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＜前へ 1 2 .... 86 87 88 89 90 91 92 93 94 .... 287 288 次へ＞- A control signal is sent from a controller to a laser device based on the degree, and first laser light containing ultraviolet rays of 366 nm or second laser light containing green light of 540 nm is irradiated through apertures 24a and 24b selectively to the light deformation sheet 45 of the CCD 33.
この度合に基づいてコントローラからレーザ装置に制御信号が送られ、３６６ｎｍの紫外線を含む第一レーザ光、又は５４０ｎｍの緑色光を含む第二レーザ光が開口２４ａ，２４ｂを通して選択的にＣＣＤ３３の光変形シート４５に照射される。 - 特許庁 - The iron oxide particle dispersion liquid contains an iron oxide particle of which the primary particle diameter is 100 nm or less and the secondary particle diameter is 500 nm or less, and a dispersion liquid which disperses the iron oxide particle using a polar solvent having at least one of an ester group and a sulfoxide group.
酸化鉄粒子分散液は、１次粒子径が１００ｎｍ以下で、２次粒子径が５００ｎｍ以下である酸化鉄粒子と、エステル基と、スルホキシド基との少なくとも一方を有する極性溶媒を用いて前記酸化鉄粒子を分散させる分散液と、を含む。 - 特許庁 - In this color imaging method, at least one color of yellow of an ink set for inkjet recording using at least three or more different color inks excepting black has an absorption wavelength in the 400-500 nm range and a main reflective wavelength in the 500-700 nm range and contains a fluorescent ink.
少なくとも黒以外の３色以上のインクを使用するインクジェット記録用インクセットにおいて、４００〜５００ｎｍに吸収波長を持ち、５００〜７００ｎｍに主な反射波長がある少なくとも１つのイエロー色が、蛍光インクを含有することを特徴とするカラー画像形成方法。 - 特許庁 - This structured surface is obtained by providing upheaved parts having 50 nm-10 μm average height and 50 nm-10 μm average interval to an unstructured material having ≥2O mN/m surface energy by mechanical embossing, lithographical etching, or molding processing.
平均高さ５０ｎｍ〜１０μｍおよび平均間隔５０ｎｍ〜１０μｍを有する隆起部を、２０ｍＮ／ｍよりも大きい表面エネルギーを有する構造化されていない材料上に機械的にエンボスするか、またはリソグラフィー法によりエッチングするか、または成形加工により施与する。 - 特許庁 - In the method of forming the conductive film, an application film is made by applying an application liquid containing metal oxide particles on a base material, and this application film is made to be the conductive film by irradiating laser light of wavelength of 320 nm or more and 400 nm or less onto this application film.
本発明の導電膜の形成方法は、金属酸化物粒子を含有する塗布液を基材上に塗布して塗布膜とし、この塗布膜に３２０ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下の波長のレーザ光を照射することにより、この塗布膜を導電膜とすることを特徴とする。 - 特許庁 - The anisotropic conductive material contains a curable compound capable of being cured by the irradiation with light or the application of heat; at least one of a photopolymerization initiator and a thermosetting agent; a conductive particle; and a filler of which the particle size is 10 nm or more and 1,000 nm or less.
本発明に係る異方性導電材料は、光の照射又は熱の付与により硬化可能な硬化性化合物と、光重合開始剤及び熱硬化剤の内の少なくとも１種と、導電性粒子と、粒子径が１０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であるフィラーとを含む。 - 特許庁 - A light-emitting element comprises at least a light-emitting layer between an anode and a cathode and emits a light by electrical energy, and the light-emitting element includes: a pyrene compound having a specific structure; and an organic fluorescent substance that has a fluorescence peak wavelength of not shorter than 500 nm and not longer than 680 nm.
陽極と陰極との間に少なくとも発光層が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素子は特定の構造を有するピレン化合物と、蛍光ピーク波長が５００ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の有機蛍光物質を含むことを特徴とする発光素子。 - 特許庁 - The substrate for an information recording medium is characterized in that a cycle of the microscopic waviness falls within 2 μm to 4 mm, wa of the substrate main surface is 5 nm or less and Rmax is 12 nm or less, where a maximum height of this microscopic waviness is wa (95% PV value) and a maximum height measured by an atomic force microscope is Rmax.
情報記録媒体用基板は、微小うねりの周期が２μｍ〜４ｍｍであって、この微小うねりの最大高さをwa（95％PV値）とし、原子間力顕微鏡によって測定した最大高さをRmaxとしたとき、該基板主表面のwaが5nm以下、Rmaxが12nm以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - The transparent base substrate with the transparent conductive film is produced by controlling a film forming velocity for the transparent conductive film from 3,000 to 7,000 nm/min under a deposition temperature 600°C or more and less than 640°C, or from 3,000 to 8,000 nm/min under a deposition temperature 640°C or more.
透明な導電膜を、成膜温度６００℃以上、６４０℃未満では、成膜速度３０００〜７０００ｎｍ／ｍｉｎ、成膜温度６４０℃以上では、成膜速度３０００〜８０００ｎｍ／ｍｉｎの条件で制御することによって、前記透明導電膜付き透明基体を製造する。 - 特許庁 - In the diamond semiconductor, a single-crystal diamond film 5 having a thickness of about 1-10 μm is formed on a single-crystal Si substrate 1 through a single-crystal c-BP layer 3 having a thickness of about 100 nm to 3 μm and a single-crystal c-BN layer 4 having a thickness of about 5-80 nm in this order.
Ｓｉ単結晶基板１上に厚さ１００ｎｍ〜３μｍ程度のｃ−ＢＰ単結晶層３及び厚さ５〜８０ｎｍ程度のｃ−ＢＮ単結晶層４を順に介在して厚さ１〜１０μｍ程度のダイヤモンド単結晶膜５が形成されている。 - 特許庁 - The method of immobilizing a biopolymer comprises a step of providing nano-processing on the surface of a base, for example, providing a plurality of recesses having a diameter of not greater than 500 nm or a groove having a width of not greater than 500 nm on the surface of a base and a step of mainly physically adsorbing and immobilizing a biopolymer in the above recesses or groove.
基材表面にナノ加工、例えば、直径５００ｎｍ以下の複数のくぼみ、または幅５００ｎｍ以下の溝を設ける工程、および前記くぼみ又は溝に生体高分子を主に物理的に吸着して固定化する工程を含む、生体高分子の固定化方法。 - 特許庁 - The ferromagnetic metal powder is characterized by having an average extended shaft length of 30-65 nm, crystallite sizes of 80-130 Å, saturated magnetization quantity (σs) of 100-130 A.m^2/kg, an average oxide film thickness of 2.6-3.1 nm, and coefficient of oxide film thickness fluctuation, of 25% or less.
平均長軸長が３０〜６５ｎｍであり、結晶子サイズが８０〜１３０Åであり、飽和磁化量（σｓ）が１００〜１３０Ａ・ｍ^2／ｋｇであり、かつ平均酸化膜厚が２．６〜３．１ｎｍであり、酸化膜厚の変動率が２５％以下であることを特徴とする強磁性金属粉末。 - 特許庁 - Subsequently, by using an Ar ion etching technology, in addition to normal lithographic technology, the Ni thin film 3 is formed into an Ni thin-film pattern 4 of a diffraction grating pattern by a two-dimensional photonic crystal, having a basic unit of a triangle of one piece of 230 nm with a column diameter of 100 nm (Fig.1(b)).
続いて、通常のリソグラフィ技術にＡｒイオンエッチング技術を用いて、Ｎｉ薄膜３を、直径１００ｎｍの柱径で、一片が２３０ｎｍの三角形を基本単位とする２次元フォトニック結晶による回折格子パターン状のＮｉ薄膜パターン４に形成する（図１（ｂ））。 - 特許庁 - The lighting device for plant disease prevention 10 is provided with an artificial light source 11 irradiating ultraviolet ray having a wavelength of 280-340 nm as a main wavelength, a control part 12 controlling lighting of the artificial light source 11, and an outside-light sensor 13 detecting the light strength having a wavelength of 380-780 nm.
植物病害防除用照明装置１０は、主波長として２８０〜３４０ｎｍ波長域の紫外放射をする人工光源１１と、人工光源１１を点灯制御する制御部１２と、３８０〜７８０ｎｍ波長域の光強度を測定する外光センサ１３とを備える。 - 特許庁 - When a visible light source, especially light of wavelength of about 550 to 630 nm, is used, the concentration of high concentration ozone gas of 200 g/Nm^3 or more can be also measured by allowing ozone gas to pass through or stay in a wide space, and the ozone gas concentration can be accurately measured without the occurrence of ozone decomposition.
可視光光源、特に、波長５５０〜６３０ｎｍｎｍ付近の光を用いると、２００ｇ／Ｎｍ^３以上の高濃度オゾンガス濃度も、広い空間でオゾンガスを流通させたり滞留させて計測でき、かつ、オゾン分解を生ずることなく、精度良くオゾンガス濃度を計測できる。 - 特許庁 - When a polymer sheet containing a solvent and the aromatic polyamide is heated at 80-200°C and stretched, the sheet is heated by using a metal roll having the center line average roughness of the surface of 10-200 nm and the maximum roughness of the surface of 50-800 nm.
溶剤と芳香族ポリアミドとを含む重合体シートを金属ロールを用いて８０〜２００℃の温度に加熱して延伸するにあたり、表面の中心線平均粗さが１０〜２００ｎｍであり、かつ最大粗さが５０〜８００ｎｍである金属ロールを用いて加熱する。 - 特許庁 - The retardation film contains: a polymer (A-1) obtained by using diallyl phthalate as a raw material monomer; and a polymer (B) satisfying Re(450)/Re(550)≤1.27 (wherein Re(450) is a retardation value of the light having 450 nm wavelength; and Re(550) is that of the light having 550 nm wavelength).
ジアリルフタレートを原料モノマーとするポリマー（Ａ−１）と、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦１．２７を満足するポリマー（Ｂ）（但し、Ｒｅ（４５０）、Ｒｅ（５５０）は、それぞれ波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍにおけるリターデーション値を表す。）を含有して形成されることを特徴とする、位相差フィルムを提供した。 - 特許庁 - The antireflection film 31 has a low refractive index layer having a refractive index between 1.4 and 1.6 to the light flux of 450 nm wavelength and a high refractive index layer having a refractive index between 1.8 and 2.2 to the light flux of 450 nm wavelength and a plurality of both layers are alternatively laminated.
反射防止膜３１は、交互に複数積層された、波長４５０ｎｍの光束に対する屈折率が１．４以上で１．６以下の低屈折率層と、波長４５０ｎｍの光束に対する屈折率が１．８以上で２．２以下の高屈折率層とを有する。 - 特許庁 - To provide a fine carbon fiber on a mass production scale, having good electrical conductivity and an outer diameter of <400 nm especially of 2-300 nm and used as a filler material with good adhesion to resins or the like, and to provide an field electron-emitting material chemically and thermally stable, excellent in electron emission characteristics and having a long lifetime.
導電性の良い４００nm未満特に２〜３００nmのフィラー材として樹脂等への接着性の良い微細な炭素繊維を量産規模で得ること、また、化学的及び熱的に安定で電子の放出特性に優れ寿命の長い電界電子放出材料を得ること。 - 特許庁 - The period of micro waviness of this substrate for an information recording medium is 2 μm to 4 mm, and the main surface of the substrate has a wa of 5 nm or less and an Rmax of 12 nm or less, where wa (95% PV value) is the maximum height of the microwaviness and Rmax is the maximum height measured by an atomic force microscope.
情報記録媒体用基板は、微小うねりの周期が２μｍ〜４ｍｍであって、この微小うねりの最大高さをwa（95％PV値）とし、原子間力顕微鏡によって測定した最大高さをRmaxとしたとき、該基板主表面のwaが5nm以下、Rmaxが12nm以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - This substrate for information recording medium is characterized in that the period of the microscopic waviness is in 2 μm to 4 mm, wa of the substrate main surface is 5 nm or less and Rmax is 12 nm or less, where a maximum height of this microscopic waviness is wa (95% peak value) and a maximum height measured by an atomic force microscope is Rmax.
情報記録媒体用基板は、微小うねりの周期が２μｍ〜４ｍｍであって、この微小うねりの最大高さをwa（95％PV値）とし、原子間力顕微鏡によって測定した最大高さをRmaxとしたとき、該基板主表面のwaが5nm以下、Rmaxが12nm以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - An optical fiber 105 with Pr^3+ and Yb3+ codoped to a core 201 has a double clad structure of a first clad 202 and a second clad 203, an excitation light in the vicinity of 850 nm is propagated through the core 201, and an excitation light in the vicinity of 980 nm is propagated through the clad 202, respectively.
コア２０１にＰｒ^３＋とＹｂ^３＋が共添加された光ファイバ１０５を第１のクラッド２０２と第２のクラッド２０３のダブルクラッド構造とし、８５０ｎｍ付近の励起光はコア２０１を、９８０ｎｍ付近の励起光は第１のクラッド２０２をそれぞれ伝搬させる。 - 特許庁 - The semiconductor is constituted so that a 1 μm or more-thick β-SiC single crystalline thin film 5 is formed on an Si single crystalline substrate 2 by interposing a 3 to 20 nm-thick first SiC layer 3 containing amorphous and a 10 to 50 nm-thick second SiC layer 4 consisting of a number of β-SiC growth nucleuses one by one.
Ｓｉ単結晶基板２上にアモルファスを含む厚さ３〜２０ｎｍの第１ＳｉＣ層３及び多数のβ−ＳｉＣ成長核からなる厚さ１０〜５０ｎｍの第２ＳｉＣ層４を順に介在して厚さ１μｍ以上のβ−ＳｉＣ単結晶薄膜５が形成されている。 - 特許庁 - This flame retardant fiber for the spun yarn, having ≥0.35 nm 002-corresponding surface distance obtained by a wide angle X-ray measurement, and the flame retardant fiber for the non-woven fabric, having ≥0.35 nm 002-corresponding surface distance obtained by a wide angle X-ray measurement are provided and the method for producing them is also provided.
広角Ｘ線測定で得られる００２相当面間隔が０．３５ｎｍ以上である紡績糸用耐炎繊維、および広角Ｘ線測定で得られる００２相当面間隔が０．３５ｎｍ以上である不織布用耐炎繊維、ならびにそれらの製造方法。 - 特許庁 - The electromagnetic wave transmitting decoration substrate comprises: an electromagnetic wave transmitting glass substrate 1; an Si layer 2 formed on the glass substrate 1 to have a thickness of 5 to 30 nm; a Ge layer 3 formed on the surface of the Si layer 2 to have a thickness of 1 to 35 nm; and the decoration layer is formed as a laminate of the Si layer 2 and the Ge layer 3.
電磁波透過性のガラス基板１上に、Ｓｉ層２を５ｎｍ〜３０ｎｍの膜厚となるように形成し、Ｓｉ層２の表面に、Ｇｅ層３を１ｎｍ〜３５ｎｍの膜厚となるように形成して、加飾層をＳｉ層２とＧｅ層３の積層体とする。 - 特許庁 - A first additional barrier layer of ZnMgSe having a thickness of 1 to 10 nm is additionally provided between the active layer and the p-type clad layer so as to prevent an overflow of electrons, and a second additional barrier layer having a thickness of 1 to 10 nm is additionally provided between the active layer and the n-type clad layer so as to prevent the overflow of holes.
活性層とｐ型クラッド層の間に１〜１０ｎｍのＺｎＭｇＳｅ第１追加障壁層を追加して電子オーバーフローを防ぎ、活性層とｎ型クラッド層の間に１〜１０ｎｍのＺｎＳＳｅ第２追加障壁層を追加して正孔オーバーフローを防ぐ。 - 特許庁 - A transparent conductive film 10 having a transparent conductive layer on at least one surface of a flexible transparent substrate and satisfying conditions of optical characteristics expressed by (i):0 nm≤Re_1≤2000 nm and (ii):0.8≤Nz≤1.4, is used for an outer touch panel 20, and thereby, generation of iridescent irregularity can be suppressed.
可撓性透明基材の少なくとも一方の面に透明導電層を有し、かつ（ｉ）０ｎｍ≦Ｒｅ_１≦２０００ｎｍ、および（ｉｉ）０．８≦Ｎｚ≦１．４の光学特性を満たす透明導電性フィルム１０を、アウタータッチパネル２０に用いることで、虹ムラの発生が抑制される。 - 特許庁 - A polycrystalline semiconductor film is formed and thereafter, rare gas element ions are selectively implanted, in only the channel formation region of the semiconductor film and the regions in the vicinity of the channel formation region and in such a way, that the center of the range of charged particles in the ions is positioned from the interface under the lower side of the semiconductor film to be within a distance of 10 nm ±10 nm.
多結晶半導体膜形成後、希ガス元素イオンを半導体膜のチャネル形成領域およびその近傍領域にのみ選択的に、また、飛程中心が該半導体膜の下側界面から１０ｎｍ±１０ｎｍ内になるよう注入する。 - 特許庁 - First, vapor-phase method carbon fibers having a mean fibrous diameter of 200 nm or less, an aspect ratio of 5 to 500, the interlayer distance of a crystalline structure of 0.340 nm or less, and a thermal conductivity at 25°C of 400 W/(m K) or more, are mixed with an easily graphitized carbide in 0.1 to 20 mass%.
一つは易黒鉛化性炭素化物に平均繊維径が２００ｎｍ以下、アスペクト比が５〜５００、結晶構造の層間距離が０．３４０ｎｍ以下、２５℃における熱伝導率が４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である気相法炭素繊維を０．１〜２０質量％混合する。 - 特許庁 - The polishing particle provides an abrasive having a core-shell structure wherein an average particle diameter (D) is in the range of 5-300 nm, the shell part is composed of silica having thickness (S_T) in the range of 1-50 nm, has density in the range of 1.6-2.2 g/cc and Na content of ≤ 10 ppm.
研磨用粒子は、平均粒子径（Ｄ）が５〜３００ｎｍの範囲にあるコア・シェル構造を有し、シェル部の厚さ（Ｓ_Ｔ ）が１〜５０ｎｍの範囲にあるシリカからなり、シェル部の密度は１．６〜２．２ｇ／ｃｃの範囲にあり、シェル部のＮａ含有量は１０ｐｐｍ以下である。 - 特許庁 - Mean ultraviolet-ray transmissivity of the base part 12 is ≥40% at a wavelength of 300 to 400 nm and mean ultraviolet ray transmissivity of the light diffusion part 15 or the transparent resin layer or support part which operates to absorb ultraviolet rays is ≤15% at a wavelength of 300 to 400 nm.
本発明においては、基部１２の紫外線透過率の平均が波長３００〜４００ｎｍで４０％以上であり、紫外線吸収作用を有する光拡散部１５又は透明樹脂層若しくは支持部の紫外線透過率の平均が波長３００〜４００ｎｍで１５％以下である。 - 特許庁 - In the heat-insulating material, sunshine transmittance as an index of heat-insulating property is 10-80% and visible light transmittance is 30-90% and light transmittance in ultraviolet light area is 8-80% in 320 nm wavelength and 0-70% in 290 nm wavelength.
この農園芸施設用断熱資材は、断熱性の指標としての日射透過率が１０〜８０％であり、可視光透過率は３０〜９０％であって、紫外線領域での光透過率は波長３２０ｎｍで５〜８０％及び波長２９０ｎｍで０〜７０％である。 - 特許庁 - The wire grid type polarizing plate having metal thin lines laid on a cellulose ester film is disclosed, characterized in that the retardation Ro in a plane direction of the cellulose ester film ranges from 30 to 80 nm and that the retardation Rt in a thickness direction ranges from 100 to 180 nm.
セルロースエステルフィルム上に金属細線が配置されてなるワイヤグリッド型偏光板であって、該セルロースエステルフィルムの面内方向リタデーションＲｏが３０〜８０ｎｍであり、厚み方向リタデーションＲｔが１００〜１８０ｎｍであることを特徴とするワイヤグリッド型偏光板。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition having a sufficient transmittance for light of ≤160 nm, in particular F2 excimer laser light (157 nm), and satisfying requirements for coating property, development defects and line edge roughness.
１６０ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ塗布性、現像欠陥、ラインエッジラフネスを満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - The surface protective sheet for the solar battery includes: a polyamideimide film; and inorganic oxide film formed on a one side of a surface of a polyamideimide film, wherein light absorption rate is 1-20% when wavelength is 300-350 nm, especially 325 nm.
ポリアミドイミドフィルムと、ポリアミドイミドフィルムの一方の表面上に形成された無機酸化物膜とを備え、波長が３００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である場合、特に３２５ｎｍである光の吸収率が１％以上２０％以下である太陽電池用表面保護シートである。 - 特許庁 - The photosensitive printing plate precursor includes a support, a photosensitive layer, a barrier layer and a mask layer in order, wherein the barrier layer substantially transmits light of 340-380 nm wavelength and absorbs light of 240-300 nm wavelength.
少なくとも、順次、支持体、感光層、バリア層およびマスク層を有する感光性印刷版原版において、バリア層が波長３４０ｎｍ〜３８０ｎｍの光に対し実質透明であり、かつ波長２４０ｎｍ〜３００ｎｍの光に対して吸収を有することを特徴とする感光性印刷版原版。 - 特許庁 - The polyester film comprises a coating layer and a co-extruded layer containing a light scattering agent of 0.05-4.0 wt.%, and a difference between transmittances at wavelengths of 750 nm and 450 nm in a visible absorption spectrum of the film is within 20%.
塗布層と０．０５〜４．０重量％の光散乱剤を含有する共押出層とを有するポリエステルフィルムであって、フィルムの可視吸収スペクトルにおける波長７５０ｎｍと波長４５０ｎｍの透過率の差が２０％以内であることを特徴とする積層延伸ポリエステルフィルム。 - 特許庁 - Ion energy, ion incident angle to the surface of material, temperature of silicon layer, forming depth of the vertical portion, height of vertical portion and ion passing range to silicon are all determined with reference to the wavelength of the selected waving (vertical) portion in the range of 9 nm to 120 nm.
イオンエネルギー、前記材料の表面へのイオン入射角、シリコン層の温度、波状起伏の形成深さ、前記波状起伏の高さ、及びシリコンへのイオン貫通範囲は全て、９ｎｍ〜１２０ｎｍの範囲における波状起伏の選択された波長を基準として決定される。 - 特許庁 - The photoresponsive stretchable fiber is a synthetic fiber mixed, coated or bonded with a photochromic compound and shrinks when irradiated with ultraviolet light having 300-380 nm wavelength and returns to a state before contraction when irradiated with visible light having 450-780 nm wavelength or heated at 30-80°C.
光応答伸縮性繊維は、フォトクロミック化合物が混入、被覆、または付着した合成繊維であって、波長３００〜３８０ｎｍの紫外光を照射すると収縮し、波長４５０〜７８０ｎｍの可視光を照射または３０〜８０℃で加熱すると収縮前の状態に戻る。 - 特許庁 - The silver halide photographic sensitive material contains fine particles of at least one metal or metal oxide which does not contain silver and the absorbance of the metal or metal oxide at the wavelength, at which its spectral absorption becomes maximum in the range of 400-800 nm is lower than the absorbance at 900 nm.
４００〜８００ｎｍにおいて分光吸収が最大となる波長での吸光度が９００ｎｍでの吸光度よりも小さい、銀を含まない少なくとも１種の金属または金属酸化物の微粒子を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。 - 特許庁 - In the dyed nanofiber aggregate, a water-insoluble dye is carried in spaces of single fibers of a nanofiber aggregate having 10-200 nm single fiber diameter (average) and ≤3% ratio of area having ≥200 nm single fiber diameter and having a slight dispersion in fiber diameter.
平均による単繊維直径が１０〜２００ｎｍであり、単繊維直径２００ｎｍ以上の面積比率が３％以下である、繊維直径のばらつきの小さいナノファイバー集合体の単繊維間隙に水不溶化色素が担持されている染色されたナノファイバー集合体。 - 特許庁 - The method is characterized by graft polymerizing a vinyl monomer or the like to a crosslinked acrylic rubber having a 50% average particle diameter of 100-300 nm obtained by polymerizing an acrylic ester or the like after mixed with other rubber-like polymer having a 50% average particle diameter of 300-500 nm.
アクリル酸エステル等を重合して得られる５０％平均粒子径が１００〜３００ｎｍの架橋アクリルゴムに、５０％平均粒子径が３００〜５００ｎｍであるその他のゴム状重合体を混合した後、ビニル単量体等をグラフト重合することを特徴とする。 - 特許庁 - The polarization separation film 3 shows 0 to 10% transmittance for S polarized light at 685 nm wavelength λ, 60 to 80% transmittance for P polarized light, and 300°±16° reflection phase difference at 685 nm wavelength λ at 44° to 46° incident angle.
偏光分離膜３は、４５°の入射光に対し、波長λ＝６８５ｎｍにおけるＳ偏光の透過率が０〜１０％、Ｐ偏光の透過率が６０〜８０％であり、波長λ＝６８５ｎｍの反射位相差が入射角４４〜４６°に対し３００°±１６°である光学特性を有している。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a color filter with excellent productivity through 405 nm-wavelength laser exposure capable of reducing the size of a mask or making a mask unnecessary, and to provide a high-sensitivity colored composition suitable for the manufacturing of the color filter by 405 nm-wavelength laser exposure.
本発明は、マスクの小型化もしくはマスクレスが可能な波長４０５ｎｍレーザー露光による生産性に優れたカラーフィルタの製造方法の提供を目的とし、さらに、波長４０５ｎｍレーザー露光によるカラーフィルタ製造に適した高感度な着色組成物の提供を目的とする。 - 特許庁 - A nighttime shading lens 11 with visual transmittance of more than 75% is adjusted so that the average transmittance of a peripheral region (B region) to a wavelength range of 400 to 500 nm is made higher than the average transmittance of a central region (A region) to a wavelength range of 400 to 500 nm.
視感透過率が７５％を超える夜間用遮光レンズ１１において、周辺領域（Ｂ領域）の４００〜５００ｎｍの波長帯に対する平均透過率を、中心領域Ａ領域）の４００〜５００ｎｍの波長帯に対する平均透過率よりも高くした。 - 特許庁 - The method for producing Kaeshi comprises regulating absorbancy (at its wavelength of 420 nm) to be 1.1-1.5 when absorbancy (at its wavelength of 420 nm) just after obtaining the mixture through adding Mirin, sweet sugar or the like to soy sauce is represented as 1.
本発明は、醤油類にみりん、甘味糖類等を添加して混合物を得た直後の吸光度（波長４２０ｎｍにおける）を１としたとき、混合物の吸光度（波長４２０ｎｍにおける）を１．１〜１．５となるように調整することを特徴とするかえしの製造方法に関する。 - 特許庁 - This plant cultivation method is characterized by continuously or intermittently irradiating seed-sowed soil with both UV rays having wavelengths of 250 to 400 nm and IR rays having wavelengths of 800 nm to 10 μm, inserting electrodes into the soil, and allowing an electric current to simultaneously continuously or intermittently flow in the soil.
波長が250〜400nmの紫外光と波長が800nm〜10μｍの赤外光とを同時に播種された土壌に連続的あるいは断続的に照射することと、該土壌に電極を差し込んで、電流を連続的あるいは断続的に流すことを同時に行うことを特徴とする。 - 特許庁 - The apparatus for preventing fogging of a photomask includes a light irradiation device 21 that irradiates a photomask 10 having a light-shielding film on the surface of a glass substrate with light of ≥5 J and ≤100 J energy at a wavelength of ≥193 nm and ≤436 nm.
本発明のフォトマスクの曇り防止装置は、ガラス基板の表面に遮光膜を有するフォトマスク１０に、１９３ｎｍ以上であって４３６ｎｍ以下である波長であり、かつ、５Ｊ以上であって１００Ｊ以下の光を照射する光照射装置２１を具備している。 - 特許庁 - A woven fabric containing a polyester filament yarn A having 10-1,000 nm single fiber diameter and a cation-dyeable filament yarn B not smaller than 1,000 nm single fiber diameter is dyed by using a cation dye to provide a dyed woven fabric and as necessary, the dyed woven fabric is used to provide fiber products.
単繊維径１０〜１０００ｎｍのポリエステルフィラメント糸Ａと、単繊維径１０００ｎｍより大のカチオン可染性フィラメント糸Ｂとを含む織物を、カチオン染料を用いて染色することにより染色織物を得た後、必要に応じて該染色織物を用いて繊維製品を得る。 - 特許庁 - An output mode of the semiconductor ptotoreceiving element is preferably brought into the mode wherein an output is proportional to an ultraviolet quantity in a different wavelength area in a wavelength longer than 280 nm, the mode where an output is proportional to an ultraviolet quantity of a wavelength shorter than 300 nm, or the like.
前記半導体受光素子による出力が、２８０ｎｍより長波長の異なる波長領域の紫外線量に比例した出力である態様、前記半導体受光素子による出力が、３００ｎｍより短波長の紫外線量に比例した出力である態様等が好ましい。 - 特許庁
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