「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 116 117 118 119 120 121 122 123 124 .... 287 288 次へ＞- In the prescribed wavelength band of a band width ≥100 nmnm, the difference between the maximum value and minimum value of the wavelength dispersion of a base mode is <10 ps/nm/km, the maximum value of the absolute value of the wavelength dispersion is <20 ps/nm/km and the minimum value of the effective core sectional area is <5 μm^2.
帯域幅１００ｎｍｎｍ以上の所定波長帯域において、基底モードの波長分散の最大値と最小値との差が１０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ未満であり、波長分散の絶対値の最大値が２０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ未満であり、実効コア断面積の最小値が５μｍ^２未満である。 - 特許庁 - The fabric processed for cleaning of the present invention is characterized by comprising a nonwoven fabric composed of entangled microfibers which keep a number average diameter of monofibers ranging from 1 to 400 nm, and the weight percentage of such monofibers with a diameter ranging from 1 to 400 nm is 60% or more with respect to the total microfiber and/or entangled microfiber bundles.
本発明の洗浄加工布は、数平均による単繊維の直径が１〜４００ｎｍ、全極細繊維における単繊維の直径が１〜４００ｎｍの単繊維の重量比率が６０％以上の極細繊維及び／または極細繊維束が絡合してなる不織布からなることを特徴とするものである。 - 特許庁 - In the woven fabric using polybenzazole fibers having a double cylindrical structure as warps and/or wefts, a tensile strength per unit basis weight in the warp direction is ≥0.5 Nm^2/g, the tensile strength in the warp direction is ≥0.5 Nm^2/g, and cycles until breakage in an abrasion test are ≥5200 cycles.
2重円筒構造を有するポリベンザゾール繊維を経糸及び／又は緯糸に使用してなる単位目付当たりに対する経糸方向の引張強度が０．５Ｎｍ^２／ｇ以上、緯糸方向の引張強度が０．５Ｎｍ^２／ｇ^ 以上である摩耗試験における破断までのサイクルが５２００回以上である織物。 - 特許庁 - To thin a light-shielding layer (i.e., to thin a light-shielding film and a transfer pattern) necessary for generations of DRAM half-pitch (hp) 45 nm and after in a semiconductor design rule, especially for a generation of hp 32-22 nm, as to a photomask blank to be used for manufacturing a photomask for ArF eximer laser exposure.
ＡｒＦエキシマレーザー露光用フォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクに関し、半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の世代、特にｈｐ３２−２２ｎｍ世代に必要な遮光層の薄膜化（ひいては遮光膜、転写パターンの薄膜化）を目的とする。 - 特許庁 - A gate electrode is formed over a substrate, and a gate insulating layer is formed over the gate electrode, and a first semiconductor layer having a thickness of 3 to 10 nm, preferably, 3 to 5 nm is formed over the gate insulating layer by generating plasma using a deposition gas containing silicon or germanium, hydrogen, and a rare gas of helium, argon, neon, krypton, xenon, or the like.
基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスとを用い、プラズマを発生させて、厚さ３〜１０ｎｍ、好ましくは３〜５ｎｍの第１の半導体層を形成する。 - 特許庁 - This black ink for inkjet recording is characterized by comprising a specific urea derivative and a black dye having a λmax of 500 to 700 nm, an absorption spectrum half-value width of ≥100 nm and a fading rate of ≤5×10^-2hr^-1 in a 5 ppm ozone atmosphere, in an aqueous medium.
λｍａｘが５００ｎｍから７００ｎｍにあり、吸収スペクトルの半値幅が１００ｎｍ以上であり、かつ５ｐｐｍオゾン雰囲気での褪色速度が５×１０^−２Ｈｒ^−１以下であるブラック染料と特定の尿素誘導体とを、水性媒体中に含有していることを特徴とするインクジェット記録用ブラックインク。 - 特許庁 - The method of detecting the defects of the optically transparent member detects the existence of the refractive index discontinuity defects by using a polarization microscope, for which the area ratio for the intensity ratio of light of wavelength 650-750 nm to light of wavelength 250-650 nm is 0.4 or larger for the wavelength distribution of observation light.
光透過性部材の欠陥検出方法であって、観察光の波長分布が波長２５０〜６５０ｎｍの光に対する波長６５０〜７５０ｎｍの光の強度比が面積比で０．４以上である偏光顕微鏡を用いて、屈折率不連続欠陥の有無を検出することを特徴とする欠陥検出方法。 - 特許庁 - The optical filter 4 has a multilayered film comprising at least two or more kinds of substances having refractive indices different from each other, has ≥85% average value of transmittance of light having 400 to 700 nm wavelength and has ≤80% average value of transmittance of light having 850 to 1,150 nm wavelength.
光学フィルタ４は、少なくとも２種類以上の異なる屈折率を有する物質からなる多層膜からなり、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率平均値が８５％以上であり、８５０ｎｍ以上１１５０ｎｍ以下の光の透過率平均値が８０％以下である。 - 特許庁 - This optical recording medium is best-suited for the longest recording at high packaging density; can be successfully recorded/reproduced using a bluish purple laser light selected from the wavelength range of 300 to 900 nm, in particular 400 to 410 nm and has a recording layer containing not less than one kind of a bisdiarylamine derivative.
波長３００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲のレーザー光、特に波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択される青紫色のレーザー光で良好な記録および再生が可能な長高密度記録に適した一種以上のビスジアリールアミン誘導体を記録層に有する光記録媒体。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium having a recording layer which enables excellent recording and reproduction by a laser light having a wavelength of 300-900 nm, especially a bluish violet laser light selected from the range of wavelengths of 400-410 nm, and is suitable for ultra-high density recording and to provide a novel compound being usable suitably for the optical recording medium.
本発明の目的は、波長３００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲のレーザー光、殊に波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択される青紫色のレーザー光で良好な記録および再生が可能な超高密度記録に適した記録層を有する光記録媒体を提供することにある。 - 特許庁 - In the IR- absorbing filter, the difference between the maximum and minimum of the transmittance in a near IR region from 850 to 1,100 nm is ≤10%, the transmittance in the range is ≤30%, and the transmittance is in the visible region for 450 to 650 nm is ≥50%.
波長８５０ｎｍから１１００ｎｍの近赤外線領域における透過率の最大値と最小値の差が１０％以下でかつ、該範囲の透過率が３０％以下であり、波長４５０ｎｍから６５０ｎｍの可視領域での透過率が５０％以上であることを特徴とする赤外線吸収フィルター。 - 特許庁 - To obtain an excellent image with less yellow color by setting off low light emission luminance at a wavelength between 430 to 550 nm of a metal halide lamp or a super-high-pressure mercury lamp against decrease in the light emission luminance at a wavelength near 430 nm due to a passing through an optical unit to thereby uniformize an overall light emission luminance.
メタルハライドランプや超高圧水銀ランプの波長４３０〜５５０ｎｍの間の低発光輝度と、光学ユニットを通過することによる波長４３０ｎｍ付近の発光輝度の低下を相殺し、全体的な発光輝度を均一なものとすることにより、黄色味の少ない良好な画像を得る。 - 特許庁 - To form an upper layer having sufficient permeability in exposure wavelength of 248 nm (KrF) and 193 nm (ArF), capable of forming a coated film on a photoresist without causing intermixing with a photoresist film, further, keeping the stable coated film without causing elution into water when it is immersed in a liquid and exposed with light and readily dissolving into an alkali developer.
２４８ｎｍ（ＫｒＦ）および１９３ｎｍ（ＡｒＦ）の露光波長での十分な透過性と、フォトレジスト膜とインターミキシングを起こすことなくフォトレジスト上に被膜を形成でき、さらに液浸露光時の水に溶出することなく安定な被膜を維持し、かつアルカリ現像液に容易に溶解する上層膜を形成する。 - 特許庁 - The catalyst carrying carbon particles have a metal catalyst carried by carbon particles which contain the carbon particles of the average primary particle size of 50-100 nm and the carbon particles of the average primary particle size of 10-40 nm in a ratio of 1 pts.wt. for the former and 0.2-6 pts.wt. for the latter.
本発明の触媒担持炭素粒子は、一次粒子径の平均が５０〜１００ｎｍである炭素粒子と一次粒子径の平均が１０〜４０ｎｍである炭素粒子とを前者１重量部に対して後者が０．２〜６重量部の割合で含む炭素粒子に、金属触媒が担持されてなる。 - 特許庁 - The quarter wavelength plate 130 shifts the phase of incident light at 550 nm design wavelength band and is formed by laminating a quartz plate and a glass plate, in about 15 μm thickness of the quartz plate, to induce a phase shift of the axis of perpendicularly polarized light by about 142.5 nm as a quarter of the design wavelength.
１／４波長板１３０は、設計波長５５０ｎｍ帯の入射光の位相をシフトさせるものであり、垂直偏光の軸を設計波長の１／４である１４２．５ｎｍ程度位相シフトさせるように、水晶板とガラス板とを貼り合わせ、水晶板の板厚が１５μｍ程度となるように形成されている。 - 特許庁 - The flash discharge lamp is provided with an arc tube made of a material having a light-transmitting region in a wavelength range of 200 nm or less, and a light-beam absorbing layer having absorption characteristics on light with a wavelength of 200 nm or less with yttrium oxide as a main component is fitted on an outer surface of the arc tube.
本発明の閃光放電ランプは、２００ｎｍ以下の波長範囲に光透過域を有する材料よりなる発光管を備え、この発光管の外表面に、酸化イットリウムを主成分とする、波長が２００ｎｍ以下の光に対して吸収特性を有する光線吸収層が設けられた構成とされている。 - 特許庁 - In the bonding wire in which a core material 1 composed mainly of copper is subjected to palladium plating 2, a maximum diameter of voids existing in the vicinity of a copper core material interface below a palladium coating layer is 60 nm or less, and the number of voids having a maximum diameter of 10 nm or more which exist per 1 μm of the coating length is 0.6 or less on average.
銅を主成分とする芯材１にパラジウムめっき２を施したボンディングワイヤであって、パラジウム被覆層下の銅芯材界面近傍に存在するボイドの最大径が６０ｎｍ以下で、かつ該被膜長さ１μｍ当りに存在する最大径が１０ｎｍ以上のボイドの個数が平均０．６個以下であるボンディングワイヤ。 - 特許庁 - The color filter includes at least red pixels, green pixels and blue pixels on a transparent substrate, wherein the red pixels are made of a cured product of a red-colored composition, containing a diketopyrrolopyrrole pigment having an average primary particle diameter of from 5 nm to 40 nm and at least one kind of retardation control agent.
透明基板上に、少なくとも赤色画素、緑色画素及び青色画素を備えるカラーフィルタにおいて、前記赤色画素が、平均１次粒径が５ｎｍから４０ｎｍのジケトピロロピロール系顔料を含み、かつ、少なくとも１種以上のリタデーション調整剤を含有する、赤色着色組成物の硬化物から形成されている。 - 特許庁 - This optical fiber is 8 to 15 ps/nm/km (more preferably 8 to 12 ps./nm/km) in the absolute value of wavelength dispersion at a wavelength 1.55 μm and is ≤0.05 ps/nm2/km (more preferably ≤0.03 ps/nm2/km) in the absolute value of dispersion slope at a wavelength 1.55 μm.
本発明に係る光ファイバは、波長１．５５μｍにおける波長分散の絶対値が８〜１５ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ（より好適には８〜１２ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ）であり、波長１．５５μｍにおける分散スロープの絶対値が０．０５ｐｓ／ｎｍ^2／ｋｍ以下（より好適には０．０３ｐｓ／ｎｍ^2／ｋｍ以下）である。 - 特許庁 - The photodetector 41 is possessed of a laminated structure composed of an N-AlInAs layer 22 of thickness 100 nm, an N-InP clad layer 23, an MQW active layer 24, a P-InP clad layer 25, a P-AlInAs layer 26 of thickness 50 nm, a P-type InP clad layer 27, and a P-GaInAs contact layer 28.
受光素子は、ｎ−ＩｎＰ基板上に、膜厚１００ｎｍのｎ−ＡｌＩｎＡｓ層２２、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３、ＭＱＷ活性層２４、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５、膜厚５０ｎｍのｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２６、ｐ−ＩｎＰクラッド層２７、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２８の積層構造を有する。 - 特許庁 - The polyamide resin composite material is obtained by dispersing a plate-like or fibrous zirconium compound fine particle having an average minor axis length of 1-5 nm and an average major axis length of 10-30 nm in an amount of 0.01-10 mass% in terms of a zirconium content into a polyamide resin.
ポリアミド樹脂中に、平均短軸長さが１〜５ｎｍの範囲で、平均長軸長さが１０〜３０ｎｍの範囲にある、板状もしくは繊維状のジルコニウム化合物微粒子が、ジルコニウムの含有率に換算して０．０１〜１０質量％の範囲の量にて分散されているポリアミド樹脂複合材料。 - 特許庁 - An arc tube 2 having a transmissivity of 50% or more for light having a wave length range of 200 nm-250 nm, mercury sealed in the arc tube so that a vapor pressure for lighting and a potential gradient get 2-10 atmospheres and 15-30 V/cm respectively, and electrodes 3a, 3b provided in the arc tube so as to generate discharge, are provided.
２００ｎｍ〜２５０ｎｍの光の透過率５０％以上の発光管２と；発光管の内部に点灯蒸気圧が２〜１０気圧で電位傾度が１５Ｖ／ｃｍ〜３０Ｖ／ｃｍになるように封入された水銀と；発光管の内部に放電を生起するように配設された電極３ａ，３ｂと；を具備している。 - 特許庁 - The material for which the P-type or N-type impurity semiconductor layer of thickness 2 nm-40 μm composed of poly crystalline silicon containing the dopant of boron or phosphorus or the like, and the true semiconductor layer of the thickness 2 nm-40 μm composed of the polycrystalline silicon, are laminated on a base material in the order, is used as this substrate for the photovoltaic element.
硼素やりん等のドーパントを含む多結晶シリコンからなる厚さ２ｎｍ〜４０μｍのＰ型又はＮ型の不純物半導体層、及び多結晶シリコンからなる厚さ２ｎｍ〜４０μｍの真性半導体層が基材上にこの順番で積層されたものを光起電力素子用基板として用いる。 - 特許庁 - By using this kind of manufacturing method, an optically compensated film with excellent appearance, 80 to <190 nm in-plane retardation (Re) and 30-50 μm thickness and an optical compensation film with excellent appearance, 190-300 nm in-plane retardation (Re) and 40-60 μm thickness are provided.
このような製造方法により、面内位相差（Re）が８０ｎｍ以上１９０ｎｍ未満であり、厚みが３０〜５０μｍである外観が良好な光学補償フィルムや、面内位相差（Re）が１９０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、厚みが４０〜６０μｍである外観が良好な光学補償フィルムを提供できる。 - 特許庁 - In the method of concentrating the particulate dispersion, the particulate dispersion which contains zeolite particles or silica particles in an average particle size of 1-1,000 nm for 0.01-30 volume% and whose flow rate is 20-200 L/min/m^2 is supplied to a fixed ultrafiltration membrane having a pore diameter of 1-100 nm by a pressure of 0.03-1.0 MPa.
平均粒子径が１〜１０００ｎｍであるゼオライト粒子又はシリカ粒子を０．０１〜３０体積％含む流量が２０〜２００Ｌ／ｍｉｎ／ｍ^２である微粒子分散液を、圧力０．０３〜１．０ＭＰａで１〜１００ｎｍの孔径を有する固定限外ろ過膜に供給する微粒子分散液の濃縮方法。 - 特許庁 - In carbon carrying platinum nanoparticles, the platinum nanoparticle has a skeleton formed by platinum element and has a wire-like shape which consists of single crystals having an outer diameter of 5-100 nm in which cross-linked wire-like skeletons having a diameter of 1-5 nm are three-dimensionally bridged or microcrystals are connected.
白金ナノ粒子を担持したカーボンにおいて、前記白金ナノ粒子が、白金元素によってその骨格が形成され、かつ直径１〜５ｎｍの交差結合したワイヤ状骨格が３次元的に架橋した外径５〜１００ｎｍの単結晶からなる又は微結晶が連結したワイヤ状形態を有することを特徴とする。 - 特許庁 - The coating for a sealing material includes hydrophobic zirconium oxide particles having an average particle diameter of 5-50 nm and/or hydrophobic silica-based hollow particles having an average particle diameter of 5-200 nm and a matrix resin component, provided that the content of the particles is 10-90 wt.%.
平均粒子径が５〜５０ｎｍの範囲にある疎水性酸化ジルコニウム粒子および／または平均粒子径が５〜２００ｎｍの範囲にある疎水性シリカ系中空粒子とマトリックス樹脂成分とを含み、該粒子の含有量が１０〜９０重量％の範囲にあることを特徴とする封止材用塗料。 - 特許庁 - The aqueous emulsion-type composition for adhesive or coating is obtained by formulating the first emulsion particles having >100 nm average particle diameter, and the second emulsion particles having ≤100 nm average particle diameter, preferably ≤2/3 of the average particle diameter of the first emulsion particles.
１００ｎｍより大なる平均粒径を有する第１のエマルジョン粒子と、１００ｎｍ以下の平均粒径を有する第２のエマルジョン粒子であって、好ましくは第１のエマルジョン粒子の平均粒径の２／３以下の平均粒径である第２のエマルジョン粒子とを配合してなる、接着用又はコーティング用水性エマルジョン型組成物。 - 特許庁 - The spectral transmission characteristics in the range of wave length of 400-450 nm is flattened by combining ≥1 kind(s) among P_2O_5, V_2O_5, NiO, K_2Cr_2O_7, and Pr_6O_11.
Ｐ_２Ｏ_５，Ｖ_２Ｏ_５，ＮｉＯ，Ｋ_２Ｃｒ_２Ｏ_７，Ｐｒ_６Ｏ_１１のうち１種以上を組み合わせて波長域４００ｍｍ〜４５０ｎｍの分光透過特性を平坦化した。 - 特許庁 - In this condition, the revolution speed Nm of the induction motor 10 never exceeds the revolution speed Ns of the magnetic field whatever speed a driver steers at.
この状態で運転者がどのような速度で転舵を行った場合でも、誘導モータ１０の回転速度Ｎｍが磁界の回転速度Ｎｓを越えることはない。 - 特許庁 - The laser beam working machine is provided with a laser-beam source 17 composed of 800 nm wave length, and outgoing 50fs (femto second) pulse width and the laser-beam of 6GM peak output.
レーザ加工機は、８００ｎｍの波長からなり、パルス幅が５０ｆｓ（フェムト秒）、ピーク出力が６ＧＷのレーザ光を出射するレーザ光源１７を備えている。 - 特許庁 - To provide an addition curable silicone composition having excellent transparency and containing uniformly dispersed ultrafine zinc oxide particles having a number-average particle diameter of ≤20 nm and to provide a cured product.
数平均粒子径２０ｎｍ以下の酸化亜鉛超微粒子を均一分散させた透明性に優れる付加型硬化性シリコーン組成物および硬化物を提供すること。 - 特許庁 - The thickness of the 1st layer is desirably controlled to 5 to 500 nm, and the total thickness of the 1st layer and the 2nd layer is desirably controlled to 0.8 to 20 μm.
前記第１層の厚さは、５〜５００ｎｍであることが望ましく、また前記第１層及び第２層の合計の厚さは、０．８〜２０μｍとすることが望ましい。 - 特許庁 - (conditions B) when density at a maximum absorption wavelength of the yellow dye gives 1.0, (1) the maximum absorption wavelength is 430-460 nm and (2) the ratio of density at 500 nm to density at 450 nm is 0-0.33.
（条件Ａ）シアン色素の最大吸収波長における濃度が１．０を与える時に、（１）最大吸収波長が６４０ｎｍ以上、６７０ｎｍ以下、（２）６１０ｎｍでの濃度／６６０ｎｍでの濃度が０．５５以上、０．８以下、（３）５５０ｎｍでの濃度／６１０ｎｍでの濃度が０以上、０．４以下であり、（条件Ｂ）イエロー色素の最大吸収波長における濃度が１．０を与える時に、（１）最大吸収波長が４３０ｎｍ以上、４６０ｎｍ以下、（２）５００ｎｍでの濃度／４５０ｎｍでの濃度が０以上、０．３３以下である。 - 特許庁 - Also disclosed is a gas barrier film formed by using the same production method, wherein the film thickness of the SiOx film is ≤200 nm.
該製造方法を用いて形成したことを特徴とするガスバリア性フィルムであって、前記ＳｉＯｘ膜の膜厚が２００ｎｍ以下であることを特徴とするガスバリア性フィルム。 - 特許庁 - The substrate with film has a scattering layer and a low resistance layer provided on at least one side of a substrate in this order, and the surface roughness of the low resistance layer is 5-20 nm.
基板の少なくとも片面に、散乱層および低抵抗化層をこの順に設けてなり、該低抵抗化層上の表面粗さが５〜２０ｎｍである膜付き基板。 - 特許庁 - The invention relates to the cake powder cosmetics comprising formulation of 0.1-2.0 wt.% of silylated silicic anhydride with 5-20 nm of average diameter of primary particles to the cake powder cosmetics represented by powder foundation.
パウダーファンデーションに代表される固形粉末化粧料へ、一次粒子の平均径が５〜２０ｎｍのシリル化処理無水ケイ酸を０．１〜２．０重量％を配合する。 - 特許庁 - To manufacture a magnetic probe having a high spatial resolving power of about 20 nm to manufacture a magnetic recording medium having a recording density higher than conventional recording density.
２０ｎｍ程度の高空間分解能をもつ磁性探針を作製し、ひいては従来の記録密度よりも高記録密度な磁気記録媒体を作製すること。 - 特許庁 - The magnetic mark of a rectangle having the linear directional length of the order of 80 nm can be formed and the pits having a similar shape are formed on the master disk and the substrate obtained from the master disk.
線方向長さが８０ｎｍ程度の矩形の磁気マークを形成することができ、同様な形状のピットが原盤及びそれから得られる基板に形成される。 - 特許庁 - The photodetector 10 includes a light receiving plane 15 and a thin film 18 which is formed directly on the light receiving plane 15 and contains PbSe nano-particles having a grain diameter of ≤20 nm.
受光素子１０は、受光面１５と、受光面１５上に直接設けられ、粒径２０ｎｍ以下のＰｂＳｅナノ粒子を含有する薄膜１８を備えている。 - 特許庁 - To provide a recording and reproducing head which has comparatively simple structure and of which the the tip part is brought into contact with a dielectric recording medium with order of several ten nm or less.
記録再生ヘッドを、比較的簡単な構造を有すると共にその先端部分と誘電体記録媒体とが数十ｎｍ以下のオーダーで接触させる。 - 特許庁 - Consequently, the sensor can observe displacement of several tens nm to mm order and, at the same time, can two-dimensionally observe the form variation of the object 1.
このことにより、数十ｎｍ〜ｍｍオーダーの変位を観測することができるとともに、２次元的に形状の変化を観測することができる効果を奏する。 - 特許庁 - Thus, the thickness of the first film 103 is set to be 0.1-500 nm, and unevenness satisfying the specified surface characteristics is formed on the surface of the first film 103.
これにより第１の膜１０３の厚みを０．１〜５００ｎｍとし、かつ第１の膜１０３の表面に特定の表面特性を満足する凹凸を形成させる。 - 特許庁 - To provide a method of plasma-etching which is free from a difference in dense and sparse shapes which comes out between dense and sparse regions of a mask pattern in processing a device at spacing of 100 nm or less.
スペース幅が１００ｎｍ以下になるデバイスの加工で、マスクパターンの疎密領域間の疎密形状差が発生しないプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - A sacrificial oxide film 13 of thickness 20 nm is formed on the surface of a silicon board 11, where an element isolation is carried out by an element isolation insulating film 12.
素子分離絶縁膜１２によって素子分離されたシリコン基板１１の表面に熱酸化法を用いて厚さ２０ｎｍの犠牲酸化膜１３を形成する。 - 特許庁 - In the light emitting diode, a groove with a depth of 7-15 nm is formed on the surface of an AlGaN layer, and hence a surface morphology of the InGaN layer grown on the AlGaN layer is improved.
ＡｌＧａＮ層の表面には、深さ７〜１５ｎｍの溝が形成されているので、この上に成長するＩｎＧａＮ層の表面モフォロジーが改善された。 - 特許庁 - When the deviation of the corrected number Ns from the number Nm exceeds a pinching-detection threshold, such a state is judged as a pinching state.
そして、この補正された推定回転数Ｎｓ及びモータの回転数Ｎｍの偏差が挟み込み検出しきい値を超えたときに挟み込み状態と判定される。 - 特許庁 - The joint structure has a plurality of columnar structures 1 each having a radius of 500 nm or less on a substrate surface, with the layout spacing, length, radii of the columnar structures 1 partially varying.
半径が５００ｎｍ以下の柱状構造１を基体表面に複数備え、柱状構造１の、配設間隔、長さ及び半径などが部分的に異なる。 - 特許庁 - Similarly, by having the TFT array board irradiated with the rays of the wavelength of 180 nm or shorter prior to an adhesion of an orientation film to the TFT array board, impurities in the TFT array board can be also removed.
同様に１８０ｎｍ以下の紫外線を照射することで、配向膜付着前のＴＦＴアレイ基板上の不純物を除去することもできる。 - 特許庁 - The vulcanized powdery rubber is obtained by irradiating a rubber latex having a particle size of from 20 to 2,000 nm with a high-energy irradiation.
本発明による全硫化粉末ゴムは、２０ないし２０００ｎｍの粒径を有するゴムラテックスを高エネルギー照射源を使用して照射することにより調製される。 - 特許庁
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