「structure memory」を含む例文一覧(1752)
＜前へ 1 2 .... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 .... 35 36 次へ＞- To provide a cross point memory structure having a low crosstalk and electric resistance characteristics.
クロストークが低い、電気的な抵抗特性を有するクロスポイントメモリ構造を提供すること。 - 特許庁 - To provide a wiring and structure suitable for a synchronous dynamic random access memory (SDRM) circuit.
同期式ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＳＤＲＡＭ）回路に好適な配線及び構造を提供する。 - 特許庁 - To reduce the size of a semiconductor device of multilevel metallization structure having a plurality of memory blocks.
複数のメモリブロックを有する多層配線構造の半導体装置を小型化する。 - 特許庁 - Flash memory devices having the same internal structure can configure a parity group.
同一の内部構成を有するフラッシュメモリデバイスでパリティグループを構成することができる。 - 特許庁 - BIT SYMBOL RECOGNITION METHOD AND STRUCTURE FOR MULTIPLE BIT STORAGE IN NON-VOLATILE MEMORY
ビットシンボル認識方法及び非揮発性メモリに複数個のビットを格納するための構造 - 特許庁 - A method for controlling a static random access memory device adopting twin cell structure is provided.
ツインセル構造を採用するスタティックランダムアクセスメモリ装置を制御する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a nonvolatile memory element containing a local SONOS structure.
局部的ＳＯＮＯＳ構造を有する不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory element having a SONOS structure.
ＳＯＮＯＳ構造を有する不揮発性メモリ素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a card connector to which memory cards of different kinds can be connected in a simple structure.
簡単な構造で種類の異なるメモリカードを接続可能なカードコネクタを提供する。 - 特許庁 - MAGNETIC MEMORY STRUCTURE, TUNNEL MAGNETO-RESISTANCE EFFECT TYPE REPRODUCING HEAD, AND THEIR MANUFACTURING METHOD
磁気メモリ構造およびトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッドならびにそれらの製造方法 - 特許庁 - To provide a shape memory alloy actuator of a simple structure and easy for assembling.
構造が簡単で、組み立て容易な形状記憶合金アクチュエータを提供することである。 - 特許庁 - To provide a technology for optimizing a memory structure in consideration of power consumption.
消費電力を考慮してメモリ構造を最適化するための技術を提供する。 - 特許庁 - MULTI-LEVEL LOGIC-IN-MEMORY STRUCTURE VLSI BEING WRITABLE AT HIGH SPEED USING FERROELECTRIC DEVICE
強誘電体デバイスを用いた高速書込み可能多値ロジックインメモリ構造ＶＬＳＩ - 特許庁 - The difference of the level in a capacitor is removed by constituting a memory cell capacitor into planar capacitor structure.
メモリセルキャパシタをプレーナ型キャパシタ構造とすることにより、キャパシタ段差をなくす。 - 特許庁 - FLASH MEMORY COMPRISING LOCAL SONOS STRUCTURE UTILIZING NOTCH GATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
ノッチゲートを利用したローカルＳＯＮＯＳ構造を有するフラッシュメモリ及びその製造方法 - 特許庁 - A second data structure may include a plurality of internal memory units for validating individual address designation.
第２データ構造は、複数の個別アドレス指定可能内部メモリユニットを含んでよい。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile memory having a floating gate structure, and to provide a process for fabricating the same.
浮遊ゲート構造を有する不揮発性メモリおよびその製造プロセスを提供する。 - 特許庁 - The electrode 8a of the memory element 8 is arranged near the vessel-side fixing structure 7.
記憶素子８の電極８ａは、容器側固定構造７の近傍に配置されている。 - 特許庁 - CAPACITOR PROTECTIVE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND FERROELECTRIC MEMORY USING THE SAME
キャパシタの保護構造及びその製造方法及びこれを用いた強誘電体メモリ - 特許庁 - VECTOR DATA PROCESSOR AND MEMORY CLEAR SYSTEM FOR VECTOR DATA PROCESSOR IN MULTIPROCESSOR STRUCTURE
ベクトルデータ処理装置およびマルチプロセッサ構成におけるベクトルデータ処理装置のメモリクリア方式 - 特許庁 - GATE STRUCTURE OF FLASH MEMORY CELL, METHOD OF FORMING SAME, AND METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM FOR SAME
フラッシュメモリセルのゲート構造とその形成方法及び誘電体膜形成方法 - 特許庁 - Memory control logic is provided so as to cope with a structure having less random access memory (RAM) relatively compared with reprogrammable nonvolatile memory and improve access to the reprogrammable nonvolatile memory.
再プログラム可能不揮発性メモリに比較して相対的に少ないランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）を有する構成に対処するため、及び該再プログラム可能不揮発性メモリへのアクセスを改善するためにメモリ制御論理が提供される。 - 特許庁 - To provide a ferroelectric nonvolatile memory cell in a novel structure in which memory cells are integrated with high density, and to provide a high-density ferroelectric memory cell array using the ferroelectric nonvolatile memory.
メモリセルを高密度に集積することのできる新規な構造の強誘電体不揮発性メモリセルを提供するとともに、この強誘電体不揮発性メモリを用いた高密度強誘電体メモリセルアレイを提供する。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile ferroelectric memory control device used for controlling internal memory dump when a ferroelectric memory is used as an internal memory in a SOC (System On a Chip) structure.
本発明は、システムオンチップ（ＳＯＣ：Ｓｙｓｔｅｍ Ｏｎ ａ Ｃｈｉｐ）構造で強誘電体メモリが内部メモリに用いられる場合内部メモリダンプを制御するための不揮発性強誘電体メモリ制御装置に関する。 - 特許庁 - The memory structure (20) is constituted of the memory storage element (23), the control element (25) comprising a tunnel-junction device electrically coupled to the memory storage element and configured to control the state of the memory storage element, and a reference element (930).
メモリ構造(20)は、メモリ記憶素子(23)と、メモリ記憶素子に電気的に結合され、かつ、メモリ記憶素子の状態を制御するよう構成されたトンネル接合デバイスからなる制御素子(25)と、基準素子(930)とから構成される。 - 特許庁 - To provide a memory management server and method, and a program, allowing high-speed retrieval by constructing, in a storage device of an application server, a shared memory area (a memory image file) holding a memory structure used by an application program.
アプリケーションサーバの記憶装置にアプリケーションプログラムが利用するメモリ構造を保持した共有メモリ領域（メモリイメージファイル）を構築し、高速検索を可能とするメモリ管理サーバ、方法及びプログラムを提供する。 - 特許庁 - The flash memory device utilizes a part of a memory area in the dual port memory as the working memory, accordingly, a circuit structure may be simplified and the chip size thereof may be reduced.
前記フラッシュメモリ装置は、前記デュアルポートメモリの一部領域をワーキングメモリとして使用することによって、メモリコントローラにワーキングメモリを具備しなくても良いので、回路構成が簡単になり、かつチップサイズが減少する。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory device which has a good-quality structure in which memory cells are arranged three-dimensionally and to provide a method for manufacturing it.
メモリセルを３次元的に配置した、良質な構造を有する不揮発性半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory device of a structure having three-dimensionally stacked memory cells which reduces a manufacturing cost.
本発明は、メモリセルを３次元的に積層した構造であって、製造コストを抑えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To make needs for internal memory capacity small by a drive control element in an access structure of the memory in a drive control element concerning the invention.
本発明に係るドライブ制御素子内のメモリのアクセス構造は、ドライブ制御素子が内部メモリの大きさへのニーズを小さくする。 - 特許庁 - To provide a structure and a method for increasing the operational speed of an memory array, and reducing the entire programming time of the memory array.
メモリアレイの動作速度を増大させると共に、メモリアレイの全プログラミング時間を短縮するための、構造および方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device wherein desired voltage can be supplied to a memory cell even while obtaining accurate wiring structure.
正確な配線構造を得つつも、メモリセルに対し所望の電圧を供給することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a connector for memory card capable of surely drawing out, using a simple structure a memory card (10) inserted into a connection position.
簡単な構成で、確実に接続位置に挿入されたメモリーカード（１０）を引き出すことができるメモリーカード用コネクタを提供する。 - 特許庁 - To provide a method and computer-readable medium for saving the contents of a memory structure stored in a volatile memory.
揮発性のメモリ内に格納されたメモリ構造体の内容を保存するための方法およびコンピュータ読取り可能媒体を提供する。 - 特許庁 - In the case of a structure of the electronic camera where a plurality of memory cards can be mounted onto the camera, the monitor 30 displays the operating state of each memory card.
カメラに複数のメモリカードを装着し得る構造の場合、各メモリカードの使用状況がモニタ装置３０に表示される。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a non-volatile memory apparatus including a self-aligned gate structure, and to provide the memory apparatus manufactured thereby.
自己整列されたゲート構造を含む不揮発性メモリ装置の製造方法及びこれによる不揮発性メモリ装置を提供する。 - 特許庁 - A row pointer 16 that changes in accordance with wordlength, a left memory 12, a right memory 14 and column pointers 20, 22, 26 and 28 are in a repeated structure.
ワード長に応じて変化するロウポインタ１６、レフトメモリ１２、ライトメモリ１４、カラムポインタ２０、２２、２６、２８を繰り返し構造とする。 - 特許庁 - The file structure of the data storage part of the IC module has an upper limit value and is connected to the file structure of the virtual memory module.
ＩＣモジュールのデータ蓄積部のファイル構造には上限値があり、仮想メモリ・モジュール側のファイル構造に接続されている。 - 特許庁 - Furthermore, the operating instructions of programmed write-in, delete, and read-out corresponding to the flash memory structure and relevant to the structure are provided.
このほか、該フラッシュメモリセル構造に対応し、関連するプログラム化書き込み、抹消及び読み取りの操作方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a huge electric resistance memory device as a manganese oxide memory device having a huge electric resistance memory function which can be configured of manganese oxide having a crystal structure which is not a conventional 113 type crystal structure.
巨大電気抵抗メモリ機能を有するマンガン酸化物メモリ素子であって、従来の１１３型結晶構造ではない結晶構造をもつマンガン酸化物で構成することができる巨大電気抵抗メモリ素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a structure utilizing a conventional structure of a TFT, as it is, and capable of forming a nonvolatile memory in the same substrate, and providing a further compact and high-reliability nonvolatile memory.
ＴＦＴの従来構造をそのまま生かした構造で同一基板内に不揮発性メモリを形成することができ、よりコンパクトな信頼性の高いものを得る構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a chip selection switching circuit and a memory structure automatic identifying method, capable of realizing terminal functions by the same program, even in the case of different memory structure.
本発明は、異なるメモリ構成であっても同一のプログラムで端末機能を実現できるチップセレクト切り替え回路及びメモリ構成自動識別方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - A policy client module retrieves the request from the common data structure in the shared memory, obtains the SD for the PDF print data from a policy server, and stores the SD in the common data structure in the shared memory.
ポリシークライアントモジュールは、共用メモリの共通データ構造からリクエストを取り出し、PDF印刷データのSDをポリシーサーバから取得し、そのSDを共用メモリの共通データ構造に格納する。 - 特許庁 - In one chip LSI with a logic region and a memory region, a passivation film of a chip surface has a two-layer structure (64, 65) in the memory region and a one-layer structure (65) in the logic region.
ロジック領域及びメモリ領域を有する１チップＬＳＩにおいて、チップ表面のパッシベーション膜が、メモリ領域で２層構造（６４、６５）、ロジック領域で１層構造（６５）である。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile memory device having a stacked structure of which the degree of integration is enhanced by simplifying the arrangement and coupling of a cell array of a stacked structure and peripheral circuits, and to provide a memory card and a system.
積層構造のセルアレイと周辺回路との配置及び連結とを単純化して、集積度を高めた積層構造の不揮発性メモリ装置、メモリカード及びシステムを提供する。 - 特許庁 - To provide a single layer polysilicon flash memory operating with a low voltage in which interference is supressed while lowering power consumption, and to provide the structure of a flash memory and an array structure.
本発明は、低消費電力であり、干渉が少なく、低電圧で使われる単層多結晶シリコンフラッシュメモリ、フラッシュメモリセルの構造及びアレイ構造を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a convenient, high capacity and low power consumption nonvolatile memory element by employing a stack structure of nonvolatile memory elements and arranging a recording material on the side face of the stack structure, and to provide a nonvolatile memory circuit, a nonvolatile memory card and a recorder employing them.
不揮発性記憶素子を積層構造とし、かつ、積層構造の側面に記録材料を配設することにより、大容量、低消費電力であり、かつ、利便性に優れた不揮発性記憶素子、不揮発性記憶回路、不揮発性記憶カード、及び、それらを用いた記録装置を提供することにある。 - 特許庁 - The central processing unit includes memory structure determination functions (101 to 105) which calculate and evaluate power consumption on the basis of information (11 to 14) necessary for determining a memory configuration to group arrays to be mounted on a memory module and determine a memory structure on the basis of the grouping.
上記中央処理装置は、メモリ構成の決定に必要とされる情報（１１〜１４）に基づいて、消費電力を計算し、評価することで、メモリモジュールへ実装される配列のグルーピングを行い、それに基づいてメモリ構造を決定するメモリ構造決定機能（１０１〜１０５）を含む。 - 特許庁 - One bit constituting a memory is constituted of a plurality of memory cells 1 to 4, the memory cell has the same structure as a memory cell of the main memory, the memory cell for management of the nonvolatile semiconductor memory apparatus in which either of bit lines 8 out of adjacent bit lines is always not selected in reading is manufactured on one chip by the same process with the main memory.
メモリを構成する１ビットは、複数個のメモリセル１〜４で構成され、該メモリセルは、メインのメモリのメモリセルと同一の構造を有し、隣接するビットの隣接ビット線のいずれか一方のビット線８は、読み出し時において常時非選択となる不揮発性半導体記憶装置が、メインのメモリと共に同一のプロセスにより１チィップ上に作製されて構成される。 - 特許庁 - By introducing a hierarchical structure to memory areas on the IC card, respective applications allocated to the memory areas are registered in directories, and the memory areas are managed by directories.
ＩＣカード上のメモリ領域に階層構造を導入することにより、メモリ領域上に割り当てられた各アプリケーションをディレクトリに登録して、ディレクトリ毎にメモリ領域を管理する。 - 特許庁
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