「second layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 39 40 41 42 43 44 45 46 47 .... 429 430 次へ＞- The film thickness t2 of a second coil layer (second coil piece) 108 arranged below a main magnetic pole layer (first magnetic layer) 110 is set larger than the film thickness t1 of a first coil layer (first coil piece) 115.
主磁極層（第１磁性層）１１０の下側に配置された第２コイル層（第２コイル片）１０８の膜厚ｔ２が、第１コイル層（第１コイル片）１１５の膜厚ｔ１より大きくなっている。 - 特許庁 - The shield layer SHL is also provided extendedly between the first conductive layer 11a of the first gain cell and a first conductive layer 11b of the second gain cell which is coupled in a capacitive way with a dielectric film in between to the second conductive layer 8b serving as its storage node.
シールド層ＳＨＬは、第１導電層１１ａと、記憶ノードとなる導電層に対し誘電膜を挟んで容量結合している第２導電層１１ｂとの間にも延在する。 - 特許庁 - Tracks of the first layer and the second layer are spiral type, the tracks are arranged so that a winding direction of the spiral pattern of the first layer and the second layer are inverse direction each other when they are seen from the same side of the disk.
１層目および２層目のトラックは螺旋状で、ディスクの同じ側から見たときに１層目および２層目の螺旋パターンの巻方向が逆向きであるように配置されている。 - 特許庁 - In the manufacturing method, the molten second layer is formed on the first layer, and the elastomer composition of the first layer and the radiation cross-linkable fluorocarbon resin of the second layer are cross-linked in a lump.
上記第一層上に、上記第二層を溶融状態で形成し、上記第一層のエラストマー組成物及び上記第二層の放射線架橋性フッ素樹脂を一括して架橋する製造方法。 - 特許庁 - The tunnel junction includes a first electrically conductive type layer and a second electrically conductive type layer, both of which are thinner than a first conductive type layer and a second conductive type layer that surround the first active region.
該トンネル接合は、第１の導電型の層及び第２の導電型の層を含み、両方とも第１の活性領域を取り囲む第１の導電型の層及び第２の導電型の層よりも薄い。 - 特許庁 - The sheet may comprise a first base material, and a relief forming layer, a reflection layer, a first adhesion layer, a second base material, a second adhesion layer and a hot-melt adhesion sheet layered in this order on one surface of the first base material.
第１基材と、該基材の一方の面に、レリーフ形成層、反射層、第１接着層、第２基材、第２接着層、ホットメルト接着シートをこの順に積層した構成をとることができる。 - 特許庁 - The light-emitting thyristor 20 includes a first N-type semiconductor layer 42, a first P-type semiconductor layer 43, a second N-type semiconductor layer 44 and a second P-type semiconductor layer 45.
発光サイリスタ２０は、第１のＮ型半導体層４２と、第１のＰ型半導体層４３と、第２のＮ型半導体層４４と、第２のＰ型半導体層４５とを含んで構成される。 - 特許庁 - Each island includes a first layer, which has first anisotropy and the radial width of the first layer, and a second layer, which is positioned on the first layer and which has second anisotropy that is lower than the first anisotropy.
各アイランドは、第１の異方性および第１層の半径方向の幅を有する第１層と、第１層の上にありかつ第１の異方性より低い第２の異方性を有する第２層とを含む。 - 特許庁 - The magnitude relation of the lattice constant between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer is the same as the magnitude relation of the lattice constant between the third semiconductor layer and the second semiconductor layer.
加えて、第１半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係と、第３半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係とは同じとされている。 - 特許庁 - A third spacer layer is formed on the first spacer layer, the second spacer layer, the first field plate, the gate, and the second field plate; and a third field plate is formed on the third spacer layer and connected to the source.
第３のスペーサ層が、第１のスペーサ層、第２のスペーサ層、第１のフィールドプレート、ゲート、および第２のフィールドプレート上にあり、第３のフィールドプレートが、第３のスペーサ層上にあり、ソースに接続される。 - 特許庁 - The second cathode catalyst layer, at least containing a hydrophilic material, is arranged on a surface of the first cathode layer, and the cathode fine pore layer is arranged on a surface of the second catalyst layer.
該第二陰極触媒層は該第一陰極触媒層の表面上に設置し、少なくとも親水性材料を含み、該陰極微孔層は該第二陰極触媒層の表面上に設置する。 - 特許庁 - Since the first polyimide layer 14A has strength which is higher than the second polyimide layer 14B, even if the second polyimide layer 14B cracks, the crack is prevented from growing in the first polyimide layer 14A.
第１ポリイミド層１４Ａは、第２ポリイミド層１４Ｂよりも強度が高いため、第２ポリイミド層１４Ｂにクラックが発生した場合でも、クラックが第１ポリイミド層１４Ａ内を進展することが防がれる。 - 特許庁 - A nitride semiconductor device 110 comprises: a first semiconductor layer 3; a second semiconductor layer 4; a third semiconductor layer 5; a fourth semiconductor layer 6; a first electrode 10; a second electrode 8; and a third electrode 9.
窒化物半導体装置１１０は、第１半導体層３、第２半導体層４、第３半導体層５、第４半導体層６、第１電極１０、第２電極８及び第３電極９を備える。 - 特許庁 - An electron transport layer doping electron-transport molecules to an insulator is formed between the photoconductive layer 2 for the recording and the second electrode layer 6 so as to coat the whole surface of the second electrode layer 6.
記録用光導電層２と第２の電極層６との間に、絶縁体に電子輸送性分子をドープしてなる電子輸送層を第２の電極層６の全面を覆うように設ける。 - 特許庁 - A metal layer 30 is formed on a second conducting layer 26 so that the whole overlaps with the first conducting layer pattern 24 by electrolytic plating by allowing a current to flow to the second conducting layer 26.
第２の導電膜２６に電流を流して行う電解メッキによって、第２の導電膜２６上に、全体が第１の導電膜パターン２４とオーバーラップするように金属層３０を形成する。 - 特許庁 - In addition, this method also includes an upper resin- made insulating layer forming step of forming a second resin-made insulating layer 9 on the first resin-made insulating layer, and second conductor layer 29 of the cyanogen-treated substrate 41.
さらに、シアン処理がされた基板４１のうち第１樹脂絶縁層７及び第２導体層２９上に、第２樹脂絶縁層９を形成する上部樹脂絶縁層形成工程を備える。 - 特許庁 - The second insulating thin film 81 is pinched by the second capacitor electrode and a part of the conductive layer, and the second storage capacitor is constituted.
第２容量電極と導電層の一部が第２絶縁薄膜（８１）を挟持して第２蓄積容量を構成する。 - 特許庁 - The second counter/reference electrode layer is exposed to the second sample receiving chamber and is in an opposing relationship to the second working electrode.
この第二カウンター／参照電極層は、第二試料受け取り室に曝され、第二作用電極に対して対向している。 - 特許庁 - Then, a second semiconductor laminate 24 including a second active layer 23 is formed on the principal surface 11a in the second region 3B.
次に、第２の領域３Ｂの主面１１ａ上に、第２活性層２３を含む第２半導体積層２４を形成する。 - 特許庁 - The second conductive layer 14(Y) of the first chip M2 is connected to a second semiconductor integrated circuit E2 of the second chip 12.
第一のチップＭ２の第二の導電層１４（Ｙ）は、第二のチップ１２の第二の半導体集積回路Ｅ２に接続される。 - 特許庁 - In a second processing, a second semi-dense pattern of lines is printed in a second resist layer provided over a cleared region.
第２の処理では、ラインの第２の半密パターンが、クリアされた領域上に設けられた第２のレジスト層内に印刷される。 - 特許庁 - A second insulating thin film 81 is pinched by the second capacity electrode and a part of the conductive layer, and the second accumulation capacitor is formed.
第２容量電極と導電層の一部が第２絶縁薄膜（８１）を挟持して第２蓄積容量を構成する。 - 特許庁 - The second metallic layer 220 includes a first spiral line, having first line segments and a second spiral line having second line segments.
第二の金属層２２０は、第一の線分を有する第一の螺旋線と、第二の線分を有する第二の螺旋線と、を含む。 - 特許庁 - A second-layer wiring metal film 6 is formed on the second interlayer oxide film 5, and a surface protective film 7 is formed on the second-layer wiring metal film 6 and the second interlayer oxide film 5.
第２層間酸化膜５上に第２層目の配線金属膜６を形成し、第２層目の配線用金属膜６上と第２層間酸化膜５上に表面保護膜７を形成する。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting element includes: a first semiconductor layer having a first conductivity type; a second semiconductor layer having a second conductivity type different from the first conductivity type; an active layer provided between the first semiconductor layer and second semiconductor layer; and a first electrode and a second electrode provided on the surfaces of the first and second semiconductor layers, respectively.
半導体発光素子は、第１の導電型を有する第１半導体層と、第１の導電型とは異なる第２の導電型を有する第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた活性層と、第１および第２半導体層の各々の表面に設けられた第１電極および第２電極と、を含む。 - 特許庁 - The protective layer 5 comprises an inner protective layer 9 having a first layer 6 containing a rear earth element and covering the magnet element 3 and a second layer 7 having content of rear earth element lower than that of the first layer and covering the first layer, and a resin layer 8 containing resin and additive and covering the second layer 7.
保護層５は、磁石素体３を覆い希土類元素を含有する第１の層６、及び、第１の層を覆い第１の層よりも希土類元素の含有量が少ない第２の層７を有する内部保護層９と、第２の層７を覆い樹脂及び添加剤を含有する樹脂層８とを備えている。 - 特許庁 - A sensor main body 31 is constituted by piling in order a first protection layer 44 consisting of a resist paste layer, an antenna film 41 consisting of PET film, a first conductor layer 42 consisting of a silver layer, a second conductor layer 43 consisting of a carbon layer, a second protection layer 45 consisting of the resist paste layer and a hot melt film 46.
センサ本体部３１は、レジストペースト層よりなる第１保護層４４と、ＰＥＴフィルムよりなるアンテナフィルム４１と、銀層よりなる第１導電体層４２と、カーボン層よりなる第２導電体層４３と、レジストペースト層よりなる第２保護層４５と、ホットメルトフィルム４６とを順次積層してなる。 - 特許庁 - (2) The optical recording medium having at least a first protective layer, a phase change recording layer, a second protective layer and a reflection layer in this order or reverse order on a substrate is provided, wherein at least one layer selected from the phase change recording layer, the first protective layer and the second protective layer is film-deposited under a reduction atmosphere.
（２）基板上に、少なくとも第１保護層、相変化記録層、第２保護層、反射層をこの順に或いは逆順に有する光記録媒体において、相変化記録層と第１保護層と第２保護層から選ばれる少なくとも１層が還元雰囲気下で成膜されている光記録媒体。 - 特許庁 - In an organic layer 21 of this white organic EL element 20, a blue luminescent layer 13, a first hole blocking layer 15a, a Dye layer 14, a second hole blocking layer 15b, a first green luminescent layer 16a, a third hole blocking layer 15c and a second green luminescent layer 16b are stacked from the side of a positive electrode.
白色有機ＥＬ素子２０の有機層２１には、陽極側から青色発光層１３、第１のホールブロッキング層１５ａ、Ｄｙｅ層１４、第２のホールブロッキング層１５ｂ、第１の緑色発光層１６ａ、第３のホールブロッキング層１５ｃ、および第２の緑色発光層１６ｂを積層する。 - 特許庁 - When the first conductive layer has the two or more layer laminate structure, the ionization tendency of the second conductive layer 4 is larger than that of the outermost layer of the first conductive layer, and the melting point of the second conductive layer 4 is lower than that of the outermost layer of the first conductive layer.
上記第１の導電層が２層以上の積層構造を有する場合には、上記第２の導電層４のイオン化傾向は上記第１の導電層の最外層のイオン化傾向よりも大きく、かつ上記第２の導電層４の融点は上記第１の導電層の最外層の融点よりも低い。 - 特許庁 - The semiconductor mesa 14 includes: an n-ty pe first clad layer 18 provided on an n-type clad layer 18 provided on the n-type InP substrate 12; an n-type second clad layer 24 provided on the first clad layer 18; an active layer 20 provided between the first clad layer 18 and second clad layer 24; and a tunnel junction layer 22.
半導体メサ１４は、ｎ型ＩｎＰ基板１２上に設けられたｎ型の第１クラッド層１８と、第１クラッド層１８上に設けられたｎ型の第２クラッド層２４と、第１クラッド層１８及び第２クラッド層２４の間に設けられた活性層２０と、トンネル接合層２２とを備える。 - 特許庁 - An n-type buffer layer 102, n-type first clad layer 103, MQW active layer 104, p-type second clad layer 105, p-type etch stop layer 106 of energy band gap smaller than that of this second clad layer 105, p-type third clad layer 107 comprising the ridge part, and p-type protection layer 108 are provided on a GaAs substrate 101.
ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型第１クラッド層１０３、ＭＱＷ活性層１０４、ｐ型第２クラッド層１０５、この第２クラッド層１０５よりもエネルギーバンドギャップの小さいｐ型エッチング停止層１０６、リッジ部を構成するｐ型第３クラッド層１０７、ｐ型保護層１０８を備える。 - 特許庁 - The first layer 4 and the third layer 6 are nitride semiconductors, having a composition in which the difference in a lattice constant to the Si substrate 1, is smaller than that of the second layer 5 and the fourth layer 7, the film thickness is larger than that of the second layer 5 and the fourth layer 7, and the first layer 4 has a larger film thickness than that of the third layer 6.
第１の層４及び第３の層６は、第２の層５及び第４の層７のいずれよりもＳｉ基板１との格子定数差が小さな組成の窒化物半導体であり、且つ、第２の層５及び第４の層７のいずれよりも膜厚が大きく、第１の層４は、第３の層６よりも膜厚が大きい。 - 特許庁 - Buffer layers 101 and 102, a first lower clad layer 103 and a second lower clad layer 104, an active layer 105, a first upper clad layer 106, an etching stop layer 107, a second upper clad layer 108, an intermediate band gap layer 109, and a cap layer 110 are laminated in this sequence on a semiconductor substrate 100.
半導体基板１００の上にバッファ層１０１、バッファ層１０２、第１下側クラッド層１０３、第２下側クラッド層１０４、活性層１０５、第１上側クラッド層１０６、エッチングストップ層１０７、第２上側クラッド層１０８、中間バンドギャップ層１０９、キャップ層１１０がこの順で積層してある。 - 特許庁 - A first layer among the free layer and the stabilization layer has magnetization, the direction thereof is oriented in a plane of the first layer, while a second layer among two layers of the free layer and the stabilization layer has also magnetization, and direction thereof is oriented in outside of a plane of the second layer.
前記自由層および安定化層のうちの第１の層は磁化を有しており、その方向は、前記第１の層の平面内に配向されており、一方、前記自由層および安定化層のうちの２つの層の第２の層も磁化を有しており、その方向は、前記第２の層の平面外に配向されている。 - 特許庁 - A light permeability colored layer 24 is laminated at the first region 1 out of planes of a light source 6 side of the supporting body 8, a second shading layer 23 and the light permeability colored layer 24 are laminated in order at the second region 2, and a third decoration layer 21, a second reflection layer 22, and the second shading layer 23 are laminated at the third region 3.
支持体８の光源６側の面のうち、第１の領域１には、光透過性着色層２４が積層され、第２の領域２には、第２の遮光層２３、光透過性着色層２４が順に積層され、第３の領域３には、第３の加飾層２１、第２の反射層２２、第２の遮光層２３が順に積層されている。 - 特許庁 - The aperture plate 10 includes: a first layer 12 having a first emissivity; a second layer 14 having a second emissivity and disposed over the first layer, wherein the first emissivity is higher than the second emissivity; and at least one additional layer 18 disposed over the second layer including a coating layer for controlling a contact angle.
第１放射率を有する第１層１２と、第２放射率であって、第１放射率が第２放射率よりも高い第２放射率を有し、第１層の上に配置される第２層１４と、接触角を制御するコーティング層を含む第２層の上に配置される少なくとも１つの追加層１８とを含む、開口プレート１０。 - 特許庁 - The magnetic recording medium has a substrate, a first magnetic layer and a second magnetic layer, wherein exchange coupling between magnetic grains in the first magnetic layer 2 is lower than exchange coupling between magnetic grains in the second magnetic layer 3, and the first and second magnetic layers are in a film stack so that magnetic grains in the first magnetic layer 2 are exchange coupled by a pathway through the second magnetic layer 3.
基板、第１及び第２磁性層をもち、第１磁性層２における磁性粒子間の交換結合は、第２磁性層３における磁性粒子間の交換結合より低く、第１及び第２磁性層は膜の積み重ねであり、そのため第１磁性層２における磁気粒子は第２磁性層３を通る通路により交換結合される。 - 特許庁 - An epitaxial silicon wafer includes a bulk wafer having a first doping concentration, a first epitaxial layer formed over the bulk wafer, the first epitaxial layer having a second doping concentration which is higher than the first doping concentration, and a second epitaxial layer formed over the first epitaxial layer, the second epitaxial layer having a third doping concentration which is lower than the second doping concentration.
本発明のエピタキシャルシリコンウェーハは、第１ドーピング濃度を有するバルクウェーハと、該バルクウェーハ上に前記第１ドーピング濃度より高い第２ドーピング濃度を有する第１エピタキシャル層と、該第１エピタキシャル層上に前記第２ドーピング濃度より低い第３ドーピング濃度を有する第２エピタキシャル層とを備える。 - 特許庁 - The semiconductor laser element comprises a first conductivity type first clad layer 12, a first conductivity type first optical guide layer 13, an MQW active layer 14 formed by laminating a plurality of barrier layers and well layers, a second conductivity type second optical guide layer 15, and a second conductivity type second clad layer 19 which are sequentially formed on the main surface of a substrate 11.
基板１１の主面に順次形成された第１導電型の第１クラッド層１２、第１導電型の第１光ガイド層１３、障壁層と井戸層を複数積層したＭＱＷ活性層１４、第２導電型の第２光ガイド層１５、第２導電型の第２クラッド層１９とを有している。 - 特許庁 - It further includes a second barrier metal layer 32 formed in a region other than that of the electrode of the active element 10, a plated seed layer 15a formed under and around the second barrier metal layer 32, and a second alloy bump 36 formed on the second barrier metal layer 32 and the plated seed layer 15a.
さらに、能動素子１０の電極上以外に形成された、第２のバリアメタル層３２と、第２のバリアメタル層３２の下部及び第２のバリアメタル層３２の周囲に形成されためっきシード層１５ａと、第２のバリアメタル層３２上及びめっきシード層１５ａに形成される第２の合金バンプ３６とを備える。 - 特許庁 - The second conductive layer is in contact with the second semiconductor layer and the first conductive layer between the second semiconductor layer and the first conductive layer, contains a polycrystal having a second average grain diameter smaller than the first average grain diameter and less than or equal to 150 nm, and is transparent to the light.
前記第２導電層は、前記第２半導体層と前記第１導電層との間において前記第２半導体層と前記第１導電層とに接し、前記第１平均粒径よりも小さく１５０ナノメートル以下の第２平均粒径を有する多結晶を含み、前記光に対して透過性である。 - 特許庁 - In the light emitting element including a first and a second electrode layers, and a light emitting layer held between the first and the second electrode layers on its both sides, the area of the surface of the second electrode layer on the side bordering on the light emitting layer is larger than that of the surface of the light emitting layer on the side bordering on the second electrode layer.
第１と第２の電極層と、前記第１と第２の電極層に両面側から挟持された発光層とを備えた発光素子において、前記第２の電極層の前記発光層との境界面側の面積は、前記発光層の前記第２の電極層との境界面側の面積よりも大きい。 - 特許庁 - When a second information layer L1 is to be recorded, optimum recording power in the second information layer L1 is calculated from the optimum recording power in the first information layer L0, and information is recorded in the second information layer L1 by using optimum recording power in the second information layer L1.
そして、記録対象の情報層が第２情報層Ｌ１の場合には、第１情報層Ｌ０での最適な記録パワーから、第２情報層Ｌ１での最適な記録パワーが算出され、該第２情報層Ｌ１での最適な記録パワーを用いて、第２情報層Ｌ１に対する記録が行われる。 - 特許庁 - The second electric connection means 17B for connecting a second surface electrode layer 13D and a second internal electrode layer 13B consists of a second hole 23 extended through piezoelectric ceramic layers 15C and 15B, and a second conductive portion 25 which is formed continuously with the second surface electrode layer 13D and is connected with the internal electrode layer 13B.
第２の表面電極層１３Ｄと第２の内部電極層１３Ｂとを接続する第２の電気的接続手段１７Ｂを圧電セラミック層１５Ｃ，１５Ｂを貫通する第２の孔２３と、第２の表面電極層１３Ｄと連続して形成されて第２の内部電極層１３Ｂと接続される第２の導電部２５とから構成する。 - 特許庁 - The present invention relates to a device comprising: a substrate including a silicon substrate having a porous top layer; a second layer formed of Ge material on the top layer; and the other layer formed of group-III nitride material on the second layer.
本発明は、ポーラス状の最上層を有するシリコン基板を含む基板と、 上記最上層上の、Ｇｅ材料からなる第２層と、 上記第２層上の、III族窒化物材料からなる別の層とを有する装置に関する。 - 特許庁 - Particularly, the first intermediate layer is a layer mainly made of a single crystal aggregate, and the second intermediate layer is made of a group III nitride semiconductor in which a disorderliness in an orientation in the second intermediate layer is smaller than that in the first intermediate layer.
特に、上記の第１の中間層を主に単結晶体の集合体からなる層とし、第２の中間層を第１の中間層よりも配向性上の乱雑度をより小とするIII族窒化物半導体とする。 - 特許庁 - The optical recording medium has a first recording layer 2 containing dyestuffs, a translucent reflection layer 3, a transparent adhesive layer 4, a second recording layer 5 containing dyestuffs, a reflection layer 6, and a second substrate 7 in this order on a first transparent substrate 1.
透明な第１基板上１に、色素を含む第１記録層２、半透明反射層３、透明接着層４、色素を含む第２記録層５、反射層６、第２基板７をこの順に有してなる光記録媒体。 - 特許庁 - Further, since the first contact auxiliary layer 30 has a resistance value lower than those of the photoconductive layer 17 and the second contact auxiliary layer 51, signal charges generated in the photoconductive layer 17 smoothly move to the second contact auxiliary layer 51.
さらに、第１コンタクト補助層３０の抵抗値が光導電層１７及び第２コンタクト補助層５１よりも低いため、光導電層１７で生じた信号電荷が第２コンタクト補助層５１にスムーズに移動する。 - 特許庁 - Because of the presence of the third transparent resin layer 10, the second transparent resin layer 9 can be prevented from mixing with the first transparent resin layer 8, and the second transparent resin layer 9 thus can be hardly damaged by the first transparent resin layer 8.
第３の透明樹脂層１０によって、第２の透明樹脂層９が第１の透明樹脂層８と混合することを抑制でき、第２の透明樹脂層９が第１の透明樹脂層８からダメージを受け難くできる。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
