「second layer」を含む例文一覧(21457)

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  • The sock liner part 3 has a first layer abutting on the sole when being worn, a second layer stuck thereto and forming recess/projections along the arch of the foot, and a resin shank layer being harder than the first layer and the second layer.
    また中敷部３は装着状態において足裏と当接する第一層、これに張り合わされ足の土踏まずに沿った凹凸を形成する第二層、第一層及び第二層よりも硬質の樹脂のシャンク層を有する。 - 特許庁
  • In the transistor 1, the second base layer 14 is formed on the outer side of the emitter layer 13 in a three-layer structure of the conventional NPN-type transistor and a bias current flows in the section between the emitter layer 13 by using the second base layer 14.
    トランジスタ１は、在来のＮＰＮ型のトランジスタの３層構造におけるエミッタ層１３の外側に第２のベース層１４を形成し、この第２のベース層１４を用いてエミッタ層１３との間にバイアス電流を流す。 - 特許庁
  • The fourth p-type layer is provided between the second p-type layer and the third p-type layer, and the concentration of the p-type impurity gradually decreases from the second concentration to the third concentration along the direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.
    第４ｐ形層は第２ｐ形層と第３ｐ形層との間に設けられ、ｐ形不純物の濃度はｎ形半導体層からｐ形半導体層への方向に沿って第２濃度から第３濃度に漸減する。 - 特許庁
  • A semiconductor light-emitting element comprises: a light emitting layer composed of a III-V compound semiconductor; a first electrode having a reflection metal layer; an insulation layer having an opening; a first conductivity type layer; a second conductivity type layer; and a second electrode.
    半導体発光素子は、III-V族化合物半導体からなる発光層と、反射金属層を有する第１電極と、開口部を有する絶縁層と、第１導電形層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。 - 特許庁
  • The inorganic thin film EL element 10 is formed by depositing a first electrode layer 30, a first insulation layer 40, a light emitting layer 50, a second insulation layer 60, and a second electrode layer 70 on a ceramic substrate 20 in this sequence.
    無機薄膜ＥＬ素子１０は、セラミックス基板２０の上に、第１の電極層３０、第１の絶縁層４０、発光層５０、第２の絶縁層６０および第２の電極層７０の順で薄膜が堆積されたＥＬ素子である。 - 特許庁
  • This two-layer makeup cosmetic comprising the combination of a base component for the first layer with a finishing component for the second layer, characterized in that the base component for the first layer and the finishing component for the second layer are the following compositions, respectively.
    第一層用下地料及び第二層用仕上げ料とを組み合わせてなる二層メーキャップ化粧料において、第一層用下地料と第二層用仕上げ料が、それぞれ下記の組成物である、二層メーキャップ化粧料。 - 特許庁
  • The semi-hard urethane molded product is provided with a first layer 1 having an air-permeation property in a thickness direction, a second layer 3 having an air-permeation property in a thickness direction, and at least one connection layer 2 formed between the first layer 1 and the second layer 3 in a thickness direction.
    厚さ方向に通気性を有する第１層１と、厚さ方向に通気性を有する第２層３と、第１層１と第２層３との間に形成された連結層２を厚さ方向に少なくとも一層備える。 - 特許庁
  • The cover 1 for the tendon has a first layer 110 for covering the surface of the tendon 100, a second layer 120 formed on the outside of the first layer 110, and a third layer 130 formed on the outside of the second layer 120.
    緊張材用被覆物１は、緊張材１００の表面を被覆する第１層１１０と、第１層１１０の外側に設けられる第２層１２０と、第２層１２０の外側に設けられる第３層１３０とを備える。 - 特許庁
  • Since the first mask layer is formed to surround the second mask layer, the first mask layer and the second mask layer can be used as one continuous mask layer.
    第１のマスク層及び第２のマスク層は接して形成され、第２のマスク層の周囲を囲むように第１のマスク層が形成されるので、第１のマスク層及び第２のマスク層は連続した一つのマスク層として用いることができる。 - 特許庁
  • A film composed of a three-layer structure of the first thermoplastic resin layer, the filler-containing thermoplastic resin layer and a second thermoplastic resin layer is heated, pressed and stuck in a pressure-reduced environment, and thereafter the second thermoplastic resin layer is removed.
    第１の熱可塑性樹脂層／フィラー含有熱硬化性樹脂層／第２の熱可塑性樹脂層の３層構造からなるフィルムを減圧環境下で加熱加圧し貼り付けた後に、第２の熱可塑性樹脂層を除去してなる。 - 特許庁
  • In the liquid crystal display device which includes a liquid crystal layer exhibiting the blue phase, a first structure body and a second structure body are provided over a first electrode layer (a pixel electrode layer) and a second electrode layer (a common electrode layer), respectively.
    ブルー相を示す液晶層を含む液晶表示装置において、第１の電極層（画素電極層）上に第１の構造体、同様に第２の電極層（共通電極層）上に第２の構造体を設ける構成とする。 - 特許庁
  • The cushion material 2 comprises a first cushion layer 3 as a base and a second cushion layer 4 joined on the first cushion layer 3, while the second cushion layer 4 has a smaller deformation degree to an equal pressure than the first cushion layer 3.
    クッション材２は、ベースとなる第１のクッション層３の上に第２のクッション層４を接合して成るもので、第２のクッション層４には、同じ加圧力に対する変形度合が第１のクッション層３よりも小さいものが用いられる。 - 特許庁
  • The third insulating layer 23 thus electrically insulates the first semiconductor layer 13 exposed on the one surface 11a of the substrate 11 from a metal layer 14 between the second semiconductor layer 161 and the second semiconductor layer 162.
    これによって、第三絶縁層２３は、第二半導体層１６１と第二半導体層１６２との間で基板１１の一面１１ａに露呈された第一半導体層１３と、金属層１４との間を電気的に絶縁する。 - 特許庁
  • The thermal expansion difference between the first layer 5 and the third layer 15 can be relaxed by the second layer 10 based on the arrangement, and for instance, the first layer 5 can be expanded comparatively freely without being restrained so much by the second layer 10.
    このため、第１層５と第３層１５との熱膨張差を第２層１０で緩和することができるので、例えば第１層５を第２層１０であまり拘束しないで比較的自由に膨張させることができる。 - 特許庁
  • A nonmagnetic layer 26 made of an inorganic insulating material is provided between the end face of the second layer 17B and the medium facing surface 30, and a photoresist layer 25 is provided between the end face 17B of the second layer and the nonmagnetic layer 26.
    第２層１７Ｂの端面と媒体対向面３０との間に無機絶縁材料よりなる非磁性層２６が配置され、第２層の端面１７Ｂと非磁性層２６との間にフォトレジスト層２５が配置されている。 - 特許庁
  • First and second peripheral terminations 44, 46 are formed along the sides of the multi-layer structure to electrically connect the electrode layer 14 and the first transition layer electrode 26, and the electrode layer 20 and the second transition layer electrode 28.
    第１及び第２の周辺終端４４，４６は、多層構造の側面に沿って形成されて、電極層１４と第１の遷移層電極２６及び電極層２０と第２の遷移層電極２８を電気的に接続している。 - 特許庁
  • The present invention relates to a device having a substrate including a silicon substrate having a porous top layer, a second layer on the top layer formed of a Ge material, and the other layer on the second layer formed of a group-III nitride material.
    本発明は、ポーラス状の最上層を有するシリコン基板を含む基板と、 上記最上層上の、Ｇｅ材料からなる第２層と、 上記第２層上の、III族窒化物材料からなる別の層とを有する装置に関する。 - 特許庁
  • The package structure for photoelectric devices includes a silicon substrate 11, a first insulating layer 21A or 21B, a reflective layer 22A or 22B, a second insulating layer 23A or 23B, a first conductive layer 21, a second conductive layer 22 and a die 31A.
    光電デバイス用パッケージ構造は、シリコン基板１１と、第１の絶縁層２１Ａ，２１Ｂと、反射層２２Ａ，２２Ｂと、第２の絶縁層２３Ａ，２３Ｂと、第１の導電層２１と、第２の導電層２２と、ダイ３１Ａとを備える。 - 特許庁
  • Further, the apparatus includes a first layer disposed at the side of the reflective layer with a reflective index n1, and a second layer opposite to the first layer with the reflective index n2 (n2<n1), with the second electrode layer arranged as the center.
    また、この第２電極層を中心として、前記反射層側に配置される屈折率ｎ１をもつ第１層、及び、当該第１層とは反対側に配置される屈折率ｎ２（ただし、ｎ２＜ｎ１）をもつ第２層、が備えられる。 - 特許庁
  • The peeling method includes a process for forming a first layer containing a first material on a substrate; a process for forming a second layer containing a second material on the first layer; a process for forming the layer to be peeled on the second layer; and a process for performing heat treatment or the irradiation of laser beams for separating the substrate from the layer to be peeled by using the compressive stress of a second layer.
    基板上に第１の材料を含む第１の層を形成する工程と、第１の層上に第２の材料を含む第２の層を形成する工程と、第２の層上に被剥離層を形成する工程と、加熱処理またはレーザー光の照射を行って、第２の層の圧縮応力を用いることにより、基板と被剥離層とを分離する工程とを含む。 - 特許庁
  • The LED structure comprises: a substrate 200; emission epitaxial structures 204, 210, and 212; a first conductive contact layer 214; a second conductive contact layer 216; a transparent insulation layer 218; a first reflective layer 226; a second reflective layer 230; a first barrier layer 228; a second barrier layer 232; a first conductive electrode 234; and a second conductive electrode 236.
    ＬＥＤ構造は、基板２００と、発光エピタキシャル構造２０４，２１０，２１２と、第１の導電型接触層２１４と、第２の導電型接触層２１６と、透明絶縁層２１８と、第１の反射層２２６と、第２の反射層２３０と、第１の障壁層２２８と、第２の障壁層２３２と、第１の導電型電極２３４と、第２の導電型電極２３６とを備える。 - 特許庁
  • A lamination 20 of an MR element is structured by laminating sequentially a first soft magnetic layer 22, a second soft magnetic layer 23, a nonmagnetic layer 24, a ferromagnetic layer 25, an anti-ferromagnetic layer 26 and a protection layer 27 on an underlayer layer 21.
    ＭＲ素子の積層体２０は、下地層２１の上に第１軟磁性層２２、第２軟磁性層２３、非磁性層２４、強磁性層２５、反強磁性層２６および保護層２７を順次積層することにより構成されている。 - 特許庁
  • The first insulating layer 37 is provided with a first inter-layer insulating layer 37a having a refractive index n1, and a second inter-layer insulating layer 37b formed on the first inter-layer insulating layer having a refractive index n2 different from the refractive index n1.
    第１絶縁層３７は、屈折率ｎ１を有する第１層間絶縁層３７ａと、第１層間絶縁層上に形成され、屈折率ｎ１と異なる屈折率ｎ２を有する第２層間絶縁層３７ｂとを有する。 - 特許庁
  • The electroluminescent device comprises a first electrode layer 201, a phosphor layer 202 on the first electrode layer 201, a layer 203 with permanent accumulated charges on the phosphor layer 202, and a second electrode layer 204 on the layer 203 with permanent accumulated charges.
    エレクトロルミネセント素子は、第１電極層２０１と、第１電極層２０１上の蛍光体層２０２と、蛍光体層２０２上の蓄積電荷保持層２０３と、蓄積電荷保持層２０３上の第２電極層２０４とを含む。 - 特許庁
  • An n^- drift layer 2, a first gate layer (p^+ layer) 3, and a p-type source layer 4 are formed on an n^+SiC substrate 1 successively, and at the same time a second gate layer (p^+ layer) 8 is formed in a trench 6 via an n^- channel layer 7.
    ｎ^+ＳｉＣ基板１の上にｎ^-ドリフト層２と第１のゲート層（ｐ^+層）３とｐ型ソース層４とが順に形成されるとともに、トレンチ６内においてｎ^-チャネル層７を介して第２のゲート層（ｐ^+層）８が形成されている。 - 特許庁
  • In each layer of a first layer and a second layer of a print coil substrate of two-layer constitution, a layer having a land part and the other layer overlapping on this layer are wired by a through hole 12 to form one print coil substrate 9 combining two layers.
    ２層構成のプリントコイル基板の１層目，２層目の各層において、ランド部を持つ層と、この層に重なるもう一方の層とはスルーホール１２により配線され２つの層を合わせて１つのプリントコイル基板９を形成する。 - 特許庁
  • A vertical magnetic recording disc 10 is equipped with an adhesion layer 12, a soft magnetic layer 13, a first base layer 14, a second base layer 15, a vertical magnetic recording layer 16, a medium protection layer 17, a lubricating layer 18 on a substrate 11 in this sequence.
    垂直磁気記録ディスク１０は、基体１１上に、密着層１２、軟磁性層１３、第１下地層１４、第２下地層１５、垂直磁気記録層１６、媒体保護層１７、潤滑層１８をこの順に備える。 - 特許庁
  • In a third process, an isolation groove 111 which penetrates the second substrate 100 and second isolation layer 115 from the surface of the second substrate 100 on the opposite side from the surface where the second isolation layer 115 is present is provided before or after the second process.
    第３の工程では、第２の工程の前或いは後に、第２の基板１００の第２の分離層１１５がある面の反対側の面から第２の基板１００と第２の分離層１１５を貫通する分離溝１１１を設ける。 - 特許庁
  • The multilayered sheet 1A is provided with: an outermost layer 11 consisting of a polyolefin layer 111, a barrier layer 112 and a moisture absorbing adhesive agent layer 113; a base material layer 12 consisting of a first polyolefin layer 121, a barrier layer 122 and a second polyolefin layer 123; and an exfoliation layer 13.
    多層シート１Ａは、ポリオレフィン層１１１とバリア層１１２と水分吸収接着剤層１１３とからなる最外層１１と、第一のポリオレフィン層１２１とバリア層１２２と第二のポリオレフィン層１２３とからなる基材層１２と、剥離層１３とを備えている。 - 特許庁
  • An n-type clad layer 21, n-side guide layer 22, active layer 23, p-side guide layer 24, first p-type clad layer 25, etching stop layer 26, second p-type clad layer 27, low-refractive index layer 28, and contact layer 29 are sequentially laminated on a substrate 10 starting from the side of the substrate 10.
    基板１０上に、ｎ型クラッド層２１、ｎ側ガイド層２２、活性層２３、ｐ側ガイド層２４、第１ｐ型クラッド層２５、エッチングストップ層２６、第２ｐ型クラッド層２７、低屈折率層２８およびコンタクト層２９が基板１０側から順に積層されている。 - 特許庁
  • Since the second piezoelectric layer 72 contains the same lead zirconate titanate as a third piezoelectric layer 73 formed on the first piezoelectric layer 71 and the second piezoelectric layer 72 formed on the lower electrode 60, a composition unstable phase can be made hard to be generated in the vicinity of an interface between the first piezoelectric layer 71 and the second piezoelectric layer 72 and in the vicinity of an interface between the second piezoelectric layer 72 and the third piezoelectric layer 73.
    第２圧電体層７２が、下電極６０に形成された第１圧電体層７１および第２圧電体層７２上に形成される第３圧電体層７３と同じチタン酸ジルコン酸鉛なので、第１圧電体層７１と第２圧電体層７２との界面付近および第２圧電体層７２と第３圧電体層７３との界面付近で組成不安定相を生じにくくできる。 - 特許庁
  • The semiconductor device 1 comprises a semiconductor substrate 3, a first insulating resin layer 4 provided on the semiconductor substrate 3, a first rewiring layer 5 provided on the first insulating resin layer 4, a second insulating resin layer 6 provided on the first rewiring layer 5, a second rewiring layer 7 provided on the second insulating resin layer 6, and a bump 9 formed on the second rewiring layer 7.
    半導体基板３と、半導体基板３上に設けられた第１絶縁樹脂層４と、第１絶縁樹脂層４上に設けられた第１再配線層５と、第１再配線層５上に設けられた第２絶縁樹脂層６と、第２絶縁樹脂層６上に設けられた第２再配線層７と、第２再配線層７上に形成されたはんだバンプ９とを備えた半導体装置１。 - 特許庁
  • The second electrode 23 has a second insulating film 24 formed along a second trench 25 adjacent to the second semiconductor region 28, and a second conductive layer 26 formed in the second trench 25 while covered with the second insulating film 24.
    第２電極部２３は、第２半導体領域２８に隣合う第２トレンチ２５に沿って形成された第２絶縁膜２４と、第２絶縁膜２４に覆われた状態で第２トレンチ２５内に形成された第２導電層２６を有する。 - 特許庁
  • The second layer 201 of sheet material is positioned adjacent to the first layer 200 of sheet material such that the first raised portions extend from the first base portion toward the second layer 201, and the second raised portions extend from the second base portion toward the first layer.
    該シート物質の第２の層２０１は、シート物質の第１の層２００と隣接して配置され、第１のベース部分から伸びる第１の突起部分が第２の層２０１に向かって伸び、第２のベース部分から伸びる第２の突起部分が第１の層に向かって伸びる。 - 特許庁
  • As the second material for constituting the second layer, this magnetic shield employs a material that exhibits higher relative magnetic permeability with the magnetic force in the adjoining space of the second layer comparing to the relative magnetic permeability of the first material with the above magnetic force in the space between the first layer and the second layer.
    この磁気シールドは、第２層を構成する第２材料として、第１層と第２層との間の領域のうち、第２層の隣の領域における磁場の強さのときの比透磁率が、その磁場の強さにおける第１材料の比透磁率に比べて高いものが選定されている。 - 特許庁
  • In addition, the manufacturing method has a step, in which the second nitride semiconductor layer 18 is etched so that the etching is automatically stopped, in a state where the second nitride semiconductor layer 18 remains, by making the second nitride semiconductor layer 18 react with an alkali etchant, while irradiating the second nitride semiconductor layer 18 with a light.
    続いて、第２の窒化物半導体層１８に光を照射しつつアルカリ性のエッチャントと反応させることにより、第２の窒化物半導体層１８が残存した状態で自動的にエッチングが停止するように第２の窒化物半導体層１８をエッチングする。 - 特許庁
  • A pinned layer 20 has a synthetic structure, which comprises a first ferromagnetic layer 18, a coupling layer 17 and a second ferromagnetic layer 16, which are sequentially laminated from a free layer 27 side.
    ピンド層２０は、フリー層２７の側から第１強磁性層１８と結合層１７と第２強磁性層１６とが順に積層されたシンセティック構造を有するものである。 - 特許庁
  • The lower layer, namely the first interconnection layer 14, functions as a layer for heat radiation and is formed so that the area becomes larger than that of a die pad section 18A composed of the upper layer, namely the second interconnection layer 18.
    更に、下層の第１配線層１４は放熱用の層として機能して、上層の第２配線層１８から成るダイパッド部１８Ａよりも面積が大きく形成されている。 - 特許庁
  • Next, a hole transportation layer 4, a first light emitting layer 5a, a second light emitting layer 5b, and an electron transportation layer 6 are formed on the hole injection layer 3a in this order using a vacuum evaporation.
    次に、ホール注入層３ａ上に、ホール輸送層４、第１の発光層５ａ、第２の発光層５ｂおよび電子輸送層６を真空蒸着により順に形成する。 - 特許庁
  • While, Shore D hardness of the first layer 18a (a B layer) and the outer layer 20 is in a range of 20 to 50 and set lower than the inner layer 16 and the second layer 18b.
    その一方で、第１層１８ａ（Ｂ層）および外層２０のショアＤ硬度を２０〜５０の範囲内でかつ内層１６および第２層１８ｂに比して低く設定する。 - 特許庁
  • To suppress a silicide layer from being formed deeper than a diffusion layer, even if a second silicide layer is formed on the bottom surface of a contact hole connected to a first silicide layer on the diffused layer.
    拡散層上の第１のシリサイド層に接続するコンタクトホールの底面に第２のシリサイド層を形成しても、シリサイド層が拡散層より深く形成されることを抑制する。 - 特許庁
  • The light-emitting device includes a semiconductor layer, a p-side electrode, an n-side electrode, a first insulating layer, a p-side wiring layer, an n-side wiring layer, and a second insulating layer.
    実施形態によれば、発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、第１の絶縁層と、ｐ側配線層と、ｎ側配線層と、第２の絶縁層とを備えている。 - 特許庁
  • The solid electrolyte multi-layered film 11 is provided with a solid electrolyte layer 13 and a first surface layer 14 on one surface of the solid electrolyte layer 13 and a second surface layer 15 on the other surface of the solid electrolyte layer 13.
    固体電解質複層フィルム１１は、固体電解質層１３と、この固体電解質層１３の一面に第１表層１４と、他面に第２表層１５とを備える。 - 特許庁
  • The rubber hardness of the rubber layer parts 15, 16, 17, 18 should meet the relation that the first division rubber layer part < the second division rubber layer part < the third division rubber layer part ≤ the fourth division rubber layer part.
    各区域ゴム層部１５，１６，１７，１８のゴム硬度は、第１区域ゴム層部＜第２区域ゴム層部＜第３区域ゴム層部≦第４区域ゴム層部の関係を満たすようになっている。 - 特許庁
  • The magnetic recording layer comprises the first magnetic recording layer 5 and the second magnetic recording layer 7 via the nonmagnetic separation layer 6 and has a two-layered structure magnetically separated in the film-layer direction.
    磁気記録層が、非磁性分離層６を介して第１の磁気記録層５と第２の磁気記録層７からなり、膜層方向に磁気的に分離された二層構造を有している。 - 特許庁
  • The second layer 26 keeps a chromium content higher at the first layer 25 side rather than the third layer 27 side and a tungsten carbide content higher at the third layer 27 side rather than the first layer 25 side.
    第２の層２６は、クロム含有率が第３の層２７側より第１の層２５側で高く、タングステンカーバイトの含有率が第１の層２５側より第３の層２７側で高い。 - 特許庁
  • A substrate 100 is overlaid with a lower clad layer 101, active layer 102, first upper clad layer 103, etching stop layer 104, and second upper clad layer 106 as a ridge in this order.
    基板１００上に、下クラッド層１０１、活性層１０２、第１上クラッド層１０３、エッチングストップ層１０４、リッジとしての第２上クラッド層１０６がこの順に積層されている。 - 特許庁
  • The logic GND line 5 of the substrate 21 is formed of the first layer wiring layer and a logic power supply line 4 is formed of a second layer wiring layer through an insulation layer.
    記録ヘッド用基体２１のロジック用ＧＮＤライン５が１層目の配線層で形成され、ロジック用電源ライン４は絶縁層を介して２層目の配線層で形成されている。 - 特許庁
  • A pnp bipolar transistor consists of a second semiconductor layer sharing constituted of a p-type base layer 13, the active layer 14, the n-type base layer 15 and the p-type emitter layer 16.
    ｐ型ベース層１３、活性層１４、ｎ型ベース層１５、及びｐ型エミッタ層１６からなる第２の半導体層群区分からｐｎｐ型のバイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁
  • An electrolyte layer 3 and a negative electrode 4 comprising a first conductive layer 4a and a second conductive layer 4b are formed on the dielectric layer 2 to cover the periphery of the dielectric layer 2.
    誘電体層２上には、誘電体層２の周囲を覆うように電解質層３と第１導電層４ａおよび第２導電層４ｂからなる陰極４とが形成されている。 - 特許庁
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