「second layer」を含む例文一覧(21455)

＜前へ 1 2 .... 36 37 38 39 40 41 42 43 44 .... 429 430 次へ＞
  • In the insulating layer forming step, the resin insulating layer 34 is formed on a second main surface 13 and a second component main surface 103.
    絶縁層形成工程では、第２主面１３上及び第２部品主面１０３上に樹脂絶縁層３４を形成する。 - 特許庁
  • Connection region of the shield conductor 6 in the second ground conductor layer 8 is projecting into the aperture of the second ground conductor layer 8.
    第２の接地導体層８におけるシールド導体６の接続領域が、第２の接地導体層８の開口に突出している。 - 特許庁
  • The upper stacked structure 30 includes a second high density substance layer 31 and a second low density substance layer 32, which are stacked.
    上部積層構造３０においては、第２の高密度物質層３１と第２の低密度物質層３２とが積層されている。 - 特許庁
  • The film thickness measuring apparatus includes a second cell layer film thickness calculation unit for calculating the film thickness of the second cell layer by the film thickness measuring method.
    該膜厚計測方法により第２セル層の膜厚を算出する第２セル層膜厚算出部を備える膜厚計測装置。 - 特許庁
  • The second clad layer 7 is provided on the activated area 9.
    第２のクラッド層７は、活性領域９上に設けられている。 - 特許庁
  • A scanning sheet 33 for photo-electrically reading the second image is provided between the first display layer 41 and the second display layer 42.
    第１表示層４１と第２表示層４２の間には、第２画像を光電的に読み取るスキャニングシート３３が設けられている。 - 特許庁
  • A second electrode 4 is provided on the third layer CLa.
    第２の電極４は、第３の層ＣＬａの上に設けられている。 - 特許庁
  • The liquid crystal layer is interposed between the first substrate and the second substrate.
    液晶層は、第１基板と第２基板との間に介在される。 - 特許庁
  • The second polycrystalline silicon layer 4y has a large crystal grain size.
    かかる第２多結晶シリコン層４ｙでは、結晶粒径が大きい。 - 特許庁
  • The first insulating layer 7, which is sandwiched from both sides by second insulating layers 10, is formed thinner than the second insulating layer 10.
    また、第１絶縁層７は、第２絶縁層１０にて両側より挟まれており、第２絶縁層１０より薄く形成されている。 - 特許庁
  • The semiconductor layer 17 is arranged on the second principal surface 20b.
    半導体層１７は、第２の主面２０ｂの上に配されている。 - 特許庁
  • Then a second photomask 11 is used to form a resist layer 12.
    次いで、第２のフォトマスク１１を用いてレジスト層１２を形成する。 - 特許庁
  • The cavities 4 are provided in the second portions 6 of the insulating layer 12.
    空洞４は、絶縁層１２の第２部分６に設けられている。 - 特許庁
  • Even if a second electrode layer 26 is formed on the surface of the second charge injection layer 25 by sputtering method, light-emitting efficiency is not reduced.
    この第二の電荷注入層２５の表面にスパッタリング法で第二の電極層２６を形成しても、発光効率は低下しない。 - 特許庁
  • In this case, the upper end surface of the second electrode layer 20 reaches the first electrode layer 14 along the inside wall of the second scribe part 66.
    この際、第２電極層２０の下端面が第２スクライブ部６６の内周壁に沿って第１電極層１４まで到達する。 - 特許庁
  • The first portion and the second portion are respectively bonded to a first lamination layer and a second lamination layer that are heterogeneous to each other.
    第一部分、第二部分は相互に異質性（heterogeneity）を有する第一張り合わせレイヤーと、第二張り合わせレイヤーにそれぞれ張り合わせられる。 - 特許庁
  • The first metal layer 15 and second metal layer 17 are larger in relative permeability than the second insulating film 16.
    第１の金属層１５及び第２の金属層１７の比透磁率は、いずれも、第２の絶縁膜１６の比透磁率よりも大きい。 - 特許庁
  • The first intermediate conductive layer 541 is conducted to a first electrode 31 and the second intermediate conductive layer 542 is conducted to a second electrode 32.
    第１中間導電層５４１は第１電極３１に導通し、第２中間導電層５４２は第２電極３２に導通する。 - 特許庁
  • The second conductor layer 28 is electrically connected with a circuit 18.
    第２の導体層２８は、回路１８と電気的に接続される。 - 特許庁
  • The second layer of material has a first side which faces the first side of the first layer and a second side from which the plurality of stems protrude.
    材料の第２層は、第１層の第１面に直面する第１面と、複数のステムがそれから延出する第２面とを有する。 - 特許庁
  • In each of the grooves 32, the second ventilation layer 16 is exposed.
    この溝３２においては、第二通気層１６が露出している。 - 特許庁
  • A first and a second layer switches 16 and 17 are first and second layer 2 switches, communication lines 18-21 are TDM lines or analog lines, and a communication line 22 is TDM line.
    １６，１７は第一，二のレイヤ２スイッチ、１８〜２１はＴＤＭ回線あるいはアナログ回線、２２はＴＤＭ回線である。 - 特許庁
  • Then, a second alignment film 61 is formed on the color filter layer 54.
    次に、カラーフィルタ層５４上に第２配向膜６１を形成する。 - 特許庁
  • The liquid crystal layer is interposed between the first and the second substrates.
    液晶層は、第１基板と第２基板との間に介在される。 - 特許庁
  • A gap 7 is formed between the first surface 1a of the first ceramic layer and the second surface 1c of the second ceramic layer.
    第一のセラミック層の第一の表面１ａと第二のセラミック層の第二の表面１ｃとの間にギャップ７が形成されている。 - 特許庁
  • A second photo-diode PD2 is formed in the semiconductor layer 12.
    第２のフォトダイオードＰＤ２が半導体層１２に形成されている。 - 特許庁
  • The EL layer 2 includes a first electrode, a second electrode, and a light-emitting layer formed between the first electrode and the second electrode.
    ＥＬ層２は、第一電極と、第二電極と、第一電極および第二電極の間に形成された発光層とを有している。 - 特許庁
  • The whole coil L1 is positioned in the second multi-layer portion 10b.
    コイルＬ１の全体は、第２の積層部１０ｂ内に位置している。 - 特許庁
  • The second cladding region 23 includes a first p-type group III nitride semiconductor layer 27 and a second p-type group III nitride semiconductor layer 29.
    第２のクラッド領域２３は、第１ｐ型III族窒化物半導体層２７及び第２ｐ型III族窒化物半導体層２９を含む。 - 特許庁
  • The exhaust gas treatment element can also include a second catalyst layer containing a second promoter arranged on the first catalyst layer.
    排ガス処理エレメントはまた、第１の触媒層の上に配置される第２の助触媒を含む第２の触媒層を含むことができる。 - 特許庁
  • A second layer C2 contains an optical semiconductor 12 in a coating film.
    第２層Ｃ２は、塗膜中に光半導体１２を含有する。 - 特許庁
  • A second layer (54) containing a second metal carbide and/or nitride in major wight part, is coated on the first layer (52).
    第二の層（５４）が、第一の層（５２）の上に施され、主な重量部分において第二の金属の炭化物および／または窒化物を含む。 - 特許庁
  • The second electrode forms an ohmic contact to the second semiconductor layer, and has translucency to the light emitted from the light emitting layer.
    第２電極は、第２半導体層に対してオーミック接触を形成し、発光層からの発光光に対して透光性を有する。 - 特許庁
  • A gate electrode 17 is provided on the second semiconductor layer 15.
    ゲート電極１７は第２の半導体層１５の上に設けられる。 - 特許庁
  • The first and second hollow filament groups constitute a flow channel layer.
    第一及び第２二の中空フィラメント群は、流路層を構成する。 - 特許庁
  • A metal layer 10A for a second gate electrode and a second cap layer 9 are formed so as to cover one end portion of a first hard mask 8.
    第２ゲート電極用金属層１０Ａおよび第２キャップ層９を、第１ハードマスク８の一端部を被うように形成する。 - 特許庁
  • The light emitting device comprises a first conductivity type first semiconductor layer, an active region, and a second coductivity type second semiconductor layer.
    発光デバイスは、第１の導電型の第１半導体層と、活性領域と、第２の導電型の第２半導体層とを含む。 - 特許庁
  • The wiring connected to the multi-crystal semiconductor layer 3 is upper layer wiring (second wiring 8) in the second or more layers in multilayered wiring.
    多結晶半導体層３に接続される配線は、複層配線のうちの２層目以上の上層配線（第２配線８）である。 - 特許庁
  • The first sheet 21 and the second sheet 22 can be separated only at an interface between the first resin layer 41 and the second resin layer 42.
    また、第１シート２１と第２シート２２とは、第１の樹脂層４１と第２の樹脂層４２との界面でのみ剥離することができる。 - 特許庁
  • The substrate layer 620 includes a first side 622 and a second side 624.
    基層６２０は、第１側面６２２と第２側面６２４を含む。 - 特許庁
  • The first electrode 70 is formed on a second main surface of the first conductive clad layer 20, while the second electrode 80 is formed on the contact layer 60.
    第1電極は第1導電型クラッド層の第2の主表面上に形成され、第2電極はコンタクト層上に形成されている。 - 特許庁
  • The second covering film 12 functions as a layer of improving the transmissivity.
    第２被覆膜１２は透過率を改善する層として機能する。 - 特許庁
  • The coating system includes a first coating, a second coating, and a boundary layer.
    塗装系が、第一塗料、第二塗料、及び、境界層を含む。 - 特許庁
  • The second laser resist structure is insulated from the circuitry layer.
    第２レーザーレジスト構造は回路層とは絶縁状態になっている。 - 特許庁
  • The semiconductor layer 20 has resistivity ρ_2 (second resistivity).
    この半導体層２０は、比抵抗ρ_２（第２の比抵抗）をもっている。 - 特許庁
  • The light-emitting layer is formed between the first and second electrodes.
    発光層は、前記第１および第２電極間に形成される。 - 特許庁
  • A first field plate 30 on the first spacer layer and a second field plate 32 on the second spacer layer are connected to the gate.
    第１のスペーサ層上の第１のフィールドプレート３０、及び第２のスペーサ層上の第２のフィールドプレート３２が、ゲートに接続される。 - 特許庁
  • The display panel includes a first substrate, a second substrate, and a liquid crystal layer.
    表示パネルは、第１基板、第２基板、及び液晶層を含む。 - 特許庁
  • The second polyimide layer 14B reduces the thermal stress during mounting.
    第２ポリイミド層１４Ｂにより、実装時の熱ストレスが軽減される。 - 特許庁
  • The first semiconductor layer has first irregularities and second irregularities.
    前記第１半導体層は、第１凹凸と、第２凹凸と、を有する。 - 特許庁
＜前へ 1 2 .... 36 37 38 39 40 41 42 43 44 .... 429 430 次へ＞

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.