「second layer」を含む例文一覧(21455)
＜前へ 1 2 .... 32 33 34 35 36 37 38 39 40 .... 429 430 次へ＞- Moreover, a second GND through-hole 36 is provided between the second GND layer 34 and the pad 32.
また、第２ＧＮＤ層３４とパッド３２の間には第２ＧＮＤスルーホール３６が設けられる。 - 特許庁 - The fill is applied up to the same height as the second layer at the back of the second wall face material on the rear side.
そして、裏側第二壁面材の背後に第２層目と同じ高さまで盛土を行う。 - 特許庁 - The second layer is configured from the product obtained by heat-treating a second coating composition, which contains a polyol.
第２層は、ポリオールを含む第２コーティング組成物の加熱処理物で構成されている。 - 特許庁 - Well regions are not formed inside the second semiconductor layer 13 that corresponds to the second region 17.
第２の領域17に対応する第２の半導体層13内には、ウェル領域が形成されていない。 - 特許庁 - A second wire matrix containing a plurality of second wires 482 are formed on the organic layer 46.
有機層４６上に、複数の第２導線４８２を含む第２導線マトリクスを形成する。 - 特許庁 - The second electrode 11 is connected electrically with the second conductivity type semiconductor layer 17a.
第２の電極１１は、第２導電型半導体層１７ａに電気的に接続されている。 - 特許庁 - The second insulating layer 6 has a second opening part 6a corresponding to the first opening part 4a.
第２の絶縁層６は第１の開口部４ａに対応する第２の開口部６ａを有する。 - 特許庁 - The actuator layer 16 is connected to the second electrode 18 to drive the second electrode 18.
アクチュエータ層１６は、第２の電極１８に接続され、第２の電極１８を駆動する。 - 特許庁 - The etching creates a tapered surface on the layer of second membrane support material in the second region.
エッチングにより、第２の領域内の第２の膜支持材料層の上にテーパー面が形成される。 - 特許庁 - A second region that is a portion of a second waveguide 30 is covered with a clad layer 32.
第２の導波路３０の一部である第２領域は、クラッド層３２により被覆されている。 - 特許庁 - The second reinforcement layer 20 includes a short fiber oriented so as to be crossed to the second cord.
この第二の補強層２０は、この第二のコードと交差するように配向する短繊維を含む。 - 特許庁 - The film capacitor further includes a second electrode 18 arranged on the second dielectric layer 16.
フィルムコンデンサはさらに、第２の誘電体層１６上に配置された第２の電極１８を含む。 - 特許庁 - The second control horizontally-oriented liquid crystal panel 8 has the second control liquid crystal layer 89.
第２制御用液晶パネル８は、水平配向の第２制御用液晶層８９を有する。 - 特許庁 - On the first phase change layer 22, a first resistor layer 24 formed of a first resistor, a second phase change layer 26 formed of a second phase change material and a second resistor layer 28 formed of a second resistor are layered in the order.
第１の相変化層２２上には、第１の抵抗体で形成された第１の抵抗体層２４、第２の相変化材料で形成された第２の相変化層２６、及び第２の抵抗体で形成された第２の抵抗体層２８がこの順で積層されている。 - 特許庁 - In-plane tensile stress is produced on the p-GaN second contact layer by making the thickness of the p-GaN second contact layer less than a critical thickness, so that bandgap energy of the p-GaN second contact layer of the p-GaN second contact layer is reduced owing to the in-plane tensile stress.
さらに、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層の膜厚を臨界膜厚未満とすることで、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層には面内引っ張り歪みが発生し、当該面内引っ張り歪みによってｐ−ＧａＮ第２コンタクト層のバンドギャップエネルギーが低減する。 - 特許庁 - The liquid crystal display apparatus includes a second transparent substrate 4 also used as a light guide plate, a first low refractive index layer 8 disposed on a liquid crystal layer 7 side of the second transparent substrate 4, and a second low refractive index layer 52 formed on the side having no liquid crystal layer of the second transparent substrate 4.
導光板を兼用させた第２の透明基板４と、第２の透明基板４の液晶層７側に設けられた第１の低屈折率層８と、第２の透明基板４の非液晶層側に設けられた第２の低屈折率層５２とを設置する。 - 特許庁 - The binding portion and the complementary binding portion are configured so as to form a binding mark for determining binding overlay between the second layer and the neighboring second layer in a state in which the neighboring second layer is positioned neighboring the second layer.
綴じ合わせ部分と相補的綴じ合わせ部分は、隣接する第２層が第２層に隣接して位置決めされた状態で、第２層と隣接する第２層の間に綴じ合わせオーバレイを決定するための、綴じ合わせマークを形成するように構成される。 - 特許庁 - A semiconductor device comprises a first conductive layer, a second conductive layer, an insulation layer with a connection hole formed between the first conductive layer and the second conductive layer, and a third conductive layer connected to the first conductive layer and the second conductive layer and having at least a part of its end formed inside the connection hole.
第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層及び第２の導電層の間に形成されると共に、接続孔を有する絶縁層と、第１の導電層及び第２の導電層に接続すると共に、少なくとも端部の一部が接続孔の内側に形成される第３の導電層と、を有する半導体装置である。 - 特許庁 - Also, a method of video encoding includes selecting data for encoding in a first layer and a second layer so as to allow decoding of the data in a single combined layer, and encoding the selected data in the first layer and in the second layer by encoding a coefficient in the first layer and encoding a differential refinement to the first layer coefficient in the second layer.
更にビデオ符号化方法は、第一層および第二層内で符号化して単一組み合わせ層中で復号化するためにデータを選択し、第一層中の係数を符号化するとともに第一層係数に対する微差を第二層中で符号化することにより選択されたデータを第一層、第二層中で符号化する。 - 特許庁 - An information recording and reproducing device includes: a first electrode layer 13; a second electrode layer 11; a recording layer 12 provided between the first electrode layer 13 and the second electrode layer 11, and a means to record information by impressing voltage between the first electrode layer 13 and the second electrode layer 11 to change the resistance of the recording layer 12.
本発明の例に係る情報記録再生装置は、第１の電極層１３と、第２の電極層１１と、第１の電極層１３と第２の電極層１１との間にある記録層１２と、第１及び第２の電極層１１，１３間に電圧を印加して記録層１２の抵抗を変化させて情報を記録する手段とを備える。 - 特許庁 - A suspension substrate 1 comprises: a metal substrate 20; a first insulator layer 22 provided on the metal substrate 20; a first wiring layer 10 provided on the first insulator layer 22; a second insulator layer 24 provided on the first insulator layer 22 and the first wiring layer 10; and a second wiring layer 12 provided on the second insulator layer 24.
サスペンション用基板１は、金属基板２０と、金属基板２０上に設けられた第１絶縁層２２と、第１絶縁層２２上に設けられた第１配線層１０と、第１絶縁層２２及び第１配線層１０上に設けられた第２絶縁層２４と、第２絶縁層２４上に設けられた第２配線層１２と、を備える。 - 特許庁 - In such a semiconductor laser, the difference between the Eg (band gap energy) of the first guide layer 4 and the second guide layer 8 and the Eg of the active layer 6 is made 0.66 times or less of the difference between the Eg of the first cladding layer 3 and the second cladding layer 9 and the Eg of the active layer 6.
このような半導体レーザにおいて、第１ガイド層４、第２ガイド層８のEg（バンドギャップエネルギー）と活性層６のEgとの差が、第１クラッド層３、第２クラッド層９のEgと活性層６のEgとの差の０．６６倍以下となるようにする。 - 特許庁 - The antireflection film 100 has a three-layer composition comprising: a substrate 110; a first layer 101 laminated on the substrate 110; a second layer 102 laminated on the first layer 101; and a third layer 103 laminated on the second layer 102.
反射防止膜１００は、基板１１０と、基板１１０上に積層された第１層１０１と、第１層１０１上に積層された第２層１０２と、第２層１０２上に積層された第３層１０３と、による３層構成になっている。 - 特許庁 - The second compound layer consists of an aspheric layer 16a formed as a first layer on the concave face of the base lens and a non-transmitting layer 16b, which does not transmit visible rays, formed as a second layer on the peripheral part of the aspheric layer.
第２の複合層は、母材レンズの凹面上に第１層として設けられた非球面形状層１６ａと、非球面形状層の周辺部上に第２層として設けられ、可視光を透過させない非透光層１６ｂとから構成される。 - 特許庁 - A basic layer signal storage portion 101, a first extension layer signal storage portion 102 and a second extension layer signal storage portion 103 store a basic layer signal, a first extension layer signal and a second extension layer signal obtained by hierarchically encoding video content.
基本レイヤ信号記憶部１０１、第１拡張レイヤ信号記憶部１０２、第２拡張レイヤ信号記憶部１０３は、映像コンテンツを階層符号化して得られた基本レイヤ信号、第１拡張レイヤ信号、第２拡張レイヤ信号を記憶している。 - 特許庁 - To reduce an anisotropic energy gap between the first fixed layer 2 that contacts with the antiferromagnetic layer 1 and the second fixed layer 5 that contacts with the non-magnetic conductive layer 6, the first fixed layer 2 is composed of Co_75Fe_25, and the second fixed layer 5 is composed of Co_95Fe_5.
反強磁性層１と接する第１固定層２と、非磁性導電層層６と接する第２固定層５の異方性エネルギーの差を小さくするために、第１固定層２の組成はＣｏ_75Ｆｅ_25で、第２の固定層５の組成はＣｏ_95Ｆｅ_5とする。 - 特許庁 - The semiconductor optical element 1 includes a first DBR reflection layer 4 provided on a semiconductor substrate 3 and having a first semiconductor layer and a second semiconductor layer alternately stacked, a first clad layer 5, an active layer 7, and a second clad layer 10.
半導体光素子１は、半導体基板３上に設けられ第１半導体層及び第２半導体層が交互に積層された第１ＤＢＲ反射層４と、第１クラッド層５と、活性層７と、第２クラッド層１０とを備える。 - 特許庁 - The magnetic recording medium comprises a substrate, a first seed layer formed on the substrate, a second seed layer formed on the first seed layer and made of the same material as the first seed layer and the magnetic recording layer formed on the second seed layer.
磁気記録媒体であって、基板と、基板上に設けられた第１シード層と、第１シード層上に設けられ、この第１シード層と同一材料から形成された第２シード層と、第２シード層上に設けられた磁性記録層とを含んでいる。 - 特許庁 - A first magnetic layer 3, non-magnetic layer 4, second magnetic layer 5, and anti-ferromagnetic layer 6 are laminated in this spin valve film 1, and the second magnetic layer 5 is film-formed at a prescribed film formation rate according to materials of which the anti-ferromagnetic layer 6 is formed.
第１の磁性層３と、非磁性層４と、第２の磁性層５と、反強磁性層６とが積層されたスピンバルブ膜１のうち、反強磁性層６を形成する材料に応じて第２の磁性層５を所定の成膜レートで成膜する。 - 特許庁 - The adhesive layer 5 has a first pressure sensitive adhesive layer 6 formed on the vinyl base material 4 side, a second pressure sensitive adhesive layer 7 formed to the member side to be wound, and a middle layer 8 formed between the first adhesive layer 6 and the second adhesive layer 7.
粘着層５は、ビニル基材４側に形成される第一粘着層６と、被巻装部材側に形成される第二粘着層７と、第一粘着層６と第二粘着層７との間に介在する中間層８とを有している。 - 特許庁 - A via hole is formed, by removing the first conductive layer and insulating layer of one principal surface of an aggregate substrate provided, where the insulating layer is laminated between the first conductive layer and a second conductive layer, and made to expose the second conductive layer and forms a via hole.
第１の導電層と第２の導電層との間に絶縁層が積層された集合基板を用意し、集合基板の一主面の第１の導電層及び絶縁層を除去し、第２の導電層を露出させ、ヴィアホール部を形成する。 - 特許庁 - A reactive layer 22 with a metal constituting the second electrode layer 14b and selenium constituting the CIGS light absorption layer 16 is interposed between the CIGS light absorption layer 16 and the second electrode layer 14b of the back electrode layer 14.
さらに、ＣＩＧＳ光吸収層１６と裏面電極層１４の第２電極層１４ｂとの間に、第２電極層１４ｂを構成する金属とＣＩＧＳ光吸収層１６を構成するセレンとの反応層２２が介在されている。 - 特許庁 - The second layer and the third layer are bonded to each other so as to inject electrons generated in the second layer to the third layer when a voltage is applied so that the second electrode has a higher potential than the first electrode.
そして、第１の電極の電位よりも第２の電極の電位が高くなるように電圧を印加したときに、第２の層で発生した電子が第３の層へ注入されるように、第２の層と第３の層とは接合されている。 - 特許庁 - The nitride constituting the second layer can be made to be a single crystal which is prevented from being cracked even if the film thickness of the second layer is made large, by providing the first layer containing Si between the diamond substrate and the second layer.
Ｓｉを含む第１の層をダイヤモンド基板と第２の層との間に設けることにより、第２の層の膜厚を大きくしても、第２の層を構成する窒化物を、クラックの抑制された単結晶とすることができる。 - 特許庁 - In an overlapping region 14 where the second wiring layer 12 is disposed above the first wiring layer 10, the second wiring layer 12 has a wide width part 16 in which the wire width W1 is wider than the wire width W2 of other parts of the second wiring layer 12.
第２配線層１２が第１配線層１０の上方に位置する重なり部１４において、第２配線層１２は、線幅Ｗ１が第２配線層１２の他の部分の線幅Ｗ２よりも広い幅広部１６を有する。 - 特許庁 - The second semiconductor layer 104 is configured that when the electric field is applied to the second semiconductor layer 104, a region having a higher potential of a conduction band end than that of both edges is formed in a center part of the second semiconductor layer 104 in a layer thickness direction.
また、第２半導体層１０４には、電界が印加されると、第２半導体層１０４の層厚方向の中央部に両脇より伝導帯端のポテンシャルが高い領域が形成される構成となっている。 - 特許庁 - The first magnetized fixed layer fixes the magnetization direction of the first domain of the domain wall displacement layer to a first direction, and the second magnetized fixed layer fixes the magnetization direction of the second domain of the domain wall displacement layer to a second direction opposite to the first direction.
第１磁化固定層は、磁壁移動層の第１領域の磁化方向を第１方向に固定し、第２磁化固定層は、磁壁移動層の第２領域の磁化方向を第１方向と逆の第２方向に固定する。 - 特許庁 - Then, an upper layer 12 of the second inter-layer insulation membrane is laminated to complete the second inter-layer insulation membrane 16, and then a second wiring layer 26 is formed to complete a wiring laminated part 30 and form a protective membrane 20 on it.
次に、第２の層間絶縁膜上層１２を積層させて第２の層間絶縁膜１６を完成し、さらに第２の配線層２６を形成して配線積層部３０を完成させ、この上に保護膜２０を形成する。 - 特許庁 - Furthermore, the light emitting semiconductor device includes a second conductivity-type second semiconductor second carrier trapping layer, and the active region is interposed between the first carrier trapping layer and the second carrier trapping layer.
発光半導体デバイスは、さらに、第２伝導型を有する第２半導体により形成される第２キャリア閉じ込め層を含み、上記活性領域は、上記第１キャリア閉じ込め層と上記第２キャリア閉じ込め層との間に設けられる。 - 特許庁 - The light-emitting part includes: a semiconductor laminate 10 including a first semiconductor layer, a light-emitting layer, and a second semiconductor layer; and first and second electrodes 14 and 15 that are connected to the first and second semiconductor layers on a second primary surface 10a side.
発光部は、第１半導体層、発光層及び第２半導体層を含む半導体積層体１０と、第２主面１０ａの側で第１、第２半導体層に接続された第１、第２電極１４、１５と、を含む。 - 特許庁 - Further, the system comprises a central layer having a first side and a second side opposite that of the first side, wherein the first side is bonded to the first device layer and the second side is bonded to the second device layer.
さらに、システムは、第１の側と、第１の側と反対側の第２の側とを有する中央層を備え、第１の側は第１のデバイス層に接合され、第２の側は第２のデバイス層に接合される。 - 特許庁 - The second laminate 14 has a second transparent substrate 24, the visible information recording layer 26 formed on the second substrate 24 and a light absorption layer 28 formed on the visible information recording layer 26.
第２積層体１４は、透明性の第２基板２４と、該第２基板２４上に形成された可視情報記録層２６と、該可視情報記録層２６上に形成された光吸収層２８とを有する。 - 特許庁 - A second dielectric layer 4 of titanium-containing ferroelectric film is formed on the other surface of the base 2 through a hydrothermal synthesis method, and a second electrode layer 6 is formed on the second dielectric layer 4.
ベース２の他方の面上に水熱合成法によりチタン含有強誘電体膜からなる第２の誘電層４を形成し、第２の誘電層４の上に第２の電極層６を形成する。 - 特許庁 - A first adhesive layer 12a having a second size d2 smaller than the first size d1 is formed on the nitride semiconductor layer 11, and a second adhesive layer 12b is formed on a second substrate 32.
窒化物半導体層１１上に第１のサイズｄ１より小さい第２のサイズｄ２を有する第１接着層１２ａを形成し、第２基板３２上に第２接着層１２ｂ形成する。 - 特許庁 - A face of the first electrode in contact with the second semiconductor layer and a face of the second electrode in contact with the first semiconductor layer and the second semiconductor layer are formed from the same metal material.
第１の電極の、第２の半導体層に接する面と、第２の電極の、第１の半導体層及び第２の半導体層に接する面とが、同一の金属材料で形成されている。 - 特許庁 - A magnetic memory device (8) comprises a first magnetic tunnel junction (10) having a first reference ferromagnetic layer (16), a second magnetic tunnel junction (20) having a second reference ferromagnetic layer (26), and a conductive spacer layer (30) between the first reference layer (16) and the second reference layer (20).
磁気メモリデバイス(8)は、第１の基準強磁性層(16)を有する第１の磁気トンネル接合(10)と、第２の基準強磁性層(26)を有する第２の磁気トンネル接合(20)と、第１の基準層(16)と第２の基準層(20)との間にある導電性スペーサ層(30)とを含む。 - 特許庁 - Then, the second layer is re-displayed so as to be overlapped on the first layer (a step 203) by relatively moving the second layer and the first layer or changing the scale of the map of the second layer in response to a command to change of the movement of the region or the scale of the map.
領域の移動や地図の縮尺の変更を示すコマンドに応答して、第２のレイヤと第１のレイヤとを相対移動させ、或いは、第２のレイヤの地図の縮尺を変更して、第２のレイヤを第１のレイヤに重ねて再表示する（ステップ２０３）。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a silicon substrate 1, a second electrode layer 7 which is connected directly to the substrate 1 and a plurality of capacitors having a first insulation layer 8 and a second insulation layer 6 inserted between a first electrode layer 5, the second electrode layer 7 and the silicon substrate 1.
シリコン基板１と第２の電極層７が直接接続され、第１の電極層５と第２の電極層７及びシリコン基板１との間に、第１の絶縁層８及び第２の絶縁層６が介在した複数個のキャパシタを有する半導体装置。 - 特許庁 - The optical recording medium has a recording layer for recording information by utilizing holography, a first substrate, a second substrate, a first gap layer, a second gap layer, and a filter layer, and is characterized in that the standard deviation of the second gap layer is 0.1 to 10 μm.
ホログラフィを利用して情報を記録する記録層と、第一の基板と、第二の基板と、第一ギャップ層と、第二ギャップ層と、フィルタ層とを有し、前記第二ギャップ層の厚みの標準偏差が、０．１〜１０μｍであることを特徴とする光記録媒体である。 - 特許庁 - A semiconductor light emitting device comprises a stacked body having a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type, and a light emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.
実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体を備える。 - 特許庁
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