「structure memory」を含む例文一覧(1752)

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  • To provide a connector for a memory card capable of secure the insertion and removal of a memory card and having a lock mechanism of a simpler structure.
    メモリカードの着脱が確実であり、又、より簡易な構成のロック機構を有するメモリカード用コネクタを提供する。 - 特許庁
  • To provide a multi-bits flash memory device having a memory cell structure in which multi-bit performances more than 2 bits can be realized.
    ２ビットより多くのマルチビット動作を具現できるメモリセル構造を有するマルチビットフラッシュメモリ素子を提供する。 - 特許庁
  • The nonvolatile semiconductor memory device having a dummy bit line structure where data reading accuracy of memory cells is improved is disclosed.
    メモリセルのデータ読み取り精度が改善されるダミービット線構造の不揮発性半導体メモリ装置が開示される。 - 特許庁
  • To provide a suitable technique for enhancing a regularity of a structure of a memory array of a nonvolatile semiconductor memory device.
    不揮発性半導体記憶装置のメモリアレイの構造の規則性を向上するための好適な技術を提供する - 特許庁
  • To provide a channel write/erase flash memory structure of a flash memory cell, to provide its manufacturing method, and an operating method.
    フラッシュメモリセルの正常なチャネル書き込み／消去フラッシュメモリ構造と、その製造方法、及び操作方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a recording tape cartridge having holding structure capable of holding a memory board stably without deforming the memory board.
    メモリーボードを変形させることなく、安定して保持できる保持構造を有する記録テープカートリッジの提供を課題とする。 - 特許庁
  • The phase change memory includes two phase change layers and electrodes which are arranged in a parallel structure to form a memory cell.
    相変化メモリは、２個の相変化層と電極を含み、メモリセルを形成するために並列構造で構成される。 - 特許庁
  • NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, STRUCTURE OF ITS LOCAL ROW DECODER, SEMICONDUCTOR MEMORY, AND WORD LINE DRIVING METHOD FOR THE DEVICE
    不揮発性半導体メモリ装置、そのローカルロウデコーダ構造、及び半導体メモリ装置、同装置でのワードライン駆動方法 - 特許庁
  • To propose a magnetic random access memory (MRAM) having a cell array structure suitable for high integration of a cell.
    セルの高集積化に適したセルアレイ構造のＭＲＡＭを提案する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory with a new cell structure.
    新規なセル構造を備えた不揮発性メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a memory structure achieving a storage mechanism with a large capacity at a low cost.
    低コストで大容量の記憶機構を達成するメモリ構造を提供する。 - 特許庁
  • PROGRAMMABLE ROM SYSTEM, MEMORY CELL STRUCTURE THEREFOR, AND DATA WRITING AND READING METHOD
    プログラマブルＲＯＭシステムとメモリセル構造及びデータ書込み及び読出し方法 - 特許庁
  • A device based on a memory cell, an array structure, and its manufacturing method are also provided.
    さらに、メモリセルおよびアレイ構造に基づく装置およびその製造方法。 - 特許庁
  • DISTRIBUTED SHARED MEMORY MULTIPLEX PROCESSOR SYSTEM HAVING DIRECTION-SEPARATED DUPLEX RING STRUCTURE
    方向分離二重リング構造を有する分散共有メモリ多重プロセッサシステム - 特許庁
  • At least one data structure (200) is assigned to a computer memory (102).
    少なくとも１つのデータ構造体（２００）をコンピュータメモリに割り当てる（１０２）。 - 特許庁
  • DIGITAL CRT TELEVISION AND STRUCTURE AND METHOD FOR REWRITING PACKAGED MEMORY
    デジタルＣＲＴテレビ、実装メモリ書き換え構造、及び実装メモリ書き換え方法 - 特許庁
  • The memory part 20 has a multilayer structure in which a plurality of thin films are layered.
    メモリ部２０は、複数の薄膜が積層された多層構造を有している。 - 特許庁
  • and the system does not have enough memory to allocate the undo structure.
    が指定されたが、システムにアンドゥ構造体に割り当てる十分なメモリがない。 - JM
  • Obtain a stat structure that describes the shared memory object.
    その共有メモリオブジェクトについての情報が入ったstat構造体を取得する。 - JM
  • To provide a non-volatile memory device having a novel structure which does not conventionally exist.
    従来にない新規な構造を有する不揮発性メモリ装置を提供する。 - 特許庁
  • CONNECTOR CONNECTING STRUCTURE, ATTACHING SIDE DEVICE, ATTACHED SIDE DEVICE, AND EXTERNAL MEMORY DEVICE
    コネクタ接続構造、装着側装置、被装着側装置および外部記憶装置 - 特許庁
  • The client includes a memory having an application and a data structure stored therein.
    クライアントは、アプリケーションおよび格納されるデータ構造を有するメモリを有する。 - 特許庁
  • A buffer memory structure is configured to receive data from raw image files.
    バッファメモリ構造がデータを生イメージファイルから受信するよう構成されている。 - 特許庁
  • ELECTRONIC UNIT SECURING STRUCTURE AND MEMBER, MEMORY FOR PORTABLE TERMINAL
    電子機器固定構造、電子機器固定部材および携帯端末用記憶装置 - 特許庁
  • To disclose a semiconductor memory device capable of adjusting input/output bit structure.
    入出力ビット構造を調節し得る半導体メモリ装置が開示される。 - 特許庁
  • STRUCTURE OF MEMORY DEVICE EQUIPPED WITH SILICON RICH SILICON OXIDE FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD
    シリコンリッチ酸化ケイ素膜を備えるメモリ素子の構造及びその製造方法 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS HAVING DATA BUS STRUCTURE FOR REDUCING HIGH FREQUENCY NOISE
    高周波雑音を減少させるデータバス構造を有する半導体メモリ装置 - 特許庁
  • NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY CELL HAVING MULTILAYER STRUCTURE AND STORAGE CIRCUIT BLOCK USING THE SAME
    多層構造の不揮発性磁気メモリ・セル及びそれを用いた記憶回路ブロック - 特許庁
  • MEMORY CELL USING GATE CONTROL DIODE AND ITS USAGE, SEMICONDUCTOR STRUCTURE
    ゲート制御ダイオードを使用するメモリ・セルおよびこれの使用方法、半導体構造 - 特許庁
  • To free the memory allocated to this structure, use XFree.
    この構造体に対して割り当てられたメモリを解放するには、XFreeを使用すること。 - XFree86
  • To provide a flash memory device having a split string selection line structure.
    分離されたストリング選択ライン構造を有するフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁
  • To simplify a circuit structure of a field memory having a register block and a sub-register block.
    レジスタブロックとサブレジスタブロックを有するフィールドメモリの回路規模を簡素化する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device provided with a memory cell structure which can be miniaturized.
    微細化が可能であるメモリセル構造を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • HYBRID MULTI-BIT NON-VOLATILE MEMORY DEVICE OF NOR STRUCTURE AND OPERATING METHOD THEREOF
    ＮＯＲ構造のハイブリッドマルチビットの不揮発性メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁
  • To efficiently make a memory region available even when base point data are present on a specific data structure (for example, a circulation structure, list structure).
    基点データが特定のデータ構造（例えば循環構造、リスト構造）上にある場合であっても、効率的にメモリ領域を利用可能にする。 - 特許庁
  • The image decoding apparatus then holds a frame structure memory for storing a reference image in a frame structure corresponding to frame prediction, and a field structure memory for storing a reference image in a field structure corresponding to field prediction.
    そして、画像復号化装置は、フレーム予測に対応したフレーム構造で参照画像を記憶するフレーム構造用メモリと、フィールド予測に対応したフィールド構造で参照画像を記憶するフィールド構造用メモリとを保持する。 - 特許庁
  • To provide a storage structure of a memory card in an electronic device that uses a memory card as a storage medium, capable of disposing in proximity to the memory card a display part that indicates status about the memory card.
    記憶媒体としてメモリーカードを用いる電子機器において、前記メモリーカードに関する状況を示す表示部を前記メモリーカードに近接して配設可能なメモリーカードの収納構造を提供する。 - 特許庁
  • Memory is not divided among channels but the channels are interconnected with data buses to eliminate constraints by memory capacity, and the structure of the data buses down to memory is layered to eliminate physical dependence on memory.
    チャンネル毎にメモリを分けるのではなく、チャンネル間をデータバスにて接続してメモリ容量の制約を無くし、メモリまでのデータバスの構成を階層化することで、物理的なメモリへの依存を無くした。 - 特許庁
  • To provide a nonvolatile memory cell capable of electrically obtaining operation of a nonvolatile memory in simple structure by means of an organic transistor, nonvolatile memory and control method of the nonvolatile memory cell.
    有機トランジスタにより簡単な構造で電気的に不揮発性メモリの動作が得られる不揮発性記憶素子及び不揮発性メモリ並びに不揮発性記憶素子の制御方法を提供する。 - 特許庁
  • The memory device is also disposed on the device structure and is provided with a plurality of the self-aligning nano memory structures (104, 204, 304, 404) in the direction of the device structure and at least one direction.
    メモリデバイスは、また、デバイス構造上に配置され、このデバイス構造と少なくとも１つの方向において自己整列された複数のナノ記憶構造(104,204,304,404)を備える。 - 特許庁
  • STEEL FRAME JOINING METHOD IN STEEL STRUCTURE OR THE LIKE USING IRON BASED SHAPE MEMORY ALLOY
    鉄系形状記憶合金を用いた鋼構造物等における鉄骨接合法 - 特許庁
  • To provide a compact lamination-type memory device having a simple circuit structure.
    回路構成が単純であり、かつコンパクトな積層タイプのメモリデバイスを提供する。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE MOUNTABLE ON SINGLE PACKAGE FORM DESPITE ITS BIT STRUCTURE
    ビット構造に係わらず、単一のパッケージ形態に実装可能な半導体メモリ装置 - 特許庁
  • NON-VOLATILE MEMORY CELL STRUCTURE HAVING ELECTRIC CHARGE TRAP FILM AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
    電荷トラップ膜を有する不揮発性メモリセル構造物及びその製造方法 - 特許庁
  • IN-CIRCUIT CONFIGURING STRUCTURE HAVING NONVOLATILE MEMORY FOR EMBEDDED CONFIGURABLE LOGIC ARRAY
    内蔵型設定可能ロジックアレイのための不揮発性メモリ付、回路内設定構造 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING SIDEWALL GATES AND SONOS CELL STRUCTURE
    側壁ゲートとＳＯＮＯＳセル構造を有する不揮発性メモリ素子の製造方法 - 特許庁
  • With this structure, the occupied area of the memory cell can be reduced.
    この構造とすることにより、メモリセルの占有面積を小さくすることができた。 - 特許庁
  • To provide a technique that improves a failure rate of a memory having a mirroring structure.
    ミラーリング構築された記憶装置の故障率を改善する技術を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device of a multi-bank structure improving chip efficiency.
    チップ効率が向上するマルチバンク構造の半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a memory device utilizing a multilayer structure with gradual resistance value.
    段階的な抵抗値を有する多層構造を利用したメモリ素子を提供する。 - 特許庁
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