「solid-state device」を含む例文一覧(5494)
＜前へ 1 2 .... 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 次へ＞- In the device, projections 5 and 9 provided in a central part of an outer stopper 3 and an inner stopper 2 are joined, in a state of their being fit into the toner discharging opening, and the contact of the inner stopper side surface with the toner discharging port is made more solid by having the projection 9 of the outer stopper 3 pressurize against the projection 5 of the inner stopper.
外栓３と内栓２の中央部分に設けた突起５、９が、トナー吐出口にはめ込まれた状態で接合し、外栓３の突起９により内栓の突起５を押圧することにより、内栓側面のトナー吐出口との接触をより強固なものとすることができる。 - 特許庁 - In the third inspection process, the solid-state imaging device is inspected per predetermined range set in advance, and the number of peculiar pixels within each range is counted, and at the same time, the sum of brightness data of the individual peculiar pixels within each range is calculated as a defect level.
第３検査工程では、予め設定されている所定範囲ごとに固体撮像素子の検査が行われ、この所定範囲内の特異画素の個数が計数されると同時に、この所定範囲内の各特異画素の輝度データの合計値が欠陥レベルとして算出される。 - 特許庁 - The solid-state image pickup device is provided with a circuit that has a function of multiplying electric charges generated in a photoelectric conversion layer of a pixel, varies the multiplication factor of the photoelectric conversion layer and calculates the multiplication factor and with a circuit that corrects the strength of the output signal of the pixel in response to the calculated multiplication factor.
画素の光電変換層に生成した電荷を増倍する機能をもたせ、光電変換層の増倍率を可変にするとともに、増倍率を算出する回路と、画素の出力信号の強度を算出した増倍率に応じて補正する回路を備える。 - 特許庁 - To produce a phase shifting mask capable of achieving high transfer pattern dimensions, to provide a phase shifting mask which enables production of a high performance large-scale integrated circuit by achieving higher transfer accuracy and to provide a pattern forming method using the phase shifting mask and a solid-state device produced by the pattern forming method.
高い転写パタン寸法を実現できる位相シフトマスクが製造でき、さらに高い転写精度を実現することで高性能な大規模集積回路の製造が可能となる位相シフトマスク、該位相シフトマスクを用いたパタン形成法、該パタン形成法による固体素子を提供する。 - 特許庁 - The solid state imaging device is manufactured through a process of forming conductive layers 13, 14 containing the metallic element on the semiconductor substrate 6 to form the electrode 15 by patterning the conductive layers 13, 14, and another process of forming the nitride silicon film 16 on the surface of the electrode 15.
また、半導体基体６上に金属元素を含む導電体層１３，１４を成膜し、この導電体層１３，１４をパターニングして電極１５を形成する工程と、この電極１５の表面に窒化珪素膜１６を形成する工程とを有して、上記固体撮像素子を製造する。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging element that can output all pixel signal voltages of high resolution without interrupting the output of an addition signal voltage, prevents signal deterioration by shortening an analog transmission line, and can make an imaging device small-sized and low-cost.
加算信号電圧の出力を中断させることなく、高解像度の全画素信号電圧を出力することができるとともに、アナログ伝送路を短縮して信号劣化を防ぎ、撮像装置の小型化と低コスト化を実現することができる固体撮像素子を提供すること。 - 特許庁 - In the radiographing apparatus in which an X-ray transmitted through the chest of the human body under breathing is periodically detected by a solid-state imaging device and the respiratory movement of the chest of the human body is imaged, the radiographing apparatus is composed of an imaging means for imaging the respiratory movement in a plurality of different directions.
呼吸状態にある人体胸部を透過した放射線を固体撮像素子により周期的に検出し、人体胸部の呼吸動態を撮影する放射線撮影装置を、呼吸動態を複数の異なる方向から撮影する撮影手段から構成する。 - 特許庁 - To provide a solid state imaging device, capable of maintaining a flat boundary upper portion between an imaging region and an OB region, while sufficiently light-shielding the OB region, and thereby capable of obtaining an accurate optical black-level reference signal without deteriorating an imaging characteristic.
ＯＢ領域を十分に遮光しつつも撮像領域とＯＢ領域との境界部上方を平坦に保つことが可能で、これにより撮像特性を劣化させることなく、精度の良好な光学的黒レベルの基準信号を得ることが可能な固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a solid-state element device in which an expected effect can be actually obtained by performing glass sealing after extracting and solving a problem for realizing inorganic material sealing work, further, humidity resistance is improved, and losing of transparency in glass sealing and cloudiness in characteristic evaluation do not occur.
無機材料封止加工を具現化するための課題を抽出、解決し、ガラス封止を行うことで期待できる効果を実際に得ることができ、さらに耐湿性に優れ、ガラス封止時における失透、特性評価時における白濁を生じない固体素子デバイスを提供する。 - 特許庁 - The solid-state imaging device 14 has a light reception surface 14-1 tilted with respect to the surface of the circuit board 11, and is mounted on the surface of the circuit board 11 so that the light reception surface 14-1 is located at the position at which the return light from the document 12 forms an image by the SELFOC lens array 15a.
固体撮像装置１４は、回路基板１１面に対して傾斜した受光面１４−１を有し、この受光面１４−１が、セルフォックレンズアレー１５ａによって原稿１２の反射光が結像される位置に配置されるように、回路基板１１の表面上に実装される。 - 特許庁 - A defective pixel correction circuit 11 performs correction processing on a defective pixel included in a solid-state imaging device 1 equipped with a color filter 2 using a plurality of same-color pixels each being positioned within the range of two pixels from the defective pixel and corresponding to the same color as a corresponding color of the defective pixel.
欠陥画素補正回路１１は、カラーフィルタ２を備えた固体撮像素子１に含まれる欠陥画素の補正処理を、欠陥画素から２画素分の範囲内に位置し且つ欠陥画素の対応色と同色に対応する同色画素を複数用いて行う。 - 特許庁 - In the CCD solid-state imaging device, a read section 4 and an element separation section 7 in the unit pixel cell 2 are arranged while the position relationship is inverted between the left and right sides of an effective pixel region 9, and the read section 4 faces the peripheral side of the effective pixel region 9.
本発明のＣＣＤ固体撮像素子は、単位画素セル２における読み出し部４と素子分離部７が、有効画素領域９の左側と右側で位置関係を逆にして配置され、前記読み出し部４が有効画素領域９の周辺側を向いていることを特徴とする。 - 特許庁 - In an orthogonal polarizing laser device 20, a single semiconductor laser 21 is made as an exciting light source, and the emitted light is dispersed into two straight polarized beams having orthogonal polarized planes by a polarized beam splitter 23A and are made incident on first and second solid-state laser mediums 26 and 27.
直交偏光レーザ装置２０は、単一の半導体レーザ２１を励起光源として、この出射光を偏光ビームスプリッタ２３Ａによって、互いに直交する偏波面を有する２つの直線偏光に分光し、第１及び第２の固体レーザ媒質２６，２７に入射する。 - 特許庁 - The integration means integrates signal values outputted from pixels in an effective pixel region in a solid-state imaging device including color filters, for each of predetermined pixel columns disposed in a longitudinal direction of the effective pixel region and for each type of pixels determined according to an array method of color filters.
積算手段は、カラーフィルタを有する固体撮像素子における有効画素領域の画素が出力する信号値を、有効画素領域の縦方向に並んだ所定の画素列毎に、かつカラーフィルタの配列方法により定められた画素の種類毎に積算する。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging device for improving the charge/voltage conversion efficiency, discharging the charge stored under a ring-like gate electrode to a substrate at a low voltage, and moreover, realizing a collective shutter.
受光部の信号電荷を読み出し用の表面チャネルＭＯＳトランジスタの信号電荷蓄積部に転送するための転送用のゲート電極を設けてグローバルシャッタ機能を実現する従来素子では電荷のソースへの集中が行われないので、電荷から電圧への変換率が低い。 - 特許庁 - In a solid-state imaging device in which an N-type photoelectric conversion region 303 is formed in a P^-type well region 302, a light-blocking film 315 and a transparent conductive film 321 are formed on the N-type photoelectric conversion region 303 through a second interlayer insulation film 314.
Ｐ^-型ウェル領域３０２内にＮ型光電変換領域３０３が形成された固体撮像装置において、Ｎ型光電変換領域３０３上に第２層間絶縁膜３１４を介して遮光膜３１５および透明導電膜３２１を形成する。 - 特許庁 - The CCD solid-state imaging device 10 adopts the number of vertical transfer paths 14 thinned every other columns, high sensitivity pixels 16 with relatively higher sensitivity capable of sufficiently producing many signal electric charges even when the number of pixels is higher, and low sensitivity pixels 18 with relatively lower sensitivity for reading signal electric charges as information of the real pixels.
CCD固体撮像素子10は、垂直転送路14の本数を一列おきに間引き、高感度画素16では相対的に感度を高くし高画素化しても信号電荷の十分な生成を可能にし、低感度画素18では相対的に低くした実画素の情報として信号電荷を読み出す。 - 特許庁 - Accordingly, scraping of the nitride film 13 due to dry etching upon forming the electric charge transfer gate can be stopped by the oxide film 15 on the nitride film 13 whereby the solid state imaging device can be provided with the structure of the gate insulating film, in which faulty transfer or the like in transferring electric charge will hardly be occurred.
そのため、電荷転送ゲート形成時のドライエッチングによる窒化膜１３の削れを、窒化膜１３上の酸化膜１５で止めることが可能となり、電荷転送時の転送不良等の発生しにくいゲート絶縁膜の構造を持った固体撮像素子を提供できる。 - 特許庁 - The solid-state imaging device comprises a plurality of pixels having photoelectric conversion elements 24, a ferroelectric film 28 which is formed on the respective photoelectric conversion elements 24 of the pixels with an insulating film 25 disposed therebetween and which is polarized, and a transparent electrode film 29 formed on the ferroelectric film 28.
固体撮像装置は、光電変換素子２４を有する複数の画素と、各画素の光電変換素子２４上に、絶縁膜２５を介して形成された分極処理された強誘電体膜２８と、強誘電体膜２８上に形成された透明電極膜２９とを有する。 - 特許庁 - To provide a video camera by which a video with relaxed deterioration in a peripheral light quantity is obtained by controlling gain by each part to be segmented concentrically of a video obtained from a solid-state image pickup device and having defect due to the use of a lens with a deteriorated peripheral light quantity ratio.
周辺光量比が悪いレンズの使用にて生じる不具合を固体撮像素子から得られた映像の同心円状に区切られる部分ごとにゲインを制御して周辺光量の落ち込みが緩和された映像を得ることができるビデオカメラを提供する。 - 特許庁 - The solid-state image pickup device is constructed by disposing pixels in a matrix, providing vertical transfer registers for transferring signal charges stored in each pixel row, connecting a shunt wiring 14 to transfer electrodes 11A and 11B of the transfer registers, and forming the shunt wiring 14 so as to be flattened.
画素がマトリクス状に配置され、各画素列毎に蓄積された信号電荷を転送する垂直転送レジスタが設けられ、垂直転送レジスタの転送電極１１Ａ，１１Ｂにシャント配線１４が接続され、シャント配線１４が平坦に形成されている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁 - An effective region setting means 1d sets an effective region to the image signal reading means 1e so that pixel signals of all pixels of the solid-state imaging device 1a are read out vertically or horizontally to the effective region and that there are excessive pixels in the other direction.
有効領域設定手段１ｄが、有効領域の垂直または水平方向の一方が固体撮像素子１ａの全画素の画素信号を読み出し、他方の方向に余剰画素があるように画像信号読出手段１ｅに対して有効領域を設定する。 - 特許庁 - To obtain a laser light source device using a semiconductor laser, where heat generated by a solid-state laser crystal is prevented from transmitting to a wavelength conversion element having a relatively inferior temperature characteristic while preventing an increase in cost and size of the device, thereby enabling supply of a stabilized semiconductor laser light at all times.
半導体レーザを用いたレーザ光源装置において、装置のコストアップや大型化を防止しつつ、固体レーザ結晶の発熱が、相対的に温度特性の悪い波長変換素子へ熱伝達してしまうことを防止し、この結果、常に安定した半導体レーザを供給することができるレーザ光源装置を得ることを目的とする。 - 特許庁 - To provide a high-storage stability dispersion composition having a high dispersibility of titanium black and not undergoing titanium black settlement even after a lapse of time; and to provide a photosensitive composition which, when used in pattern formation, prevents residues in an unexposed area and has a high adhesion sensitivity, a light-shielding color filter of a high light-shielding property, a solid state imaging device, and a liquid display device.
チタンブラックの分散性が高く、経時後もチタンブラックが沈降しない保存安定性の高い分散組成物を提供し、パターン形成したときに未露光部における残渣が抑制され、さらに密着感度が高い感光性組成物、遮光性の高い遮光性カラーフィルタ、固体撮像素子、及び液晶表示装置を提供する。 - 特許庁 - A bias voltage is applied to a source of a MOS transistor of a CMOS circuit section being a component of the solid-state imaging device and destruction of the device is prevented by escaping signal electric charges supplied from the photoelectric conversion film and stored in the drain of the transistor to a substrate of the CMOS circuit section when the voltage applied to the drain of the transistor reaches a prescribed voltage.
固体撮像素子を構成するCMOS回路部のMOSトランジスタのソースにバイアス電圧を印加し、前記ドレインに印加される電圧が所定の電圧に達したときに、前記光電変換膜から供給され、及び前記ドレインに蓄積された信号電荷を、前記CMOS回路部の基板へ逃がすことにより素子の破壊を防止する。 - 特許庁 - No expensive device or starting material is required, the small structure is easily controlled, the electrode/electrolyte interface resistance is effectively reduced in a low-temperature step, the area of the three-phase interface is increased, the electrode resistance is reduced, and the electrode performance of the SOFC, the sensor, and the solid-state device is improved.
これにより、高価な装備や出発物質を必要とせず、微細構造制御が容易であり、低温工程で電極／電解質界面抵抗を有効に低減させることができ、また、三相界面の面積を増加させ、電極抵抗を減少させてSOFC、センサ、および固体状態装置などの電極性能を向上させることができる。 - 特許庁 - To provide a super capacitor case providing a supporting structure that provides a physical support and an electrical connection between a solid-state device (SSD) and the super capacitor and at the same time, preventing such problems of EMI interference by an impact from an external contact, damage of electronic parts and the super capacitor, and/or loss of reliability; and to provide a device incorporating a super capacitor.
ＳＳＤとスーパーキャパシタとの間に物理的支持及び電気的接続を提供する支持構造物を提供するとともに、外部コンタクトからの衝撃によるＥＭＩ干渉、電子部品とスーパーキャパシタの損傷及び／または信頼性の損失のような問題点を防止するためのスーパーキャパシタケース及びスーパーキャパシタを内蔵した装置を提供する。 - 特許庁 - In a solid-state imaging device wherein a plurality of unit pixels which convert incident lights into signal charges and output them as electric signals, and have a plurality of photodiodes formed being laminated in the direction of depth to convert the incident lights into electric signals are arranged, the an output signal corresponding to each signal charge and an output signal corresponding to a reset state are differentiated and outputted.
入射光を信号電荷に変換し電気信号として出力する単位画素を複数配列し、該画素は深さ方向に重ねて形成された入射光を電気信号に変換するための複数のフォトダイオードを有する固体撮像装置において、信号電荷に対応した出力信号とリセット状態に対応した出力信号を差分処理して出力する。 - 特許庁 - The device of depositing a solid electrolyte containing film comprises a liquid reservoir where slurry containing a dispersion medium and a solid electrolyte insoluble to the dispersion medium is stored, a slurry supply section which supplies the slurry in the liquid reservoir onto the substrate, and a blade used for coating the slurry onto the substrate in a state where the slurry is supplied from the slurry supply section onto the substrate.
固体電解質含有膜の成膜装置は、分散媒と前記分散媒に対して不溶性の固体電解質とを含むスラリーを貯留する液だまり部と、前記液だまり部の前記スラリーを基材上に供給するスラリー供給部と、前記スラリー供給部から前記基材上に前記スラリーが供給されている状態で前記スラリーを前記基材上に塗布するブレードと、を備える。 - 特許庁 - To provide a solid-state image pickup device that vertically mixes signals of the same color components while minimizing reduction in the resolution in a horizontal direction, and to provide its drive method and a camera system.
色差信号Ｃｒ，Ｃｂが五の目状の配置の補色カラーコーディングの場合には、２画素分だけ離れた同じカラー成分の信号同士の加算によって垂直圧縮処理を実現することになるため、水平方向の色解像度が通常の水平２繰り返しコーディングに対して水平４繰り返しと同程度に、即ち１／２に低下する。 - 特許庁 - A solid state image pickup device 100 includes: a plurality of AD conversion sections 140 disposed to each respective column for converting a pixel signal 151 converted by each of a plurality of unit pixels 111 arranged in the corresponding column into N-bit digital data 154; and a plurality of data holding sections 141 disposed to respective columns.
本発明に係る固体撮像装置１００は、列毎に一つ設けられ、対応する列に配置された複数の単位画素１１１により変換された画素信号１５１をＮビットのデジタルデータ１５４に変換する複数のＡＤ変換部１４０と、列毎に一つ設けられた複数のデータ保持部１４１とを備える。 - 特許庁 - The solid state imaging device comprises a first substrate having a principal surface on which a photoelectric conversion element is arranged, a first wiring structure having a first joint including a conductor, a second substrate having a principal surface on which a part of the peripheral circuit is arranged, and a second wiring structure having a second joint including a conductor.
固体撮像装置は、光電変換素子が主面に配された第１基板と、導電体を含む第１の接合部を有する第１配線構造と、周辺回路の一部が主面に配された第２基板と、導電体を含む第２の接合部を有する第２配線構造と、を有する。 - 特許庁 - To each pixel 100a of a solid-state imaging device 100, a shield line 7 held at a constant potential is formed at a side with a source line 6a of a pixel adjacent to the pixel in X direction to a first electrode 81a, a drain electrode 6c, and a drain of a field effect transistor 30.
固体撮像装置１００の各画素１００ａには、第１電極８１ａ、ドレイン電極６ｃ、および電界効果型トランジスタ３０のドレインに対して、当該画素に対してＸ方向で隣接する画素のソース線６ａが位置する側に、定電位に保持されたシールド線７が形成されている。 - 特許庁 - A stereo image recognition device 4 performs pedestrian detection processing from a solid obtained based on an image from a stereo camera 3 to detect a pedestrian, and outputs a signal to an LED 9 or speaker 10 based on the position of this pedestrian, the own vehicle speed, a signal state from a direction indicator, or the like to perform various warnings.
ステレオ画像認識装置４は、ステレオカメラ３からの画像を基に得られる立体物から歩行者検出処理を行って歩行者を検出し、この歩行者の位置や、そのときの自車速、ウインカスイッチ７からの信号状態等に基づいてＬＥＤ９やスピーカ１０に信号を出力して各種警報を行う。 - 特許庁 - The signal processing part 200 comprises: an image generating section 7 which generates three image signals according to the amount of light entering each of the first, second and third transmission regions, on the basis of a signal output from the solid state imaging device 1; and a parallax estimation part 40 which estimates a parallax from the three image signals.
信号処理部２００は、固体撮像素子１から出力される信号に基づいて第１、第２、および第３の透過領域の各々に入射する光の量に応じた３つの画像信号を生成する画像生成部７と、３つの画像信号から視差を推定する視差推定部４０とを有する。 - 特許庁 - An LD excitation solid-state laser device has a transparent columnar laser rod 1, which absorbs excitation lights 6a, 6b and generates or amplifies light of a prescribed wavelength, and a transparent cooling tube 3, which is coaxial with the laser rod 1 and forms a clearance 2 for refrigerant between it and an outer surface of the laser rod 1.
ＬＤ励起固体レーザ装置は、励起光６ａ、６ｂを吸収し所定波長の光を発生又は増幅する透明円柱状のレーザロッド１と、レーザロッド１と同軸で該レーザロッド１の外面との間に冷却媒質用の隙間２を形成する透明な冷却チューブ３とを備える。 - 特許庁 - To provide a drive method and a driving device for a solid-state image pickup element that can enhance accuracy of defect inspection and function evaluation of received pixels by storing signal charges and providing an output at inspection or the like and can prevent read of the signal charges or inspection from being disabled.
検査時などに信号電荷の蓄積およびその出力を行って受光画素の欠陥検査や機能評価の精度を向上することができると共に、信号電荷の読み出しや検査を行うことができなくなることを解消することができる固体撮像素子の駆動方法および駆動装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of washing a flat membrane element used for a membrane filter device which reduces the aeration amount in a usual state upon flat membrane element washing, and further improves the washing efficiency of a flat membrane element in a region where a washing by means of air bubbles is difficult when solid matter concentration is significantly high, for example.
平膜エレメント洗浄時、通常状態での曝気量を減らし、さらに、固形物濃度が非常に高い場合等、気泡による洗浄が困難になる領域での平膜エレメントの洗浄効率を向上させるようにした膜ろ過装置に用いられる平膜エレメントの洗浄方法を提供すること。 - 特許庁 - The manufacturing method of the solid state imaging device comprises the forming process of the nitride film 13 on the surface of a semiconductor substrate 11, the forming process of a semiconductor film 14 on the nitride film 13, the forming process of an oxide film 15 by oxidizing the semiconductor film 14, and the forming process of an electric charge transfer gate electrode 18 on the oxide film 15.
半導体基板１１の表面上に窒化膜１３を形成する工程と、窒化膜１３上に半導体膜１４を形成する工程と、半導体膜１４を酸化し酸化膜１５にする工程と、酸化膜１５上に電荷転送ゲート電極１８を形成する工程とを含む。 - 特許庁 - The solid state imaging device comprises a charge transfer channel 4, and a transfer channel 14 arranged oppositely to a part of the transfer channel 4 while sandwiching an insulating film 33 wherein the transfer channel 14 has a metal portion 14a surrounded by polysilicon 14b through a film 14c for preventing the reaction of metal and polysilicon.
電荷を転送する転送チャネル４と、絶縁膜３３を挟み転送チャネル４の一部分に対向して配置された転送電極１４とを備え、転送電極１４は、金属と多結晶シリコンとの反応を防止する反応防止膜１４ｃを介して金属部位１４ａが多結晶シリコン１４ｂに包囲されている。 - 特許庁 - The solid state imaging device includes a horizontal transfer part 10 for horizontally transferring the signal charge in response to application of driving pulses ϕH1 and ϕH2, and a sorting transfer part 20 having a plurality of photoelectric conversion parts 50 and an independent driving electrode in a row direction for controlling the readout of a signal electric field to a vertical transfer part 40.
駆動パルスφＨ１及びφＨ２の印加に応じて信号電荷を水平方向に転送する水平転送部１０と、複数の光電変換部５０および垂直転送部４０への信号電界の読み出しを制御する列方向に独立の駆動電極とを有する振り分け転送部２０を備えている。 - 特許庁 - These bottom gate electrode 21, drain electrode 27, source electrode 28 and top gate electrode 30 are connected to conductive wiring 50 through lines 41, 42, 43, 44, the conductive wiring 50 is connected to the anode of a power supply 101, the solid-state image sensing device 1 is immersed in electrolyte 102, and the anode of the power supply 101 is also immersed in the electrolyte.
ライン４１，４２，４３，４４を介してボトムゲート電極２１、ドレイン電極２７、ソース電極２８及びトップゲート電極３０を導電配線５０に接続し、導電配線５０を電源１０１の陰極に接続し、固体撮像デバイス１を電解液１０２に浸漬し、電源１０１の陽極を電解液に浸漬する。 - 特許庁 - In the solid state imaging device comprising a large number of photoelectric conversion elements, and a large number of microlenses formed above the large number of photoelectric conversion elements through no gap, the focal length of each of the large number of microlenses depends on the color detected by a photoelectric conversion element existing under each microlens.
多数の光電変換素子と、多数の光電変換素子の上方にギャップレスで形成された多数のマイクロレンズとを有する固体撮像素子であって、多数のマイクロレンズの各々の焦点距離が、各々のマイクロレンズの下方にある光電変換素子の検出する色に応じて決まっている固体撮像素子。 - 特許庁 - Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously the dynamic range of a solid state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31.
これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 - 特許庁 - An imaging apparatus includes a solid-state imaging device in which a plurality of pixels arrayed in a two-dimensional array shape are collected into sets each constituted of a plurality of predetermined pixels having the same array patterns of pixels and an imaging plane is provided to share a circuit required for pixel constitution for the plurality of predetermined pixel constituting each one set.
２次元アレイ状に配列される複数の画素を、画素の配列パターンが同一となる所定の複数個の画素ずつを１組みとし、各１組みを構成する前記所定の複数個の画素に対して画素構成に必要な回路を共有する構成とされた撮像面を備える固体撮像素子を備える。 - 特許庁 - The solid state imaging device 10 photoelectrically converts light from a subject incident on a light incidence surface S1 (corresponding to the surface of a wiring layer 30) in the light receiving part 14 formed in the semiconductor substrate 12 to image the subject according to the magnitude of electric charges generated by the photoelectric conversion.
固体撮像装置１０は、光入射面Ｓ１（配線層３０の表面に相当）に入射した被撮像体からの光を、半導体基板１２中に形成された受光部１４内で光電変換し、その光電変換により発生した電荷の量の大小によって上記被撮像体を撮像する。 - 特許庁 - The method includes a step in which cells are identified (501) within a magnetoresistive solid-state storage device (100) having a failure behavior that has a tendency to stay in a particular magnetization orientation, a step in which a mapping (503) is conducted for an identified cell and a step in which failure behavior of the cell located at a place being mapped is compensated for (505).
本開示の方法は、特定の磁化方向に留まる傾向を有することを特徴とする故障挙動を有する磁気抵抗固体記憶素子内のセルを識別し（５０１）、該識別されたセルの場所をマッピングし（５０３）、該マッピングされた場所におけるセルの故障挙動を補償する（５０５）、という各ステップを含む。 - 特許庁 - This solid-state image pickup device comprises a projection 71a in a glass substrate 71 to closely attach an effective pixel area 75a of a CCD bare chip 75, bumps 74 conducting current between the CCD bare chip 75 and the wiring patterns 73 on the glass substrate 81, and a sealing mold S2 which adheres the periphery of bare chip 75 with the glass substrate 71.
ＣＣＤベアチップ７５の画素有効領域７５ａとガラス基板７１とを密着させる突起部７１ａと、ＣＣＤベアチップ７５とガラス基板８１の配線パターン７３との間を導通させるバンプ７４と、ＣＣＤベアチップ７５とガラス基板７１との外周寄りを接着する封止用樹脂Ｓ２とを備えている。 - 特許庁 - To provide a solid state imaging device with an excellent optical characteristics, together with a method for manufacturing it, wherein the characteristics of a micro lens and a color filter is not damaged even with a multilayer interconnection comprising a minuteness of element and additional function, the condensing effect with the micro lens is sufficiently exhibited while defectives such as color mixture of a color filter are settled.
素子の微細化や機能付加による多層配線化によっても、マイクロレンズやカラーフィルタの特性を損なわず、マイクロレンズによる集光効果を十分発揮させると共に、カラーフィルタの混色などの不具合を解消して、優れた光学特性を備えた固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously, the dynamic range of a solid-state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31.
これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 - 特許庁
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