「solid-state device」を含む例文一覧(5494)
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熱型赤外線固体撮像装置１０は、トランジスタが形成された基板１１と、基板１１上に形成された絶縁膜１２と、絶縁膜１２中に形成された空隙１３と、絶縁膜１２における空隙１３の上側のメンブレン部１４に形成され且つトランジスタと共に赤外線検出を行なうための熱検出部１６とを備える。 - 特許庁 - The solid-state image pickup device according to the an embodiment includes: an imager having an imaging area with a plurality of pixel blocks each of which includes a plurality of pixels; an imaging lens for imaging light from a subject onto an imaging surface; and a plurality of aperture elements provided so as to correspond to the plurality of pixel blocks, each of which has an opening part and a shielding part.
本実施形態の固体撮像装置は、それぞれが複数の画素を含む複数の画素ブロックを有する撮像領域を備えた撮像素子と、被写体からの光を結像面に結像する結像レンズと、前記複数の画素ブロックに対応して設けられ、それぞれが開口部と遮蔽部とを有する複数のアパーチャ要素を含んでいる。 - 特許庁 - The solid-state image pickup device is constructed in such a manner that an overflow control gate OFCG and an overflow drain OFD are provided in a transfer register 10, and a gate electrode 12A of the overflow control gate OFCG is formed so as to overlap on an electrodes St1 and 13 in a lower layer in the register 10 side and the overflow drain OFD side, respectively.
転送レジスタ１０にオーバーフローコントロールゲートＯＦＣＧ及びオーバーフロードレインＯＦＤが設けられ、このオーバーフローコントロールゲートＯＦＣＧのゲート電極１２Ａが転送レジスタ１０側及びオーバーフロードレインＯＦＤ側においてそれぞれ下層の電極Ｓｔ１，１３上に重ねて形成されている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁 - The solid-state imaging device is provided with a LOG image sensor 11, an operational amplifier 12 which adjusts a dynamic range of an output signal of the sensor 11, an AD converter 13 for performing AD conversion of an output signal from the amplifier 12, a frame memory 15 which holds calibration data and an image processing unit 14 which generates image data and outputs it to a monitor.
ＬＯＧイメージセンサ１１と、該センサ１１の出力信号のダイナミックレンジを調整するオペアンプ１２と、該アンプ１２からの出力信号をＡＤ変換するためのＡＤコンバータ１３と、キャリブレーションデータを保持するフレームメモリ１５と、画像データを生成してモニタに出力する画像処理器１４とを備えた固体撮像装置。 - 特許庁 - The display for the autonomous vehicle movement monitor includes: a multi display 12 having a first flat panel display 13, a second flat panel display 14 and a third flat panel display 15 provided to be orthogonal to each other so as to form adjacent three faces of a rectangular solid; and a processing device 30 for displaying the operating state of the autonomous vehicle that temporally changes on each display.
直方体における隣接する３面を構成するように互いに直交して配置された第１平面ディスプレイ１３、第２平面ディスプレイ１４及び第３平面ディスプレイ１５を有するマルチディスプレイ１２と、時間的に変化する自律航走体の運動状態を、各ディスプレイに表示させる処理装置３０とを備える。 - 特許庁 - A birefringence optical device 13 with birefringence characteristics divides light B from a subject 1 into an ordinary ray (O ray B_o) and an extraordinary ray (E ray B_e) with polarization directions orthogonally intersecting, and forms an O ray image I_o and an E ray image I_e respectively at different positions of a solid state image sensor 11 with pixels arranged in a matrix form.
複屈折特性を有する複屈折光学素子１３により、被写体１からの光Ｂを偏光方向が直交する常光線（Ｏ光線Ｂ_ｏ）と異常光線（Ｅ光線Ｂ_ｅ）とに分離し、マトリクス状に画素が配列された固体撮像素子１１の異なる位置にそれぞれＯ光線像Ｉ_ｏおよびＥ光線像Ｉ_ｅとして結像させる。 - 特許庁 - To provide a color solid state imaging device of an XY address type for which color filters are Bayer-arrayed, in which G pixel signals based on the G pixel signal charges of respective rows are outputted from the same output circuit, and which is capable of easily rearranging pixel signals outputted from a multiplexer according to Bayer array at a low cost.
色フィルタをベイヤー配列したＸＹアドレス型のカラー固体撮像装置にして各行のＧ画素信号電荷に基づくＧ画素信号が同じ出力回路から出力される固体撮像装置であって、マクチプレクサから出力される画素信号を、簡単安価にベイヤー配列に従って並べ変えることができるカラー固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - The dummy output period is provided to secure a period in which interpolation processing is performed, and consequently readout processing for a pixel signal from the solid-state imaging device 10 and write processing to a line buffer memory 312, and horizontal interpolation processing in a horizontal interpolation processing part 314 and vertical interpolation processing in a vertical resolution conversion processing part 320 are performed simultaneously in parallel.
ダミー出力期間を設けることで、補間処理を行なう期間を確保し、これにより、固体撮像素子１０からの画素信号の読出処理やラインバッファメモリ３１２への書込処理と水平補間処理部３１４における水平補間処理や垂直解像度変換処理部３２０における垂直補間処理とを同時並行的に実施する。 - 特許庁 - To obtain a polymerizable composition for color filter, which suppresses illuminance dependency upon forming a color pattern even when exposure machines having different illuminance values are used, achieves excellent curability of a formed color pattern, and forms a rectangular pattern with superior resolution, to provide a color filter having high color separation property, and to provide a solid-state imaging device having high resolution.
着色パターンを形成するに際して、照度の異なる露光機を用いても照度依存性を抑制することができ、形成された着色パターンの硬化性に優れ、解像度の優れた矩形のパターンを得ることができるカラーフィルタ用の重合性組成物を得ることであり、色分離性が良好なカラーフィルタ、および高解像度の固体撮像素子を得る。 - 特許庁 - Also, when a logarithmically converted electrical signal to the quantity of incidence light is outputted by the solid-state image pickup device 10, white balance adjustment and γ correction are made through a dynamic processing circuit 12 and a γ-correction circuit 13b, before being sent to a matrix conversion circuit 15 through a logarithm/linear conversion circuit 14.
又、固体撮像素子１０より、入射光量に対して対数変換された電気信号が出力されるとき、ホワイトバランス回路１１ｂ、ダイナミック処理回路１２及びγ補正回路１３ｂを通じてホワイトバランス調整及びγ補正が施され、対数／線形変換回路１４を経てマトリクス変換回路１５に送出される。 - 特許庁 - To solve the problems of the conventional technology such that at fixing an unit of a solid-state imaging device of CCD and CMOS or the like to an electronic camera by using TAB package technique, an extremely high accuracy of component machining is required, and that it is impossible to heat from the side of the camera for melting solder at the deep depth.
ＣＣＤやＣＭＯＳ等の固体撮像素子ユニットをＴＡＢパッケージ技術を用いて電子カメラ等に固定する場合、極めて高い部品加工精度が要求され、また、奥行が深い場所にははんだを溶融させるための側面からの加熱が不可能等の従来技術の問題点を解消する手段を提供する。 - 特許庁 - The NMOS solid-state image pickup device 100 is provided with a pixel part 101 composed of a plurality of pixels 101a disposed in a two-dimensional matrix, a vertical scanner 102 for outputting a row select signal for selecting any arbitrary pixel row, and a horizontal scanner 103 for outputting a column select signal for selecting any arbitrary pixel column.
ＮＭＯＳ型固体撮像装置１００は、２次元行列状に並べられた複数の画素１０１ａから構成される画素部１０１と、任意の画素行を選択するための行選択信号を出力する垂直走査器１０２と、任意の画素列を選択するための列選択信号を出力する水平走査器１０３とを備えている。 - 特許庁 - In the solid state imaging device, a foreign matter entry prevention member is interposed between the case and the lens holder.
少なくとも、回路基板上に固体撮像素子が搭載され、前記回路基板上に雌ネジ部を有する筐体が前記固体撮像素子を覆うように搭載され、雄ネジ部を有し内部にレンズを具備するレンズホルダーが該筐体上部に螺合されてなる固体撮像装置において、前記筐体と前記レンズホルダーの間に異物侵入防止部材を挟持した固体撮像装置とする。 - 特許庁 - The imaging device comprises solid-state imaging elements 11a, 11b, and 11c wherein a photonic crystal having a periodic refractive-index structure having low refractive-index materials 1 and high refractive-index materials 2 alternately laminated and having a periodic refractive-index structure of a similar shape (circle or polygon) concentric to an in-plane direction is located on photoelectric conversion elements.
低屈折率材料１と高屈折率材料２とを交互に積層した屈折率周期構造と、面内方向に同心的な相似形状（円または多角形）の屈折率周期構造とを有するフォトニック結晶を、各光電変換素子上に配置した固体撮像装置１１ａ、１１ｂおよび１１ｃを構成する。 - 特許庁 - The semiconductor imaging device comprises a silicon substrate 11, a sensor section 20 provided on the silicon substrate 11 while having a plurality of solid state image sensors pij and electrodes for outputting signal charges by performing photoelectric conversion of received light, and a color filter layer 26 provided on the sensor section 20 wherein the color filter layer contains infrared light absorbing pigment.
シリコン基板１１と、受けた光を光電変換して信号電荷を出力するための複数の固体撮像素子ｐｉｊ及び電極を有してシリコン基板１１に設けられたセンサ部２０と、このセンサ部２０上に設けられたカラーフィルタ層２６とを備え、カラーフィルタ層は、赤外光吸収性の色素を含むものである。 - 特許庁 - A CCD type solid-state image pickup device incorporates at least voltage generating circuits (11-17) for obtaining a plurality of or a single trigger pulse and two kinds of positive and negative power supplies from the outside to drive a vertical CCD, a horizontal CCD, a reset transistor and an output circuit using a predetermined pulse voltage and a DC voltage by inputting the trigger pulse.
ＣＣＤ型固体撮像素子において、外部から複数個のまたは単一のトリガパルスと正、負の２電源の供給を得て、垂直ＣＣＤ、水平ＣＣＤ、リセットトランジスタおよび出力回路をトリガパルスの入力により所定のパルス電圧および直流電圧により駆動する電圧発生回路（１１〜１７）を少なくとも内蔵することとする。 - 特許庁 - The solid-state imaging device comprises a driving means for reading, in a first field output period, the signal charge of the field from a reading gate electrode VΦ1 to which a middle voltage has been applied in a horizontal effective period, thereby setting at a low level a gate electrode VΦ3 corresponding to a second field which has not been read in the first field output period.
本固体撮像装置は、第１フィールド出力期間において、水平有効期間中にミドルレベル電圧が印加された読み出しゲート電極ＶΦ１から当該フィールドの信号電荷を読み出す駆動手段を備えることにより、第１フィールド出力期間において読み出されていない第２フィールドに対応するゲート電極ＶΦ３をローレベルにする。 - 特許庁 - In the solid-state image pickup device 1, comprising a charge transfer unit, the photodetector 12 provided adjacent to the transfer unit, and the on-chip lens 33 provided at a prescribed distance at a light incident side of the photodetector 12, a groove 23 is formed on a transfer electrode 22 of the transfer unit, and the shunt wirings 25 are formed in the groove 23 via an insulating film 24.
電荷転送部と、この電荷転送部に隣接して設けた受光部１２と、受光部１２の光入射側に所定距離をおいて設けたオンチップレンズ３３とを備えた固体撮像装置１において、電荷転送部の転送電極２２に溝２３を形成し、その溝２３内に絶縁膜２４を介してシャント配線２５を形成したものである。 - 特許庁 - In the solid-state imaging device including color filters of a Bayer array, the distance between the center of gravity of pixels with two or more B pixels (pixels of a first color sequence) added thereto and the center of gravity of pixels with two or more R pixels (pixels of a second color sequence) added thereto is set so that pixels to be read during motion picture imaging are arranged at equal intervals.
Ｂａｙｅｒ配列のカラーフィルタを有する固体撮像素子において、動画撮像時に読み出し対象となる画素を、２以上のＢ画素（第１の色系列の画素）を加算した画素重心と２以上のＲ画素（第２の色系列の画素）を加算した画素重心との距離が等間隔で並ぶように設定する。 - 特許庁 - When a pixel addition mode is selected, a correction signal generation part 130 converts the position information stored in the defective pixel information holding part 140 so that the position information matches a pixel arrangement of the picked-up image signal obtained by the solid-state imaging device in the pixel addition mode, and outputs the correction timing of the defective pixel correcting part 160 on the basis of the converted position information.
補正信号生成部１３０は、画素加算モードの選択時には、欠陥画素情報保持部１４０に記憶された位置情報を、画素加算モードでの固体撮像素子による撮像画像信号の画素配列に一致するように変換し、変換後の位置情報に基づいて欠陥画素補正部１６０の補正タイミングを出力する。 - 特許庁 - To solve the problem wherein, in a conventional solid-state imaging device in which a single-layer silicon oxide film formed on a semiconductor substrate is patterned into a prescribed shape by wet etching to form a field insulation film, a short circuit between electrodes is easily caused on a side face (etching face) of the field insulation film when forming various electrodes by patterning a conductive film by etching.
半導体基板上に形成した単層のシリコン酸化膜をウェットエッチングにより所定形状にパターニングしてフィールド絶縁膜を形成する従来の固体撮像素子では、導電膜をエッチングによってパターニングして種々の電極を形成する際に、フィールド絶縁膜の側面（エッチング面）上において電極同士の短絡が生じやすい。 - 特許庁 - When converting various kinds of chrominance signals converted in terms of natural logarithm to the quantity of incident light outputted from a solid-state image pickup device 1 to a digital signal by an A/D converter 2, DC voltages VDD and VSS to be applied for generating a reference voltage in the A/D converter 2 are switched by a control part 3 for each kind of chrominance signals.
固体撮像素子１より出力される入射光量に対して自然対数的に変換された各種色信号をＡ／Ｄ変換器２でデジタル信号に変換する際、Ａ／Ｄ変換器２で基準電圧を生成するために与えられる直流電圧ＶDD，ＶSSが色信号の種類毎に制御部３によって切り換えられる。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of a period when both exposure adjustments by a diaphragm and by gain control are not performed when performing automatic exposure adjustment by using both exposure adjustment by the diaphragm and exposure adjustment by the gain control of an electron multiplication type solid-state imaging device.
この発明は、絞りによる露光調整と電子増倍型固体撮像素子のゲイン制御による露光調整とを併用して自動露光調整を行なう際、絞り及びゲイン制御による露光調整が共に行なわれなくなる期間が発生することを防止し得るカメラの露出制御装置及び露出制御方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - The recycled water 16, after being used for cooling of the solid polymer fuel cell 1a in a state mixed with the cooling water 12, has carbon dioxide degassed by getting in contact with the air 9 with the cathode humidifier 24, whereby, the cooling water 12 with a dissolved concentration of the carbon dioxide suppressed is treated at the water purifying device 17.
回収水１６は冷却水１２に混合した状態で固体高分子型燃料電池１ａの冷却に供した後、カソード加湿器２４で空気９と気液接触させることで二酸化炭素を脱気処理させ、これにより、二酸化炭素の溶存濃度が低く抑えられる冷却水１２を純水装置１７で処理させる。 - 特許庁 - In the solid-state imaging device, the lower electrodes 113 and the contact wiring 111 are connected through openings provided in the light-shielding film 112 each corresponding to the contact wiring 111, and the light-shielding film 112 is formed in the entire region of the gaps between the adjacent lower electrodes 113 on the insulating film 110 except for the places of the openings.
そして、固体撮像装置は、下部電極の１１３とコンタクト配線１１１とが、遮光膜１１２にそれぞれ対応して設けられた開口を介して接続されており、遮光膜１１２が、絶縁膜１１０上において、開口された箇所を除き、隣接する下部電極１１３間の隙間の全域に形成されている。 - 特許庁 - The solid-state imaging device comprises a plurality of modulation transistors Tm which are provided to a pair of photoelectric conversion regions adjoining in one direction of two-dimensional matrix, respectively, of which the threshold voltage of channel is controlled by the optical generation charge held by a modulation well, to output pixel signals corresponding to the optical generation charges.
本発明の固体撮像装置は、２次元マトリックスの一方向において隣り合う１組の光電変換領域毎に１つずつ設けられ、変調用ウェルに保持された前記光発生電荷によってチャネルの閾値電圧が制御され、前記光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。 - 特許庁 - The solid-state imaging device has a circuit board mounted with an imaging element and the case covering the circuit board, and also has the filter holding unit holding the IR cut filter, the IR cut filter bonded to the filter holding unit, and a lens in the case, wherein the IR cut filter is provided with the recessed part or an opening for preventing an adhesive from flowing out.
撮像素子を実装した回路基板と、前記回路基板を覆う筐体とを有し、前記筐体内部にはＩＲカットフィルタを保持するフィルタ保持部と、フィルタ保持部に接着されたＩＲカットフィルタと、レンズとを有する固体撮像装置において、前記ＩＲカットフィルタに接着剤の流出を防止するための凹部または開口を設けた。 - 特許庁 - In a solid-state imaging device including a protection circuit connected to a terminal, there are included a first circuit connected between the terminal and a negative potential line for providing a negative voltage, a second circuit connecting a protection circuit between the terminal and a ground potential line and a third circuit forming a protection circuit between the ground potential line and another terminal.
端子に接続する保護回路を有するものにあって、端子と負電圧を供給する負電位線との間に接続される第１の回路を有するとともに保護回路が端子とグランド電位線との間に接続される第２の回路を有し、グランド電位線と他の端子との間に保護回路をなす第３の回路を有する。 - 特許庁 - The silicon wafer has a high-oxygen-concentration region where a solid solution oxygen concentration is ≥0.7×10^18 atoms/cm^3 in a no-defect region (DZ layer) 12 including at least the device active region of the silicon wafer 10, and contains interstitial silicon 14 in the no-defect region 12 in a supersaturation state.
本発明に係わるシリコンウェーハは、シリコンウェーハ１０の少なくともデバイス活性領域が含まれる無欠陥領域（ＤＺ層）１２内に固溶酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の高酸素濃度領域を有し、かつ、無欠陥領域１２内には、格子間シリコン１４が過飽和状態で含有されている。 - 特許庁 - The method of manufacturing a sheet glass used in a solid state image pick-up device includes a functional film formation step for forming a functional film on at least one of two translucent surfaces of the sheet glass facing each other in the thickness direction thereof, and a step for etching a chamfered sheet glass prior to the functional film formation step.
ガラス板の板厚方向に対向する２つの透光面の少なくとも一方の面に機能膜を形成する機能膜形成工程を備え、面取りされたガラス板を前記機能膜形成工程の前にエッチングする工程を備えたことを特徴とする固体撮像装置に用いられる板状ガラスの製造方法である。 - 特許庁 - The solid state imaging device comprising a semiconductor substrate, and a pixel region including a plurality of pixels having light receiving sections formed on the semiconductor substrate is further formed with first and second wiring layers 14 and 16 formed on the semiconductor substrate and having apertures corresponding to the light receiving sections, and an in-layer lens 18 arranged above the second wiring layer 16.
半導体基板と、この半導体基板に形成された受光部を有する画素を複数含む画素領域を備える固体撮像装置であって、半導体基板上に積層され受光部に対応する開口領域を有する第１および第２の配線層１４，１６と、第２の配線層１６の上方に形成された層内レンズ１８とを備える。 - 特許庁 - A video process section 103 segments a 720-pixel region in the vertical direction and 480-pixel region in the horizontal direction out of image signals outputted by a solid-state image pickup device 102 when a viewer rotation position signal is a signal representing 'vertical' and outputs the regions as a recording image to a recording section 104 after the regions are clockwise rotated by 90 degrees.
映像プロセス部１０３は、ビューア回転位置信号が「垂直」を表す信号である場合は、固体撮像装置１０２が出力した画像信号のうち、垂直方向に７２０画素、水平方向に４８０画素の領域を切り出し、時計回りに９０度回転した後、記録画像として記録部１０４へ出力する。 - 特許庁 - The solid-state imaging device is driven by a vertical transfer pulse applying step for applying a vertical transfer pulse to a vertical shift register and transferring signal charge output by a photoelectric conversion unit in a column direction, and a horizontal transfer pulse applying step for applying a horizontal transfer pulse to a horizontal shift register during a horizontal transfer period and transferring the signal charge in a row direction.
垂直シフトレジスタに垂直転送パルスを印加して、光電変換部が出力した信号電荷を列方向に転送させる垂直転送パルス印加ステップと、水平シフトレジスタに水平転送期間に水平転送パルスを印加して、信号電荷を行方向に転送させる水平転送パルス印加ステップとにより固体撮像装置を駆動する。 - 特許庁 - A solid-state imaging device 2 comprises a transparent substrate 17, a plurality of DG-TFT 20 arranged on the transparent substrate 17 in a matrix shape, and a protective insulating film 31 for covering all the DG-TFT 20, a discharging conductive film 32 formed on the insulating film 31, and a liquid-repellent film 33 formed on the conductive film 32.
固体撮像デバイス２は、透明基板１７と、透明基板１７上にマトリクス状に配列された複数のＤＧ−ＴＦＴ２０と、全てのＤＧ−ＴＦＴ２０を被覆する保護絶縁膜３１と、保護絶縁膜３１上に形成された放電用導電膜３２と、放電用導電膜３２上に形成された撥液膜３３と、を備える。 - 特許庁 - The solid-state photographing device is characterized in that it is equipped with: a photographing region where pixels 60 composed of photoelectric conversion unit PDs and transistors Tr1 and Tr2 are arranged; and a multilayered interconnection 62 [621, 622, and 623] formed above the pixels 60 through an interlayer insulating film 61, and that the interlayer insulating film 61 has shading properties.
光電変換部ＰＤとトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２で構成された複数の画素６０が配列された撮像領域と、複数の画素６０の上方に層間絶縁膜６１を介して形成された複数層の配線６２〔６２１、６２２、６２３〕を有し、層間絶縁膜６１が遮光性を有して成ることを特徴とする。 - 特許庁 - A solid-state imaging device 101, comprising two-dimensionally arrayed photoelectric conversion elements outputs signal charges read from the photoelectric conversion elements in an order different from the two-dimensional array, a signal converting section 13 converts the signal charges into pixel data, and a rearrangement section 15 rearranges the converted pixel data for 2n+1 rows so as to match the two-dimensional array.
２次元配列された光電変換部を備える固体撮像素子１０１が、光電変換部から読み出した信号電荷を２次元配列と異なる順序で出力し、信号変換部１３が画素データに変換し、前記変換された２ｎ＋１行分の前記画素データを前記２次元配列に合うように再配列部１５が再配列する。 - 特許庁 - The solid state imaging device comprises a plurality of light reception sections 5 formed on a semiconductor substrate 4; a color filter layer 11; and a lens 9 for condensing light at the light reception section 5 having the center 9a of the lens that is formed between the semiconductor substrate 4 and the color filter layer 11, and is displaced to the center of the light reception section 5 by specified distance for arrangement.
この固体撮像装置は、半導体基板４に形成された複数の受光部５と、カラーフィルタ層１１と、半導体基板４とカラーフィルタ層１１との間に形成され、受光部５の中心に対して所定の距離ずらして配置されたレンズ中心９ａを有する受光部５に光を集光するためのレンズ９とを備えている。 - 特許庁 - The solid-state imaging device is configured with an NMOS TR (switching TR) 121 which is inversely in operation to an ON/OFF operation of NMOS TRs (reset TRs) 103p and 103q in each pixel cell and placed at a position just before an input node to especially a correlated double sampling circuit 111 on a common read line 109 shared by a plurality of the pixel cells.
複数の画素セル間において共有される共通読み出し線１０９上の特に相関二重サンプリング回路１１１への入力ノードの直前の位置に、各画素セル内のＮＭＯＳトランジスタ（リセットトランジスタ）１０３ｐおよび１０３ｑのオン／オフ動作と逆に動作するＮＭＯＳトランジスタ（スイッチトランジスタ）１２１を設けて固体撮像素子を構成する。 - 特許庁 - A solid-state imaging device includes: a plurality of pixels which are two-dimensionally arranged to photoelectrically convert incident light; a plurality of vertical signal lines 4 each of which is formed in association with each column of the plurality of pixels and to which output signals of the pixels of the corresponding column are supplied; a plurality of comparison parts 11; and a plurality of reference signal supply parts 14.
固体撮像素子は、２次元に配置され入射光を光電変換する複数の画素と、各々が前記複数の画素の各列に対応して設けられ対応する列の前記画素の出力信号が供給される複数の垂直信号線４と、複数の比較部１１と、複数の参照信号供給部１４とを備える。 - 特許庁 - The solid-state imaging device has an n-type silicon substrate 20; a p-type epitaxial layer 21 formed on the n-type silicon substrate 20; an n-type sensor section 22 formed on the p-type epitaxial layer 21; and an active element formed on the p-type epitaxial layer 21 and reading electric charges obtained by photoelectric conversion by the n-type sensor section 22.
本実施形態に係る固体撮像装置は、ｎ型シリコン基板２０と、ｎ型シリコン基板２０上に形成されたｐ型エピタキシャル層２１と、ｐ型エピタキシャル層２１に形成されたｎ型センサ部２２と、ｐ型エピタキシャル層２１に形成され、ｎ型センサ部２２により光電変換して得られる電荷を読み出す能動素子とを有する。 - 特許庁 - The solid state imaging device includes a floating diffusion portion (FD portion) 114 to accumulate signal charges, and an output circuit 140 to output a signal corresponding to the signal charges of the FD portion, wherein a part of a gate electrode 124a of a first stage transistor 124 constituting the output circuit 140 is arranged so as to contact an impurity diffusion region 117 constituting the FD portion 114.
固体撮像素子において、信号電荷を蓄積するフローティングディフージョン部（ＦＤ部）１１４と、該ＦＤ部の蓄積電荷に応じた信号を出力する出力回路１４０とを備え、該出力回路１４０を構成する初段トランジスタ１２４のゲート電極１２４ａを、その一部が、該ＦＤ部１１４を構成する不純物拡散領域１１７に接触するように配置した。 - 特許庁 - In a preamplifier portion (column region portion) 61 of a solid-state imaging device 10, a pixel signal control unit 200 is provided which independently detects a magnitude of each pixel signal through a pixel signal detection unit 210 at an output side of a pixel signal amplification unit 230 for each vertical signal line 158 and sets a gain to the pixel signal amplification unit 230 independently in accordance with the signal magnitude.
固体撮像素子１０のプリアンプ部（カラム領域部）６１に、垂直信号線１５８ごとに、画素信号検出部２１０にて各画素信号の大きさを画素信号増幅部２３０の出力側で独立に検出し、この信号の大きさに応じて独立に画素信号増幅部２３０に対してゲインを設定する画素信号制御部２００を設ける。 - 特許庁 - In an amplification type solid-state image pickup device, the timing (time a') of generation and sending of a reset signal RSi for electronic shutter operation is shifted from a conventional timing (time (a)) so that the impression timing of the reset signal RSi for electronic shutter operation may not overlap the period when a pixel row is selected for read operation (period when SLn is in the high level).
増幅型固体撮像装置において、電子シャッター動作のためのリセット信号ＲＳ_iを生成・送出するタイミング（時刻ａ’）を従来のタイミング（時刻ａ）からずらし、それによって電子シャッター動作のためのリセット信号ＲＳ_iの印加タイミングを読み出し動作のために画素行を選択する期間（ＳＬ_nが「Ｈｉｇｈ」の期間）とは重複しないようにする。 - 特許庁 - In the endoscope having a bent portion 3 to be bent continuous to a tip structure portion 2 having a CCD camera (solid-state image picking-up device) 7, a portion from the bent portion to the tip structure portion is covered with a covering material excellent in heat conductivity, for example, a covering material 17 in which pure copper or copper alloy small wires are formed into a mesh.
ＣＣＤカメラ（固体撮像装置）７を有する先端構成部２に続いて湾曲可能な湾曲部３を有する内視鏡１において、上記湾曲部から先端構成部にかけての部分を熱伝導性が良好な被覆材、例えば、純銅又は銅系合金の細線をメッシュ状に編成して成る被覆材１７によって被覆したものである。 - 特許庁 - The solid-state imaging device 1 includes: a silicon layer 2 where a positive charge accumulation region 13 is formed on the surface of a photodiode PD; and an optical waveguide 21 formed above the photodiode PD to guide incident light to the photodiode PD, wherein an insulating layer 22 is formed in the optical waveguide 21, and the insulating layer 22 has a dielectric constant of 5 or greater and negative fixed charge.
フォトダイオードＰＤの表面に正電荷蓄積領域１３が形成されたシリコン層２と、フォトダイオードＰＤの上方に形成され、入射光をフォトダイオードＰＤに導くための光導波路２１とを有し、この光導波路２１の内部に、比誘電率が５以上であり、負の固定電荷を有する絶縁層２２が形成されている固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁 - The solid-state image pickup device 1 includes a semiconductor layer 20 with a photoelectric conversion element to generate a signal electric charge corresponding to a received light quantity, the insulating layer 29 having an insulating material buried in an opening part formed at the semiconductor layer 20, and protecting membranes 30, 31 formed at a surface side of the semiconductor layer 20 so as to cover the insulating layer 29.
受光した光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子を有する半導体層２０と、半導体層２０に形成された開口部に絶縁材料が埋め込まれて形成された絶縁層２９と、絶縁層２９を被覆するように半導体層２０の表面側に形成された保護膜３０，３１とから固体撮像装置１を構成する。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging device and a camera effectively and quickly performing a series of operations including the generation of photo-carrier, storage, read-out of charges, and the reset of residual charges; preventing degradation in sensitivity to blue light; suppressing trapping influence of a carrier caused by light in a silicon interface; performing high sensitization and miniaturization of pixels; and moreover exerting a sufficient driving efficiency.
フォトキャリアの生成、蓄積、電荷読み出し、残留電荷の送出(リセット)という一連の動作を効率的、高速に行い、光の青に対する感度を劣化させず、光によるキャリアのシリコン界面でのトラップ影響を防ぎ、高感度化と画素の微細化を図ることが可能で、しかも十分な駆動能力を有するフ固体撮像装置およびカメラを提供する。 - 特許庁 - A back-illuminated solid-state imaging device includes: a pixel region where a plurality of pixels comprising a photoelectric conversion part and a pixel transistor are arrayed; a light-shielding film 39 corresponding to an optical black level region 23B in the pixel region; a first planarization film 52 serving as a substrate of the light-shielding film 39; and an antireflective film 36 serving as a substrate of the first planarization film 52.
本発明は、裏面照射型の固体撮像装置であって、光電変換部と画素トランジスタからなる複数の画素が配列された画素領域と、画素領域の光学的黒レベル領域２３Ｂに対応した遮光膜３９と、遮光膜３９の下地となる第１平坦化膜５２と、第１平坦化膜５２の下地となる反射防止膜３６とを有する。 - 特許庁 - The solid state imaging device includes: a semiconductor substrate having a photoelectric conversion unit for converting an incident light to a charge; an interference filter for color separation, being disposed corresponding to the photoelectric conversion unit, and including at least two kinds of laminated films having different refractive indexes; and a light absorption filter for color separation, being disposed corresponding to the photoelectric conversion unit in which the interference filter is disposed.
入射される光を電荷に変換する光電変換部が形成された半導体基板と、光電変換部に対応して配置され、屈折率の異なる少なくとも２種以上の膜が積層された色分離用の干渉フィルタと、干渉フィルタが配置された光電変換部に対応して配置された色分離用の光吸収フィルタと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁 - A method of driving a CCD type solid-state imaging device equipped with a plurality of successive transfer electrodes constituting a charge transfer path is characterized in that concurrently with the application of the readout voltage to a transfer electrode V1 serving also as the readout electrode among the transfer electrodes, a voltage having the opposite polarity from the readout voltage is applied to a transfer electrode V3 away from the readout electrode V1.
電荷転送路を構成する複数の連続する転送電極を備えるＣＣＤ型固体撮像素子の駆動方法において、転送電極のうちの読出電極を兼用する転送電極Ｖ１に読出電圧が印加されるとき、同時に、転送電極のうちの読出電極Ｖ１から離れている転送電極Ｖ３に読出電圧に対し逆極性となる電圧を印加する。 - 特許庁
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