultrasonic vibration elements having the number of channels nearly equal to the number of the driving channels of a transmission part 2.
次いで、サブアレイ間素子接続部３２は、所定のサブアレイ内において共通接続された超音波振動素子とこのサブアレイに隣接したサブアレイにおいて共通接続された超音波振動素子を前記送信超音波の送信収束点までの距離に基づいて更に接続し、送信部２の駆動チャンネル数に略等しいチャンネル数を有した超音波振動素子群を形成する。 - 特許庁
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