「inter-element」を含む例文一覧(295)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 次へ＞- To provide a planar heating element using a polyarylene sulfide film excellent in heat resistance at 200°C or more, inter-layer adhesion, a hydrolysis-proof property, planarity, and flexibility, in one consisting of a metal foil resistive element or a metal resistive element.
金属箔抵抗体または金属抵抗体からなる面状発熱体において、２００℃以上での耐熱性、層間接着性、耐加水分解性、平面性、屈曲性に優れるポリアリーレンスルフィドフィルムを使用した面状発熱体を提供する。 - 特許庁 - On the inter-layer insulating film IL, an organic EL element RU1 of red (R), an organic EL element GU1 of green (G), and an organic EL element BU1 of blue (B) of a bottom emission type are arranged in a region of one color pixel in a face parallel to a face of the substrate.
層間絶縁膜ＩＬの上に、ボトムエミッション方の赤（Ｒ）の有機ＥＬ素子ＲＵ１、緑（Ｇ）の有機ＥＬ素子ＧＵ１、青（Ｂ）の有機ＥＬ素子ＢＵ１が基板の面に平行な面内で、一つのカラーピクセルの領域内に配置される。 - 特許庁 - The TMR element 18 is laminated on a 2nd plug 14 formed in a contact hole formed in a 3rd inter-layer insulating film 12.
ＴＭＲ素子１８は、第３の層間絶縁膜１２に設けられたコンタクトホール内に形成されている第２のプラグ１４上に積層されている。 - 特許庁 - To enable a semiconductor device to be kept high in inter-element isolation characteristics even if the semiconductor device is lessened in size.
半導体装置の微細化に対しても素子間分離特性の良好な素子分離絶縁膜、これを含む半導体装置、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the light emitting device 1, a second inter-layer insulating film 35, an auxiliary electrode 150 and a common electrode 72 are successively laminated on an element layer 30.
発光装置１においては、素子層３０の上に、第２層間絶縁膜３５と、補助電極１５０と、共通電極７２が順に積層される。 - 特許庁 - First, a silicon oxide film 2 and a silicon nitride film 3, both of which have openings above an inter-element isolation region are successively formed on the surface of a P-type silicon substrate 1.
まず、Ｐ型シリコン基板１の表面に、素子間分離領域の上方に開口を有するシリコン酸化膜２及びシリコン窒化膜３を形成する。 - 特許庁 - In a reference viewpoint information encoding section 205, a syntax element indicating a viewpoint ID of a viewpoint to be used as reference of inter-viewpoint prediction is encoded.
参照視点情報符号化部２０５では視点間予測の参照として用いられる視点の視点ＩＤを示すシンタックス要素を符号化する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the same, permitting inter-element separation, without forming STIs and being capable of integration so as to obtain a high density.
ＳＴＩを形成することなく素子間の分離を可能にし、高密度に集積化できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To simplify a structure for applying a back pressure to the vanes of a second rotary compression element, in an internal inter-pressure type multi- stage compression rotary compressor.
所謂内部中間圧型多段圧縮式のロータリコンプレッサにおいて、第２の回転圧縮要素のベーンに背圧を加える構造を簡素化する。 - 特許庁 - Consequently, a LOCOS oxide film 40A is grown as an inter-element separating film in the region where the silicon nitride film 20A does not exist on the front surface of the substrate 10.
シリコン基板１０の表面には、シリコン窒化膜２０Ａのない領域でＬＯＣＯＳ酸化膜４０Ａが成長し、素子間分離膜として形成される。 - 特許庁 - When the inter-layer jump is made, a liquid crystal element 23 for spherical aberration correction is previously optimized to the cover layer thickness of the L1 layer as a movement destination.
また、この層間ジャンプ時に、球面収差補正用の液晶素子２３を予め移動先であるＬ１層のカバー層厚さに対して最適化しておく。 - 特許庁 - To easily operate various processing or works by easily dealing with data by using a directory tree structure for storing data elements for inter-data element relating processing.
データ要素を格納するディレクトリのツリー構造を、データ要素間の関連付けに用いることでデータを容易に取り扱い、各種処理や作業を容易に行う。 - 特許庁 - To provide an optical waveguide type diffraction grating element capable of suppressing both of radiation mode loss and transmission loss caused by inter-mode optical coupling.
放射モード損失およびモード間光結合に因る透過損失の双方を抑制することができる光導波路型回折格子素子を提供する。 - 特許庁 - The other electrode of the leak element 41 is connected to a counter electrode via a common line 42, a connection pad 43 and an inter-substrate conductive material and, moreover, connected to auxiliary capacitance lines 29 via the inter-substrate conductive material and a connection pad 36.
リーク素子４１の他方の電極は、共通ライン４２、接続パッド４３および基板間導通材を介して対向電極に接続され、さらに基板間導通材および接続パッド３６を介して補助容量ライン２９に接続されている。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor element by which, when an inter-layer insulating film using an O_3-TEOS is etched to form a contact, loss in a cleaning process for a lower part of the inter-layer insulating film not densified is prevented.
Ｏ_３−ＴＥＯＳを用いた層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトを形成するとき、緻密化されていない層間絶縁膜の下部のクリーニング工程における損失を防止することが可能な半導体素子の製造方法の提供。 - 特許庁 - By these processes, the formation of the inter-metal wiring abnormal film caused by etching a part of the metal wiring 101A when the inter-metal layer insulating film 104 is formed is prevented, to suppress the deterioration of the element characteristics.
以上の工程を経ることで、金属層間絶縁膜１０４を形成する際に金属配線１０１Ａの一部がエッチングされてしまうことで金属配線間に異常膜が形成されるのを防ぎ、それにより素子特性の劣化を抑える。 - 特許庁 - The other electrode of the leakage element 41 is connected to a counter electrode via a common line 42, a connection pad 43 and an inter-board conductive material and is, moreover, connected to auxiliary capacitance lines 29 via the inter-board conductive material and a connection pad 36.
リーク素子４１の他方の電極は、共通ライン４２、接続パッド４３および基板間導通材を介して対向電極に接続され、さらに基板間導通材および接続パッド３６を介して補助容量ライン２９に接続されている。 - 特許庁 - To provide an electro-optical device that prevents a switching element from being broken and then can accurately operate by making an inter-layer insulating film etc., between the switching element and a light blocking film not crack.
スイッチング素子及び遮光膜間における層間絶縁膜等にクラックを生じさせないことにより、当該スイッチング素子の破壊を未然に防止し、もって正確に動作し得る電気光学装置を提供する。 - 特許庁 - An inter-layer insulating layer 20 laminated on an element formation surface 11a covers a plurality of switching elements Sw and has a contact hole H1 at a position opposed to the second upper electrode P2 of each switching element Sw.
素子形成面１１ａに積層される層間絶縁層２０は、複数のスイッチング素子Ｓｗを覆い、各スイッチング素子Ｓｗの第二上部電極Ｐ２と対向する位置にコンタクトホールＨ１を有する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device for driving an electrothermal conversion element in which the current level can be increased by a high withstanding voltage, high speed operation can be effected with a low on resistance, and high integration and energy saving can be realized while facilitating inter-element isolation.
高耐電圧により大電流化が可能で、オン抵抗が低く高速動作が可能で、高集積化と省エネルギーが可能で、素子間分離の容易な、電気熱変換素子駆動用の半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a solid-state image pickup element for increasing the controllability of an inter-microlens distance and production stability at formation of a microlens, and for obtaining a microlens whose pratical sensitivity is high, and a method for manufacturing this solid-state image pickup element.
マイクロレンズ形成時のマイクロレンズ間距離の制御性及び生産安定性を高めることができ、また実効感度の高いマイクロレンズを得ることができる固体撮像素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A depth (D) of a separation groove separating an element formation inter-area forming MISFETQs for information transfer constituting a DRAM memory cell is double or longer of the shortest distance (W) between the element formation areas.
ＤＲＡＭメモリセルを構成する情報転送用ＭＩＳＦＥＴＱｓが形成される素子形成領域間を分離する分離溝の深さ（Ｄ）を、前記素子形成領域間の最短距離（Ｗ）の２倍以上とする。 - 特許庁 - To improve the non-linearity in the off state while keeping the insertion loss low in the case of being used as a switch element and suppressing an element size, in a multi-gate semiconductor device having an inter-gate conductive area to which a balance resistor is connected.
バランス抵抗器の接続されたゲート間伝導領域を有するマルチゲート半導体デバイスにおいて、スイッチ素子として使用した際の低挿入損失と素子サイズを抑えつつ、オフ時の非線形性を改善する。 - 特許庁 - The semiconductor device has a capacitance element composed of an upper electrode 33, a dielectric film 32 and a lower electrode 31, and a semiconductor element, and plugs 9 comprising a high melting-point metallic material are formed in connecting holes formed to inter-layer insulating films on the semiconductor element in the semiconductor device.
上部電極３３、誘電体膜３２、下部電極３１からなる容量素子と半導体素子とを有し、半導体素子上の層間絶縁膜に形成された接続孔内に高融点金属材料からなるプラグ９を設けた半導体装置である。 - 特許庁 - On the electrode substrate 300 (mirror element) shown in Fig.1 as an example, rib structural bodies 310 are formed at the parts between vertically adjacent element regions (inter-element regions) other than wiring regions in which electrodes or the like are provided.
上述したように構成された図１に例示する電極基板３００（ミラー素子）では、上下方向に隣り合う素子領域の間（素子間領域）の電極などが設けられた配線領域以外の一部に、リブ構造体３１０が形成されている。 - 特許庁 - An encoding selection unit 14 selects the most encoding efficient encoding output out of those of the inter-frame encoding unit 11, the intra-frame encoding unit 12, and the inter- element image encoding unit 13; and outputs it as an encoding output C1.
符号化選択部１４は、前記のフレーム間符号化部１１、フレーム内符号化部１２、要素画像間符号化部１３からそれぞれ出力される符号化出力のうち、符号化効率が最大のものを選択して、符号化出力Ｃ１として出力する。 - 特許庁 - A surface acoustic wave element 1 has a finger 3 and bus bars 4 on a piezoelectric substrate 2 and has at least either an IDT (inter Digital Transducer) electrode 6 or reflector electrodes 7, wherein the bus bars 4 have an area 5 where film thickness gradually increases at the finer 3 side.
圧電基板２上に、フィンガー３およびバスバー４を有しており、バスバー４がフィンガー３側に膜厚漸増領域５を有している、ＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極６および反射器電極７の少なくとも一方を有する弾性表面波素子１である。 - 特許庁 - To solve a problem of a 3ch output CCD imaging element, wherein an inter-register transfer channel is provided by 3 sets of arrangement of transfer electrodes two of which configure one pair, that causes inversion of potential between a sender side channel and a receiver side channel resulting in disabling inter-register transfer.
２枚１組の転送電極が３組並ぶ毎に１つのレジスタ間転送チャネルを設けた３ｃｈ出力のＣＣＤ撮像素子では、送り側のチャネルと受け側のチャネルとの間でのポテンシャルの逆転が生じ、レジスタ間転送を行えない。 - 特許庁 - The surface acoustic wave element 1 has a finger 3 and bus bars 4 on a piezoelectric substrate 2 and has at least either an IDT (Inter Digital Transducer) electrode 6 or reflector electrodes 7, wherein the bus bars 4 have an area 5 where film thickness gradually increases at the finger 3 side.
圧電基板２上に、フィンガー３およびバスバー４を有しており、バスバー４がフィンガー３側に膜厚漸増領域５を有している、ＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極６および反射器電極７の少なくとも一方を有する弾性表面波素子１である。 - 特許庁 - An inter-node line segment element extracted from graphic information is equally divided into n-sets ad n-sets of bits are generated corresponding to an even number or an odd number of apexes by each division.
図形情報から取り出したノード間線分要素をｎ個に等区分し、該区分毎の頂点数の偶数又は奇数によりｎ個のビットを生成する。 - 特許庁 - The CCD image sensor 2 is configured with the inter-line transfer system wherein each read gate 11 is provided between each photoelectric conversion element (PD) 10 and each VCCD 12.
ＣＣＤイメージセンサ２は、光電変換素子（ＰＤ）１０とＶＣＣＤ１２との間に読み出しゲート１１を備えるインターライントランスファ方式で構成されている。 - 特許庁 - To reduce electromigration within an aluminum inter-element connec tion by depositing an aluminum layer successively on three layers Ti/TiN/TiNx, having an initial Ti layer formed thereon in a high density plasma.
優れたエレクトロマイグレーション特性を有するアルミニウム素子間配線を可能にする多数の異なるウエッティング・レイヤーあるいはウエッティング／バリヤー・レイヤーを提供する。 - 特許庁 - Since the inter-electrode distance d1 becomes short, a driving voltage can be lowered and the optical switching element 20a and an optical switching device which have low power consumption can be provided.
電極間距離ｄ１が小さくなるので駆動電圧を下げることが可能となり、低消費電力の光スイッチング素子２０ａおよび光スイッチングデバイスを提供できる。 - 特許庁 - Additionally an inter-substrate conduction portion 70 is constructed by bringing the conductive protrusion 72 into contact with a surface of a routing wire 78 formed on an element substrate 25.
そして、素子基板２５に形成された引廻し配線７８の表面に、上述した導電性突起７２を当接させて、基板間導通部７０が構成されている。 - 特許庁 - An in-process comparison button 103 and an inter-process comparison button 104 are provided to generate and display statistical information about the working motion element analysis information.
工程内比較ボタン１０３、工程間比較ボタン１０４を設け、作業動作要素分析情報に係る統計処理情報を生成し、表示するようにした。 - 特許庁 - To provide a spacer structure with which invariably constant spacer thickness can be obtained when a plurality of lamination type spacers are used as spacers for holding the inter-substrate distance of a liquid crystal display element.
液晶表示素子の基板間距離を保持するスペーサとして複数積層型スペーサを用いるときに常に一定のスペーサ太さが得られるスペーサ構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a flash memory element which can prevent a control gate from forming a stringer and secure the electrostatic capacity of an inter-layer dielectric film without causing any loss.
コントロールゲートのストリンガーの形成を防ぐと共に、層間誘電膜の静電容量を損失無しに確保することのできるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The maximum of carbon element concentration in the carbon accumulation region 10 is provided in a region of 2 nm from an interface between the n-type diffusion layer 7 and the inter-cell insulating film 9.
この炭素蓄積領域１０における炭素元素濃度の最大がｎ型拡散層７とセル間絶縁膜９との界面から２ｎｍの領域に設けられている。 - 特許庁 - On the other hand, when the inter-terminal voltage of the third capacitor C3 becomes smaller than the reference voltage, it switches on the switching element P6 so as to charge the third capacitor C3.
一方、第３キャパシタＣ３の端子間電圧が基準電圧よりも小さくなったときには、スイッチ素子Ｐ６をオンして、第３キャパシタＣ３を充電する。 - 特許庁 - Then raw data is acquired during the periods of the recollection data acquisition spans 4 at the time when X rays are ON, and an inter-element sensitivity correction table is automatically updated online whenever necessary.
そして、Ｘ線ＯＮ時に再補正データ取得スパン４の期間に生データを取得して、オンラインで随時、素子間感度補正テーブルを自動的に更新する。 - 特許庁 - To provide an integrated circuit element, having a planarized inter- level dielectric layer with a low permittivity (K) containing an FSG layer of which conductive layer is protected from exposure to fluorine.
伝導層がフッ素への露出から保護されたＦＳＧ層を含む平坦化された低Ｋのレベル間誘電体層を有する集積回路素子が提供される。 - 特許庁 - To prevent inter-layer short-circuits even when a defective part such as a pinhole is present on a gate insulation film in an active matrix liquid crystal display element provided with a thin film transistor.
薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型の液晶表示素子において、ゲート絶縁膜にピンホール等の欠陥部があっても、層間ショートが発生しないようにする。 - 特許庁 - A first display document 30 and an inter-element correspondence relation file 31 are generated from the first display rule 29 and the structured document 26 by a display document generating means 22.
この第１表示規則２９と構造化文書２６から、表示文書生成手段２２により第１表示文書３０と要素間対応関係ファイル３１を生成する。 - 特許庁 - A switching element, which corresponds to the power supply device having a higher inter-terminal voltage of two power supply devices 1A, 1B, is selectively turned on.
２つの電力供給デバイス１Ａ，１Ｂのうち、端子間電圧が高いほうの電力供給デバイスに対応するスイッチング素子を、選択的にオン状態とする。 - 特許庁 - To provide a new electrolyte composition exhibiting high ion conductivity in a substrate direction (inter-electrode direction); its manufacturing method; and an electrochemical element using it.
基板方向（電極間方向）に高いイオン伝導性を示す新規な電解質組成物及びその製造方法並びにこれを用いた電気化学素子を提供する。 - 特許庁 - To prevent the inter-dot pitch at the joint of a plurality of light emitting element array boards from being disturbed by such an extent as causing a defective image even when the environmental temperature of a writing unit is varied.
装置が置かれている環境温度が変化しても、複数の発光素子アレイ基板の継ぎ目部分のドット間ピッチが画像不良になるほど狂わないようにする。 - 特許庁 - Provided are the actuator 40a which adopts electrodes 42a and 42b in slanting or trapezoidal structure or oblique surface structure so that an inter-electrode distance d1 at the circumference of a shaft 36 of a driving element 35 and the optical switching element 20a equipped with the same to drive the driving element 35 to swivel.
駆動エレメント３５を旋回駆動するために、その軸３６の周囲の電極間距離ｄ１を小さくできるように傾いた、あるいは台形構造、または斜面構造の電極４２ａおよび４２ｂを採用したアクチュエータ４０ａと、それを備えた光スイッチング素子２０ａを提供する。 - 特許庁 - To improve inter-element uniformity of diffraction efficiency as an element by preventing grating falling of a recessed and projecting periodic structure from a substrate normal direction, which is caused at the time of filling a material into a recessed part of the recessed and projecting periodic structure.
凹凸状周期構造の凹部に材料を充填する際に発生する、凹凸状周期構造の基板法線方向からの格子倒れを防ぎ、素子としての回折効率の素子間均一性を向上させることである。 - 特許庁 - The magnetic memory includes an inter-layer insulating layer 26 provided on a substrate 20, a conductive base layer 11 provided on the inter-layer insulating layer 26, and a magneto-resistance element provided on the base layer 11 and including two magnetic layers 12 and 13 and a nonmagnetic layer 13 sandwiched therebetween.
磁気メモリは、基板２０上に設けられた層間絶縁層２６と、層間絶縁層２６上に設けられた導電性の下地層１１と、下地層１１上に設けられ、かつ２つの磁性層１２、１３と、これらに挟まれた非磁性層１３とを有する磁気抵抗素子とを含む。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging element which has high reliability by suppressing current leakages, by avoiding forming a sub-trench in an etching-back process for forming a sidewall insulating film as an inter-electrode insulating film, and then forming the inter-electrode insulating film which is readily made fine and which is high in quality.
電極間絶縁膜となるサイドウォール絶縁膜を形成するためのエッチバック工程におけるサブトレンチの生成を回避し、電流リークを抑制することで、微細化が容易でかつ高品質の電極間絶縁膜を形成することにより、信頼性の高い固体撮像素子を提供する。 - 特許庁
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