「nm」を含む例文一覧(14378)

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  • The liquid crystal display device is configured by using an optical compensation sheet, wherein: the optical compensation sheet comprises a polymer film containing an aromatic compound that has at least two aromatic rings; its Re retardation value falls in a range of 0 to 70 nm; its Rth retardation value falls in a range of 30 to 400 nm; and its haze is ≤2.0%.
    少なくとも二つの芳香族環を有する芳香族化合物を含むポリマーフイルムからなり、Ｒｅレターデーション値が０乃至７０ｎｍの範囲にあり、Ｒthレターデーション値が３０乃至４００ｎｍの範囲にあり、そしてヘイズが２．０％以下であることを特徴とする光学補償シートを液晶表示装置に利用する。 - 特許庁
  • The WDM optical coupler 14 near the optical transmission path 12 supplies the signal light of 1550 nm wavelength from the optical fiber transmission path 12 to the WDM optical coupler 16, and introduces exciting light of 1350 nm wavelength from an exciting light source 20 into the optical fiber transmission path 12 so that the exciting light travels in the reveres direction of the signal light.
    光ファイバ伝送路１２に近いＷＤＭ光カップラ１４は、光ファイバ伝送路１２からの波長１５５０ｎｍの信号光をＷＤＭカップラ１６に供給し、励起光源２０からの波長１３５０ｎｍの励起光を光ファイバ伝送路１２に、信号光とは逆方向に進行するように導入する。 - 特許庁
  • When the metal thin film type magnetic layer having 5 to 55 nm thickness is deposited on the other principal surface side of the non-magnetic substrate by a vacuum thin film deposition method, a shielding layer consisting of diamond like carbon and having 3 to 25 nm thickness is provided between the non-magnetic substrate and the magnetic layer by plasma CVD method.
    非磁性支持体の一主面側に真空薄膜形成法により、厚さ５ｎｍ以上、５５ｎｍ以下の金属薄膜型磁性層を形成するに際して、該非磁性支持体と該磁性層との間にダイヤモンドライクカーボンからなる厚さ３ｎｍ以上、２５ｎｍ以下のシールド層をプラズマＣＶＤ法により設ける。 - 特許庁
  • The sialon ceramic is constituted of a starting raw material comprising Si_3N_4 having average particle diameter Ps=≤500 nm, Al_2O_3 having average particle diameter Ps=≤300 nm and AlN having average particle diameter Ps=≤1 μm and the relative specific gravity of a sintered compact as β-SiAlON is ≥95%.
    サイアロンセラミックスであって、平均粒径Ｐ_ｓ＝５００ｎｍ以下のＳｉ_３Ｎ_４と、平均粒径Ｐ_ｓ＝３００ｎｍ以下のＡｌ_２Ｏ_３と、平均粒径Ｐ_ｓ＝１μｍ以下のＡｌＮからなる出発原料より構成され、焼結体のβ−ＳｉＡｌＯＮとしての相対密度が９５％以上であるものとする。 - 特許庁
  • The epoxy resin composition for sealing semiconductors comprises (A) an epoxy resin, (B) a phenolic resin-based curing agent, (C) an inorganic filler other than the component (E) below, (D) a curing accelerator and (E) silicon carbide, where the average particle size of silicon carbide (E) is at least 1 nm and at most 1,000 nm.
    （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤、（Ｃ）下記（Ｅ）成分を除く無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤、（Ｅ）炭化ケイ素を含むエポキシ樹脂組成物であって、前記炭化ケイ素（Ｅ）の平均粒径が１ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 特許庁
  • The substrate for analysis of the biomolecular functions has a substrate body 11 in which a hole 11a of 100 nm-1 μm diameter of an opening or a fine recess having a groove of 100 nm-1 μm width; and a mesh structure 12 made of a nanolinear body disposed on the fine recess of the substrate body 11.
    本発明の生体分子機能解析用基板は、開口部の直径が１００ｎｍ〜１μｍの穴部１１ａまたは幅が１００ｎｍ〜１μｍの溝からなる微小凹部が形成された基板本体１１と、基板本体１１の微小凹部の上に配置されたナノ線状体からなる網目構造体１２とを有する。 - 特許庁
  • As to the oscillation intensity of a laser beam which is emitted from a fluorine laser 1 to irradiate the pattern surface of a mask R in an aligner 100, the ratio of the total intensity of a main oscillation beam having a wavelength of about 157.63 nm to that of an auxiliary oscillation beam having a wavelength of about 157.52 nm is set at 0.3 or below.
    露光装置１００では、フッ素レーザ１からマスクＲのパターン面に照射される、レーザ光の発振線強度のうち、波長が約１５７．６３ｎｍである主発振線の総強度に対する、波長が約１５７．５２ｎｍである副発振線の総強度の比が、０．３％以下に設定されている。 - 特許庁
  • The vermin attraction-inhibiting acrylic resin film, which has a thickness of 300 μm or below and is excellent in transparency, has a transmittance of light having a wavelength of 400 nm or below at 20% or below and a transmittance of light in a visible light range of 420 nm or below at 55% or over, and the laminate has the above film on the surface thereof.
    ４００ｎｍ以下の波長の透過率が２０％以下で、かつ４２０ｎｍ以上の可視光領域の透過率が５５％以上であることを特徴とする厚み３００μｍ以下の透明性に優れた害虫誘引阻止アクリル樹脂フィルム；および、このフィルムを表面に有する積層体。 - 特許庁
  • The resin composition comprises a spherical silica particle having an average particle size of 0.1 μm or more and 5 μm or less and sphericity of 0.8 or more, a silica nano-particle having an average particle size of 1 nm or more and 50 nm or less, and one or more resins selected from a heat- or light-curable resin and a thermoplastic resin.
    樹脂組成物を、平均粒子径０．１μｍ以上５μｍ以下、かつ、真球度０．８以上の球状シリカ粒子と、平均粒子径１ｎｍ以上５０ｎｍ以下のシリカナノ粒子と、熱または光により硬化する硬化性樹脂、熱可塑性樹脂から選ばれる一種以上の樹脂と、を含むよう構成する。 - 特許庁
  • In the hexagonal ferrite particle powder for magnetic recording medium, the diameter of an average plate surface of hexagonal ferrite particle powder is more than 20.5 nm and not more than 30 nm, and the total amount of elements of platinum group elements contained in the hexagonal ferrite particle powder (ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium and platinum) is 10 ppm or less.
    六方晶フェライト粒子粉末の平均板面径が２０．５ｎｍを超えて３０ｎｍ以下であって、該六方晶フェライト粒子粉末に含有される白金族元素（ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム及び白金）の各元素の合計量が１０ｐｐｍ以下である磁気記録媒体用六方晶フェライト粒子粉末である。 - 特許庁
  • The texture 13 of a low frequency component obtained by measuring a 10 μm square range by an atomic force microscope has 10 to 200 nm width W, 2 to 10 nm height H and the ratio (Rp/RMS) of the maximum height Rp to root-mean-square roughness RMS of not more than 15.
    原子間力顕微鏡で１０μｍ四方の範囲を測定して得られる低周波成分のテクスチャー１３の幅Ｗは１０〜２００ｎｍ、テクスチャー１３の高さＨは２〜１０ｎｍ、テクスチャー１３の自乗平均粗さＲＭＳに対する最大山高さＲｐの比（Ｒｐ／ＲＭＳ）は１５以下である。 - 特許庁
  • This resin composition is provided by blending carbon fibers having a 5 to 500 nm mean fiber diameter, a non-electroconductive fibers having a mean fiber diameter of 500 nm or less and a resin, wherein the blending ratio of the carbon fibers X is 1 to 20 mass% and the blending ratio Y of the non-electroconductive fibers satisfies the relation ship: X<Y.
    平均繊維径が５〜５００ｎｍの炭素繊維と、平均繊維径が５００ｎｍ以上の非導電性繊維と、樹脂とが配合され、前記炭素繊維の配合割合Ｘが１〜２０質量％であり、非導電性繊維の配合割合ＹがＸ＜Ｙの関係を満たす樹脂組成物などである。 - 特許庁
  • As a concrete example, by a plasma sputtering method using an electron cyclotron resonance(ECR), a strontium titanate(SrTiO_3) film of about several hundreds of nm thickness is formed on a silicon substrate, the film is irradiated with microwaves at 28 GHz in air, so as to be post-annealed, and a dense and fine crystal in several tens of nm is revealed.
    具体例として、シリコン基板上に電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を利用したプラズマスパッタ法により、チタン酸ストロンチウム ＳrＴi Ｏ_3 を数百ｎｍ成膜した後、大気中で２８ＧＨｚのマイクロ波を照射してポストアニーリングしたところ、緻密で数１０ｎｍの微細な結晶を発現できた。 - 特許庁
  • Electric resistance of a magnetoresistance effect element of about 51 Ω can be achieved when an MR height is made same dimension with a track width by making an electrode into a two-step structure and using an Rh film of a thickness of about 20 nm for a first electrode layer 5, and an Au film of about 100 nm of film thicknesses for a second electrode layer 6.
    電極を二段構造にし、第１電極層５に厚さ約２０ｎｍのＲｈを用い、第２電極層６に膜厚約１００ｎｍのＡｕを用いることによって、トラック幅と同じ寸法のＭＲ高さとしたときの磁気抵抗効果素子の電気抵抗は約５１Ωを実現することができる。 - 特許庁
  • This functional sheet has: a sheet-like base material having a main surface; and a dot-like position-encoded pattern formed by ink including an infrared absorbing agent substantially transparent in a visible area of 400-800 nm, showing an absorption characteristic higher than the visible area in a near-infrared area of 800-950 nm on the main surface.
    主表面を有するシート状の基材と、該主表面上に、４００〜８００ｎｍの可視域において実質的に透明であり８００〜９５０ｎｍの近赤外域において該可視域より高い吸収特性を示す赤外線吸収剤を含むインキで形成されたドット状の位置符号化パターンを有する機能性シート。 - 特許庁
  • To provide copper-containing silica glass which emits fluorescence having a peak within 520-580 nm wavelength by irradiation with the ultraviolet light having ≤400 nm wavelength and has excellent long-term stability even when used at a high output and to provide a method for manufacturing the copper-containing silica glass and a xenon flash lamp using the copper-containing silica glass.
    波長４００ｎｍ以下の紫外線の照射により、波長５２０ｎｍから５８０ｎｍにピークを持つ蛍光を発するガラスであり、高出力での使用においても長期安定性に優れた銅含有シリカガラス及びその製造方法、並びにそれを用いたキセノンフラッシュランプを提供することを目的とする。 - 特許庁
  • The void-type inkjet image receiving layer is characterized by being formed by using the coating liquid comprising particles consisting of a gas phase silica with a primary particle diameter of 5-20 nm and particles consisting of a wet precipitated silica and comprising particles with a particle diameter measured by means of a light scattering method of 50-1,000 nm.
    一次粒子径が５〜２０ｎｍである気相法シリカからなる粒子と湿式沈降法シリカからなる粒子を含有し、光散乱法により測定された粒子径が５０〜１０００ｎｍである粒子を含有する塗布液を用いて形成されたことを特徴とする空隙型インクジェット受像層。 - 特許庁
  • To provide a stimulus sensitive composition having high sensitivity and high resolving power and exhibiting good profile, to provide a photosensitive composition having high sensitivity at ≤200 nm, particularly at exposure wavelength of F_2 laser light (157 nm), and also to provide a new compound which generates an acid or a radical under an external stimulus so as to provide these compositions.
    高感度、高解像力で、良好なプロファイルを示す感刺激性組成物、また、２００ｎｍ以下、特にＦ_２レーザー光（１５７ｎｍ）の露光波長において高感度の感光性組成物、更には、これらの組成物を提供すべく、外部からの刺激により酸またはラジカルを発生する新規な化合物を提供する。 - 特許庁
  • The nanoporous fiber (except the fiber having the eccentrically maldistributed nanoporous parts) has pores of 100 nm or less diameter characterized in that the area ratio of pores of 200 nm or greater diameter based on the entirety of fiber cross section is 1.5% or less and that the pores are present as closed cells.
    上記目的は、直径１００ｎｍ以下の細孔を有するナノポーラスファイバーであって、繊維横断面全体に占める直径２００ｎｍ以上の細孔の面積比が１．５％以下であり、細孔が独立孔であるナノポーラスファイバー（ナノポーラス部が繊維横断面中で偏心的に偏在していることを除く）により達成される。 - 特許庁
  • The magnetic material included particles are composed of an organic polymeric substance and a magnetic material dispersed in the organic polymeric substance so as to have a disperse diameter of 1-30 nm and characterized with an average particle size of 50-300 nm and the zeta potential measured in a 0.01N sodium chloride solution of -10 to -50 mV.
    有機高分子物質と、前記有機高分子物質中に分散径１〜３０ｎｍで分散した磁性体とからなる磁性体内包粒子であって、平均粒子径が５０〜３００ｎｍ、かつ、０．０１Ｎの塩化ナトリウム水溶液中で測定されるゼータ電位が−１０〜−５０ｍＶである磁性体内包粒子。 - 特許庁
  • To provide a low-cost and compact device for detecting substances dissolved in water, and a measuring device superior in stability and little in measurement error, capable of measuring substances dissolved in water having absorption characteristics in 185 nm to 260 nm without using a spectral filter, a light gathering part, or a mechanism for shielding external visible light.
    分光フィルターや集光部及び外部可視光の遮断構造を用いずに水中１８５ｎｍ〜２６０ｎｍに吸収特性を持つ溶存物質を測定できるとともに、安定性に優れ、低原価、小型且つ測定誤差が少ない水中溶存物質検出器及び測定装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • This pretreatment column 1 for analysis is packed with at least an inorganic filler 2 having a double pore structure comprising through pores having a number average diameter of not less than 0.5 μm and not more than 25 μm and mesopores having a number average diameter of not less than 2 nm and not more than 50 nm.
    数平均直径が０．５μｍ以上２５μｍ以下の範囲のスルーポアと数平均直径が２ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲のメソポアとを有する２重細孔構造からなる無機系充填剤２が少なくとも充填されてなることを特徴とする分析用前処理カラム１を採用する。 - 特許庁
  • Increasing rates of the stem length and lower hypocotyl length are made larger and seedlings having large lower hypocotyl length are obtained, compared with a case when white light is irradiated by keeping a ratio of the radiation energy having 400-450 nm wavelength region to the radiation energy having 400-800 nm wavelength region of light irradiating to seedlings 13 to 0-10%.
    苗１３に照射する光の４００〜８００ｎｍの波長領域のエネルギのうち４００〜４５０ｎｍの波長領域の割合を０〜１０％とすることにより、白色光を照射する場合に比較して、茎長および下胚軸長の増加率が大きくなり、下胚軸長の大きい苗が得られる。 - 特許庁
  • The manufacturing method of the semiconductor substrate related to a first aspect includes: a chromium layer film formation process for film-forming a chromium layer having average layer thickness of not less than 7 nm and less than 45 nm on a base substrate; and a nitriding process for nitriding the chromium layer at not less than 1,000°C temperature for forming a chromium nitride film.
    本発明の第１側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を７ｎｍ以上４５ｎｍ未満の平均層厚で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を１０００℃以上の温度で窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁
  • The composition for the polishing is obtained by mixing a colloidal silica containing primary particles having 30 nm average particle diameter as a polishing material, a polymethyl methacrylate having 30 nm average particle diameter, oxalic acid, hydrogen peroxide, benzotriazole and a surfactant with ion-exchanged water filtered by a 0.5 μm cartridge filter, and stirring the resultant mixture by a high-speed homogenizer to provide homogeneous dispersion.
    研磨材として一次粒子の平均粒径が３０ｎｍであるコロイダルシリカと平均粒径３０ｎｍのポリメチルメタクリレート、シュウ酸、過酸化水素、ベンゾトリアゾール、界面活性剤を０．５μｍのカートリッジフィルターで濾過されたイオン交換水に混合し、高速ホモジナイザーで攪拌して均一に分散させて研磨用組成物を得た。 - 特許庁
  • The cathode including an electrode catalyst where platinum or a platinum alloy is carried by a carbon carrier having an average interplanar spacing d002 of 0.340-0.362 nm, a size of crystal Lc of 0.6-4 nm and a specific surface area of 260-800 m2/g, and an ion exchange membrane is faced to an anode through an ion exchange film.
    平均格子面間隔ｄ_002が０．３４０〜０．３６２ｎｍ、結晶子の大きさＬ_cが０．６〜４ｎｍ、かつ比表面積が２６０〜８００ｍ^2／ｇのカーボン担体に、白金又は白金合金が担持された電極触媒と、イオン交換樹脂とを含むカソードを、イオン交換膜を介してアノードと対向させる。 - 特許庁
  • The void-type inkjet image receiving layer is characterized by being formed by using the coating liquid comprising particles consisting of a gas phase silica with a primary particle diameter of 5-20 nm and particles consisting of a cationic colloidal silica and comprising particles with a particle diameter measured by means of a light scattering method of 50-1,000 nm.
    一次粒子径が５〜２０ｎｍである気相法シリカからなる粒子とカチオン性コロイダルシリカからなる粒子を含有し、光散乱法により測定された粒子径が５０〜１０００ｎｍである粒子を含有する塗布液を用いて形成されたことを特徴とする空隙型インクジェット受像層。 - 特許庁
  • The WDM optical coupler 16 near the optical receiver 18 supplies the signal light of 1550 nm wavelength from the optical fiber transmission path 12 to the optical receiver 14, and introduces exciting light of 1450 nm wavelength from an exciting light source 22 into the optical fiber transmission path 12 so that he exciting light travels in the reverse direction of the signal light.
    光受信装置１８に近いＷＤＭ光カップラ１６は、光ファイバ伝送路１２からの波長１５５０ｎｍの信号光を光受信装置１４に供給し、励起光源２２からの波長１４５０ｎｍの励起光を光ファイバ伝送路１２に、信号光とは逆方向に進行するように導入する。 - 特許庁
  • It is possible to simply and accurately determine whether a light source is a white LED, on the basis of a signal amount of the imaging signal corresponding to the light of a wave length near 80 nm and a signal amount of the imaging signal corresponding to the light of a wave length near 450 nm which are obtained from a solid state imaging device.
    固体撮像素子から得られた８０ｎｍ付近の波長の光に対応する撮像信号の信号量と４５０ｎｍ付近の波長の光に対応する撮像信号の信号量とに基づき、簡便かつ正確に光源が白色ＬＥＤであるか否かを判断することができる。 - 特許庁
  • The metallic thin wire-including thin film is composed of a mesoporous silica thin film having ≤1 μm film thickness and 1-50 nm central fine pore diameter and the metallic thin wires formed in the fine pores of the mesoporous silica thin film and having 1-50 nm average diameter and the average aspect ratio of ≥5.
    膜厚が１μｍ以下であり、かつ中心細孔直径が１〜５０ｎｍであるメソポーラスシリカ薄膜と、前記メソポーラスシリカ薄膜の細孔内に形成されている平均直径が１〜５０ｎｍであり、かつ平均アスペクト比が５以上である金属細線と、を備えることを特徴とする金属細線包接薄膜。 - 特許庁
  • This nonaqueous inkjet ink comprises at least a pigment, a fixing resin and a solvent, wherein a dispersing mean particle diameter of the pigment is ≥50 nm and <200 nm, the fixing resin is a vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, and the solvent has relative permittivily of ≥40 and no hydroxy group.
    少なくとも顔料、定着樹脂及び溶媒を含有し、該顔料の分散平均粒径が５０ｎｍ以上、２００ｎｍ未満であり、該定着樹脂が塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体であり、該溶媒が比誘電率４０以上で、かつ水酸基を含まないことを特徴とする非水系インクジェットインク。 - 特許庁
  • To provide a positive type resist composition suitable for use under a light source for exposure which emits light of ≤160 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), to provide a positive type resist composition having improved surface roughness and superior storage stability and to further product a positive type resist composition which also diminishes development defects.
    １６０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、表面ラフネスが改善され、保存安定性に優れたポジ型レジスト組成物、更には現像欠陥をも低減したポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁
  • The electrophotographic photoreceptor having a photosensitive layer on a conductive base is characterized in that the surface layer of the electrophotographic photoreceptor contains domains to lower the surface energy of a number average grain size 1 to 100 nm and particles of a number average primary particle size 3 to 300 nm.
    導電性基体上に感光層を有する電子写真感光体において、該電子写真感光体の表面層が、数平均粒径１〜１００ｎｍの表面エネルギーを低下させるドメインと、数平均一次粒子径３〜３００ｎｍの粒子とを含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁
  • The antireflection fine structure comprises, for example, a great number of conical fine projections 1 having a bottom diameter D of 50 to 380 nm and an aspect ratio (H/D) of 1 to 10 arranged in a pitch P of 50 to 380 nm, wherein the contact angle of the surfaces of the fine projections 1 with water is controlled to <90°.
    例えば、底面径Ｄが５０〜３８０ｎｍであって、アスペクト比（Ｈ／Ｄ）が１〜１０の無数の円錐状微細突起１が５０〜３８０ｎｍのピッチＰで配置されて成る反射防止微細構造において、上記微細突起１の表面における水滴に対する接触角が９０°未満となるようにする。 - 特許庁
  • The surface protection film is equipped with a substrate and a coating layer of 20 nm-500 nm thickness on the surface of the substrate; wherein the coating layer is formed of a composition comprising, a conductive polymer component (A) having a polythiophene structure and an electron accepting polyacid structure, a melamine resin (B), a polyester resin (C) and an organo-siloxane (D).
    本発明の表面保護フィルムは、基材と、基材の表面に、ポリチオフェン構造と電子受容性ポリ酸構造とを有する導電性ポリマー成分（Ａ）、メラミン樹脂（Ｂ）、ポリエステル樹脂（Ｃ）、およびオルガノシロキサン（Ｄ）を含む組成物を用いて形成した、厚みが２０ｎｍ〜５００ｎｍのコート層とを備える。 - 特許庁
  • A mixture of gallium oxide powder, zinc sulfide powder and activated carbon powder is heated at 1,300 to 1,600°C for 1 to 2 hr in an inert gas stream, thus a gallium sulfide submicrometer tube whose outer diameter is 200 to 900 nm, and the thickness of the tube wall is 60 to 300 nm can be produced.
    酸化ガリウム粉末と硫化亜鉛粉末と活性炭粉末との混合物を不活性ガス気流中で、１３００〜１６００℃で１〜２時間加熱することにより、外径が２００〜９００ｎｍであり、チューブ壁の厚さが６０〜３００ｎｍである硫化ガリウムサブマイクロメートルチューブを製造することができる。 - 特許庁
  • A superconductive layer 3 is formed on an orientated metal substrate 1 in which the deviation angle of a crystal axis in its surface layer 1a having a depth of up to 300 nm from its surface is 25° or less, and which is leveled so as to have surface roughness R_p-v of 150 nm or less.
    表面から３００ｎｍまでの深さの表面層１ａ内における結晶軸のずれ角が２５°以下で、表面粗さＲ_P-Vが１５０ｎｍ以下に平坦化された配向金属基板１上に、超電導層３を形成されていることを特徴とする超電導線材およびその製造方法。 - 特許庁
  • In the liquid crystal display device having a transmissive region and a reflective region, an electrode in the transmissive region is constructed with a transparent electrode 17, an electrode in the reflective region is constructed with a metal electrode 18, where a transparent conductive film 21 with 80 nm or larger and 120 nm or smaller film thickness is disposed on the metal electrode 18.
    透過領域と反射領域を有する液晶表示装置において、透過領域の電極を透明電極１７で構成し、反射領域の電極を金属電極１８で構成し、この金属電極１８上に膜厚が８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の透明導電膜２１を配置した。 - 特許庁
  • The glass article is prepared by forming a masking layer on the surface of a transparent heat-resistant glass plate and characterized as follows: the average transmittance of visible rays with wavelengths of 400-700 nm is 0.03-15%, and the average reflectance of infrared rays with wavelengths of 1,000-2,500 nm is 50% or higher.
    本発明のガラス物品は、透明耐熱ガラス板の表面に遮光層が形成されてなるガラス物品であって、波長４００〜７００ｎｍの可視光線の平均透過率が０．０３〜１５％であり、波長１０００〜２５００ｎｍの赤外線の平均反射率が５０％以上であることを特徴とする。 - 特許庁
  • The optical compensation sheet, which is characterized by being composed of a polymer film containing an aromatic compound having at least two aromatic rings, by having Re retardation value in 0-70 nm range, by having Rth retardation value within the range of 30-400 nm and by having ≤2.0% haze, is used for a liquid crystal display device.
    少なくとも二つの芳香族環を有する芳香族化合物を含むポリマーフイルムからなり、Ｒｅレターデーション値が０乃至７０ｎｍの範囲にあり、Ｒthレターデーション値が３０乃至４００ｎｍの範囲にあり、そしてヘイズが２．０％以下であることを特徴とする光学補償シートを液晶表示装置に利用する。 - 特許庁
  • To provide a pattern forming method which can form a uniformly thin film having an thickness of not more than 100 nm applicable to lithography using nanoimprint for patterning in not more than 100 nm and can be applied to nanoimprint, and to provide a manufacturing apparatus of an electrolyte film for pattern formation which can realize such a method.
    １００ｎｍ以下のパターニングが可能なナノインプリントを用いたリソグラフィーに適用できる１００ｎｍ以下でも均一な厚みの薄膜形成ができ、それをナノインプリントに応用できるようパターンの形成方法とそのような方法を実現することができるパターン形成用電解質膜の製造装置を提供する。 - 特許庁
  • This coating film comprising a diamond-like carbon hard multi- layered film 3 which has an amorphous structure containing carbon as a main component and is obtained by alternately laminating low hardness hard carbon layers 4 containing graphite clusters having an average diameter of ≥2 nm and high hardness hard carbon layers 5 containing graphite clusters having an average diameter of ≤1 nm.
    本発明のコーティング膜は、炭素を主成分としたアモルファス構造体であって、平均径２ｎｍ以上からなるグラファイトクラスターを含む低硬度硬質炭素層４と平均径１ｎｍ以下からなるグラファイトクラスターを含む高硬度硬質炭素層５が交互に積層されたＤＬＣ硬質多層膜３である。 - 特許庁
  • The microporous membrane includes a polyolefin resin and an inorganic particle, wherein the inorganic particle contains a zinc oxide as a principal ingredient, the average primary particle diameter of the inorganic particle is at least 5 nm and less than 40 nm, and the D50 average particle size of the inorganic particle is at least 1.5 μm and less than 9 μm.
    ポリオレフィン樹脂と無機粒子とを含む微多孔膜であって、前記無機粒子が酸化亜鉛を主成分として含み、前記無機粒子の平均一次粒子径が５ｎｍ以上４０ｎｍ未満であり、前記無機粒子のＤ５０平均粒子径が１．５μｍ以上９μｍ未満であるポリオレフィン微多孔膜。 - 特許庁
  • The film thickness dimension T of the TiO_2 film 57 and the film thickness dimension S of the Ag alloy film 58 are set so that the reflectance at a reference wavelength of 560 nm is the target reflectance 91% and the reflectance at a set wavelength of 400 nm is lower than the reflectance when a reflection film is formed using only the metal film.
    ＴｉＯ_２膜５７の膜厚寸法ＴおよびＡｇ合金膜５８の膜厚寸法Ｓは、参照波長５６０ｎｍの反射率が目標反射率９１％となり、かつ、設定波長４００ｎｍの反射率が、前記金属膜のみで反射膜を構成した場合より低くなる膜厚に設定される。 - 特許庁
  • To provide a photosensitive resin composition having high sensitivity to both of light of 350-370 nm and light of 400-410 nm, capable of forming a resist pattern having a good profile with high resolution, and ensuring good strippability of the formed resist pattern, and a photosensitive element using the composition.
    ３５０ｎｍ〜３７０ｎｍ及び４００ｎｍ〜４１０ｎｍのいずれの光に対しても高感度であり、良好な形状を有するレジストパターンを高解像度で形成することができるとともに、形成されたレジストパターンの剥離性が良好である感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメントを提供すること。 - 特許庁
  • The polyolefin microporous membrane includes a polyolefin resin and an inorganic particle, wherein the inorganic particle contains a zinc oxide as a principal ingredient, the average primary particle diameter of the inorganic particle is at least 5 nm and at most 120 nm, and the D50 average particle size of the inorganic particle is at least 1.5 μm and less than 25 μm.
    ポリオレフィン樹脂と無機粒子とを含む微多孔膜であって、前記無機粒子が酸化亜鉛を主成分として含み、前記無機粒子の一次粒子径が５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、前記無機粒子のＤ５０平均粒子径が１．５μｍ以上２５μｍ未満であるポリオレフィン微多孔膜。 - 特許庁
  • The liquid curable composition comprises (A) particles containing tin-containing indium oxide (ITO) having ≤20 nm primary particle diameter and ≤50 nm secondary particle diameter as a main component, (B) a compound having two or more polymerizable unsaturated groups in the molecule, (C) a photopolymerization initiator and (D) a solvent.
    下記成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）： （Ａ）一次粒径が２０ｎｍ以下であり、かつ二次粒径が５０ｎｍ以下である錫含有酸化インジウム（ＩＴＯ）を主成分とする粒子 （Ｂ）分子内に２以上の重合性不飽和基を有する化合物 （Ｃ）光重合開始剤 （Ｄ）溶剤 を含有する液状硬化性組成物。 - 特許庁
  • In the laminated film comprising a polyester film and a coated layer provided thereon, the coated layer is excited by light with a wavelength of 400 to 450 nm, and includes 1-10 wt.% of an organic fluorescent which emits light with a wavelength of 500 to 600 nm and an effective amount of an ultraviolet absorbent.
    ポリエステルフィルムおよびそのうえに設けられた塗布層からなり、塗布層は４００〜４５０ｎｍの波長の光で励起し５００〜６００ｎｍの波長の光を発光する有機蛍光剤を１〜１０重量％および有効量の紫外線吸収剤を含有することを特徴とする積層フィルム。 - 特許庁
  • An iron lithium phosphate positive electrode material 10 includes a primary particle 11 of an iron lithium phosphate 12 having a conductive carbon coating layer 13 and the conductive carbon coating layer has a thick layer 13a having thickness of 2 nm or more and a thin layer 13b having thickness of less than 2 nm.
    導電性炭素被覆層１３を備えたリン酸鉄リチウム１２の一次粒子１１を有するリン酸鉄リチウム正極材料１０であって、前記導電性炭素被覆層は、その厚みが２ｎｍ以上の層厚部１３ａと、２ｎｍ未満の層薄部１３ｂとを有することを特徴とする、リン酸鉄リチウム正極材料。 - 特許庁
  • When an increase of loss in the wavelength of 630 nm band caused by bonding defect of silicon and oxygen in the quartz glass is limited to 4 dB/km or less, an increase of loss in the wavelength of 1380 nm band caused by the diffusion of oxygen into the quartz glass can be limited to 0.1 dB/km or less.
    この石英ガラス中のシリコンと酸素との結合欠陥によって生じる波長６３０ｎｍ帯での損失増加分を４ｄＢ／ｋｍ以下とすることにより、石英ガラス中への水素拡散によって生じる波長１３８０ｎｍ帯での損失増加分を０．１ｄＢ／ｋｍ以下とすることができる。 - 特許庁
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