「solid-state device」を含む例文一覧(5494)
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水平画素方向に映像未使用領域を有する画角で撮影する際に、電子シャッタパルスΦＳＵＢや垂直転送パルス（ΦＶ１〜ΦＶ４）の出力を、映像未使用領域に対応する水平転送パルスΦＨの出力位置で行うことにより、フレームレートを向上することができる。 - 特許庁 - The solid-state imaging device has a first wiring layer 19 and a second wiring layer 22 each formed in a ring shape so as to trace the outline of the light-receiving region of a photodiode PD, and thereby all of the first wiring layer 19, the second wiring layer 22 and a third wiring layer 25 are arranged to surround an upper part of the photodiode PD.
第１配線層１９、第２配線層２２のそれぞれを、ホトダイオードＰＤの受光領域の輪郭をなぞるようなリング形状に形成することによって、第１配線層１９、第２配線層２２、第３配線層２５の全てがホトダイオードＰＤ上部を取り囲むように配置する。 - 特許庁 - A solid-state image pickup device 1 includes a pixel part X having a plurality of pixels; a peripheral circuit part Y which is electrically connected to the pixel part X; and a substrate 12 which is disposed to face the peripheral circuit part Y and in which a first wiring 31 that is electrically connected to the peripheral circuit part Y is arranged.
固体撮像装置１は、複数の画素を有する画素部Ｘと、画素部Ｘと電気的に接続される周辺回路部Ｙと、周辺回路部Ｙに対向して配置されるとともに、周辺回路部Ｙと電気的に接続される第１の配線３１が設けられた基板１２とを備える。 - 特許庁 - A laser device 1 converting a seed beam Lb output from a solid-state laser 10 into a laser beam L1 having a wavelength shorter than that of the seed beam Lb and then amplifying the laser beam L1 to be output includes a low coherence mechanism 20 which reduces the coherence of the seed beam Lb before converting the seed beam Lb into the short-wavelength laser beam L1.
固体レーザ１０から出力されたシード光Ｌｂをシード光Ｌｂよりも短波長のレーザ光Ｌ１に変換した後、レーザ光Ｌ１を増幅して出力するレーザ装置１は、シード光Ｌｂを短波長のレーザ光Ｌ１に変換する前に、シード光Ｌｂを低コヒーレンス化する低コヒーレンス機構２０を備える。 - 特許庁 - A pixel part A of a solid-state imaging device comprises: a photo diode PD formed on a semiconductor substrate 101; a first insulating film 150 having a recess 117 on its upper portion above the photo diode PD; and a second insulating film 160 formed on the first insulating film 150 so as to fill the recess 117.
固体撮像装置の画素部Ａは、半導体基板１０１に形成されたフォトダイオードＰＤと、該フォトダイオードＰＤの上側部分に凹部１１７を有する第１の絶縁膜１５０と、該第１の絶縁膜１５０の上に、凹部１１７を埋め込むように形成された第２の絶縁膜１６０とを有している。 - 特許庁 - A back-illuminated CMOS solid-state imaging device includes: a pixel region 23 where a plurality of pixels 24 comprising a photoelectric conversion part PD and a pixel transistor Tr are arrayed; a light-shielding film 39 formed in the pixel region 23; and a planarization film 41 formed immediately above the light-shielding film 39.
本発明は、裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置であって、光電変換部ＰＤと画素トランジスタＴｒからなる複数の画素２４が配列された画素領域２３と、画素領域２３に形成された遮光膜３９と、遮光膜３９の直上に形成された平坦化膜４１とを有する。 - 特許庁 - The solid-state imaging device includes: a normal pixel 22 disposed in a pixel section capable of performing a global shutter, and including at least a photoelectric conversion part PD and a memory part 36 adjacent to the photoelectric conversion part PD; and a leak-light correcting pixel 24, disposed in the pixel section and correcting degradation of an image quality originated from leak light leaked into the memory part 36.
グローバルシャッタが行える画素部内に配置され、少なくとも光電変換部ＰＤと、光電変換部ＰＤに隣接するメモリ部３６を含む通常画素２２と、画素部内に配置され、メモリ部３６への漏れ込み光による画質劣化を補正する漏れ込み光補正用画素２４とを有する。 - 特許庁 - In a shutter system in the solid-state imaging device 1, the start of a charge accumulation period is common in all rows of the light receiving part 10 for imaging, but the end of the charge accumulation period is different for every row of the light receiving part 10 for imaging and each row of the light receiving part 10 for imaging has a signal readout period following the charge accumulation period.
固体撮像装置１におけるシャッター方式では、電荷蓄積期間の開始は撮像用受光部１０の全行で共通であるが、電荷蓄積期間の終了は撮像用受光部１０の行毎に異なり、撮像用受光部１０の各行で電荷蓄積期間に続いて信号読出し期間がある。 - 特許庁 - The solid-state imaging device includes: a data holding part 22 holding operation setting data input from the outside; a collective-reflection part 23 collectively latching the operation setting data held in the data holding part 22 in synchronization with a reflection timing control signal, and outputting the latched operation setting data to a driving part; and a toggle check part 24 outputting the reflection timing control signal.
外部から入力された動作設定データを保持するデータ保持部２２と、反映タイミング制御信号に同期してデータ保持部２２に保持された動作設定データを一括してラッチして駆動部に出力する一括反映部２３と、反映タイミング制御信号を出力するトグルチェック部２４とを備える。 - 特許庁 - Moreover, the solid-state imaging device is manufactured by having a process of depositing the silicon nitride film 14 by a reduced pressure CVD (chemical vapor deposition) method by connecting with the transfer electrode or the buffer layer 11d and a process of depositing the refractory metal layer 13 on that to form the shunt wiring layer 7d.
また、転送電極又は緩衝層１１ｄに接続して、減圧ＣＶＤ（化学的気相成長）法により窒化珪素膜１４を成膜する工程と、その上に高融点金属層１３を成膜してシャント配線層７ｄを形成する工程とを有して前記固体撮像素子を製造する。 - 特許庁 - A 1-bit shift register is formed by pn junction photo diodes Pa11-Pamn, Pb11-Pbmn, Pc11-Pcmn, and Pd11-Pdmn as pixels arranged as a matrix and 4 unit transfer stages Vsaij, Vsbij, Vscij and Vsdij, and the solid- state image pickup device consists of the 1-bit shift register and vertical shift registers VS1-VSm.
マトリクス状に配された画素となるｐｎ接合フォトダイオードＰａ11〜Ｐａmn，Ｐｂ11〜Ｐｂmn，Ｐｃ11〜Ｐｃmn，Ｐｄ11〜Ｐｄmnと、４つの単位転送段ＶＳａij，ＶＳｂij，ＶＳｃij，ＶＳｄijによって１ビットのシフトレジスタを形成するとともに埋込チャネルＣＣＤで構成された垂直シフトレジスタＶＳ1〜ＶＳmとから構成される。 - 特許庁 - In the cleaning device 15 equipped with a fur brush 161 which removes residues such as remaining toner after transfer on a photoreceptor 5, each of fur brush bundles 120 of the fur brush 161 spreads at its tip more than at its bottom, tilts in a fixed direction, and grinds off and applies the lubricity imparting agent 162 in a solid state to the photoreceptor 5.
感光体５上の転写残トナー等の残留物を除去するファーブラシ１６１を備えるクリーニング装置１５において、ファーブラシ１６１は、ブラシ毛束の１束１２０の先端が根元よりも広がり、かつ一定方向に倒れているとともに、固形状態の潤滑性付与剤１６２を削り、感光体５に塗布する。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive composition for forming a color layer, having little residue even when a pigment concentration is high and giving a good pattern feature, to provide a color filter formed of the radiation-sensitive composition for forming a color filter, and to provide a solid-state imaging device having the color filter.
本発明は、顔料濃度が高くても残渣が少なく、且つ良好なパターン形状を得ることができる着色層形成用感放射線性組成物、該着色層形成用感放射線性組成物により形成するカラーフィルタおよび該カラーフィルタを具備する固体撮像素子を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The solid-state imaging device is provided with an image arraying unit for generating a pixel signal in accordance with incident light per pixel unit, a vertical transfer unit for reading out the pixel signal in the vertical direction of a pixel array, and a horizontal signal line for reading out the pixel signal by a vertical transfer unit in the horizontal direction.
本発明の固体撮像装置は、入射光に応じた画素信号を画素単位に生成する画素配列部と、これら画素信号を画素配列の垂直方向に読み出す垂直転送部と、垂直転送部を経由した画素信号を水平方向に読み出す水平信号線とを備える。 - 特許庁 - The thickness of an insulating film 28, the width and thickness of a wiring 25, the length of the wiring 25 or the diameter of a bump portion 26 formed on the wiring 25 are formed so that the capacitance of a capacitor structure generated among a solid-state imaging device chip 20, the wiring 25 and bump portion 26 is less than a desired value.
絶縁膜２８の厚み、または配線２５の線幅と厚み、または配線２５の長さ、または配線２５上に形成されるバンプ部２６の径を、固体撮像素子チップ２０と配線２５及びバンプ部２６との間に発生するコンデンサ構造の静電容量を所望の値以下とするように形成する。 - 特許庁 - The binoculars with a photographic function comprises a pair of observation optical systems (12R and 12L), photographic optical systems (68 and 70), a solid-state image pickup element 74 for performing photoelectric transfer on a shot subject image focused by the photographic optical system to an image signal, and a monitor device 85 for displaying the subject image based on the image signal.
撮影機能付双眼鏡は、一対の観察光学系（１２Ｒ、１２Ｌ）と、撮影光学系（６８、７０）と、この撮影光学系で結像された被写体像を画像信号に光電変換する固体撮像素子７４と、該画像信号に基づいて被写体像を表示するモニタ装置８５とを具備して成る。 - 特許庁 - To provide an imaging part of an electronic endoscope which does not generate the degradation or damages or the like of an imaging surface when heated inside an autoclave device or the like even when it is the imaging part of the electronic endoscope structured such that a solid-state imaging element unit of an independently tightly sealed structure is attached to the rear end part of an objective optical system unit.
単独で密閉された構造の固体撮像素子ユニットが対物光学系ユニットの後端部に取り付けられた構造の電子内視鏡の撮像部であっても、オートクレーブ装置内で加熱されたとき等に撮像面の劣化、破損等が発生しない電子内視鏡の撮像部を提供すること。 - 特許庁 - A CCD(chare coupled device) solid-state image pickup element 3 converts an object optical image formed by an image pickup lens 1 into electronic image information in response to a release operation of an operation section 23, a digital signal processing section 6 or the like applies required processing to the image information and the processed information is written to a PC card 10.
操作部２３のレリーズ操作に応答して、撮像レンズ１により結像された被写体光学像をＣＣＤ（電荷結合素子）固体撮像素子３により電子的な画像情報に変換し、ディジタル信号処理部６等により該画像情報に所要の処理を施して、ＰＣカード１０に書き込む。 - 特許庁 - The solid-state imaging device is provided with a semiconductor member 101 wherein a light receiving part 102 is formed, a protection film 108 having hydrogen supply capability which is arranged above the semiconductor member 101, and at least two metal layers 105 and 107 which are arranged between the semiconductor member 101 and the protection film 108.
固体撮像装置は、受光部１０２が形成された半導体部材１０１と、半導体部材１０１の上方に配置された水素供給能力を有する保護膜１０８と、半導体部材１０１と保護膜１０８との間に配置された少なくとも２つの金属層１０５、１０７とを備える。 - 特許庁 - To provide an imaging apparatus capable of performing white balance processing of a signal whether the signal has been outputted by a linear conversion characteristic or logarithmic conversion characteristic, when the apparatus is provided with a solid-state imaging device which performs a switchover of its photoelectric conversion characteristic to the linear conversion characteristic or logarithmic conversion characteristic automatically.
本発明は、その光電変換特性において線形変換特性と対数変換特性とが自動的に切り替わる固体撮像素子を備えるとき、いずれの特性により出力される信号に対してもホワイトバランス処理を行うことができる撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - Furthermore, a lens forming layer 22 of photosensitive layer is formed, subject to patterning, and exposed to ultraviolet rays of wavelengths 350 to 400 nm to turn into a lens formation pattern layer 22a, the pattern layer 22a is made to flow by heating to turn into a microlens array 23 composed of microlenses 22b, and thus a solid-state image sensing device 100 is obtained.
さらに、感光層からなるレンズ形成層２２を形成し、パターニング処理を行って、波長３５０ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線を露光してレンズ形成パターン層２２ａを形成し、加熱フローさせてマイクロレンズ２２ｂ及びマイクロレンズアレイアレイ２３が形成された固体撮像素子１００を得る。 - 特許庁 - A solid-state image pick up device 10 for charge accumulation is structured by arranging a pn-junction type sensor PD and pixels 11 including at least transfer transistor 13, and by floating the gate of the transfer transistor 13 under the bias condition that the gate of the transfer transistor 13 immediately before charge accumulation is cut off.
ｐｎ接合型のセンサ部ＰＤと、少なくとも転送用トランジスタ１３を含む画素１１が配列されて成り、電荷蓄積の直前の転送用トランジスタ１３のゲートがカットオフされたバイアス状態で、転送用トランジスタ１３のゲートをフローティング状態にして電荷蓄積を行う固体撮像装置１０を構成する。 - 特許庁 - A solid state image sensing device has a complementary color array or a Bayer array of color filters and integrates electric charge from 9 charge coupled devices relative to one color which are placed in a part of 6 lines and 6 rows for each of the parts which are delimited by boundaries displaced by 3 lines or 3 rows for each color and outputs it as one pixel.
固体撮像素子は補色配列又はベイヤ配列の色フィルタを有し、色ごとに３行又は３列ずれた境界で区切られる６行６列の部分ごとに、その部分に配置される一つの色に関係する９個の光電変換素子からの電荷を、一つに集積して一画素として出力する。 - 特許庁 - The solid state image pickup device is equipped with a plurality of photoelectric conversion parts 1, reading parts 2, 4 which read stored signal electric charges, an excess electric charge discharge part which discharges excess electric charges exceeding saturation electric charge quantity set by control voltage from the photoelectric conversion parts, and control voltage supply parts 9, 13 which supply the control voltage.
複数の光電変換部１と、蓄積された信号電荷を読み出す読み出し部２、４と、制御電圧により設定された飽和電荷量を超える過剰電荷を光電変換部から排出する過剰電荷排出部と、制御電圧を供給する制御電圧供給部９、１３とを備える。 - 特許庁 - To provide a solid-state image pickup device and its drive method that can output an image without deteriorating S/N and decreasing the sensitivity even in a high speed read mode, without deteriorating the resolution in the vertical direction, a complicated drive mode and the need for a special circuit configuration.
高速読み出しモードにおいても、感度が低くならずＳ／Ｎが劣化しない画像を出力することができると共に、垂直方向の解像度が劣化することがなく、また、駆動モードが複雑にならず、特別な回路構成も必要としない固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁 - The solid state imaging device 10 is equipped with photodiodes 11 which are two-dimensionally arranged, a vertical transfer CCD 12 which reads out signal charge from the photodiodes 11, and the horizontal transfer CCD 14 which receives the signal charge transferred from the vertical transfer CCD 12 and transfers it in a horizontal direction.
固体撮像装置１０は、２次元状に配列されたフォトダイオード１１と、フォトダイオード１１から信号電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直転送ＣＣＤ１２と、垂直転送ＣＣＤ１２から転送された信号電荷を受け取って水平方向に転送する水平転送ＣＣＤ１４とを備えている。 - 特許庁 - The camera main body 1 is constituted so that it has a structure in which a second rear cover 2 with the solid-state imaging device can be mounted in place of a first rear cover 3 for shading a silver salt film, either of the first and second rear covers is mounted to configure the camera, and exposure is possible within a range of prescribed photographing conditions.
銀塩フィルムを遮光する第１の裏蓋３に代えて、固体撮像素子を搭載する第２の裏蓋２が装着可能な構造を有し、第１及び第２の裏蓋の一方を装着することによってカメラを構成し、所定の撮影条件の範囲内での露光を可能にするカメラ本体１である。 - 特許庁 - Further, a cooling gas passage CP through which a cooling gas passes is formed around the pseudo surface light source of the solid state light source unit 21 by a supply and exhaust device 25 and supply and exhaust ports 26a and 26b or the like so that a relatively small amount of cooling gas can be supplied around the pseudo surface light source and passed through at a desired flow rate.
さらに、給排気装置２５、給排気ポート２６ａ、２６ｂ等によって、冷却ガスが通過する冷却気体路ＣＰを固体光源ユニット２１の擬似面光源の周囲に形成するので、比較的少量の冷却ガスを所望の流速で擬似面光源の周囲に供給し通過させることができる。 - 特許庁 - The electron multiplication imaging apparatus 1 then calculates conversion coefficients of the first and second multiplication images using the calculated luminance average values and luminance dispersion average values and calculates an actual electron multiplication factor of the solid-state imaging device 10 using the calculated conversion coefficients and a conversion coefficient based on a reference electron magnification factor to be retained in advance.
そして、算出した輝度平均値及び輝度分散平均値を用いて、第１及び第２増倍画像の変換係数を算出し、算出した変換係数と、予め保持する基準電子増倍率における変換係数と、を用いて固体撮像素子１０の実際の電子増倍率を算出する。 - 特許庁 - In this solid-state laser device 10 including a channel waveguide 12 formed of a laser crystal to which ions of rare earth materials such as Nd, Yb, Er, or Pr are added and a resonator for resonating light guided into the channel waveguide 12, a semiconductor saturable absorption element 18 is abutted on the end surface of the channel waveguide 12 and joined thereto.
Nd、Yb、ErあるいはPr等の希土類のイオンが添加されたレーザ結晶からなるチャネル導波路１２と、このチャネル導波路１２を導波する光を共振させる共振器とを有する固体レーザ装置１０において、チャネル導波路１２の端面に、半導体可飽和吸収素子１８を突合せ接合する。 - 特許庁 - The solid-state imaging device has a semiconductor substrate 2 having a plurality of light receiving elements formed on its top surface, an infrared cutting filter layer 6 which is formed of an inorganic material to cover the light receiving elements and cuts infrared rays, and a color filter layer 7 which is formed to cover the top surface of the infrared cutting filter layer 6.
固体撮像装置１は、表面に複数の受光素子が形成された半導体基板２と、無機材料によって、受光素子を覆うように形成され、赤外線をカットする赤外カットフィルタ層６と、赤外カットフィルタ層６の表面を覆うように形成されるカラーフィルタ層７とを備える。 - 特許庁 - A solid-state imaging device comprises: a plurality of photodiodes PD that are provided in a substrate 15 and each have a semiconductor region 17 of a first conductivity type; and an element isolation region 19 that is provided in the substrate 15, is composed of semiconductor regions of a second conductivity type, and isolates the plurality of photodiodes PD.
固体撮像装置は、基板１５内に設けられ、かつ第１導電型の半導体領域１７をそれぞれが有する複数のフォトダイオードＰＤと、基板１５内に設けられ、かつ第２導電型の半導体領域から構成され、かつ複数のフォトダイオードＰＤをそれぞれ分離する素子分離領域１９とを含む。 - 特許庁 - The solid-state imaging device is provided with a sensor 13 for photoelectric conversion that is formed on the front surface of a semiconductor substrate 11, an effective pixel 31 and an optical black part 32 in a pixel area, and a low reflection film 21 which is low in reflectivity to an infrared light and is formed on the rear surface of the semiconductor substrate 11.
光電変換がなされるセンサ部１３が半導体基板１１の表面側に形成され、画素領域に有効画素部３１とオプティカルブラック部３２とを有し、半導体基板１１の裏面側に、赤外光の反射率の低い低反射膜２１が形成されている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁 - On the inner surface of a circuit substrate 14, a dent 16 that is larger in area than the imaging area 12 is formed, due to which a space h1 between the solid-state imaging device 11 and the circuit substrate 14 becomes large, thus resulting in elimination of a capillary phenomenon, which keeps sealing resin 19 from entering the imaging surface 12.
回路基板１４の内面には撮像面１２よりも広い面積の窪み１６が形成されており、その窪み１６によって固体撮像素子１１と回路基板１４との間の間隙ｈ１が大となって、毛細管現象が断ち切られることにより、封止樹脂１９の撮像面１２への浸入が停止される。 - 特許庁 - The imaging lens for forming an image on the solid-state imaging device is constituted of a first meniscus lens turning its convex surface to an object side and having positive power, an aperture diaphragm, and a second meniscus lens turning its convex surface to an image surface side and having positive power in order from the object side, and constituted to satisfy a following conditional expression.
固体撮像素子に像を形成する撮像レンズであって、物体側から順に、物体側に凸面を向けたメニスカス形状で正のパワーを有する第１レンズと、開口絞りと、像面側に凸面を向けたメニスカス形状で正のパワーを有する第２レンズとで構成され、以下の条件式を満足する構成とする。 - 特許庁 - The solid-state laser device is provided with a laser medium 11 for absorbing exciting light 12 from an LD 10 and generating or amplifying light of a predetermined wavelength and a heat sink composed of first to third blocks 15a, 15b and 15c for positioning the laser medium 11, cooling the laser medium 11 and further reflecting the exciting light 12.
固体レーザ装置は、ＬＤ１０からの励起光１２を吸収し所定波長の光を発生または増幅するレーザ媒質１１と、レーザ媒質１１の位置決めとレーザ媒質１１の冷却、さらには励起光１２の反射を行う第１乃至第３ブロック１５ａ、１５ｂ、１５ｃからなるヒートシンクを備える。 - 特許庁 - It is possible to simply and accurately determine whether a light source is a white LED, on the basis of a signal amount of the imaging signal corresponding to the light of a wave length near 80 nm and a signal amount of the imaging signal corresponding to the light of a wave length near 450 nm which are obtained from a solid state imaging device.
固体撮像素子から得られた８０ｎｍ付近の波長の光に対応する撮像信号の信号量と４５０ｎｍ付近の波長の光に対応する撮像信号の信号量とに基づき、簡便かつ正確に光源が白色ＬＥＤであるか否かを判断することができる。 - 特許庁 - The color solid-state imaging device comprises a plurality of first type and second type pixels arranged in two-dimensional array on the surface of a semiconductor substrate wherein each pixel outputs two different signals independently, and spectral sensitivity (Fig. 3(a)) of the first type pixel is different from spectral sensitivity (Fig. 3(b)) of the second type pixel.
半導体基板の表面に複数の第１種及び第２種の画素が二次元アレイ状に配列形成され、各画素が夫々２つの異なる信号を独立に出力するカラー固体撮像装置であって、第１種の画素の分光感度（図３（ａ））と、第２種の画素の分光感度（図３（ｂ））とが、異なる分光感度である。 - 特許庁 - A booster circuit is provided in a circuit comprising a comparator 104 and a memory 105 for converting an analog signal outputted from the pixel part 101 into a digital signal and storing the digital signal, so that the high-speed A/D converter which is free from voltage attenuation, is packaged in the NMOS solid-state image pickup device 100.
画素部１０１から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換して記憶する比較器１０４及び記憶器１０５を構成する回路には昇圧回路が設けられており、それによって、電圧減衰がなく高速なＡＤ変換器をＮＭＯＳ型固体撮像装置１００に搭載できる。 - 特許庁 - To provide a solid-state image pick-up device of a structure wherein transfer electrodes forming CCD type vertical charge transfer paths are mutually overlapped, and which can prevent generation of a dark signal output and reduction of an S/N ratio when each of photoelectric conversion elements is made of a buried photodiode.
ＣＣＤ型の垂直電荷転送路を構成する転送電極の各々が互いに重ね合わせ構造をなす固体撮像装置においては、光電変換素子の各々を埋め込み型のフォトダイオードで形成した場合でもなお暗時出力が発生し、Ｓ／Ｎ比低下の支配要因となっている。 - 特許庁 - A solid state imaging device includes a disk-shaped planar reflecting plate disposed on a first surface and having an aperture on its periphery part, and a plurality of reflecting plates disposed at a plurality of ring-shaped regions tilting along the direction of radius and having different diameters each other on a second surface opposed to the first surface.
固体撮像装置は、第１の面に設けられて外周部に開口を有する円板形状の平面反射板と、第１の面に対向する第２の面にそれぞれが半径方向に沿って傾斜しかつ径が異なるように形成された複数の円環状領域に設けられた複数の反射板と、を備える。 - 特許庁 - The stroboscopic light emission control circuit 114 controls the stroboscopic flash so as to perform light pre-emission before the actual light emission of the stroboscopic flash, and the sensor driving circuit 112 controls the solid-state imaging device 104 so as to mix and read electric charges stored in a plurality of pixels during the light pre-emission of the stroboscopic flash for each of the prescribed number of pixels.
ストロボ発光制御回路１１４は、ストロボの本発光前にプリ発光を行うようにストロボを制御し、センサー駆動回路１１２は、ストロボのプリ発光中に複数の画素に蓄積された電荷を、所定個数の画素毎に混合して読み出すように固体撮像素子１０４を制御する。 - 特許庁 - Only when it is discriminated the misalignment of the object is not caused between the respective frame images, the photographing is performed plural times at prescribed time intervals by an image pickup means provided with a solid-state imaging device 16, and the quantity of exposure to be controlled by an exposure control part 32 is changed every time the image is picked up.
そして、各コマ画像間において被写体の位置ずれが生じないと判別されたときのみ、固体撮像素子１６を含む撮像手段により所定の時間間隔をもって複数回撮影させるとともに、露光制御部３２によって制御する露光量を各撮像ごとに変更させる。 - 特許庁 - To provide a photosensitive composition with which a pattern with a low refractive index, excellent film strength and few development defects can be formed at high resolution, a pattern forming material, as well as a photosensitive film using it, a pattern forming method, a pattern film, a low refractive index film, an antireflection film, an optical device and a solid state imaging element.
本発明は、屈折率が低く、更には、膜強度に優れ、現像欠陥が少ないパターンを高解像度で形成可能な感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、低屈折率膜、反射防止膜、光学デバイス、及び、固体撮像素子を提供する。 - 特許庁 - Then, an amount of defocus on an image formation surface is measured by an imaging signal of a resolution chart by a solid-state imaging device 3'; inclination of the lens is calculated; an amount of adjustment is obtained in the XY direction; and the pressing pins 39, 49 are driven by Xy axis driving motors 31, 41 to eliminate the inclination of the lens.
そして、固体撮像素子３’による解像度チャートの撮像信号により結像面のデフォーカス量を測定し、レンズの傾きを算出するとともにＸＹ方向の調整量を得て、Ｘｙ軸駆動モータ３１，４１でＸＹ押圧ピン３９，４９を駆動しレンズの傾きを解消するようにする。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the solid-state image pickup device, gate insulating films 4, gate electrodes 5, 6, and 7, side walls 13 provided on the side faces of the gate electrodes 7, and impurity diffusing layers 8, 9, and 10, are formed in an area A which is the image pickup area and another area B in which an NMOS transistor is provided.
本発明の固体撮像装置の製造方法では、撮像領域であるＡ領域と、ＮＭＯＳトランジスタが設けられるＢ領域とに、ゲート絶縁膜４と、ゲート電極５, ６, ７と、ゲート電極７の側面上に設けられるサイドウォール１３と、各不純物拡散層８, ９, １０とを形成する。 - 特許庁 - The image display device consists of an image display plate which comprises a powder fluid exhibiting high fluidity in an aerosol state, in which a solid substance as a dispersoid is stably floating in a gas, sealed in a gap between substrates of which at least one is transparent placed opposite to each other and makes the powder fluid travel, and a touch panel integrated with each other.
少なくとも一方が透明な対向する基板間に、気体中に固体状物質が分散質として安定に浮遊するエアロゾル状態で高流動性を示す粉流体を封入し、粉流体を移動させる画像表示板と、タッチパネルが一体化されている画像表示装置。 - 特許庁 - The CCD-type solid-state imaging device of a honeycomb pixel array is so structured that a primary pixel line, with which an R pixel and a B pixel are abreast and a secondary pixel line adjacent to this, with which a G pixel is abreast share a primary vertical electric charge transmission path 2 adjacent to the primary pixel line and a secondary vertical electric charge transmission path adjacent to the secondary pixel line.
ハニカム画素配列のＣＣＤ型固体撮像素子において、Ｒ画素とＢ画素が並ぶ第１画素列と、これに隣接するＧ画素が並ぶ第２画素列とが、第１画素列に隣接する第１垂直電荷転送路２と第２画素列に隣接する第２垂直電荷転送路とを共用する構成とする。 - 特許庁 - The solid-state imaging device includes photodetection units 1 which are formed in a semiconductor substrate and accumulates luminance information, corresponding to the photodetection quantity of incident light and an imaging unit 3, where the plurality of photodetection units 1 are disposed in two dimensions, the photodetection units 1 being disposed varying interval of an array, going from the center to the outer periphery of the imaging unit 3.
半導体基板内に形成され、入射光の受光量に応じた輝度情報を蓄積する受光部１と、受光部１が２次元状に複数配置された撮像部３とを備え、受光部１は、撮像部３の中心から外周に向かって、配列の間隔を変化させて配置されている。 - 特許庁 - Photoelectric conversion of an image signal of each pixel imaged in the same frame is confirmed, and various parameters such as a color correction coefficient of a color correction circuit 10, a gradation conversion characteristic by a gradation conversion circuit 11, and an LPF coefficient and a coring count of a coring circuit 12 are switched on the basis of the dynamic range of the solid-state imaging device 2.
同一フレームで撮像された各画素の画像信号の光電変換を確認し、色補正回路１０の色補正係数や、階調変換回路１１の階調変換特性や、コアリング回路１２のＬＰＦ係数やコアリング計数などの各種パラメータを、固体撮像素子２のダイナミックレンジに基づいて切り換える。 - 特許庁
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