「solid-state device」を含む例文一覧(5494)
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固体撮像素子（イメージセンサ）１の１つの受光面を少なくとも２つに分け、撮像レンズ部１０１からの光学像を各々の受光面に結像し、１つの受光面の読み出しを画素混合読み出しで、他方の読み出しを全画素読み出しでそれぞれ読み出すように駆動を切り替える。 - 特許庁 - This target device 5 is provided with a solid-state target 10 formed of a substance generating neutrons by being irradiated with a proton beam L, and a cooling plate 15 contacting the target 10, and is structured such that spiral grooves 17 closed by the target 10 and used for making cooling water W pass therethrough are formed on the cooling plate 15.
陽子線Ｌの照射を受けて中性子を発生する物質からなる固体状のターゲット１０と、ターゲット１０に接する冷却板１５とを備え、冷却板１５には、ターゲット１０によって塞がれると共に、冷却水Ｗが通過する螺旋溝１７が形成されているターゲット装置５とした。 - 特許庁 - Or this is a solid-state image pickup device where the unit cell consists of the effective region 13 for sensing light, the OB region 11 adjoining this effective region 13 and outputting dark voltage signals, and the dummy regions 12 and 60 adjoining this OB region 11 and absorbing the signals which leak from the opposite side from the OB region 11.
または、単位セルが、光を感知する有効領域と、この有効領域に隣接し、暗電圧信号を出力するＯＢ領域と、このＯＢ領域に隣接し、前記ＯＢ領域とは反対側から漏れてくる信号を吸収するダミー領域とからなることを特徴とする固体撮像装置。 - 特許庁 - The solid state imaging device 1 has the structure in which an independent first conductive type region 9 separated from a photodiode 5 and a transistor, is provided in at least a part of two or more pixels 1a, and the independent first conductive type region 9 is so provided that this region 9 continues between adjacent pixels and arranged unevenly in each pixel.
固体撮像装置１を、複数の画素１ａのうち、少なくとも一部において、フォトダイオード５及びトランジスタと分離された独立第１導電型領域９が設けられ、独立第１導電型領域９が、隣り合う画素間で連続して、かつ、各画素内では不均一に設けられた構成とする。 - 特許庁 - The solid-state imaging device comprises an MOS transistor T2 having a source connected with the drain of a MOS transistor T1 having a transfer gate connected with a buried photodiode PD, a MOS transistor T5 having a gate connected with the drain of the MOS transistor T1, and a capacitor C connected with the source of the MOS transistor T5.
埋込型フォトダイオードＰＤに接続された転送ゲートを備えたＭＯＳトランジスタＴ１のドレインにソースが接続されたＭＯＳトランジスタＴ２と、ＭＯＳトランジスタＴ１のドレインにゲートが接続されたＭＯＳトランジスタＴ５と、ＭＯＳトランジスタＴ５のソースに接続されたコンデンサＣと、を備える。 - 特許庁 - The solid state image pickup further comprises a light shield mask 150 formed on the low-pass filter, microlenses 160, a seal resin 170, a window 180 in the light shield mask, a transparent conductive film 190, an antireflection film 195, a device hole 210, a lead 220 for dropping the transparent conductive film to GND, and a conductive paste 230 for connecting the lead.
１５０はローパスフィルターに形成された遮光マスク、１６０はマイクロレンズ、１７０はシール樹脂、１８０は遮光マスクの窓部、１９０は透明導電膜、１９５は反射防止膜、２１０はデバイスホール、２２０は透明導電膜をＧＮＤに落とすリード、２３０はリードを接続する導電ペーストである。 - 特許庁 - This capsule type medical device is provided with the optical units 4 and 7 for respectively image-forming the image of the inside of the object on the light receiving surfaces of solid-state imaging elements 5 and 8, and the illumination substrates 19a and 19f where the openings for inserting the respective lens frames 4d and 7d of the optical units 4 and 7 are respectively formed.
本発明にかかるカプセル型医療装置は、被検体内部の画像を固体撮像素子５，８の受光面にそれぞれ結像する光学ユニット４，７と、光学ユニット４，７の各レンズ枠４ｄ，７ｄを挿入する開口部がそれぞれ形成された照明基板１９ａ，１９ｆと、を備える。 - 特許庁 - The solid-state image pickup device comprises a pixel portion 6 where multiple pixels 5 for converting a physical quantity into an electric signal are arranged two-dimensionally, a vertical signal line 10 for reading signals from the pixels 5, and a column circuit 11 arranged to correspond to the column of the pixel portion 6 and captures signals from the vertical signal line 10 in the pixel portion 6.
物理量を電気信号に変換する複数の画素５が２次元状に配列された画素部６と、画素５からの信号が読み出される垂直信号線１０と、画素部６の内部で垂直信号線１０から信号を取り込み、画素部６の列に対応して配列されたカラム回路１１とを有する。 - 特許庁 - To seal a pack opening section by press-fitting a sealing device 2 into a folded-up section after folding up the opening section 4 of a pack 8 (a bag having various quality of the material, size and shape) into which all kinds of materials in the state of liquid, gas and solid are put.
液体、気体、固体状の各種物体が投入されたパック８(様々な材質・大きさ・形状を有する袋)の開口部４を折り畳んだ後に、この折り畳まれた部分に密閉装置２を圧入式に嵌め付けてパック開口部の密閉を達成するパック密閉方法及びその密閉装置を提供する。 - 特許庁 - The solid-state imaging device 1 photoelectrically converts light from an object to be imaged incident into a rear surface S2 of the semiconductor substrate 10 in the semiconductor substrate 10 or in the semiconductor layer 20, and then receives signal charges generated by the photoelectric conversion by the light-receiving section 30 to image the object to be imaged.
固体撮像装置１は、半導体基板１０の裏面Ｓ２に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部または半導体層２０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した信号電荷を受光部３０で受けて上記被撮像体を撮像する。 - 特許庁 - The solid-state imaging device 101 capable of reading all picture elements contains picture element arrays arranged in lines with multiple picture elements (photo diode 121(122)), each having two lines of vertical charge-coupled devices (vertical CCDs) 141, 142 (143, 144).
全画素読み出し型の固体撮像素子１０１であって、複数の画素（フォトダイオード１２１（１２２））を配列した画素列が複数列に配列されていて、前記画素（フォトダイオード１２１（１２２））が１画素当たり２本の垂直電荷結合素子（垂直ＣＣＤ）１４１、１４２（１４３、１４４）を有することを特徴とする。 - 特許庁 - A second conductive type semiconductor region 21 is buried in a part of the inside of a sensor 11 composed of a first conductive type semiconductor region 4, and a joining capacity is formed by the second conductive type semiconductor region 21 and the first conductive type semiconductor region 4 to constitute the solid-state imaging device.
第１導電型の半導体領域４から成るセンサ部１１の内部の一部に、第２導電型の半導体領域２１が埋め込まれて形成され、この第２導電型の半導体領域２１と第１導電型の半導体領域４とにより接合容量が形成されている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁 - To suppress flickers appearing in video signals by the cyclic fluctuation of the light quantity of a fluorescent lamp in terms of a circuit and to enlarge an automatic light quantity control range at the time of automatically controlling the light quantity by using electronic shutter control and automatic gain control together in an image pickup device provided with a solid-state image pickup element.
固体撮像素子を備えた撮像装置において、自動光量制御を電子シャッター制御と自動利得制御とを併用しながら行うときに、蛍光灯の光量の周期的変動により映像信号に現れるフリッカの抑圧を回路的に行い、かつ自動光量制御範囲を拡大する。 - 特許庁 - In a method for driving the solid-state image sensing device provided with pixels which have photoelectric conversion parts 104 and 105 and output means 102 and 103 which output signals from photoelectric conversion parts, photoelectric charge stored in photoelectric conversion part during a storage period of one unit is divided and read out through output means.
光電変換部１０４，１０５と、光電変換部から信号を出力する出力手段１０２，１０３とを有する画素を備えた固体撮像装置の駆動方法において、一単位の蓄積期間中に光電変換部に蓄積された光電荷を分割して出力手段を介して読み出す。 - 特許庁 - In a solid state imaging device equipped with a multilayered charge transfer electrode, a multilayered polycrystalline silicon electrode is formed, a side wall insulating film is interposed between side walls, and a silicide film is formed in a self-aligned manner on the exposed surface of the polycrystalline silicon film coming up from the side wall insulating film.
多層電極構造の電荷転送電極を有する固体撮像素子において、複数層の多結晶シリコン電極を形成し、これらの側壁に側壁絶縁膜を介在させ、側壁絶縁膜から露呈する多結晶シリコン膜表面に自己整合的にシリサイド膜を形成したことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a new high sensitivity initiator which can produce a color filter for liquid crystal display having high color reproducibility in a short time exposure step and also provides color pixels having a good pattern profile even in a color filter for high resolution solid-state image sensing device, a pigment dispersion, and a colored photocurable composition.
高色再現性の液晶表示装置用カラーフィルタを短時間の露光工程で製造でき、また高解像度の固体撮像素子用カラーフィルタでもパターンプロファイルが良好な着色画素を提供する新規高感度開始剤、顔料分散液および着色光硬化性組成物を提供する。 - 特許庁 - In the cassette for detecting radiation 1 where the radiation solid state detector 10 being an imaging device is arranged in the housing where a frame 13 is stuck in upper and lower shell halves 11 and 12, four corners of the detector 10 are held by leaf springs 41 and 42 stuck to the frame 13.
上下シェルハーフ１１、１２内にフレーム１３が固着された筐体内に、撮像デバイスである放射線固体検出器１０と等が配置された放射線検出用カセッテ１において、放射線固体検出器１０の四隅を、フレーム１３に固着された板バネ４１および４２により挟持する。 - 特許庁 - In a solid-state image pickup device, provided with first and second retention volumes Cs and Cn, which respectively retain first and second signals read out from each pixel 300, the lengths (gate lengths L) of the volumes Cs and Cn in their widthwise directions are made longer than the arranging pitch of the pixels 300.
各画素３００から読み出される第１信号及び第２信号をそれぞれ保持する第１保持容量Ｃｓ及び第２保持容量Ｃｎを備えた固体撮像装置において、第１保持容量Ｃｓ及び第２保持容量Ｃｎの短手方向の長さ（ゲート長Ｌ）を、画素ピッチよりも長くする。 - 特許庁 - To provide an image data processing circuit and an image data processing method, capable of highly accurately determining a reference signal level equivalent to the black of images by suppressing the generation of line dependency or the like in dark current component signals included in image data outputted from a solid-state imaging device.
固体撮像素子から出力される画像データに含まれる暗電流成分信号に、ライン依存性等が発生することを抑えることで、高い精度で画像の黒に相当する基準信号レベルを決定することが可能な画像データ処理回路および画像データ処理方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a camera module which is connected to the main part of an electronic apparatus through the use of a flexible printed circuit board, the whole of which including the flexible printed circuit board can be shielded well, and moreover wherein a solid-state image pickup device can be shielded well from an image processing element, and an electronic apparatus on which the camera module is mounted.
カメラモジュールと電子機器本体との接続にフレキシブルプリント基板を使用し、フレキシブルプリント基板も含めてカメラモジュール全体を良好にシールド可能とし、更にカメラモジュール内部の固体撮像素子と画像処理素子間も良好にシールド可能なカメラモジュール及び、同カメラモジュールを搭載した電子機器を提供する。 - 特許庁 - A freely vertically movable and rotatably spindle 44 is disposed on the upper surface of a control base 43 provided with wheels 42, a supporting base 46 is mounted on the spindle 44 and a solid-state image pickup device 52 composed of a semiconductor two-dimensional sensor is freely openably and closably attached through a hinge 51 to the supporting base 46.
車輪４２を有する制御台４３の上面に上下動及び回転自在の支軸４４が設けられており、支軸４４上に支持台４６が設けられており、この支持台４６には蝶番５１を介して半導体二次元センサから成る固体撮像装置５２が開閉自在に取り付けられている。 - 特許庁 - In the solid-state imaging device in which an N-type photoelectric conversion region 403 is formed in a P^--type well region 402, a P^++-type hole storage region 407 is formed at a portion excluding the edge of the N-type photoelectric conversion region 403 and a P-type impurity region 430 is formed on a surface layer of the region including the edge.
Ｐ^-型ウェル領域４０２内にＮ型光電変換領域４０３が形成された固体撮像装置において、Ｎ型光電変換領域４０３の端部を除く部分にＰ^++型正孔蓄積領域４０７を、当該端部を含む領域の表層部上にＰ型不純物領域４３０を形成する。 - 特許庁 - The fuel cell power generation state display device is constructed of a fuel cell section that has a precious metal catalyst electrode and a polymer solid electrolyte and generates electricity by an alcoholic fuel, an operating section that operates by the electricity supplied from the fuel cell section, and an evaluation section that displays the relationship of the generation state of the fuel cell section and the operation of the operation section qualitatively and quantitatively.
貴金属触媒電極と高分子固体電解質とを具備しアルコール系燃料によって発電する燃料電池部と、当該燃料電池部から供給される電気によって作動する動作部と、当該燃料電池部の発電状態と当該動作部の動作との関係を定性的または定量的に表示する評価部とから燃料電池発電状態表示装置を構成する。 - 特許庁 - The solid-state solar photovoltaic generator circuit includes a source of activating radiation 14, a photodiode array 16 responsive to the radiation, a switching device 18 coupled to the photodiode array 16 for responding to an electrical signal therefrom, and a high-impedance resistor made of substantially single-crystal silicon, in which the high-impedance resistor is formed during formation of the switching device 18.
固体太陽光発電回路は、活性化放射線１４源と、該放射線に反応するフォトダイオード・アレイ１６と、フォトダイオード・アレイ１６に接続され、そこから受信した電気信号に反応するスイッチング・デバイス１８と、実質的に単結晶のシリコンで作製された高インピーダンス抵抗器を具備し、該高インピーダンス抵抗器はスイッチング・デバイス１８の形成中に形成される。 - 特許庁 - This volatile component extracting device is provided with a sample tube 10 for hosing a sample formed of the solid matter containing the volatile component, a gas-filling device 16 for filling the sample tube with an inert gas, a thermostatic chamber 12 for housing the sample tube for holding the sample housed in the sample tube at a predetermined temperature, and a canister 20 in a previously decompressed state selectively connected to the sample tube.
揮発性成分を含む固形物からなる試料を収納する試料管１０と、この試料管に不活性ガスを充填するガス充填装置１６と、前記試料管を収容して該試料管に収納された前記試料を所定の温度に保つ恒温槽１２と、予め減圧された状態で前記試料管に選択的に接続されるキャニスタ２０とを備える。 - 特許庁 - In the filter 3, various parameters such as the grating height h(x) and the grating cycle F of the grating 33 and a distance D between an image formation surface 41a on a solid-state image pickup device 41 and the grating 33 are properly adjusted, and cutoff frequency in MTF characteristic by the filter 3 by itself is larger than Nyquist frequency decided by the pixel pitch of the device 41.
このローパスフィルター３は、位相格子３３の格子高さｈ（ｘ）、その格子周期Ｆ、固体撮像素子４１上の結像面４１ａと位相格子３３との距離Ｄといった各種パラメータが適宜調整され、当該ローパスフィルター３単独でのＭＴＦ特性におけるカットオフ周波数が、固体撮像素子４１の画素ピッチにより定まるナイキスト周波数よりも大きいものである。 - 特許庁 - To provide a compact lithium vapor discharge device excellent in safety which is suitable for instantaneously and continuously vaporizing metal lithium from a solid state, can be used at a fixed position, has excellent resistance to vibration and durability at the time of launching or flying when mounted to a rocket, and has sure lithium discharge performance.
金属リチウムを固体状態から瞬時かつ持続的に気化させるのに適したリチウム蒸気放出装置を提供することであり、定置での使用は勿論、ロケットに搭載した際、打ち上げ時や飛翔時の耐振動性、耐久性に優れ、確実なリチウム放出性能を有し、小型で安全性に優れたリチウム蒸気放出装置を提供すること。 - 特許庁 - Related to a wavelength conversion laser device wherein a second harmonic generating wavelength conversion element comprising a non- linear element and a sum frequency generation wavelength conversion element 5 are inserted in a resonator comprising a solid-state laser active medium 2 to generate a sum frequency laser beam, at least one polarization direction rotating element 3 is provided in the resonator.
非線形素子で構成された第２高調波発生用波長変換素子、和周波発生用波長変換素子を固体レーザ活性媒質を含む共振器内に挿入して、和周波レーザビームを発生させる波長変換レーザ装置において、共振器内に少なくとも一個以上の偏光方向回転素子を配置した。 - 特許庁 - A dummy period is provided which does not contribute to readout processing and writing processing by extending cycles of a horizontal synchronizing signal supplied to a drive control section 96 (12c) at the same rate with the magnification of electronic zooming when pixel information is read out of a solid-state imaging device 10 in a horizontal scanning direction and the read-out pixel information is written in a line buffer memory 312.
水平走査方向に画素情報を固体撮像素子１０から読み出したり、読み出した画素情報をラインバッファメモリ３１２に書き込んだりする際に、電子ズームの倍率と同じ割合で駆動制御部９６（１２ｃ）へ供給される水平同期信号の周期を延長して、読出処理や書込処理に寄与しないダミー期間を設ける。 - 特許庁 - Both of a rear group lens 112 and a focus lens 113 are rotated between a position on the optical axis and a retreat position close to a recessed part 104 beside a CCD solid-state imaging device 120, or between the position on the optical axis and a retreat position where a front group lens 111, the rear group lens 112 and the focus lens 113 are arranged on nearly the same plane.
後群レンズ１１２とフォーカスレンズ１１３の双方を、光軸上の位置と、ＣＣＤ固体撮像素子１２０の脇の窪み部分１０４に入り込んだ退避位置との間、あるいは、光軸上の位置と、前群レンズ１１１、後群レンズ１１２、およびフォーカスレンズ１１３がほぼ一平面上に並んだ退避位置との間で旋回させる。 - 特許庁 - A preamplifier section (column region section) 61 of a solid-state imaging device 10 is provided with a pixel signal control section 200 wherein a pixel signal detection section 210 independently detects the level of each pixel signal at the output side of pixel signal amplifier sections 230 and independently sets a gain to each of the pixel signal amplifier sections 230 in accordance with the level of the signal.
固体撮像素子１０のプリアンプ部（カラム領域部）６１に、垂直信号線１５８ごとに、画素信号検出部２１０にて各画素信号の大きさを画素信号増幅部２３０の出力側で独立に検出し、この信号の大きさに応じて独立に画素信号増幅部２３０に対してゲインを設定する画素信号制御部２００を設ける。 - 特許庁 - The solid-state imaging device includes: the imaging area 10 where the unit pixels 11 are arranged in two dimensional matrix; a vertical line drive means for driving the unit pixels based on the line and setting the signal accumulation time in the photoelectric conversion means of the driven unit pixels; and an accumulation time control means 23 for variably controlling the signal accumulation time based on line unit.
単位画素１１が二次元の行列状に配置された撮像領域１０と、単位画素を行単位で駆動し、駆動される単位画素内の光電変換手段における信号蓄積時間を設定する垂直ライン駆動手段と、信号蓄積時間を行単位で可変制御する蓄積時間制御回路２３とを具備する。 - 特許庁 - To provide a duty correction circuit, delay locked loop (DLL) circuit, column A/D converter, solid-state imaging device and camera system in which one element is enabled to deal with both the cases where a duty ratio is greater and smaller than 50%, and not only the number of elements but also the number of times of switching can be reduced, thereby reducing current consumption.
デューティ比が５０％より大きい場合も小さい場合も両方を一つの素子で対応が可能であり、素子数を削減できるだけではなく、スイッチング回数を削減することが可能で、消費電流を削減することができるデューティ補正回路、ＤＬＬ回路、カラムＡ／Ｄ変換器、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁 - A solid state image pickup device includes: a photoelectric conversion section (11) having a plurality of photodiodes; a CCD section (12) supplying a signal charge supplied from the photoelectric conversion section (11) to a charge detection section (14); and a charge storage section (13) provided between the photoelectric conversion section (11) and the CCD section (12) and storing the signal charge.
複数のフォトダイオードを有する光電変換部（１１）と、光電変換部（１１）から供給される信号電荷を電荷検出部（１４）に供給するＣＣＤ部（１２）と、光電変換部（１１）とＣＣＤ部（１２）との間に設けられ、信号電荷を蓄積する電荷蓄積部（１３）とを具備する固体撮像装置を構成する。 - 特許庁 - The solid-state imaging device has: a first semiconductor region 23 of a first conductivity type; a photoelectric conversion unit PD having a second semiconductor region 25 of a second conductivity type that is formed in a region isolated by an element isolation region 28 in the first semiconductor region; and pixel transistors (Tr1 to Tr4) formed in the first semiconductor region.
第１導電型の第１の半導体領域２３と、第１の半導体領域の素子分離領域２８で分離された領域内に形成された第２導電型の第２の半導体領域２５を有する光電変換部ＰＤと、第１の半導体領域に形成された画素トランジスタ（Ｔｒ１〜）Ｔｒ４）を有する。 - 特許庁 - To provide a preparation method of a color curable composition excellent in dispersibility and dispersion stability; and to provide a color curable composition obtained by the method, a method for producing a color filter having high color purity and reduced color unevenness, a color filter obtained by the production method, and a solid-state imaging device having high resolution.
分散性、分散安定性に優れた着色硬化性組成物の調製方法を提供し、それによって得られた着色硬化性組成物を提供し、また、色純度が高く、色ムラ発生が抑えられたカラーフィルタの製造方法を提供し、それによって得られたカラーフィルタを提供し、さらに高解像度の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing a solid-state imaging device includes: a step for forming an imaging area and a peripheral circuit area on a substrate; a step for forming a plurality of wiring patterns so that the wiring pattern density of the peripheral circuit area may be higher than that of the imaging area; and a step for forming an insulation film to embed among the wiring patterns.
本発明の固体撮像装置の製造方法は、基板上に撮像領域と周辺回路領域を形成する工程と、撮像領域よりも周辺回路領域の配線パターン密度が高くなるように複数の配線パターンを形成する工程と、配線パターンの間を埋め込む絶縁膜を形成する工程を有する。 - 特許庁 - The solid-state image pickup device includes a pixel region used to generate pixels, the black reference region provided outside the pixel region, and a dummy region provided between the black reference region and the pixel region, and including a light shield pattern 113A for blocking light 10 entering the black region from the pixel region.
固体撮像装置は、画素の生成に使用される画素領域と、前記画素領域の外側に設けられた黒基準領域と、前記黒基準領域と前記画素領域との間に設けられ、前記画素領域から前記黒領域に侵入する光１０を遮光するための遮光パターン１１３Ａを含むダミー領域とを具備している。 - 特許庁 - A solid state imaging device includes: a transfer gate 32 transferring signal charges accumulated in the photon-to-current conversion part to the charge-to-voltage conversion part 26; wiring 42 for outputting a signal voltage generated in the charge-to-voltage conversion part 26; and a relay electrode 38 relaying electric connection between the charge-to-voltage conversion part 26 and the wiring 42.
本発明の固体撮像装置は、光電変換部に蓄積された信号電荷を電荷電圧変換部２６に転送する転送ゲート３２と、電荷電圧変換部２６で生成された信号電圧を出力するための配線４２と、電荷電圧変換部２６と配線４２との電気的な接続を中継する中継電極３８とを備える。 - 特許庁 - The solid-state imaging device including a photoelectric conversion part (1) having a photodiode, a charge storage part (3), a charge transfer part (5), a first control gate part (2) provided between the photoelectric conversion part (1) and the charge storage part (3), and a second control gate part (4) provided between the charge storage part (3) and the charge transfer part (5), is constituted.
フォトダイオードを有する光電変換部（１）と、電荷蓄積部（３）と、電荷転送部（５）と、その光電変換部（１）とその電荷蓄積部（３）との間に設けられた第１制御ゲート部（２）と、その電荷蓄積部（３）とその電荷転送部（５）との間に設けられた第２制御ゲート部（４）とを具備する固体撮像装置を構成する。 - 特許庁 - A solid-state image pickup device 2 comprises a plurality of photoelectric transducer elements 106 which are arranged in proximity to each other on a silicon semiconductor substrate 104, with each photoelectric transducer element 106 comprising a p-type region 115 and an n-type region 116 which are locally deposited in layers on the surface of the semiconductor substrate 104.
固体撮像素子２は、シリコンから成る半導体基板１０４上に相互に近接して配列された複数の光電変換素子１０６を備え、各光電変換素子１０６は半導体基板１０４の表面部に局所的に積層されたｐ型領域１１５およびｎ型領域１１６を含んで構成されている。 - 特許庁 - A solid state image pickup device is composed by forming a plurality of imaging pixels 100 with a semiconductor substrate 101 as a base, and each imaging pixel 100 includes a photoconductive film 126 for photoelectrically converting incident light and generating signal charges, and a storage diode 104 formed inside the semiconductor substrate 101 for storing the charges generated in the photoconductive film 126.
固体撮像装置は、半導体基板１０１をベースに、複数の撮像画素１００が形成されてなり、各撮像画素１００は、入射光を光電変換して信号電荷を生成する光導電膜１２６と、半導体基板１０１内に形成され、光導電膜１２６で生成された電荷を蓄積する蓄積ダイオード１０４と、を有する。 - 特許庁 - By converting an output voltage obtained from the floating diffusion of a solid-state imaging device into current signals, shifting a DC level by using the current signals, lowering the power supply voltage and outputting it from a drive circuit, the power supply voltage of the output buffer circuit is lowered and power consumption is reduced without lowering the conversion efficiency and the frequency characteristics.
固体撮像素子のフローティングディフュージョンから得られる出力電圧を電流信号に変換し、該電流信号を用いて直流レベルシフトして電源電圧を下げて駆動回路から出力することにより、変換効率や周波数特性を低下させることなく、出力バッファ回路の電源電圧を下げて消費電力を削減する。 - 特許庁 - In a 2nd linear matrix compensation part 50 of the solid state imaging device 10, color shading compensation is made by subtracting a value multiplied a predetermined matrix factor to outputs of green pixels neighboring to one side of red pixels from outputs of red pixels, and subtracting a value multiplied a predetermined matrix factor to outputs of green pixels neighboring to blue pixels from outputs of blue pixels.
固体撮像装置10は、第２のリニアマトリクス補正部50において、赤画素の片側に近接する緑画素の出力に所定のマトリクス係数を乗算した値を、赤画素の出力から減算し、青画素の片側に近接する緑画素の出力に所定のマトリクス係数を乗算した値を、青画素の出力から減算して色シェーディング補正する。 - 特許庁 - In a MOS type solid-state imaging device, a photodiode element 102 is formed in a particular shape such as H-shape, X-shape, and ring-shape optimized for obtaining a diffusion of electron-hole pairs in a substrate, rather than directly obtaining an electric charge by improving an aperture rate, and by reducing a capacitance, a high photoelectric conversion efficiency is realized.
ＭＯＳ型固体撮像素子において、フォトダイオード素子１０２が、開口率を向上させて電荷を直接得るよりもむしろ、基板中の電子正孔対の拡散を得るために最適化された、Ｈ字状、Ｘ字状，リング状など特殊な形状に形成されており容量を低減させることにより光電変換効率を向上させる。 - 特許庁 - To provide a highly sensitive and highly reliable solid state imaging element by flattening a surface without generating the deterioration of an yield while securing the degree of freedom in a process as it is, and improving the working accuracy of a photodiode unit even upon microfabrication, pixel increasing and enlarging, in an electric charge transfer device employing an electric charge transfer electrode of a single layer structure.
単層構造の電荷転送電極を用いた電荷転送装置において、微細化、多画素化、大型化に際しても、工程の自由度を確保したままで歩留まり低下を生じることなく、表面の平坦化をはかり、フォトダイオード部の加工精度の向上をはかることにより、高感度で信頼性の高い固体撮像素子を提供する。 - 特許庁 - The drive circuit of the solid-state imaging device has a multinomial operation part (17) for carrying out a multinomial operation of a first order or more, an operation control part (16) for generating a variable of the multinomial to control the multinomial operation part, and a pulse generation part (14) for generating a pulse based on a multinomial operation result in the multinomial operation part.
１次以上の多項式の演算を行う多項式演算部（１７）と、前記多項式の変数を発生し前記多項式演算部の演算を制御する演算制御部（１６）と、前記多項式演算部の多項式の演算結果を基にパルスを生成するパルス生成部（１４）とを有することを特徴とする固体撮像素子の駆動回路が提供される。 - 特許庁 - The solid state imaging device comprises a plurality of light receiving portions 5 arranged on a substrate 10, a plurality of microlenses 50 arranged on the substrate 10 in correspondence with the light receiving portions 5, and a transparent film 60 formed on the microlense 50 and having a refractive index lower than that of the microlense 50 wherein the surface of the transparent film 60 has a curved surface shape.
本実施形態に係る固体撮像装置は、基板１０に配置された複数の受光部５と、受光部５に対応して基板１０上に配置された複数のマイクロレンズ５０と、マイクロレンズ５０上に形成され、マイクロレンズ５０よりも低い屈折率をもつ透明膜６０とを有し、透明膜６０の表面が、曲面形状をもつ。 - 特許庁 - The solid-state image pick-up device comprises a photoelectric conversion unit PD, and a plurality of disposed unit pixels 35 each having a transfer transistor 32 for reading out a signal charge accumulated in the photoelectric conversion unit PD, wherein a gate electrode 45 on the active region of the transfer transistor 32 is formed to have two kinds or more of gate lengths g1, g2.
光電変換部ＰＤとこの光電変換部ＰＤに蓄積された信号電荷を読み出す転送トランジスタ３２を有する単位画素３５が複数配列されてなる固体撮像装置であって、転送トランジスタ３２の活性領域上のゲート電極４５が、２種類以上のゲート長ｇ１，ｇ２を有するように形成されている。 - 特許庁 - A solid-state imaging device includes: a pixel array unit having plural pixels arranged in a row direction and a column direction; a weighted addition unit performing weighted addition on pixel signals read out from the plural pixels as analog signals; an A/D converter performing A/D conversion of the pixel signals on which weighted addition is performed; and a computing unit computing the A/D converted pixel signals.
個体撮像デバイスに、行方向および列方向に配列された複数の画素を有する画素アレイ部と、複数の画素から読み出された画素信号をアナログ信号として加重加算する加重加算部と、加重加算された画素信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換部と、Ａ／Ｄ変換された画素信号を演算する演算部とを設ける。 - 特許庁
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