「solid-state device」を含む例文一覧(5494)
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微細突起の形成により、パッシベーション膜、半導体基板表面もしくは内部の屈折率が異なる膜界面で起きる光の反射を極めて小さくできるため入射光量の損失が小さく感度特性に優れた固体撮像装置が得られる。 - 特許庁 - A solid-state imaging device 20 includes: a photoelectric conversion element 21; a wire grid polarizer 30 provided on the photoelectric conversion element 21; and a conductive film 35 which electrically connects a conductive layer 24 provided on the photoelectric conversion element 21 and the wire grid polarizer 30.
光電変換素子２１と、光電変換素子２１上に設けられたワイヤグリッド偏光子３０と、光電変換素子２１に設けられる導体層２４とワイヤグリッド偏光子３０とを電気的に接続する導体膜３５とを備える固体撮像装置２０を構成する。 - 特許庁 - To provide a colored composition for a color filter excellent in high pigment dispersibility and its stability, to provide a color filter having high contrast and little residue on development and a method for producing the color filter, and to provide a liquid crystal display with good color property and a solid-state imaging device.
高い顔料分散性とその安定性に優れたカラーフィルタ用着色組成物を提供し、高いコントラストを有し、現像で残渣の少ないカラーフィルタ、及び該カラーフィルタの製造方法を提供し、色特性の良好な液晶表示装置、固体撮像素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a CCD-type solid-state imaging device capable of reducing noises, such as dark current and white lines caused by a vertical CCD, capable of stopping the deterioration of smears and decreasing an electric field in the vicinity of the outside of a side surface of a reading electrode, without causing complexity related to manufacturing.
製造上の煩雑さを伴うことなく、スミアを悪化させず、且つ、読出電極の側面外側の周辺部における電界を低下させ、暗電流および白線などの垂直ＣＣＤに起因するノイズの低減を図ることが可能なＣＣＤ型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - A timing pulse 23 generated by a TG 15 is adjusted by a transmission timing adjusting section 31 for image signals to generate a transmission timing control pulse 27, and an image signal 22 stored in the temporary storage section 32 is transmitted to a display part 4 within a blanking term of a solid-state imaging device (CCD 2).
ＴＧ１５で生成されるタイミングパルス２３を撮像信号の伝送タイミング調整部３１で調整して伝送タイミング調整パルス２７を生成し、固体撮像素子（ＣＣＤ２）のブランキング期間内に、一時記憶部３２に記憶されている撮像信号２２を表示部４に伝送させる。 - 特許庁 - In this solid-state image pickup device 100, a plurality of photoelectric converters 150 and 160 which are arranged in a square lattice shape in the row direction (X direction) and in the column direction (Y direction) perpendicular to the row direction on a semiconductor substrate surface convert light intensity into an electric charge signal and store the electric charge signal.
固体撮像素子１００は、半導体基板表面に行方向（Ｘ方向）とこれに直交する列方向（Ｙ方向）に正方格子状に配設された複数の光電変換素子１５０、１６０によって、光強度を電荷信号に変換し蓄積する。 - 特許庁 - A signal from an image pickup means 1 provided with a solid state image pickup device and a color difference sequential type color filter array is supplied to a camera signal processing IC 100 through a front end circuit 2 and then supplied to a camera signal processing block 4 through the high speed continuous photographing contact (a) of a change-over switch 3.
固体撮像素子と色差順次方式の色フィルタアレイとが設けられた撮像手段１からの信号がフロントエンド回路２を通じてカメラ信号処理ＩＣ１００に供給され、切り換えスイッチ３の高速連写側接点ａを通じてカメラ信号処理ブロック４に供給される。 - 特許庁 - The color filter for a solid-state image pickup device is produced by applying the colored photosensitive composition onto a support to form a colored photosensitive composition layer, exposing the colored photosensitive composition layer through a mask, and developing the layer to form a pattern on the support.
前記着色感光性組成物を、支持体上に塗布して着色感光性組成物層を形成し、前記着色感光性組成物層を、マスクを通して露光し、現像して前記支持体上にパターンを形成することにより固体撮像素子用カラーフィルターを製造する。 - 特許庁 - Although inclined light like L1, L2 is sometimes incident on the cover glass 6, the first antireflective coating 20 and the second antireflective coating 21 prevent the light from being reflected therefrom, so that it is prevented that reflected light is incident on the solid state imaging device 3 to cause any noise on the imaging data.
カバーガラス６には、Ｌ１，Ｌ２のような斜めの光が入射することがあるが、第１の反射防止膜２０と第２の反射防止膜２１とによってその光の反射は防止されるので、反射光が固体撮像素子３に入射して撮像データにノイズを発生させることはない。 - 特許庁 - A position of the objective optical element 10 and a position of the solid-state imaging element 30 as a focal position are made fixed, and a rotation optical magnification device 20 located between those elements switches optical elements by rotation driving at a right angle to the optical axis of the objective optical element 10 to switch the focal distances.
対物光学素子１０と焦点位置である固体撮像素子３０の位置を固定とし、両者間に設置した回転光学変倍器２０により、対物光学素子１０の光軸に直角な回転駆動で光学素子を入れ替えて焦点距離を切り替えるようにしている。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging device which can be improved in the condensing efficiency by reducing a level difference between an effective pixel region including an inner-layer lens and the other light-blocked region while reducing the distance between the inner-layer lens and the light receiving surface of a photoelectric conversion element, and also to provide a manufacturing method thereof.
層内レンズと光電変換素子の受光面との距離の低減を図りながら、層内レンズを含めた有効画素領域とそれ以外の遮光された領域との段差を低減し、集光効率を高めることができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - With respect to the method which sets a processing system for image information obtained form the solid-state imaging device, at least, one picked-up image data 1 is processed by a preliminarily prepared two-dimensional matrix operation library 2, and parameters of a two-dimensional matrix operation command are set on the basis of the processing result.
固体撮像素子から得られる画像情報の処理方式を設定する方法であって、予め用意された２次元行列演算ライブラリ２により少なくとも１つの撮像画像データ１を処理し、処理結果に基づいて２次元行列演算コマンドのパラメータを設定する。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging device and a method of manufacturing it, which is superior in controllability of space between lenses at microlens formation and obtains high effective sensitivity and proper color reproducibility, by suppressing the generation of lens non-forming part due to lens fusing and enhancing microlens formation stability.
マイクロレンズ形成時のレンズ間スペースの制御性に優れ、またレンズ融着によるレンズ未形成部分の発生を抑え、マイクロレンズ形成安定性を高めることにより実効感度の高く、かつ、良好な色再現性が得られる固体撮像素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an epitaxial substrate that can reduce problems, such as occurrence of uneven peel of passivation film or watermark and impurity adsorption onto a Si substrate, thereby effectively preventing occurrence of white scratch defects due to dark current when making a solid state imaging device with the substrate.
表面保護膜の剥離ムラやウォーターマークの発生、及びＳｉ基板への不純物吸着等の問題を抑制することにより、固体撮像装置を作製した場合に暗電流の白傷欠陥の発生を効果的に防止可能なエピタキシャル基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The solid state imaging device constituted by arraying a plurality of pixels each having a photoelectric converting element formed on a semiconductor substrate and a color filter layer formed on the photoelectric converting element is characterized in that each color filter layer is formed thicker at the center part than at the peripheral part.
半導体基板上に形成された光電変換素子と前記光電変換素子の上に形成されたカラーフィルタ層とを有する画素が、複数配列された固体撮像装置であって、前記カラーフィルタ層のそれぞれの膜厚は周辺部よりも中央部が厚く形成される。 - 特許庁 - To provide an imaging apparatus provided with a solid-state imaging device that switches automatically between a linear conversion characteristic and a logarithmic conversion characteristic in its photoelectric conversion characteristic and capable of applying white balance processing even to a signal outputted with either characteristic.
本発明は、その光電変換特性において線形変換特性と対数変換特性とが自動的に切り替わる固体撮像素子を備えるとき、いずれの特性により出力される信号に対してもホワイトバランス処理を行うことができる撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - An object is irradiated with a specific wavelength wave of a wavelength corresponding to a specific wavelength in which the electromagnetic wave energy level is lower than that of other wavelengths, the specific wavelength wave reflected on the object is detected by a solid-state imaging device 314 and based on obtained detection information, information resulting from the specific wavelength wave is obtained.
電磁波エネルギレベルが他の波長よりも低い特定波長と対応した波長の特定波長波を物体に照射し、物体で反射した特定波長波を固体撮像素子３１４で検知し、得られた検知情報に基づき特定波長波に由来する情報を取得する。 - 特許庁 - The solid-state image sensing device has transfer registers of single layer electrode structures in which transfer electrodes are formed in single layers and are arranged with a gap between each of them, with widths of gaps at both ends of the transfer electrodes wider than that at the center thereof.
本発明のＣＣＤ固体撮像素子は、転送電極が単層で形成され相互にギャップを置いて配列された単層電極構造の転送レジスタを有し、前記転送電極の両端のギャップ幅が中央部よりも広く形成されていることを特徴とする。 - 特許庁 - The pixel of the amplification type solid-state imaging device has a first conductivity-type charge storage region for storing signal charge, a second conductivity-type semiconductor region adjacent to at least the back side of a semiconductor substrate out of the outer periphery of the charge storage region, and an amplifier.
本発明の増幅型固体撮像素子の画素は、信号電荷を蓄積する第１導電型の電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域の外周の内、少なくとも半導体基板の裏面側に隣接する第２導電型の半導体領域と、増幅部とを有する。 - 特許庁 - To improve an image processing speed, and realize concurrent operations in a screen, easiness in manufacturing process simultaneously with improvement in image quality, improvement of manufacturing yield, and suppression of current consumption for simultaneously driving all pixels or many pixels in a semiconductor module provided with a MOS solid-state imaging device.
ＭＯＳ型固体撮像装置を備えた半導体モジュールにおいて、画像処理スピードの向上、画面内の同時性の実現、画質向上と同時に、製造プロセスの容易化、歩留り向上を図り、また全画素または多数画素を同時に駆動するときの消費電流の抑制を可能にする。 - 特許庁 - The solid-state image pickup device 1 photoelectrically converts light from an image-picked up body incident on the rear face S2 (second face) of the semiconductor substrate 10 in the semiconductor substrate 10, receives a charge generated by photoelectric conversion in the light receiving part 20, and image-picks up the image-picked up body.
固体撮像装置１は、半導体基板１０の裏面Ｓ２（第２面）に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した電荷を受光部２０で受けて上記被撮像体を撮像するものである。 - 特許庁 - A solid-state image sensing device includes: the photoelectric conversion element formed inside a semiconductor substrate; an insulating layer provided on the surface side of the semiconductor substrate; a plurality of wiring layers formed inside the insulating layer; and a semiconductor area formed inside the semiconductor substrate around the photoelectric conversion element.
半導体基体内に形成されている光電変換素子と、半導体基体の表面側に設けられている絶縁層と、絶縁層内に形成されている複数の配線層と、光電変換素子の周囲の半導体基体内に形成されている半導体領域とを備える。 - 特許庁 - Not only a solid-state imaging device but also a video signal processor, a display data output circuit, a compressed data generation circuit and the like are comprised of one single chip, and an imaging signal processing apparatus outputs display data so as to interleave compressed data simultaneously therewith.
固体撮像素子だけでなく、映像信号処理器、ディスプレイデータ出力回路、及び圧縮データ生成回路などが、一つの単一チップより構成され、ディスプレイデータの出力と同時に圧縮データをインターリーブするように出力する撮像信号処理装置である。 - 特許庁 - The apparatus has a frame 3 for fixing relative positions of a light source 1 and a CCD type solid-state image sensing device (CCD) 2, scans a surface to be inspected W_S of the substrate W while fixing the relative positions by using the frame 3, and inspects the existence of the foreign matter on the substrate W.
光源１とＣＣＤ型固体撮像素子（ＣＣＤ）２との相対的な位置を固定するフレーム３を備え、そのフレーム３によって上述した相対的な位置を固定しながら基板Ｗの検査面Ｗ_S上を走査して、基板Ｗ上の異物の有無を検査する。 - 特許庁 - To provide a colored curable composition which, even with a high pigment content, cures with high sensitivity and forms a cured film excellent in adhesion and is useful for forming a colored area of a color filter, and to provide a color filter using the composition, and a solid-state image pickup device.
顔料の含有率が高い場合であっても、高感度で硬化しうるとともに密着性に優れた硬化皮膜を形成しうる、カラーフィルタの着色領域形成に有用な着色硬化性組成物、それを用いたカラーフィルタ、及び、固体撮像素子を提供する。 - 特許庁 - In a solid-state image-sensing device, integration time of an optical element is varied by making shorter in the center and longer towards edges in columns and rows of an APS array, the sensitivity of the optical element is fixed all over pixels, and a sensed video signal is outputted from the optical element in an average level.
ＡＰＳアレイの列及び行で光素子の蓄積時間を、中心部は短くして周辺部へ行くほど長くして変化を与え、全体ピクセルで光素子の感度が一定であり、光素子から感知された映像信号の大きさが均一に出力される固体撮像素子。 - 特許庁 - An imaging apparatus includes: an accumulation means 61 for extracting an accumulated charge output SX by accumulating charges in proportion with an optical image formed on a solid-state imaging device 11 through a lens 10; and a combination control means 65 for performing timing control or saturation control of the accumulation means 61.
レンズ１０を介して固体撮像素子１１上に結像し光像に比例した電荷量を蓄積し、蓄積電荷出力ＳＸを取出す蓄積手段６１と、蓄積手段６１のタイミング制御や、飽和量制御などを行う合成制御手段６５とを備える。 - 特許庁 - To provide a method of driving a solid state imaging device capable of outputting a pixel signal having a high compression rate while suppressing deterioration of the S/N of the pixel signal and deterioration of resolution and image quality of an outline caused by a noise component such as smear with no increase in the number of terminals.
端子数の増加を伴わずに、スミアなどノイズ成分に起因する画素信号のＳ／Ｎの悪化、並びに解像度および輪郭の画質劣化を抑制しつつ、高圧縮率の画素信号を出力することが可能な固体撮像素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging device which hardly causes the generation of a local potential barrier at a transfer channel, is enhanced in yield, improved in the withstand voltage of an insulating film between electrodes, and preventive in light leak-in caused by the local thinning of a light shielding film and the stepped-cut of metal wiring, and its manufacturing method.
転送チャネルに局所ポテンシャルバリアが発生しにくく、歩留を向上させ、電極間の絶縁膜の耐圧を改善し、遮光膜の局所的薄膜化による光の洩れ込みや金属配線の段切れが防止できる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the solid-state image pickup device, for which an n-type photoelectric conversion region 303, is formed inside a p^--type well region 302, a light-shielding film 315 and a transparent conductive film 321 are formed via a second interlayer insulation film 314 on the n-type photoelectric conversion region 303.
Ｐ^-型ウェル領域３０２内にＮ型光電変換領域３０３が形成された固体撮像装置において、Ｎ型光電変換領域３０３上に第２層間絶縁膜３１４を介して遮光膜３１５および透明導電膜３２１を形成する。 - 特許庁 - An imaging apparatus comprises a luminance detecting means 23 for detecting the luminance level within a screen, on the basis of the electrical signal outputted from a solid-state imaging device 12; a smear-correcting means 24 for performing intra-screen smear correction processing, and a control means 21 for deciding whether to carry out smear correction processing.
撮像装置は、固体撮像素子１２から出力された電気信号を基に画面内の輝度レベルを検出する輝度検出手段２３と、画面内のスミア補正処理を行なうスミア補正手段２４と、スミア補正処理を実行するか否かを判断する制御手段２１と、を備える。 - 特許庁 - To provide a solid-state image pickup device for performing prescribed signal treatment on a first signal, that is linearly converted to the quantity of incidence light and a second signal that is converted in terms of natural logarithm, and then performing processing with a common circuit.
本発明は、入射光量に対して線形的に変換された第１信号と入射光量に対して自然対数的に変換された第２信号とを、それぞれ所定の信号処理を施した後、共通の回路で処理することができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - The MOS type solid state imaging device comprises a dummy counter circuit 5 being driven by a horizontal select circuit driving pulse and beginning to operate upon receiving the final output from the horizontal select circuit 3, and a pulse generation circuit 6 for generating vertical select circuit driving pulse using the output from the dummy counter circuit 5.
水平選択回路駆動パルスによって駆動され水平選択回路部３の最終出力が入力となり動作し始めるダミーカウンタ回路５と、ダミーカウンタ回路５の出力を用いて垂直選択回路駆動パルスを生成するパルス生成回路６とを設ける。 - 特許庁 - The solid-state imaging device includes a plurality of photodiode units 1, a plurality of vertical charge transmission units 2 for reading a signal charge and transmitting the same into the vertical direction, a plurality of light shielding films 5 having conductivity and a balancing unit for supplying transmission pulse through the light shielding films 5.
複数のフォトダイオード部１と、信号電荷を読み出し、それを垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部２と、導電性を有する複数の遮光膜５と、遮光膜５を介して転送パルスを供給するバスライン部とを備える固体撮像装置を用いる。 - 特許庁 - The solid-state imaging device further comprises a multilayer wiring layer 28 formed on the surface on the opposite side of a light incident side of the semiconductor substrate 22, a supporting substrate 41 composed of a semiconductor bonded to the surface on the multilayer wiring layer side, and a light reflection-preventing structure 51 formed on the bonding surface side of the supporting substrate 41.
さらに、半導体基板２２の光入射側とは反対側の面上に形成された多層配線層２８と、多層配線層側の面に接合された半導体による支持基板４１と、支持基板４１の接合面側に形成された光の反射防止構造５１を有する。 - 特許庁 - This solid-state image pickup device, where the unit cell consists of an effective region 13 for sensing light, dummy regions 12 and 60 adjoining this effective region 13 and absorbing the signal leaking from the effective region 13, and an OF region 11 adjoining these dummy regions 12 and 60 and outputting dark voltage signals.
単位セルが、光を感知する有効領域と、この有効領域に隣接し、前記有効領域から漏れてくる信号を吸収するダミー領域と、このダミー領域に隣接し、暗電圧信号を出力するＯＢ領域とからなることを特徴とする固体撮像装置。 - 特許庁 - To provide a photocurable composition which has superior photocuring (thermosetting is unnecessary) and developability, superior in application property, uniformity of coating and liquid saving property and whose transmission factor is improved and to provide a component for LCD by using above component, a component for solid-state imaging device and a method for manufacturing them.
優れた光硬化性（熱硬化が不要）と現像性を有し、塗布性、塗膜の均一性、省液性に優れ、しかも透過率が向上する、光硬化性組成物、それを用いたＬＣＤ用構成部品並びに固体撮像素子用構成部品及びそれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The solid-state image sensor 20 includes a semiconductor substrate 22 with photodiodes 26R, 26G and 26B, a device protective film 23 with a convex inner lens 28, and a color filter array with color filter layers 21R, 21G and 21B and separation walls 25 for separating the color filter layers.
固体撮像素子２０は、フォトダイオード２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂを備えた半導体基板２２と、凸型インナーレンズ２８を有するデバイス保護膜２３と、カラーフィルタ層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ及びカラーフィルタ層間を隔てて分離する分離壁２５を有するカラーフィルタアレイとを備えている。 - 特許庁 - In a second mode during which the solid-state imaging element 3 performs imaging and an image signal is generated, light from the subject is made incident to the optical finder and on a finder, an image formed by the optical finder and an image formed by an electronic display device 5 are overlapped and displayed.
固体撮像素子３が撮像を行い、画像信号を生成している第２のモードにおいて、被写体からの光は光学ファインダに入射し、ファインダには、光学ファインダによって形成された像と、電子表示装置５によって形成された像とが重なって表示される。 - 特許庁 - The lighting device is provided with one vertical lighting optical system and a plurality of oblique lighting optical systems, and in each lighting optical system, a light from a light source 10 uses a lens system 11 to be emitted to a face of a solid-state image pickup element 12 to be checked placed at a rear focal point of the lens system 11 as a Keller lighting.
１つの垂直照明光学系と複数の斜光照明光学系が設けられ、各照明光学系においては、光源１０からの光をレンズ系１１によってケーラー照明として、レンズ系１１の後焦点位置に置かれた被検固体撮像素子面を照射している。 - 特許庁 - To provide a color purity correction filter provided with a near infrared-ray cutting function in addition to a color purity correcting function and constituted so that the whole of an image pickup system can be made compact and inexpensive, and to provide a solid-state image pickup element, a color image pickup device, a board camera, a digital still camera and a scanner all having this filter.
色純度補正機能に加えて近赤外線カット機能を有し、撮像系全体の小型化、低コスト化を図ることのできる色純度補正フィルター、並びにこれを具えた固体撮像素子、カラー撮像装置、ボードカメラ、デジタルスチルカメラおよびスキャナーを提供することにある。 - 特許庁 - The manufacturing method of the device is composed of a lens 1, an approximately cylindrical lens holder 2 fixing the lens 1, a glass 3, a discoid substrate 4, a solid-state image sensing element 5 fixed onto the substrate 4; and an approximately cylindrical box body 8, and lead terminals 6 are extended on one-direction side in parallel with the place of the substrate in the substrate 4.
レンズ１とレンズ１を固定する略円筒状のレンズホルダ２とガラス３と円盤状の基板４と基板４に固定される固体撮像素子５と略円筒状の筐体８から構成され、基板４にはリード端子６が基板平面と平行で一方向側に延設される。 - 特許庁 - The solid-state imaging device includes a substrate (silicon substrate 1) having a light sensing part for each of pixels 10B, 10G and 10R; and one or more rod members (rod) 3 each made of a light transmissive material above the light sensing part for each of the pixels 10B, 10G and 10R.
画素１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｒ毎に受光部を有する基体（シリコン基板）１と、各画素１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｒの受光部の上方にそれぞれ１本以上設けられ、光を透過する材料から成る、棒状の部材（ロッド）３とを備えている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁 - The tester 36 measures corresponding to each test item in accordance with a test pattern in which a plurality of test items are set in the given order, and determines by a measured result determination part 60 whether the measured result is succeeded or failed, thereby testing the presence or absence of the failure of the solid-state imaging device.
テスタ３６は、複数の検査項目が所定の順序で設定されたテストパターンに従って各検査項目に応じた測定を行い、その測定結果の良否を測定結果判定部６０で判定することによって、固体撮像素子の不良の有無を検査する。 - 特許庁 - To provide a solid state imaging device which is capable of discharging unwanted charge into an overflow drain even when unwanted charge exceeding the maximum amount of charge to handle is transferred to a horizontal transfer region under a final storage electrode and restraining the unwanted charge from leaking out after the horizontal transfer region adjacent to the final storage electrode.
最終蓄積電極下の水平転送領域に、最大取り扱い電荷量を越える不要な電荷が転送されても、オーバーフロードレインへ排出することができ、不要な電荷が最終蓄積電極に隣接する水平転送領域以後に漏れさせない。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging device used in a digital camera, a digital video camera, a copying apparatus, and a facsimile apparatus to reduce a difference of dark current in each photoelectric converting element when a layout of gates of MOS transistors adjacent to each photoelectric converting element becomes asymmetrical, and to provide a camera using the same.
各光電変換素子に隣接するＭＯＳトランジスタのゲートのレイアウトが非対称となった場合の各光電変換素子での暗電流の差を低減する、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、複写機及びファクシミリ等に用いられる固体撮像装置及びそれを用いたカメラを提供する。 - 特許庁 - A heat conduction member 21 is provided inside a resin housing 7, a solid-state image pick-up device 6 is mounted on the inner surface of the member 21 exposed in the housing 7, and the part of the member 21 exposed to the outside on the backside of the resin housing 7 is brought into contact with a metal plate 2.
樹脂ハウジング７に熱伝導部材２１を設け、この熱伝導部材２１が樹脂ハウジング７内に露出する内面に固体撮像素子６を取り付け、樹脂ハウジング７の裏面側の外部に露出した熱伝導部材２１を金属プレート２に接触させた。 - 特許庁 - The solid-state imaging device 1 has a light-receiving part 10, a signal reading part 20, a control part 30, light-receiving parts 11 and 12 for dummies including photodiodes for dummies, a discharge means for discharging a junction capacitance part of the photodiodes for dummies, and a scintillator layer 50 so provided as to cover the light-receiving part 10.
固体撮像装置１は、受光部１０、信号読出部２０、制御部３０、ダミー用フォトダイオードを含むダミー用受光部１１，１２、ダミー用フォトダイオードの接合容量部を放電する放電手段、および、受光部１０を覆うように設けられたシンチレータ層５０を備える。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of a horizontally striped pattern and a mottle pattern due to the characteristic dispersion and the performance deterioration of a CCD by an image signal outputted from a solid-state image pickup device (CCD) on which an RGB primary color filter such as Bayer's arrangement is mounted and to improve image quality.
ベイヤ配列などのＲＧＢ原色フィルタを搭載した固体撮像素子（ＣＣＤ）から出力される画像信号によって、ＣＣＤの特性のばらつきや性能の劣化でもって横縞模様やまだら模様が生じることを防ぎ、画像品質を改善する。 - 特許庁 - To provide an inter-line transfer type solid-state imaging device, together with a method for manufacturing it, of wide dynamic range, high sensitivity, and low smear wherein the dispersion in signal-reading characteristics from a photo-electric conversion part to a charge transfer part is less while a dark current and white blemish occurring at the photoelectric transfer part is suppressed.
光電変換部から電荷転送部への信号読み出し特性のバラツキが少なく、光電変換部で発生する暗電流や白キズを抑制した、広ダイナミックレンジ、高感度、低スミアのインターライン転送型の固体撮像装置及びその製法を提供する。 - 特許庁
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