FINE PATTERNFORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING FINE-PITCH HARD MASK 微細ピッチのハードマスクを用いた半導体素子の微細パターン形成方法 - 特許庁
METAL TONER FOR FORMATION OF CONDUCTIVE PATTERN, CARRIER, AND DEVELOPER COMPRISING THE SAME 導体パターン形成用金属トナー、キャリアおよびこれらからなる現像剤 - 特許庁
COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST UNDERLAYER FILM, AND PATTERNFORMATION METHOD レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターン形成方法 - 特許庁
COMPOSITION FOR FORMING ANTIREFLECTION FILM, AND PATTERNFORMATION METHOD USING SAME 反射防止膜形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁
ETCHANT FOR THIN SILVER ALLOY FILM AND PATTERNFORMATION METHOD USING THE SAME 銀合金薄膜用エッチング液およびこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁
SURFACE MODIFIER FOR RESIST AND METHOD FOR FORMATION OF RESIST PATTERN WITH THE SAME レジスト表面改質剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法 - 特許庁
COMPOSITION FOR COATING FILM FORMATION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME 塗布膜形成用組成物及びこれを用いたレジストパターン形成方法 - 特許庁
PHOTOCURABLE COMPOSITION, COLOR FILTER AND METHOD FOR PATTERNFORMATION USING IT 光硬化性組成物、それを用いたカラーフィルターおよびパターン形成方法 - 特許庁
POLYMERIC COMPOUND, RESIST MATERIAL, AND METHOD OF PATTERNFORMATION USING THE RESIST MATERIAL 高分子化合物、レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁
To provide a formation method of a hard mask pattern of fine pitch by which patternformation of fine pitch exceeding the resolution limit in a photo lithography process can be achieved. フォトリソグラフィ工程での解像限界を超える微細ピッチのパターン形成を実現可能とする、微細ピッチのハードマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁
Further, an adhesive layer or the like may be formed on the surface of the transparent base on the opposite side from the antenna patternformation side or on the surface on the antenna patternformation side. 更に、透明基材のアンテナパターン形成側とは反対側の面、或いはアンテナパターン形成側の面に、接着剤層などを形成しても良い。 - 特許庁
MOBILE OBJECT DRIVING METHOD AND MOBILE OBJECT DRIVING SYSTEM, PATTERNFORMATION METHOD AND PATTERNFORMATION DEVICE, EXPOSURE METHOD AND EXPOSURE DEVICE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - 特許庁
To provide a patternformation device, a patternformation method, and a mold for patternformation, capable of measuring accurately a spatial positional relation between a surface including a working face formed with a transfer pattern of a mold, and a substrate of a worked member. モールドの転写パターンが形成された加工面を含む表面と、被加工部材である基板との間の空間的な位置関係を正確に計測することが可能となるパターン形成装置、パターン形成方法およびパターン形成用モールドを提供する。 - 特許庁
Thereafter, since a line-like resist pattern 8 is formed so as to cross the line pattern, the line pattern, mask by the electrode formation material 6 is etched with the resist pattern 8 as a mask and an electrode composed of the electrode formation material 6, is formed at a part where the line pattern and the resist pattern 8 cross. その後、該ラインパターンと交差するようにライン状のレジストパターン8を形成し、該レジストパターン8をマスクにして、電極形成材料6によるラインパターンをエッチングするで、該ラインパターンとレジストパターン8とが交差する部分に電極形成材料6からなる電極を形成する。 - 特許庁
The pattern is formed by light-exposure of the pattern to a photosensitive resin applied onto a substrate 1 and developing treatment, and a pattern layer 6 is formed by heating after formation of the pattern. 基板1上に塗布した感光性樹脂へのパターン露光、及び現像処理によりパターン形成し、パターン形成後の加熱によってパターン層6形成する。 - 特許庁
To simultaneously form a fine line pattern and a thick line pattern using an enhancer mask capable of performing simultaneous formation of a fine isolated line pattern and a dense line pattern. 微細な孤立ラインパターン及び密集ラインパターンの同時形成が可能なエンハンサマスクを用いて微細ラインパターンと大きいラインパターンとを同時に形成できるようにする。 - 特許庁
To suppress the unevenness occurring in a pattern in the formation of the pattern comprising a plurality of linear pattern elements by discharging a pattern forming material from a plurality of discharge ports. 複数の吐出口からパターン形成材料を吐出して線状の複数のパターン要素により構成されるパターンを形成する際に、パターンに生じるムラを抑制する。 - 特許庁
To provide a patternformation method by which an appropriate pattern can be formed for a short time, and to provide a circuit board. 良好なパターンを短時間に形成することができるパターン形成方法及び回路基板を提供する。 - 特許庁
To reduce a manufacturing work term by improving the rerun operation of a resist patternformation to efficiently form a resist pattern. レジストパターン形成のやり直し作業を改善し、効率よくレジストパターン形成して製造工期を短縮する。 - 特許庁
To provide a patternformation method preventing collapse of a pattern having a high aspect ratio in a development process. 現像工程において、高アスペクト比のパターンの倒壊を防止できるパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
To precisely measure positional information of a patternformation surface in a normal direction where a pattern for a scale is formed. スケール用のパターンが形成されたパターン形成面の法線方向の位置情報を高精度に計測する。 - 特許庁
The conductive film is subjected to etching using the third pattern 12a as a mask for the formation of a wiring pattern 13. 第3パターン12aをマスクとして導電膜をエッチングすることにより、配線パターン13を形成する。 - 特許庁
To provide a pattern forming method for highly accurately and easily performing the optimization of transfer patternformation. 転写パターン形成の最適化を高精度にかつ簡便に行うことが可能なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
The asymmetric extract pattern disrupts the rotating stall cell (10) rotational pattern, preventing the formation of a coherent aerodynamic excitation. 非対称抽気パターンは、旋回失速セル(10)回転パターンを乱して、コヒーレント空力励振の形成を防止する。 - 特許庁
To provide a fine pattern of high development contrast in patternformation using extreme ultraviolet rays as exposure light. 露光光に極紫外線を用いるパターン形成において、現像コントラストが高い微細パターンを得られるようにする。 - 特許庁
To provide a patternformation method by which it is possible to obtain a resist pattern having an arbitrary proper shape. 所望の良好な形状を有するレジストパターンを得ることが可能なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
A pattern image is detected photoelectrically while changing a specified pattern position along the light axis of an image formation optical system. 結像光学系の光軸に沿って所定のパターンの位置を変化させつつパターン像を光電検出する。 - 特許庁
PHOTOMASK FOR RESIST PATTERNFORMATION AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND FORMING METHOD FOR RESIST PATTERN USING SAME PHOTOMASK レジストパターン形成用のフォトマスク及びその製造方法、並びにこのフォトマスクを用いたレジストパターンの形成方法 - 特許庁
PATTERN FORMING METHOD, ELECTRON ELEMENT HAVING PATTERNFORMATION LAYER USING THE SAME, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT パターン形成方法並びにそれを用いてパターン形成した層を有する電子素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - 特許庁
To provide a pattern forming method that enables simple and efficient formation of a finer resist pattern. より微細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成することができるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
Therefore, a process (pattern formation and SR) which is usually carried out after pressing can be dispensed with. これにより,プレス後の工程(パターン形成やSR)をなくすことができる。 - 特許庁
Each shade allows formation of a high-beam light distribution pattern in a retreat position. 各シェードは、退避位置においてハイビーム用配光パターンの形成を許容する。 - 特許庁
To achieve perfect etching even in a gap in patternformation by wet etching. ウェットエッチング処理によるパターン形成において、隙間のエッチング残りをなくす。 - 特許庁
MATERIAL FOR FORMATION OF RESIST PROTECTION FILM AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN THEREWITH レジスト保護膜形成用材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法 - 特許庁
PATTERNFORMATION METHOD AND APPARATUS, AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURED USING THE SAME パターン形成方法および装置並びにそれを用いて製造した電子デバイス - 特許庁