「structure memory」を含む例文一覧(1752)

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  • SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH TRUE/COMPLEMENT REDUNDANT STRUCTURE
    ツル—／コンプリメント冗長構造を有する半導体メモリ装置 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device having a mat structure.
    マット構造を有する半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
  • To simplify a structure of a nonvolatile semiconductor memory device.
    不揮発性半導体記憶装置の構造を簡便化する。 - 特許庁
  • FLOATING GATE MEMORY DEVICE WITH INTERPOLY CHARGE TRAPPING STRUCTURE
    ポリ間電荷トラップ構造体を有する浮遊ゲートメモリ素子 - 特許庁
  • CONNECTOR-MOUNTED BOARD STRUCTURE, MEMORY CARD READER DEVICE AND DATA RECORDING DEVICE
    コネクタ配置基板構造、メモリーカードリーダ装置、データ記録装置 - 特許庁
  • The reference cell 21 has a structure similar to that of a memory cell 11.
    リファレンスセル２１は、メモリセル１１と同じ構造を有する。 - 特許庁
  • CHIP SELECTION SWITCHING CIRCUIT AND MEMORY STRUCTURE AUTOMATIC IDENTIFYING METHOD
    チップセレクト切り替え回路及びメモリ構成自動識別方法 - 特許庁
  • LAYOUT STRUCTURE IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND LAYOUT METHOD THEREOF
    半導体メモリ装置のレイアウト構造及びそのレイアウト方法 - 特許庁
  • STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FORMED BY USE OF FERROELECTRIC SUBSTANCE
    強誘電体を用いた半導体記憶素子の構造 - 特許庁
  • TRANSISTOR STRUCTURE OF DRAM MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
    ＤＲＡＭメモリ素子のトランジスタ構造及びその製造方法 - 特許庁
  • STRUCTURE OF FLASH MEMORY CELL, MANUFACTURING METHOD AND OPERATING METHOD THEREFOR
    フラッシュメモリセルの構造、その製造方法、及び操作方法 - 特許庁
  • A nonvolatile memory 6 employs the nonvolatile memory of a split gate structure constituted of the memory transistor part of an ONO structure and a selection transistor part selecting this.
    不揮発性メモリ（６）に、ＯＮＯ構造のメモリトランジスタ部とこれを選択する選択トランジスタ部から成るスプリットゲート構造の不揮発性メモリセルを採用する。 - 特許庁
  • To miniaturize a phase transformation memory device by minimizing the layer structure of the memory cell in the phase transformation memory device, and to simplify the structure while reducing the fabrication man-hour.
    相変化メモリ装置のメモリセルの層構造を最小化し、相変化メモリ装置の小型化、構造の簡素化、製造工数の削減を図ること。 - 特許庁
  • A memory structure determination support device includes: a storage device storing a memory structure determination support program, and a central processing unit for executing the memory structure determination support program.
    メモリ構造決定支援装置は、メモリ構造決定支援プログラムが格納される記憶装置と、上記メモリ構造決定支援プログラムを実行可能な中央処理装置とを含む。 - 特許庁
  • An on-board memory is also provided to store structure related data with the structure.
    また、構造関連のデータをこの構造によって記憶するオンボードメモリを提供する。 - 特許庁
  • CONNECTION STRUCTURE, MEMORY CARD, DEVICE FOR LOADING MEMORY CARD, AND SYSTEM FOR WRITING OR READING INFORMATION SIGNAL
    接続構造、メモリカード、メモリカードの装着装置及び情報信号の書き込み又は読み出しシステム - 特許庁
  • To provide a memory element capable of constituting a nonvolatile memory with comparatively simple structure.
    比較的単純な構造で不揮発性メモリを構成することができる記憶素子を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device having an open bitline structure from which an edge dummy memory cell block is removed.
    エッジ・ダミーメモリセル・ブロックを除去したオープン・ビットライン構造の半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
  • MEMORY-CELL STRUCTURE OF NON-VOLATILE FLASH MEMORY WITH SLIT TYPE GATE ELECTRODE AND ITS OPERATING METHOD
    スリット式ゲート電極を有する不揮発性フラッシュメモリの記憶セル構造及びその操作方法 - 特許庁
  • To efficiently process successive memory access in a cache memory with a multistage pipeline structure.
    多段パイプライン構造のキャッシュメモリにおいて、連続するメモリアクセスを効率的に処理可能とする。 - 特許庁
  • The structure of the plurality of memory cells is decided on the basis of data ("high" or "low") stored in the memory cells.
    複数のメモリセルの構造はメモリセルに記憶されるデータ（”ハイ”か”ロー”）によって決定される。 - 特許庁
  • The structure of the memory device is simplified, and the area occupied by the memory device is reduced.
    また、記憶素子の構造が簡素化され、記憶素子の占有面積を縮小することができる。 - 特許庁
  • To provide improved memory structure to realize a large capacity/ wide band width memory device and system.
    大容量／広バンド幅メモリ装置およびシステムを実現する改良型メモリ構造を提供する。 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND CELL STRUCTURE OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
    不揮発性半導体記憶装置の製造方法及び不揮発性半導体記憶装置のセル構造 - 特許庁
  • A memory device includes an array of dielectric charge trapping structure memory cells including word lines and bit lines.
    メモリデバイスは、ワードライン及びビットラインを含む誘電体電荷トラップ構造メモリセルのアレイを含む。 - 特許庁
  • To improve circuit structure for reading and evaluating the memory state in a semiconductor memory cell.
    半導体メモリーセル内のメモリー状態を読み出し、評価するための回路構造を改善する。 - 特許庁
  • GATE STRUCTURE OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND ITS FORMING METHOD
    不揮発性メモリ素子のゲート構造体及びその形成方法 - 特許庁
  • To provide an SIMD and a memory array structure for the SIMD.
    ＳＩＭＤ及びそれのためのメモリアレイ構造を提供する。 - 特許庁
  • FLASH MEMORY DEVICE HAVING SPLIT STRING SELECTION LINE STRUCTURE
    分離されたストリング選択ライン構造を有するフラッシュメモリ装置 - 特許庁
  • ADDRESS STRUCTURE AND METHOD FOR MULTIPLE ARRAYS OF DATA STORAGE MEMORY
    データストレージメモリの複数のアレイのためのアドレス構造及び方法 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING SONOS STRUCTURE
    ＳＯＮＯＳ構造を有する不揮発性メモリ素子の製造方法 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY CELL HAVING SPLIT-GATE STRUCTURE
    分離ゲートの構造を有するフラッシュメモリセルを製造する方法 - 特許庁
  • MEMORY DEVICE UTILIZING MULTILAYER STRUCTURE WITH STEPWISE RESISTANCE VALUE
    段階的な抵抗値を有する多層構造を利用したメモリ素子 - 特許庁
  • STRUCTURE OF FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT AND NONDESTRUCTIVE READOUT METHOD
    強誘電体メモリの素子構造、並びに非破壊読み出し方法 - 特許庁
  • SONOS MEMORY DEVICE HAVING CURVED SURFACE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    曲面構造を有するソノスメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
  • The erosion resistant protective structure comprises a shape memory alloy.
    本耐エロージョン性保護構造体は、形状記憶合金を含む。 - 特許庁
  • Insufficient memory to allocate group information structure.
    グループ情報構造体を配置するためのメモリが不足している。 - JM
  • JOINT STRUCTURE OF STEEL MATERIAL USING IRON-BASE SHAPE MEMORY ALLOY
    鉄系形状記憶合金を用いた鋼材の接合構造 - 特許庁
  • MEMORY DEVICE COMPRISING THREE-DIMENSIONAL ARRAY STRUCTURE AND ITS REPAIR METHOD
    ３次元アレイ構造を備えるメモリ装置及びそのリペア方法 - 特許庁
  • To provide a method for forming a flash memory card and its structure.
    フラッシュメモリカードの形成方法とその構造を提供する。 - 特許庁
  • MODULAR STRUCTURE FOR IMAGE INVERTED MEMORY USING SYNCHRONOUS DRAM
    同期ＤＲＡＭを使用する画像転置メモリのためのモジューラ構造 - 特許庁
  • This nonvolatile memory structure comprises a plurality of charge storage patterns.
    不揮発性メモリー構造は複数の電荷貯蔵のパターンを含む。 - 特許庁
  • In the structure formed in this way, the memory cell area can be made 4F^2.
    このような構造でメモリセルの面積を４Ｆ^２とできる。 - 特許庁
  • PROGRAMMING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE HAVING MUTLI-PLANE STRUCTURE
    マルチプレーン構造を有する不揮発性メモリ装置のプログラム方法 - 特許庁
  • Flush ROMs, constituted of a memory cell having the substantially same structure as a memory cell for a flash memory, are formed in respective chips of a wafer.
    フラッシュメモリのメモリセルとほぼ同じ構造のメモリセルによって構成されるフラッシュＲＯＭをウエハの各チップに形成する。 - 特許庁
  • To provide a SDRAM that enables combined use of memory modules having different structure in a memory system and the memory system comprising this.
    メモリシステムにおいて相異なる構造を有するメモリモジュールを混用可能にするSDRAM及びこれを備えるメモリシステムを提供する。 - 特許庁
  • The memory structure determination functions calculate and evaluate power consumption to group the arrays to be mounted on the memory module and determine a memory structure on the basis of the grouping, whereby the memory structure is optimized.
    上記メモリ構造決定機能により、消費電力が計算され、評価されることで、メモリモジュールへ実装される配列のグルーピングが行われ、それに基づいてメモリ構造が決定されることにより、メモリ構造が最適化される。 - 特許庁
  • A memory cell of the end memory cell mat 20 dares to be of a type of larger area than the memory cell of a general memory cell mat 10, and an advantage of a folded bit line structure can be carried into an open bit line structure.
    端メモリセルマット２０のメモリセルを通常メモリセルマット１０のメモリセルよりも敢えて面積の大きなタイプにし、フォールデットビット線構造の利点をオープンビット線構造に持ち込むことを可能とする。 - 特許庁
  • To provide a nonvolatile phase-change memory structure having a memory structure where a phase-change film cannot be damaged easily, and to provide a reliable phase-change nonvolatile memory.
    相変化膜が、破壊し難いメモリ構造を有する不揮発性相変化メモリ構造を提供し、信頼性の高い相変化型不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁
  • To provide a memory structure and the manufacturing method of the same, capable of reducing a time and a process necessary for manufacturing the memory structure and capable of manufacturing the memory structure without employing any transistor for decoding.
    メモリ構造を製造するのに必要な時間と処理とを低減し、復号化用のトランジスタを用いることなくメモリ構造を製造することができるメモリ構造及びその製造方法の提供。 - 特許庁
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