「second layer」を含む例文一覧(21455)
＜前へ 1 2 .... 38 39 40 41 42 43 44 45 46 .... 429 430 次へ＞- Then, by the second etching process, the polishing stop layer and the metal layer are etched using the covered layer 18A as an etching mask.
次に、第２のエッチング工程により、被覆層１８Ａをエッチングマスクとして用いて研磨停止層および金属層をエッチングする。 - 特許庁 - The lower resin layer 115 is composed of a first inner resin layer 115a and a second inner resin layer 115b.
下側樹脂層１１５は、第１内側樹脂層１１５ａおよび第２内側樹脂層１１５ｂによって構成されている。 - 特許庁 - The second adhesive layer 22 is configured to define its area smaller than the area of the first adhesive layer 32 of the lower layer 3.
第２粘着層２２は、その面積が下層３の第１粘着層３２の面積よりも小さくなるように構成されている。 - 特許庁 - A ridge stripe layer 150 is formed of the second upper clad layer 105 through the fourth upper clad layer 109.
上記第２上クラッド層１０５から第４上クラッド層１０９までの各層からなるリッジストライプ部１５０を形成している。 - 特許庁 - The isolation layer 7 includes a first layer 7a including cellulose and a second layer 7b including ceramic particles and a resin binding agent.
隔離層７は、セルロースを含む第１層７ａと、セラミックス粒子および樹脂結着剤を含む第２層７ｂとからなる。 - 特許庁 - The semiconductor region 15 includes a first conductivity type semiconductor layer 23, an active layer 25, and a second conductivity type semiconductor layer 27.
半導体領域１５は、第１導電型半導体層２３、活性層２５及び第２導電型半導体層２７を含む。 - 特許庁 - The first n-type layer 111 and the second n-type layer 112 are n-GaN, and the third n-type layer 113 is n-InGaN.
第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２はｎ−ＧａＮであり、第３ｎ型層１１３はｎ−ＩｎＧａＮである。 - 特許庁 - The memory cell of SRAM has a first conducting layer 6a, a second conducting layer 16b and a third conducting layer 16c.
ＳＲＡＭのメモリセルは第１の導電層１６ａ、第２の導電層１６ｂ及び第３の導電層１６ｃを備える。 - 特許庁 - A second inter-layer insulating film and a third inter-layer insulating film are laminated on a source wiring 10 as the lower-layer wiring.
下層配線としてのソース配線１０上には、第２層間絶縁膜および第３層間絶縁膜が積層されている。 - 特許庁 - The peeled second Si layer 23a is selectively etched in a form of turning the first SiGe layer 22a to an etching stop layer.
この剥離した第二のＳｉ層２３ａを、第一のＳｉＧｅ層２２ａをエッチストップ層とする形で選択エッチングする。 - 特許庁 - At least one of the first alignment layer and the second alignment layer includes a fixed layer and a carbon nanotube structure.
前記第一配向層及び前記第二配向層の少なくとも一方は、固定層及びカーボンナノチューブ構造体を含む。 - 特許庁 - A liquid crystal layer containing a plurality of liquid crystal molecules is placed between the first transparent electrode layer and the second transparent electrode layer.
複数の液晶分子を含む液晶層が、第１の透明電極層と第２の透明電極層の間に配置される。 - 特許庁 - At least one of the first alignment layer and the second alignment layer includes a fixing layer and a carbon nanotube structure.
前記第一配向層及び前記第二配向層の少なくとも一方が、固定層及びカーボンナノチューブ構造体を含む。 - 特許庁 - On the interface of the first silicon layer 5 and the second silicon layer 6, a stress relaxation layer 7 comprising SiO_2 for instance is formed.
第１シリコン層５と第２シリコン層６との界面には、たとえば、ＳｉＯ_２からなる応力緩和層７が形成されている。 - 特許庁 - The second region R2 has a top coat layer (the outermost layer) 52 with crater-like unevenness on the surface of an ink layer 51.
第２領域Ｒ２には、インキ層５１の表面にクレーター状の凹凸を有したトップコート層（最外層）５２が設けられている。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting element includes a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer.
実施形態によれば、第１半導体層と、活性層と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - A first insulation layer 51a and a second insulation layer 51b are arranged between the lower part shield layer 54 and the slider body 31.
下部シールド層５４およびスライダ本体３１の間には第１絶縁層５１ａおよび第２絶縁層５１ｂが配置される。 - 特許庁 - An n-electrode layer 8 and the p-electrode layer 321 of the second layer 62 of the p-conductive type of the compensating diode 320 are connected.
ｎ電極層８と補償ダイオード３２０のｐ伝導型の第２層６２のｐ電極層３２１とが接続されている。 - 特許庁 - A second capacitor electrode layer 5b insulated from the first capacitor electrode layer 5a is formed on the third insulating layer 1c.
第３の絶縁層１ｃ上に第１のキャパシタ電極層５ａと絶縁された第２のキャパシタ電極層５ｂを設ける。 - 特許庁 - Furthermore, there are formed a second upper DBR layer (upper reflecting layer) 15B and a p electrode 17 on the wavelength adjusting layer 16.
更に、波長調整層１６上に、第２の上部ＤＢＲ層（上部反射層）１５Ｂ及びｐ電極１７を形成する。 - 特許庁 - The second conductive layer is disposed on the insulating layer and the semiconductor layer, and has a source electrode 152 and a drain electrode 154.
第２の導電層は、絶縁層及び半導体層上に配置され、ソース電極１５２及びドレイン電極１５４を有する。 - 特許庁 - A signal line 13 having a predetermined width is formed on a first wiring layer, and a ground layer 14 is formed on a second wiring layer.
第一配線層に所定の幅を有する信号線路１３が形成され、第二配線層にグランド層１４が形成される。 - 特許庁 - The external electrode 16A comprises a fired electrode layers 18A, a resin electrode layer, and a first plated layer and a second plated layer.
外部電極１６Ａは、焼付電極層１８Ａ、樹脂電極層、第１めっき層及び第２めっき層を有している。 - 特許庁 - The multilayer film 3 comprises, from the one surface of the quartz plate 2, a first layer 3a, a second layer 3b and a third layer 3c.
多層膜３は、水晶板２一面側から順に、第１層３ａ、第２層３ｂ、第３層３ｃから構成されている。 - 特許庁 - In this gas seal material, a polyamide film layer is arranged between a first rubber layer and a second rubber layer.
第一ゴム層と第二ゴム層との間にポリアミド系フィルム層が設置されているガス用シール材であることを特徴としている。 - 特許庁 - A Zener diode comprises a substrate 11, a base diffusion layer 12, a first polysilicon layer 14a and a second polysilicon layer 14b.
ツェナーダイオードは、基板１１とベース拡散層１２と第１ポリシリコン層１４ａと第２ポリシリコン層１４ｂとを具備している。 - 特許庁 - The photoelectric converter also includes: a second laminated portion provided on the second lower electrode layer and comprising a third semiconductor layer having a first conductivity type and a fourth semiconductor layer having a second conductivity type which are laminated in the order; and a connection conductor provided in a groove located between the first laminated portion and the second laminated portion and electrically connecting the second semiconductor layer with the second lower electrode layer.
また、該光電変換装置は、第２下部電極層の上に設けられた、第１導電型の第３半導体層と第２導電型の第４半導体層とが順に積層されている第２積層部と、第１積層部と第２積層部との間に位置する溝部に設けられた、第２半導体層と第２下部電極層とを電気的に接続する接続導体とを備えている。 - 特許庁 - In the laminated foil which comprises a laminate of the first conductive body layer 1, the first barrier layer 2, the second conductive body layer 3 and the second barrier layer 4, etching characteristics of adjoining layers are different from each other.
第一の導体層１と、第一のバリア層２と、第２の導体層３と、第２のバリア層４が積層されてなる積層箔において、隣接する層のエッチング特性が互いに異なる積層箔。 - 特許庁 - When the information recorded in a first recording layer and a second recording layer of an optical information recording medium is to be reproduced, reproduction from the first recording layer is discriminated from reproduction from the second recording layer.
光学情報記録媒体の第１の記録層と第２の記録層とに記録された情報を再生するとき、第１の記録層からの再生と第２の記録層からの再生を判別する。 - 特許庁 - The second diffusion layer 26 is formed in the first diffusion layer 25 wherein the first and second diffusion layers 25 and 26, the third diffusion layer 8 and the fourth diffusion layer 10 are spaced apart from each other.
第２拡散層２６は第１拡散層２５中に形成されており、第１および第２拡散層２５，２６、第３拡散層８、および第４拡散層１０は、互いに離隔して形成されている。 - 特許庁 - Also, a position printed with the material on the second layer 122 is set above a position not printed with the ink on the first layer 121 in a state of superimposing the second layer 122 on the first layer 121.
また、第２層１２２にて素材が印刷される位置は、第２層１２２を第１層１２１に積み重ねた状態で、第１層１２１にてインクが印刷されていない位置の上方に設定される。 - 特許庁 - The second pad printing layer 4 is printed to get narrower than a width of the first pad printing layer 3, and the screen printing layer 5 is printed to get narrower than a width of the second pad printing layer 4.
第２のタコ印刷層４は、第１のタコ印刷層３の幅に対して小さくなるように印刷され、スクリーン印刷層５は、第２のタコ印刷層４の幅に対して小さくなるように印刷される。 - 特許庁 - At least one blind hole 302 is formed in the second conductive layer 330 and the insulating layer 320 to expose the upper surface of the bump 314a through the second conductive layer 330 and the insulating layer 320.
少なくとも一つのブラインドホール３０２を第２導電層３３０と絶縁層３２０に形成し、第２導電層３３０と絶縁層３２０を通り抜けてバンプ３１４ａの上面を露出する。 - 特許庁 - A second powder top layer is dispensed on fused and non-fused powders at the first powder top layer; and a second united layer, which is combined with the first united layer, is formed similarly.
第１の頂部層の融解した粉末および融解していない粉末の上に粉末の第２の頂部層を分配し、同様にして、第１の一体層に結合した第２の一体層を形成する。 - 特許庁 - E_CLD2>E_CNT, and E_CW1<E_CW2 are satisfied, where forbidden band width energies of the second cladding layer 114, the contact layer 117, the first contact well layer 116w1, and the second contact well layer 116w3 as E_CLD2, E_CNT, E_CW1, and E_CW2, respectively.
第２クラッド層１１４、コンタクト層１１７、第１コンタクトウェル層１１６ｗ１及び第２コンタクトウェル層１１６ｗ３の禁制帯幅エネルギーをＥ_CLD2、Ｅ_CNT、Ｅ_CW1及びＥ_CW2としたときに、Ｅ_CLD2＞Ｅ_CNT、かつ、Ｅ_CW1＜Ｅ_CW2である。 - 特許庁 - The second magnetic layer 14 has a first layer 14A exposed to the medium opposite surface ABS and a second layer 14B formed on the first layer 14A without being exposed to the medium opposite surface ABS.
第２の磁性層１４は、媒体対向面ＡＢＳに露出する第１層１４Ａと、媒体対向面ＡＢＳに露出せず、第１層１４Ａの上に形成された第２層１４Ｂとを有している。 - 特許庁 - The primer layer 3, the first conductive layer 2, the first electrode 4, the electrolyte layer 5, the second electrode 6, and the second conductive layer 7 have structures alternately laminated by a cationic material and an anionic material.
そして、プライマー層３、第一伝導層４、第一の電極４、電解質層６、第二の電極６、第二伝導層７は、カチオン性物質とアニオン性物質とが交互に積層した構造を有している。 - 特許庁 - In the second cycle, a monolayer of a second silicon oxide layer is formed on the upper first silicon nitride layer of the hole, and then, a monolayer of a fourth silicon layer is formed on the lower first silicon nitride layer of the hole.
第２サイクルでは、ホール上部の窒化シリコン層上に１分子層の第２の酸化シリコン層を形成後、ホール下部の第１の窒化シリコン層上に１原子層の第４のシリコン層を形成する。 - 特許庁 - The light guide 68 includes a first light guide layer 72 and second light guide layer 74 superimposed, and forming an interface 76 between the first light guide layer 72 and second light guide layer 74.
導光体６８は、第１の導光層７２と第２の導光層７４とが重ねられており、第１の導光層７２と第２の導光層７４との間に界面７６が形成されている。 - 特許庁 - (a) The thickness ratio of the second layer to the first layer is in the range of 2 to 10:1, (b) the transmitted optical consistency of the second layer is in the range of 0.2 to 1.5, (c) the transmitted optical consistency of the first layer is in the range of 0.005 to 0.2.
（ａ）第一層に対する第二層の厚さの比が２〜１０：１の範囲、（ｂ）第二層の透過光学密度が０．２〜１．５の範囲、（ｃ）第一層の透過光学密度が０．００５〜０．２の範囲。 - 特許庁 - The thickness of the first fiber layer 11 is 0.2-1 mm, the thickness of the second layer 12 is 0.4-3 mm, and the total thickness of the first fiber layer 11 and the second fiber layer 12 is 0.6-4 mm.
第１繊維層１１の厚みが０．２〜１ｍｍであり、第２層１２の厚みが０．４〜３ｍｍであり、第１繊維層１１及び第２繊維層１２の総厚みが０．６〜４ｍｍである。 - 特許庁 - While etching the first layer 5, the second layer 6 is formed of a material having an etching selection ratio where the second layer 6 functions as a mask of the first layer 5.
そして、前記第一層５に対するエッチングの間は前記第二層６が当該第一層５のマスクとして機能するエッチング選択比を有した材料によって、当該第二層６を形成する。 - 特許庁 - The first layer including the first metal oxide layer 111 and the second layer including the second metal oxide layer 114 form a p-n junction, thereby the memory element is imparted with rectifying capability.
第１の金属酸化物１１１を有する第１の層と第２の金属酸化物１１４を有する第２の層はｐ−ｎ接合を形成し、これによりメモリ素子に整流性が付与される。 - 特許庁 - For this reason, on surfaces of the second wiring layer 230 and the upper layer insulating film 260, the step caused by the intersection part 280 between the first wiring layer 210 and the second wiring layer 230 does not occur.
このため、第２の配線層２３０および上層絶縁膜２６０の表面では、第１の配線層２１０と第２の配線層２３０との交差部分２８０に起因する段差が発生していない。 - 特許庁 - When an instruction is indicated to reproduce the second layer following this instruction (S110), the reproduction mode is changed from the first layer reproduction by using the preference laser beam to the second layer (HDDVD layer) reproduction.
この表示に応じて、２層目を再生する旨の指示入力がなされると（Ｓ１１０）、優先レーザ光を用いた１層目の再生動作から２層目（ＨＤＤＶＤ層）の再生動作に切り替えられる。 - 特許庁 - The second light deflection liquid crystal cell includes a prism layer being in contact with a liquid crystal layer, and an alignment structure for controlling a major axis direction of liquid crystal molecules in an interface between the liquid crystal layer and the prism layer to a second direction.
第２の光偏向液晶セルは、液晶層と接するプリズム層と、液晶層とプリズム層との界面の液晶分子の長軸方向を、第２の方向に制御する配向構造とを含む。 - 特許庁 - The semiconductor layer is formed so as to connect the first conductive layer and the second conductive layer and extend in a second direction parallel to the semiconductor substrate, and functions as a channel layer of the memory transistors.
半導体層は、第１導電層と第２導電層とを接続するように半導体基板と平行な第２方向に延びるように形成されメモリトランジスタのチャネル層として機能する。 - 特許庁 - The first layer 11 and the second layer 12 are joined by thermally fusing the synthetic resin fibers 15 and the synthetic resin fibers 18 in a boundary 4 between the first layer 11 and the second layer 12.
そして、第１層１１と第２層１２との境界４において、前記合成樹脂繊維１５と合成樹脂繊維１８とが熱融着されて第１層１１と第２層１２とが接合されている。 - 特許庁 - In the first region A, a first insulating layer 111 and a second insulating layer 112 are doubly provided, and a silicon monocrystalline layer 122 on the second insulating layer 112 is used for the substantial device formation.
第１領域Ａは、第１の絶縁層１１１、第２の絶縁層１１２と二重に設けられ、第２の絶縁層１１２上のシリコン単結晶層１２２が実質的なデバイス形成に用いられる。 - 特許庁 - Indium composition Y of the second well layer 23 is smaller than indium composition X of the first well layer 21, and thickness D_W2 of the second well layer 23 is greater than thickness D_W1 of the first well layer 21.
第２の井戸層２３のインジウム組成Ｙは第１の井戸層２１のインジウム組成Ｘより小さく、また第２の井戸層２３の厚さＤ_Ｗ２は第１の井戸層２１の厚さＤ_Ｗ１より厚い。 - 特許庁
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